JPS5853859B2 - 薄膜のピンホ−ル測定方法 - Google Patents
薄膜のピンホ−ル測定方法Info
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- JPS5853859B2 JPS5853859B2 JP2584078A JP2584078A JPS5853859B2 JP S5853859 B2 JPS5853859 B2 JP S5853859B2 JP 2584078 A JP2584078 A JP 2584078A JP 2584078 A JP2584078 A JP 2584078A JP S5853859 B2 JPS5853859 B2 JP S5853859B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- pinholes
- measured
- film
- pinhole
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/91—Investigating the presence of flaws or contamination using penetration of dyes, e.g. fluorescent ink
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜のピンホール測定方法に係り、特に気相成
長法、スパッタリング法、蒸着法などによって基板上に
堆積させた金属あるいは絶縁物の薄膜のピンホールを検
出し、測定する方法に関する。
長法、スパッタリング法、蒸着法などによって基板上に
堆積させた金属あるいは絶縁物の薄膜のピンホールを検
出し、測定する方法に関する。
例えば、半導体素子の製造工程において、半導体基板上
に堆積された絶縁薄膜にピンホールが存在すると具合が
悪いので、絶縁薄膜に生じたピンホールの有無を検査し
なげればならない。
に堆積された絶縁薄膜にピンホールが存在すると具合が
悪いので、絶縁薄膜に生じたピンホールの有無を検査し
なげればならない。
ところがピンホールは肉眼では検出が困難であるので、
従来は、試験用の半導体基板の表面に絶縁薄膜を堆積さ
せた後、これを水中において通電し、水の電気分解現象
を利用してピンホールから水素の気泡が発生するかどう
かを観察したり、あるいは、半導体基板の表面に薄膜を
形成したものをメッキ液中に浸漬しピンホールを通して
金属が析出するか否かを観察することにより、ピンホー
ルの有無を検査していた。
従来は、試験用の半導体基板の表面に絶縁薄膜を堆積さ
せた後、これを水中において通電し、水の電気分解現象
を利用してピンホールから水素の気泡が発生するかどう
かを観察したり、あるいは、半導体基板の表面に薄膜を
形成したものをメッキ液中に浸漬しピンホールを通して
金属が析出するか否かを観察することにより、ピンホー
ルの有無を検査していた。
しかしながら、上述した従来の方法のうち、前者におい
ては微小なピンホール部から水素ガスの発生が起こりに
くいため正確な検査を期待することができず、また、後
者にあっては検査設備が大損りなものとなって検査の簡
易さに欠けるという欠点を有していた。
ては微小なピンホール部から水素ガスの発生が起こりに
くいため正確な検査を期待することができず、また、後
者にあっては検査設備が大損りなものとなって検査の簡
易さに欠けるという欠点を有していた。
そこで本発明の目的＆Ｌ基板の表面に被着された金属あ
るいは絶縁物の薄膜に発生したピンホールの有無を簡易
かつ正確に測定することができる薄膜のピンホール測定
方法を提供することにある。
るいは絶縁物の薄膜に発生したピンホールの有無を簡易
かつ正確に測定することができる薄膜のピンホール測定
方法を提供することにある。
しかして、上記目的を達成する本発明による薄膜のピン
ホール測定方法は、特定のエツチング液に対するエツチ
ング速度が測定対象となる薄膜に対してよりも早い下地
薄膜を基板上に形成し、その上にピンホールを測定すべ
き測定対象となる薄膜を重ねて形成し、次いでエツチン
グ処理を施すことにより測定対象となる薄膜中のピンホ
ールを下地薄膜上に拡大転写し、ピンホールの数や位置
を測定するようにしたことを特徴としている。
ホール測定方法は、特定のエツチング液に対するエツチ
ング速度が測定対象となる薄膜に対してよりも早い下地
薄膜を基板上に形成し、その上にピンホールを測定すべ
き測定対象となる薄膜を重ねて形成し、次いでエツチン
グ処理を施すことにより測定対象となる薄膜中のピンホ
ールを下地薄膜上に拡大転写し、ピンホールの数や位置
を測定するようにしたことを特徴としている。
以下本発明による薄膜のピンホール測定方法を半導体素
子の製造を例にとって図面を参照して説明する。
子の製造を例にとって図面を参照して説明する。
先ず測定対象となる薄膜がシリコン窒化膜である場合を
例にとって説明する。
例にとって説明する。
ａ）シリコンウェハ１の表面に下地薄膜としての酸化膜
２を被着する。
２を被着する。
この酸化膜２を形成するにはシリコンウェハ１を酸化雰
囲気中で加熱してその表面を熱酸化すれば良い。
囲気中で加熱してその表面を熱酸化すれば良い。
ｂ）上記酸化膜２の上に測定対象となる薄膜としてのシ
リコン窒化膜３を被着する。
リコン窒化膜３を被着する。
このシリコン窒化膜３にはピンホールがあるものと仮定
し、このピンホールを図中符号４で示すことにする。
し、このピンホールを図中符号４で示すことにする。
Ｃ） シリコンウェー・１をフッ化水素酸バッファ液
中に浸してエツチング処理を行う。
中に浸してエツチング処理を行う。
この時、シリコン窒化膜３にピンホール４が生じている
ために、ピンホール４を通してフッ化水素酸バッファ液
が下地薄膜２の表面に入り込む。
ために、ピンホール４を通してフッ化水素酸バッファ液
が下地薄膜２の表面に入り込む。
すると、下地薄膜に対するフッ化水素酸バッファ液のエ
ツチング速度は非常に大きいので、図Ｃに示すようにピ
ンホール４の直下の部分が図示のように浸食されること
になる。
ツチング速度は非常に大きいので、図Ｃに示すようにピ
ンホール４の直下の部分が図示のように浸食されること
になる。
ｄ）次いで測定対象となった薄膜をリン酸を使って除去
し、酸化膜２上転写されたピンホールの数や位置を測定
する。
し、酸化膜２上転写されたピンホールの数や位置を測定
する。
次に測定対象となる薄膜が金の薄膜である場合を例にと
って説明すると、こ１合にはエツチング液として塩酸水
溶液が使用される。
って説明すると、こ１合にはエツチング液として塩酸水
溶液が使用される。
この塩酸水溶液に対するエツチング速度が金の薄膜に対
してよりも早くなるような下地薄膜としてはクロム膜が
考えられる。
してよりも早くなるような下地薄膜としてはクロム膜が
考えられる。
そこで、この実施例においては、シリコンウェハの上に
下地薄膜としてのクロム膜を被着し、その上に測定対象
となる金の薄膜を重ねて被着する。
下地薄膜としてのクロム膜を被着し、その上に測定対象
となる金の薄膜を重ねて被着する。
そして、上記Ｃ）と同様、シリコンウェハを塩酸水溶液
中に浸してエツチング処理を行えば良い。
中に浸してエツチング処理を行えば良い。
この場合にも金の薄膜中にピンホールが存在した場合、
塩酸水溶液はピンホールを通してクロム膜に対しピンホ
ールの直下部分を浸食させる。
塩酸水溶液はピンホールを通してクロム膜に対しピンホ
ールの直下部分を浸食させる。
そこで、ヨウ化カリウムとヨウ素の混合液を使って測定
対象となった金の薄膜を除去し、クロム膜上に転写され
たピンホールの数ヤ寸法ヲ測定すれば良い。
対象となった金の薄膜を除去し、クロム膜上に転写され
たピンホールの数ヤ寸法ヲ測定すれば良い。
このように本発明によれば、特定のエツチング液に対す
るエツチング速度が測定対象となる薄膜に対してよりも
早いような下地薄膜を基板上に形成し、その上に測定対
象となる薄膜を被着し、所定のエツチング液を使ってエ
ツチング処理を行なうと、測定対象となる薄膜のピンホ
ールよりエツチング液が下地薄膜上に達し、エツチング
液は下地薄膜上に大きなどンホールを転写形成すること
になる。
るエツチング速度が測定対象となる薄膜に対してよりも
早いような下地薄膜を基板上に形成し、その上に測定対
象となる薄膜を被着し、所定のエツチング液を使ってエ
ツチング処理を行なうと、測定対象となる薄膜のピンホ
ールよりエツチング液が下地薄膜上に達し、エツチング
液は下地薄膜上に大きなどンホールを転写形成すること
になる。
その結果、測定対象となる薄膜中のピンホールは下地薄
膜の上に拡大転写することができ、測定対象となる膜の
ピンホールの検出がきわめて容易となり、ピンホールの
数、発生位置を正確につかむことができる。
膜の上に拡大転写することができ、測定対象となる膜の
ピンホールの検出がきわめて容易となり、ピンホールの
数、発生位置を正確につかむことができる。
したがって、この測定結果に基いて、ピンホールのない
金属または絶縁物の薄膜を形成する技術を確立すること
が可能となる。
金属または絶縁物の薄膜を形成する技術を確立すること
が可能となる。
図中ａ乃至ｄは本発明による測定対象となる薄膜のピン
ホールの測定方法を示す工程図である。 １・・・シリコンウェハ、２・・・酸化膜、３・・・測
定対象となる薄膜、４・・・ピンホール。
ホールの測定方法を示す工程図である。 １・・・シリコンウェハ、２・・・酸化膜、３・・・測
定対象となる薄膜、４・・・ピンホール。
Claims (1)
- １ ％定のエツチング液に対するエツチング速度が測定
対象となる薄膜に対してよりも早い下地薄膜を基板上に
形成し、その上にピンホールを測定すべき測定対象とな
る金属あるいは絶縁物の薄膜を重ねて形成し、次いでエ
ツチング処理を施すことにより測定対象となる薄膜中の
ピンホールを下地薄膜上に拡大転写し、ピンホールを測
定するようにしたことを特徴とする薄膜のピンホール測
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2584078A JPS5853859B2 (ja) | 1978-03-07 | 1978-03-07 | 薄膜のピンホ−ル測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2584078A JPS5853859B2 (ja) | 1978-03-07 | 1978-03-07 | 薄膜のピンホ−ル測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54118890A JPS54118890A (en) | 1979-09-14 |
| JPS5853859B2 true JPS5853859B2 (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=12177040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2584078A Expired JPS5853859B2 (ja) | 1978-03-07 | 1978-03-07 | 薄膜のピンホ−ル測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853859B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0810195B2 (ja) * | 1986-11-04 | 1996-01-31 | 松下電子工業株式会社 | ピンホールの検査方法 |
-
1978
- 1978-03-07 JP JP2584078A patent/JPS5853859B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54118890A (en) | 1979-09-14 |
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