JPH01236675A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH01236675A JPH01236675A JP63064225A JP6422588A JPH01236675A JP H01236675 A JPH01236675 A JP H01236675A JP 63064225 A JP63064225 A JP 63064225A JP 6422588 A JP6422588 A JP 6422588A JP H01236675 A JPH01236675 A JP H01236675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- welding
- main surface
- semiconductor device
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光半導体装置に係り、特にそのキャンの取
付は構造に関するものである。
付は構造に関するものである。
（従来の技術〕
第２図は従来のキャンの構成を示す図であり、第３図、
第４図は従来の光半導体装置の断面図を示すものである
。これらの図において、１はレーザダイオードチップ（
通称、ＬＤチップ）で、熱伝導性の良い放熱用ブロック
２に半田付けされ、この放熱用ブロック２を介して、パ
ッケージ８の主面に対し、ＬＤチップ１より放射される
レーザ光１３を上方へ取り出すようにマウントされる。
第４図は従来の光半導体装置の断面図を示すものである
。これらの図において、１はレーザダイオードチップ（
通称、ＬＤチップ）で、熱伝導性の良い放熱用ブロック
２に半田付けされ、この放熱用ブロック２を介して、パ
ッケージ８の主面に対し、ＬＤチップ１より放射される
レーザ光１３を上方へ取り出すようにマウントされる。
ＬＤチップ１の後方より放射されるレーザ光１３′をモ
ニタするために、パッケージ８の主面に、図のごとくモ
ニタ用のフォトダイオード（通称、ＰＤチップ）がマウ
ントされる。パッケージ８には、電気的に絶縁されたリ
ード４と５．電気的に導通されたり−ド６が接続されて
おり、図示のように、金ワイヤ７により、所望の極性を
得ている。パッケージ８の主面には、キャン１０がこの
キャン１ｏのフランジ１４を介して、ＬＤチップ１を被
うように溶接さる。キャン１ｏの中央部は開口されてお
り、ＬＤチップ１の前方より放射されるレーザ光１３を
取り出すために、透明な窓ガラス１１が接着剤１２によ
り取り付けられている。これによりＬＤチップ１は外部
とは遮断され、機密封止されている。
ニタするために、パッケージ８の主面に、図のごとくモ
ニタ用のフォトダイオード（通称、ＰＤチップ）がマウ
ントされる。パッケージ８には、電気的に絶縁されたリ
ード４と５．電気的に導通されたり−ド６が接続されて
おり、図示のように、金ワイヤ７により、所望の極性を
得ている。パッケージ８の主面には、キャン１０がこの
キャン１ｏのフランジ１４を介して、ＬＤチップ１を被
うように溶接さる。キャン１ｏの中央部は開口されてお
り、ＬＤチップ１の前方より放射されるレーザ光１３を
取り出すために、透明な窓ガラス１１が接着剤１２によ
り取り付けられている。これによりＬＤチップ１は外部
とは遮断され、機密封止されている。
パッケージ８には、第３図、第４図に示すように、パッ
ケージ８の主面に段差を有するものと無いものがあり、
キャン１０を溶接する上では、当該段差は、キャン１０
の位置決めガイドになり、キャッピングが容易に行える
反面、パッケージコストが高くなるデメリットがある。
ケージ８の主面に段差を有するものと無いものがあり、
キャン１０を溶接する上では、当該段差は、キャン１０
の位置決めガイドになり、キャッピングが容易に行える
反面、パッケージコストが高くなるデメリットがある。
キャン１０をパッケージ８の主面に溶接する場合、キャ
ン１０の溶接飛びの問題がある。第３図のようにパッケ
ージ８の主面にキャン１０の位置ガイド用の段差がある
場合には、キャン１０の溶接飛びが内部の素子に付着す
ることはないが、パッケージ８の主面のキャン１０の外
部に付着することはあり、光ピツクアップに素子を組み
込んで、パッケージ８の主面を位置決めする上で問題と
なる。
ン１０の溶接飛びの問題がある。第３図のようにパッケ
ージ８の主面にキャン１０の位置ガイド用の段差がある
場合には、キャン１０の溶接飛びが内部の素子に付着す
ることはないが、パッケージ８の主面のキャン１０の外
部に付着することはあり、光ピツクアップに素子を組み
込んで、パッケージ８の主面を位置決めする上で問題と
なる。
一方、第４図のように、パッケージコストを下げる薄形
、超小型化を目的として、パッケージ８の主面に段差の
ないパッケージの場合には、キャン１０の溶接時の溶接
飛びがキャン１０の内部。
、超小型化を目的として、パッケージ８の主面に段差の
ないパッケージの場合には、キャン１０の溶接時の溶接
飛びがキャン１０の内部。
外部に発生することがあり、素子の信頼性上重大な問題
がある。
がある。
この問題を解決するために、第２図のように、キャン１
０のフランジ１４部分に突起リング（通称、プロジェク
ションリング）１５を設け、溶接時のキャン１０へ溶接
飛びを防止していたが、完全なものではなかった。
０のフランジ１４部分に突起リング（通称、プロジェク
ションリング）１５を設け、溶接時のキャン１０へ溶接
飛びを防止していたが、完全なものではなかった。
上記のように構成された従来の光半導体装置は、キャン
１０をパッケージ８に溶接する際の、キャン１ｏの溶接
飛びを完全には防止しきれず、素子の信頼性上大きな問
題点となっていた。
１０をパッケージ８に溶接する際の、キャン１ｏの溶接
飛びを完全には防止しきれず、素子の信頼性上大きな問
題点となっていた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、キャンの溶接時の溶接飛びを完全に防止で
き、高信頼度性の光半導体装置を得ることを目的とする
。
れたもので、キャンの溶接時の溶接飛びを完全に防止で
き、高信頼度性の光半導体装置を得ることを目的とする
。
この発明に係る光半導体装置は、パッケージの主面のキ
ャンを溶接する位置に、キャンのフランジ部分が嵌合す
るリング状の溝を形成したものである。
ャンを溶接する位置に、キャンのフランジ部分が嵌合す
るリング状の溝を形成したものである。
この発明においては、キャンを位置決め固定するための
リング状の溝を形成したことから、このリング状の溝が
キャンのキャッピング溶接時の位置合わせガイドとして
作用するとともに、主たる目的のキャン溶接時の溶接飛
びが、リング状の溝の段差により完全に抑えられる。
リング状の溝を形成したことから、このリング状の溝が
キャンのキャッピング溶接時の位置合わせガイドとして
作用するとともに、主たる目的のキャン溶接時の溶接飛
びが、リング状の溝の段差により完全に抑えられる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す光半導体装置の断面
図である。この光半導体装置の構成は、 −第３図、第
４図に示したものと同じであるが、この発明においては
、パッケージ８の主面に、キャン１０のフランジ１４の
幅よりも少し大きめのリング状の溝９が形成されている
。
図である。この光半導体装置の構成は、 −第３図、第
４図に示したものと同じであるが、この発明においては
、パッケージ８の主面に、キャン１０のフランジ１４の
幅よりも少し大きめのリング状の溝９が形成されている
。
上記のように、パッケージ８の主面に、キャン１０のフ
ランジ１４の幅よりも少し大きめの溝９をパッケージ８
の中心に対しリング状に形成しているために、キャン１
０の溶接時に発生する溶接飛びを溝９部分で完全に吸収
できる。
ランジ１４の幅よりも少し大きめの溝９をパッケージ８
の中心に対しリング状に形成しているために、キャン１
０の溶接時に発生する溶接飛びを溝９部分で完全に吸収
できる。
したがって、この発明によるパッケージであれば、従来
のようにキャン１０のフランジ１４部分に突起リングを
形成する必要もなく、キャン１０の製造コストを安くす
ることができる。
のようにキャン１０のフランジ１４部分に突起リングを
形成する必要もなく、キャン１０の製造コストを安くす
ることができる。
なお、上記実施例では、半導体レーザ装置について説明
したが、ＬＥＤの発光装置を始め、ＰＤ、ＡＰＤ等の受
光装置でも同様の効果が得られる。
したが、ＬＥＤの発光装置を始め、ＰＤ、ＡＰＤ等の受
光装置でも同様の効果が得られる。
〔発明の効果）
以上説明したようにこの発明は、パッケージの主面に、
キャンを溶接する際のキャンの溶接飛びを完全に防止す
るために、パッケージの主面のキャンを溶接する位置に
、キャンのフランジ部分が嵌合するリング状の溝を形成
したので、パッケージの主面にキャンを位置決めする段
差のあるパッケージや、コストダウン、小型、薄型を目
的としたパッケージの主面に段差のないパッケージ等に
おいても、このリング状の溝を形成することによリキャ
ン溶接時の溶接飛びを確実に防止でき、信頼性の高い素
子が得られる。
キャンを溶接する際のキャンの溶接飛びを完全に防止す
るために、パッケージの主面のキャンを溶接する位置に
、キャンのフランジ部分が嵌合するリング状の溝を形成
したので、パッケージの主面にキャンを位置決めする段
差のあるパッケージや、コストダウン、小型、薄型を目
的としたパッケージの主面に段差のないパッケージ等に
おいても、このリング状の溝を形成することによリキャ
ン溶接時の溶接飛びを確実に防止でき、信頼性の高い素
子が得られる。
また、この発明のパッケージを用いれば、突起リングは
なくてもよく、さらに、リング状の溝は、キャンのパッ
ケージに対する位置合わせ用ガイドとして作用すること
から、キャンの位置精度のばらつきを十分に抑制できる
効果が得られる。
なくてもよく、さらに、リング状の溝は、キャンのパッ
ケージに対する位置合わせ用ガイドとして作用すること
から、キャンの位置精度のばらつきを十分に抑制できる
効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例を示す光半導体装置の断面
図、第２図は従来のキャンの断面図、第３図、第４図は
従来の光半導体装置を示す断面図である。 図において、１はレーザダイオードチップ、２は放熱用
ブロック、３はフォトダイオードチップ、４，５．６は
リード、７は金ワイヤ、８はパッケージ、９はパッケー
ジの主面に設けられたリング状の溝、１０はキャン、１
１は窓ガラス、１２は接着剤、１３．１３’ はレーザ
光、１４はキャンのフランジである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）策１図 第２図 １？ 第３図 ）Ａ１３
図、第２図は従来のキャンの断面図、第３図、第４図は
従来の光半導体装置を示す断面図である。 図において、１はレーザダイオードチップ、２は放熱用
ブロック、３はフォトダイオードチップ、４，５．６は
リード、７は金ワイヤ、８はパッケージ、９はパッケー
ジの主面に設けられたリング状の溝、１０はキャン、１
１は窓ガラス、１２は接着剤、１３．１３’ はレーザ
光、１４はキャンのフランジである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）策１図 第２図 １？ 第３図 ）Ａ１３
Claims (1)
- パッケージの主面に放熱用ブロックを介して固定され
、前記パッケージの主面に対し上方へ発光する発光素子
と、この発光素子を被うように前記パッケージの主面に
溶接されたキャンとを有し、かつ前記キャンの中央部に
前記発光素子の光を上方へ取り出す透明な窓ガラスを備
えた光半導体装置において、前記パッケージの主面に、
前記キャンを位置決め固定するリング状の溝を設けたこ
とを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064225A JPH01236675A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064225A JPH01236675A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236675A true JPH01236675A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13251949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63064225A Pending JPH01236675A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009116133A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源モジュール |
| JP7509339B1 (ja) * | 2024-01-24 | 2024-07-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザモジュール |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP63064225A patent/JPH01236675A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009116133A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源モジュール |
| US8391326B1 (en) | 2008-03-18 | 2013-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light source module |
| JP7509339B1 (ja) * | 2024-01-24 | 2024-07-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| WO2025158592A1 (ja) * | 2024-01-24 | 2025-07-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置及び半導体レーザモジュール |
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