JPH01240005A - 高入力インピーダンス増幅器 - Google Patents

高入力インピーダンス増幅器

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Publication number
JPH01240005A
JPH01240005A JP63065915A JP6591588A JPH01240005A JP H01240005 A JPH01240005 A JP H01240005A JP 63065915 A JP63065915 A JP 63065915A JP 6591588 A JP6591588 A JP 6591588A JP H01240005 A JPH01240005 A JP H01240005A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
amplifier
input impedance
coupling capacitor
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63065915A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Matsunaga
晃一 松永
Akihiro Maejima
明広 前島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63065915A priority Critical patent/JPH01240005A/ja
Publication of JPH01240005A publication Critical patent/JPH01240005A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、リモートコントロール受信装置等において、
数十kflzの周波数の信号を増幅する高入力インピー
ダンス増幅器に関する。
(従来の技術) 第2図は、従来の数十KHzの周波数の信号を増幅する
場合の増幅器の回路構成を示している。第2図において
、1は入力信号端子、2はカップリングコンデンサ、3
,4は入力バイアス電圧を設定するための抵抗、5は信
号を増幅するための増幅器、6は出力信号端子、7は定
電圧電源である。
次に、上記従来例の動作について説明する。第2図にお
いて、増幅器5の入力インピーダンスをr1□入カバイ
アス電圧設定用抵抗3.4の抵抗値をR,、R4とする
と、入力点8での入力インピーダンスR□は となる。また、カップリングコンデンサ2の容量値を0
1とすると、周知のようにカップリングコンデンサ2と
入力インピーダンスR1にとでバイパスフィルタが構成
され、その遮断周波数はとなり、遮断周波数以下の周波
数の信号は、入力点8で減衰してしまう、よって、周波
数が数十に七の信号を減衰させないようにするには、R
,NとC工の値をかなり大きくする必要がある。具体的
には、feを30KHz、C1の値を30pFとすると
RI、Iの値は180にΩ以上であることが必要である
RI、lは式(1)で与えられることにより、rlNが
非常に大きいとしても、抵抗値R,,R,は360 k
Ω以上である必要がある。
第3図は、半導体集積化した従来の2段増幅器を示すも
のである。第3図において、9は半導体集積回路、10
は半導体集積化された前段の増幅器。
11は外部のカップリングコンデンサ、12.13は入
力バイアス電圧設定用抵抗で、第2図中の入力バイアス
電圧設定用抵抗3,4に相当する。14は増幅器であり
、第2図中の増幅器5に相当する。15は出力信号端子
であり、第2図中の出力信号端子6に相当するものであ
る。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記従来の増幅器では、増幅器を半導体
集積回路化しようとした場合1周知のように集積回路化
できる容量の最大値は約30PF、抵抗の最大値は約3
00にΩ程度であり、従来の増幅器を半導体集積化する
のは困難となり、入力カップリングコンデンサを半導体
集積回路化せずに、第3図のように外部のコンデンサを
用いて実現していた。カップリングコンデンサを外部に
設ける場合には、集積回路チップに2ピンが必要となり
、半導体集積回路のピン数が増えたり、周辺部品点数が
増えるなどの問題があった。
本発明は、このような従来の問題を解決するものであり
、カップリングコンデンサを半導体集積回路内に集積化
することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するために、入力点における入
力インピーダンスを十分大きくできる構成にし、増幅器
と入力高インピーダンスバイアス回路を一体化したもの
である。
(作 用) したがって1本発明によれば、入力点における入力イン
ピーダンスを大きくすることにより、同一遮断周波数の
場合にはカップリングコンデンサの容量を小さくするこ
とができる。したがって、カップリングコンデンサを集
積回路内に内蔵できるとともに、ピン数の増加や周辺部
品点数の増加をなくすことができる等の効果を有する。
(実施例) 第1図は、本発明の一実施例の回路構成を示すものであ
る。第1図において、16は入力信号端子。
17はカップリングコンデンサ、NPNトランジスタ1
8.19と抵抗20.21.23.24と定電流源22
および定電圧電源25で増幅器34が構成されている。
定電流源z6とNPNトランジスタ27とPNP トラ
ンジスタ28.31.32および抵抗29.30で入力
バイアス回路が構成されている33は出力端子、35は
入力点である。
次に、上記実施例の動作について説明する。上記実施例
において、半導体集積回路化した場合。
トランジスタ・抵抗等はバランスよく製造することがで
きる。今、NPNトランジスタ18.19.27の電流
増幅率をhv、I!Nとし、PNPトランジスタ28、
31.32の電流増幅率をhFllPとする。また、抵
抗20.21の抵抗値をRN、抵抗29.30の抵抗値
をR2とする。入力点35の入力インピーダンスは。
トランジスタ18のベースの入力インピーダンスとトラ
ンジスタ31のベースの入力インピーダンスの並列抵抗
となる。トランジスタ18のベースの入力インピーダン
スR0□、は RQ工j”hFIIN・(2RN)    ・・・・・
・・・・・・・・・・ (3)同様に、トランジスタ3
1のベースの入力インピーダンスR031は RQ2x=l’lP!IP・(2RP)   ・・・・
旧・1団・(4)よって、入力点35の入力インピーダ
ンスをR′。
とすると、 である。
また、定電流源22.26の電流値を1.とじ、入力点
35の電圧をvlNとし、定電圧電源25の電圧をV□
とすると、トランジスタ28のコレクタ電流IC2#は となる。
また、トランジスタ31のベース電流工、131はとな
る。
同様に、トランジスタ18のベース電流IBMSはとな
る。
トランジスタ18のベース電流とトランジスタ31のベ
ース電流が等しいことより、 これに(6)式を代入し整理すると、入力点35の電圧
VINは で表わされる。           °用゛°−(1
0)ここで、半導体集積化した場合の具体的な数値の一
例として、h、I!、l”100. hpwp=80.
 RN=4に、 R,=6 k、 1.、、:O,1m
Aを用いると、R’+*=436k Q 、 Vrw=
 Vz* +2.7raVとなる。ここで、カップリン
グコンデンサ17の容穢値として、集積回路化可能な2
0ρFとすると、カップリングコンデンサ17と入力点
35の入〕ツインピーダンスR′□とで構成されるバイ
パスフィルタの遮断周波数は18k)hとなる。よって
、カップリングコンデンサを集積回路内に内蔵し、数十
KHzの周波数の信号を増幅することの可能な高入力イ
ンビーダンス増幅器を実現できる。
(発明の効果) 本発明は、上記実施例より明らかなように、カップリン
グコンデンサを集積回路内に内蔵することが可能となり
、半導体集積回路のピン数の削減や周辺部品点数の削減
に非常に有効である。また、半導体集積化に適した演算
増幅器の後段に接続するのに適するなどの効果を有する
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の高入力インピーダンス増幅
器の回路図、第2図は従来の増幅器の回路図、第3図は
従来の数十KHzの周波数の信号を2段の増幅器で増幅
する場合の半導体集積回路および周辺回路を示す図であ
る。 1.16・・・入力信号端子、 2.11.17・・・
カップリングコンデンサ、  3.4.12.13・・
・入力バイアス電圧設定用抵抗、 5,10゜14、3
4・・・増幅器、 6 、15.33・・・出力信号端
子、 7,25・・・定電圧電源、 8,35・・・入
力点、 9・・・半導体集積回路、  1g、19゜2
7・N P N トランジスタ、 20.21.23゜
24、29.30・・・抵抗、 22.26・・・定電
流源、28、31.32・・・PNPトランジスタ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第1区

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 増幅器と入力高インピーダンスバイアス回路を一体化し
    、入力のカップリングコンデンサが20pF程度で、数
    十KHzの周波数の交流信号を増幅することができるこ
    とを特徴とする高入力インピーダンス増幅器。
JP63065915A 1988-03-22 1988-03-22 高入力インピーダンス増幅器 Pending JPH01240005A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63065915A JPH01240005A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 高入力インピーダンス増幅器

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JP63065915A JPH01240005A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 高入力インピーダンス増幅器

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JPH01240005A true JPH01240005A (ja) 1989-09-25

Family

ID=13300745

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JP63065915A Pending JPH01240005A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 高入力インピーダンス増幅器

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JP (1) JPH01240005A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5815034A (en) * 1996-04-25 1998-09-29 Nec Corporation Capacitive coupling circuit with diode-biased differential amplifier
JP2005269555A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 New Japan Radio Co Ltd 入力電流補償回路付き差動増幅回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5815034A (en) * 1996-04-25 1998-09-29 Nec Corporation Capacitive coupling circuit with diode-biased differential amplifier
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