JPS62147765A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS62147765A JPS62147765A JP60289842A JP28984285A JPS62147765A JP S62147765 A JPS62147765 A JP S62147765A JP 60289842 A JP60289842 A JP 60289842A JP 28984285 A JP28984285 A JP 28984285A JP S62147765 A JPS62147765 A JP S62147765A
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- JP
- Japan
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- charge transfer
- pixel
- picture element
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置６、特にカラー画像を得る固体撮
像装置に関する。
像装置に関する。
カラー複写機等に用いる読取素子として、固体ｉｔ装置
が盛んに用いられている。このようなカラー画像を１？
Ｊる固体撮像装置は、一般にぞれぞれ分光感度の異なる
３つの画素列を有する。各画素列の分光感度を異ならせ
るためには、３種の色フィルタを用いるのが一般的であ
る。
が盛んに用いられている。このようなカラー画像を１？
Ｊる固体撮像装置は、一般にぞれぞれ分光感度の異なる
３つの画素列を有する。各画素列の分光感度を異ならせ
るためには、３種の色フィルタを用いるのが一般的であ
る。
第４図にこのような従来の固体撮像装詔の一例の構造図
を示す。３つの画素列（図ではハツチングを施して示す
）Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ複数の画素から成り、例えば
それぞれＲＧＢの分光感度を右する。これらの各画素で
発生した電荷は、６つの電荷転送部ａ１．ａ２．ｂ１．
ｂ２．ｃｌ。
を示す。３つの画素列（図ではハツチングを施して示す
）Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ複数の画素から成り、例えば
それぞれＲＧＢの分光感度を右する。これらの各画素で
発生した電荷は、６つの電荷転送部ａ１．ａ２．ｂ１．
ｂ２．ｃｌ。
Ｃ２によって図の左方に転送されてゆく。この電ｒＪ転
送部は一般にＣＯＤレジスタで構成される。
送部は一般にＣＯＤレジスタで構成される。
１つの画素列（例えば画素列Δ）で発生した電荷を２つ
の電荷転送部（例えばａｌとＣ２）で転送ツル横Ｑ ハ
ｄ ｕ ａ Ｉ Ｃｈ ａ ｎ ｎ ｅ Ｉ ｆ１造
と呼ばれ、１つの電荷転送部で転送する構造に比べ、画
素ピッチを倍にすることができるという利点がある。本
装置では、電荷転送部ａ１．ｂ１．ｃ１はそれぞれ画素
列Ａ、Ｂ、Ｃの奇数番目の画素で発生した電荷を転送し
、電荷転送部ａ２．ｂ２゜Ｃ２はそれぞれ画素列Ａ、Ｂ
、Ｃの偶数番目の画素で発生した電荷を転送する。各画
素列と各電荷転送部との間には信号Ｓで駆動する転送ゲ
ート■１〜Ｔ６が設けられている。
の電荷転送部（例えばａｌとＣ２）で転送ツル横Ｑ ハ
ｄ ｕ ａ Ｉ Ｃｈ ａ ｎ ｎ ｅ Ｉ ｆ１造
と呼ばれ、１つの電荷転送部で転送する構造に比べ、画
素ピッチを倍にすることができるという利点がある。本
装置では、電荷転送部ａ１．ｂ１．ｃ１はそれぞれ画素
列Ａ、Ｂ、Ｃの奇数番目の画素で発生した電荷を転送し
、電荷転送部ａ２．ｂ２゜Ｃ２はそれぞれ画素列Ａ、Ｂ
、Ｃの偶数番目の画素で発生した電荷を転送する。各画
素列と各電荷転送部との間には信号Ｓで駆動する転送ゲ
ート■１〜Ｔ６が設けられている。
本装置の動作は次のとおりである。まず信号電荷を蓄積
するための所定の撮像１す１間が終了すると、転送ゲー
ト］−１〜Ｔ６が聞き、画素列Ａ、Ｂ、Ｃの各画素に蓄
積した電荷はそれぞれ割当てられた電荷転送部へ転送さ
れる。続いて、各電量転送部上の電荷は図の左方へ一段
ずつ転送され、出力部Ｐ１〜Ｐ６から時系列的に６つの
出力が並行して取出されることになる。
するための所定の撮像１す１間が終了すると、転送ゲー
ト］−１〜Ｔ６が聞き、画素列Ａ、Ｂ、Ｃの各画素に蓄
積した電荷はそれぞれ割当てられた電荷転送部へ転送さ
れる。続いて、各電量転送部上の電荷は図の左方へ一段
ずつ転送され、出力部Ｐ１〜Ｐ６から時系列的に６つの
出力が並行して取出されることになる。
カラー複写機等のシステムでは、一般に原稿上を３本の
画素列Ａ、Ｂ、Ｃが走査することによって原稿読取りが
行われる。例えば第４図の装置を読取素子として用いた
場合には、図の縦方向に原稿が移ｆｊｌ することにな
る。いま、原稿が図の土から下へ移動して読取りが行わ
れるものとすると、原稿上のある１点Ｑのカラー画像情
報を得るためには、１点Ｑが画素列Ａで跣取られ、更に
画素列Ｂで読取られ、最後に画素列Ｃで読取られねばな
らない。従って画素列Ａの位置から画素列Ｃの位置まで
走査する時間、読取情報をシステム内に記憶しておかね
ばならない。１つの画素列からの読取情報の記憶に必要
な記憶容ｆｆ１Ｍは、ビ で表わされる。ここでＮは各画素列の画素数、ｄは画素
列間距離、Ｐは画素ピッチである。記憶容ｆｆ１Ｍが大
きくなると、メモリ素子のコストが上がり装蔽自体も大
型化するという弊害が生ずるため、記憶容１ｔ１Ｍはで
きる限り小さくするのが好ましい。
画素列Ａ、Ｂ、Ｃが走査することによって原稿読取りが
行われる。例えば第４図の装置を読取素子として用いた
場合には、図の縦方向に原稿が移ｆｊｌ することにな
る。いま、原稿が図の土から下へ移動して読取りが行わ
れるものとすると、原稿上のある１点Ｑのカラー画像情
報を得るためには、１点Ｑが画素列Ａで跣取られ、更に
画素列Ｂで読取られ、最後に画素列Ｃで読取られねばな
らない。従って画素列Ａの位置から画素列Ｃの位置まで
走査する時間、読取情報をシステム内に記憶しておかね
ばならない。１つの画素列からの読取情報の記憶に必要
な記憶容ｆｆ１Ｍは、ビ で表わされる。ここでＮは各画素列の画素数、ｄは画素
列間距離、Ｐは画素ピッチである。記憶容ｆｆ１Ｍが大
きくなると、メモリ素子のコストが上がり装蔽自体も大
型化するという弊害が生ずるため、記憶容１ｔ１Ｍはで
きる限り小さくするのが好ましい。
ところが画素数Ｎを小さくしても、画素ピッチＰを人ぎ
くしても、解像度が低下してしまう。解像度を一定水準
に保ちつつ、記憶容ｆｄＭを小さくするには、画素列間
外１１ｉｄを小さくせざるを得ない。
くしても、解像度が低下してしまう。解像度を一定水準
に保ちつつ、記憶容ｆｄＭを小さくするには、画素列間
外１１ｉｄを小さくせざるを得ない。
しかしながら従来の固体撮像装置には、画素列間に２本
の電荷転送手段、例えばＣＯＤがあり、ｄ＝１００〜２
００μｍ程麻が限界である。
の電荷転送手段、例えばＣＯＤがあり、ｄ＝１００〜２
００μｍ程麻が限界である。
そこで本発明は、画素列間距離を短縮し、解像度の低下
を眉くことなく画像情報一時記憶用メモリの記憶容倣を
低減させることのできる固体’Ｍ８素子を提供すること
を目的とする。
を眉くことなく画像情報一時記憶用メモリの記憶容倣を
低減させることのできる固体’Ｍ８素子を提供すること
を目的とする。
本発明の特徴は、固体梶像５Ａ置において、光電変換素
子から成る画素を一次元列状に配した３本の画素列Δ、
ｒ３．Ｃと、各画素列の奇数幅［１の画素で発生した電
荷をそれぞれ別々に一次元列方向に転送する３本の電荷
転送手段ａ１．ｂ１．ＣＩと、各画素列の偶数番目の画
素で発生した電荷をそれぞれ別々に−゛次元列方向に転
送する３本の電荷転送子段ｒａ２．ｂ２．ｃ２と、を設
け、画素列Δ、Ｂ、Ｃをそれぞれこの順に平行に配し、
画素列Ａと８との間に゛上前転送手段ｂ１を、画素列Ｂ
とＣとの間に電荷転送手段ｂ２をそれぞれ配し、画素列
への電荷転送子段ｂ１どは反対側の側方に電荷転送手段
ａ１．ａ２を配し、画素列Ｃの電荷転送手段ｂ２とは反
対側の側方に／Ｊｊ荷転送手段ｃ１．ｃ２を配し、 各画素で発生した電荷を所定の電？・１転送手段まで一
次元列方向に対し垂直な方向に転送づるｍ直転送手段を
更に設け、画素列間距離を短縮し、解像度の低下をＩＢ
＜ことなく画像情報一時記憶用メ王りの記憶容量を低
減させることができるようにした点にある。
子から成る画素を一次元列状に配した３本の画素列Δ、
ｒ３．Ｃと、各画素列の奇数幅［１の画素で発生した電
荷をそれぞれ別々に一次元列方向に転送する３本の電荷
転送手段ａ１．ｂ１．ＣＩと、各画素列の偶数番目の画
素で発生した電荷をそれぞれ別々に−゛次元列方向に転
送する３本の電荷転送子段ｒａ２．ｂ２．ｃ２と、を設
け、画素列Δ、Ｂ、Ｃをそれぞれこの順に平行に配し、
画素列Ａと８との間に゛上前転送手段ｂ１を、画素列Ｂ
とＣとの間に電荷転送手段ｂ２をそれぞれ配し、画素列
への電荷転送子段ｂ１どは反対側の側方に電荷転送手段
ａ１．ａ２を配し、画素列Ｃの電荷転送手段ｂ２とは反
対側の側方に／Ｊｊ荷転送手段ｃ１．ｃ２を配し、 各画素で発生した電荷を所定の電？・１転送手段まで一
次元列方向に対し垂直な方向に転送づるｍ直転送手段を
更に設け、画素列間距離を短縮し、解像度の低下をＩＢ
＜ことなく画像情報一時記憶用メ王りの記憶容量を低
減させることができるようにした点にある。
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第１
図は本発明に係る固体躍像装置の一実施例の構造図であ
る。ここで第４図に示す従来装置と同一構成要素につい
ては同一符号を付して示す。
図は本発明に係る固体躍像装置の一実施例の構造図であ
る。ここで第４図に示す従来装置と同一構成要素につい
ては同一符号を付して示す。
基本的な構成要素については従来装置と同様である。即
ち、画素列Ａ、Ｂ、Ｃで発生した電荷は、ＣＯＤ等から
なる電荷転送手段ａ１．ａ２．ｂｌ。
ち、画素列Ａ、Ｂ、Ｃで発生した電荷は、ＣＯＤ等から
なる電荷転送手段ａ１．ａ２．ｂｌ。
ｂ２．ｃ１、Ｃ２によって出力部Ｐ１〜Ｐ６まで転送さ
れる。
れる。
本装置の特徴は、これら基本的な構成要素の配列にある
。即ち、３本の画素列Ａ、８．０が平行に隣接して配置
され、画素列Ａ、Ｂ間に電荷転送手段ｂ１が、画素列８
．０間に電荷転送手段ｂ２が、それぞれ配され、画素列
Ａの電荷転送手段ｂ１とは反対側の側方に電荷転送手段
ａ１．ａ２が配され、画素列Ｃの電荷転送手段ｂ２とは
反対側の側方に電荷転送手段ｃ１．ｃ２が配されている
。そして各構成要素のｕｌｌには転送ゲートＴ７〜ＴＩ
２が設置プられており、信号８１．Ｓ２．Ｓ３で駆動す
る。本装置のもう１つの特徴は、これらの転送ゲートに
よって、電荷を図の垂直方向に転送できるという点であ
る。
。即ち、３本の画素列Ａ、８．０が平行に隣接して配置
され、画素列Ａ、Ｂ間に電荷転送手段ｂ１が、画素列８
．０間に電荷転送手段ｂ２が、それぞれ配され、画素列
Ａの電荷転送手段ｂ１とは反対側の側方に電荷転送手段
ａ１．ａ２が配され、画素列Ｃの電荷転送手段ｂ２とは
反対側の側方に電荷転送手段ｃ１．ｃ２が配されている
。そして各構成要素のｕｌｌには転送ゲートＴ７〜ＴＩ
２が設置プられており、信号８１．Ｓ２．Ｓ３で駆動す
る。本装置のもう１つの特徴は、これらの転送ゲートに
よって、電荷を図の垂直方向に転送できるという点であ
る。
所定の撮像期間ＴＯが経過した後、画素列Δ。
８．０の奇数番目の画素で発生した電荷Ｑａ。
Ｑｂ、Ｑｃは、図の矢印で示すようにそれぞれ電荷転送
手段ａ１．ｂ１．ｃｌまで転送されな番プればならない
。また、画素列Ａ、Ｂ、Ｃの偶数番［１の画素で発生し
たｉｌｆｆｉＭＱ ａ’ 、 Ｑ ｂ’ 、 Ｑ Ｃ’
は、図の矢印で示すようにそれぞれ電荷転送手段ａ２
゜ｂ２．Ｃ２まで転送されなければならない。電荷Ｑｂ
、Ｑｂ’の転送については、第４図に示す従来装置と同
様であるため訓明を省略する。電荷Ｑａ、Ｑａ’および
電荷Ｑｃ、Ｑｃ’ ＋７）転送ハトもに一方向にのみ行
われる。両者の転送は全く同様であるため、ここでは電
荷Ｑｃ、Ｑｃ’の転送についてのみ説明する。第２図は
第１図の破線内の構造詳細図である。電荷転送手段Ｃ１
およびＣ２は、複数段のＣＣＤレジスタで表わされてお
り、画素列Ｃには、各画素が別個に描かれている。
手段ａ１．ｂ１．ｃｌまで転送されな番プればならない
。また、画素列Ａ、Ｂ、Ｃの偶数番［１の画素で発生し
たｉｌｆｆｉＭＱ ａ’ 、 Ｑ ｂ’ 、 Ｑ Ｃ’
は、図の矢印で示すようにそれぞれ電荷転送手段ａ２
゜ｂ２．Ｃ２まで転送されなければならない。電荷Ｑｂ
、Ｑｂ’の転送については、第４図に示す従来装置と同
様であるため訓明を省略する。電荷Ｑａ、Ｑａ’および
電荷Ｑｃ、Ｑｃ’ ＋７）転送ハトもに一方向にのみ行
われる。両者の転送は全く同様であるため、ここでは電
荷Ｑｃ、Ｑｃ’の転送についてのみ説明する。第２図は
第１図の破線内の構造詳細図である。電荷転送手段Ｃ１
およびＣ２は、複数段のＣＣＤレジスタで表わされてお
り、画素列Ｃには、各画素が別個に描かれている。
また電荷の通路は破線で示しである。ＣＣＤレジスタの
各段には、クロックφ 、φ２．φ３゜φ４が与えられ
ている。さて、画素列Ｃ内の奇数番目の画素で所定の撮
像期間ＴＯ内に生成した電荷Ｑｃは、図の矢印で示１よ
うに電荷転送手段Ｃ１まで、偶数番目の画素でＪｌｌ１
間ＴＯ内に生成した電荷Ｑ ｃ ／は、図の矢印で示す
ように電荷転送手段Ｃ２まで、それぞれ転送しなくては
ならない。
各段には、クロックφ 、φ２．φ３゜φ４が与えられ
ている。さて、画素列Ｃ内の奇数番目の画素で所定の撮
像期間ＴＯ内に生成した電荷Ｑｃは、図の矢印で示１よ
うに電荷転送手段Ｃ１まで、偶数番目の画素でＪｌｌ１
間ＴＯ内に生成した電荷Ｑ ｃ ／は、図の矢印で示す
ように電荷転送手段Ｃ２まで、それぞれ転送しなくては
ならない。
この転送手順を第３図に示すタイムチ１７−トを参照し
て説明する。まず、所定の蹟像期＠Ｔｏが終了り゛ると
同時に、時刻ｔ１．において信号Ｓ２がパルスを発生し
、転送ゲートＴ１１が１１ｕり。これにより、両系列Ｃ
内の電荷Ｑｃ、Ｑｃｌ は、電荷転送手段Ｃ２の対応す
るレジスタへ転送される。
て説明する。まず、所定の蹟像期＠Ｔｏが終了り゛ると
同時に、時刻ｔ１．において信号Ｓ２がパルスを発生し
、転送ゲートＴ１１が１１ｕり。これにより、両系列Ｃ
内の電荷Ｑｃ、Ｑｃｌ は、電荷転送手段Ｃ２の対応す
るレジスタへ転送される。
時刻ｔ１において、φ 、φ と６にハイレベルとなっ
ているため、電荷は各レジスタ内に蓄積される。続いて
時刻ｔ２においてφ１がＯ−レベルに、φ３がハイレベ
ルになり、しかも信号Ｓ３がパルスを発生し、転送ゲー
トＴＩ２が開く。これにより、電荷Ｑｃは、電荷転送手
段Ｃ２からＣ１へと転送される。φ３がハイレベルとな
ったことにより、電荷Ｑｃは、電荷転送手段Ｃ１内のレ
ジスタに蓄積される。なお、転送グー］〜Ｔ１２が聞い
ても、φ２がハイレベル、φ４が【コーレベルであるた
め、ｍ Ｍ Ｑ Ｃ’ はこのときには転送されない。
ているため、電荷は各レジスタ内に蓄積される。続いて
時刻ｔ２においてφ１がＯ−レベルに、φ３がハイレベ
ルになり、しかも信号Ｓ３がパルスを発生し、転送ゲー
トＴＩ２が開く。これにより、電荷Ｑｃは、電荷転送手
段Ｃ２からＣ１へと転送される。φ３がハイレベルとな
ったことにより、電荷Ｑｃは、電荷転送手段Ｃ１内のレ
ジスタに蓄積される。なお、転送グー］〜Ｔ１２が聞い
ても、φ２がハイレベル、φ４が【コーレベルであるた
め、ｍ Ｍ Ｑ Ｃ’ はこのときには転送されない。
続いて時刻ｔ３において、φ３．φ４が反転し、電荷転
送手段ｃ Ｉ Ｐ、の電荷が図の左方へ１段転送される
。更に時刻１：４においてφ 、φ２も反転し、電荷転
送手段Ｃ２上の電荷す図の左方へ１段転送される。以後
一定の周期で全電荷が左方へ１段階ずつ転送されてゆく
ことになる。。
送手段ｃ Ｉ Ｐ、の電荷が図の左方へ１段転送される
。更に時刻１：４においてφ 、φ２も反転し、電荷転
送手段Ｃ２上の電荷す図の左方へ１段転送される。以後
一定の周期で全電荷が左方へ１段階ずつ転送されてゆく
ことになる。。
さて、このような構成を採ることによって青られるメリ
ットは、画素列問罪ｆ１ｔｄの短縮である。
ットは、画素列問罪ｆ１ｔｄの短縮である。
第１図に示すように、各画素列間には転送ゲートと１つ
の電荷転送手段があるのみなので、従来装置に比べ画素
列間距離をかなり短縮することかできる。即ら、従来ｄ
＝１００〜２００μｍ程度であったものが、本実施例で
はｄ＝５０〜１００μｍＰｉ！度となる。従って前述の
式で記憶容ｆｆ１Ｍを大幅に減少させることができる。
の電荷転送手段があるのみなので、従来装置に比べ画素
列間距離をかなり短縮することかできる。即ら、従来ｄ
＝１００〜２００μｍ程度であったものが、本実施例で
はｄ＝５０〜１００μｍＰｉ！度となる。従って前述の
式で記憶容ｆｆ１Ｍを大幅に減少させることができる。
（発明の効果）
以上のとおり本発明によれば、固体撮像装置において３
本の画素列を平行に隣接さＵて配し、電荷をこの画素列
と垂直方向に転送するようにしたため、画素列間距離を
短縮し、解像度の低下を１ａくことなく画像情報一時記
憶用メモリの記憶容量を低減させることができる。
本の画素列を平行に隣接さＵて配し、電荷をこの画素列
と垂直方向に転送するようにしたため、画素列間距離を
短縮し、解像度の低下を１ａくことなく画像情報一時記
憶用メモリの記憶容量を低減させることができる。
第１図は本発明に係る固体撮像装置の一実施例の構成図
、第２図は第１図の破線内の詳細図、第３図は第１図に
示ず装置の＃Ｊ作を説明するタイムヂシート図、第４図
は従来の固体ね像装置の一例の構成図である。 Ａ、［３，０−・・画素列、ａ１、ｂ１、ｃｉ、ａ２゜
ｂ２．ｃ２・・・電荷転送手段、Ｐ１〜Ｐ６・・・出力
部、Ｔ１−Ｔ１２・・・転送グー１へ、ｄ・・・画素列
間距離、Ｑａ、Ｑｂ、Ｑｃ、Ｑａ’ 、Ｑｂ’ 、
Ｑｃ′ −・・電荷。
、第２図は第１図の破線内の詳細図、第３図は第１図に
示ず装置の＃Ｊ作を説明するタイムヂシート図、第４図
は従来の固体ね像装置の一例の構成図である。 Ａ、［３，０−・・画素列、ａ１、ｂ１、ｃｉ、ａ２゜
ｂ２．ｃ２・・・電荷転送手段、Ｐ１〜Ｐ６・・・出力
部、Ｔ１−Ｔ１２・・・転送グー１へ、ｄ・・・画素列
間距離、Ｑａ、Ｑｂ、Ｑｃ、Ｑａ’ 、Ｑｂ’ 、
Ｑｃ′ −・・電荷。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光電変換素子から成る画素を一次元列状に配した３
本の画素列Ａ、Ｂ、Ｃと、前記各画素列の奇数番目の画
素で発生した電荷をそれぞれ別々に前記一次元列方向に
転送する３本の電荷転送手段ａ１、ｂ１、ｃ１と、前記
各画素列の偶数番目の画素で発生した電荷をそれぞれ別
々に前記一次元列方向に転送する３本の電荷転送手段ａ
２、ｂ２、ｃ２と、を備え、 前記画素列Ａ、Ｂ、Ｃがそれぞれこの順に平行に配され
、前記画素列ＡとＢとの間に前記電荷転送手段ｂ１が、
前記画素列ＢとＣとの間に前記電荷転送手段ｂ２が、そ
れぞれ配され、前記画素列Ａの前記電荷転送手段ｂ１と
は反対側の側方に前記電荷転送手段ａ１、ａ２が配され
、前記画素列Ｃの前記電荷転送手段ｂ２とは反対側の側
方に前記電荷転送手段ｃ１、ｃ２が配され、 各画素で発生した電荷を所定の前記各電荷転送手段まで
前記一次元列方向に対し垂直な方向に転送する垂直転送
手段を更に備えることを特徴とする固体撮像装置。 ２、３本の画素列Ａ、Ｂ、Ｃを構成する画素が、各画素
列ごとに異なる分光感度を有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289842A JPH0665229B2 (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289842A JPH0665229B2 (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62147765A true JPS62147765A (ja) | 1987-07-01 |
| JPH0665229B2 JPH0665229B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17748470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60289842A Expired - Lifetime JPH0665229B2 (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665229B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5969830A (en) * | 1996-05-30 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Color linear image sensor and driving method therefor |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP60289842A patent/JPH0665229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5969830A (en) * | 1996-05-30 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Color linear image sensor and driving method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0665229B2 (ja) | 1994-08-22 |
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