JPH01241005A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上夏剋且分艷 本発明は磁気ヘッドの製造方法に関し、詳しくはＦＤＤ
やＶＴＲに使用される磁気ヘッドの製造において、トラ
ック幅を設定し、磁気ギャップを形成する方法に関する
ものである。

Ｉｌｌのま１紅 例えばＦＤＤや８　ｔｍ　Ｖ　Ｔ　Ｒに使用される磁気
ヘッドとしては、記録媒体である磁気ディスクでの情報
の書込み及び読み出しを高密度で行うＭ　Ｉ　Ｇ　（Ｍ
ｅｔａｌ　ｉｎ　Ｇａｐ）　ヘッドなるものがある。

このＭＩＧヘッド（１）は、第１６図乃至第１８図に示
すように、強磁性体であるフェライトからなる一対の磁
気コア（２）（２）を、高飽和磁束密度金属強磁性体で
あるセンダストからなる金属薄膜（３）（３）を介して
低融点ガラス（４）（４）で接合一体化してコアチップ
（５）をなし、上記金属薄膜（３）（３）間に所定のト
ラック幅Ｔを有する磁気ギャップｇを形成する。この磁
気ギャップｇはその両側方から上記低融点ガラス（４）
（４）で保護される。上記コアチップ（５）の各磁気コ
ア（２）（２）にＣｕ等の線材（６）（６）を巻回して
コイルを形成すると共に、上記磁気コア（２）（２）の
下部に強磁性体であるフェライトからなるバックコア（
７）を磁気コア（２）（２）に跨がるように貼着固定し
て閉磁路を形成する。更に、図示しないが、コアチップ
（５）の表裏両面に非磁性体であるセラミックや結晶化
ガラスを接着固定する。

上記ＭＩＧヘッド（１）は、第１９図乃至第２２図に示
す各工程を経て製造される。

まず、第１９図に示すように強磁性体であるフェライト
からなる略直方体形状の一対のコアブロック（８）（８
）を用意する。次に第２０図に示すように上記コアブロ
ック（８）（８）の内側面に所定のトラック＠Ｔを残し
て複数トラック溝（９）（９）・・・（９）（９）・・
・を定ピツチで切削加工する。そしてコアブロック　（
８）（８）の内側面に高飽和磁束密度金属強磁性体であ
るセンダストをスパッタリング等して金属Ｗｉ膜（１０
）　　（１０）を被着形成する。その後、第２１図に示
すように上記コアブロック（８）　　（８）をガラスモ
ールドして各トランク溝（９）（９）・・・（９）（９
）・・・に低融点ガラス（１１）　　（１１）・・・（
１１）　　（１１）・・・を充填し、そしてコアブロッ
ク（８）（８）の内側面を研磨した上で、図示しないが
ギャップスペーサとなる５ｉ０２等の非磁性体薄膜を被
着形成する。次に、第２２図に示すようにコアブロック
（８）（８）を突合わせて加熱し、上記低融点ガラス（
１１）　　（１１）・・・で接合一体化する。また上記
コアブロック（８）（８）の下部中央を切削除去した上
でコアブロック（８）（８）を定ピツチで一点鎖線Ｐ、
　Ｐ、・・・に沿ってスライスし、第１６図に示すコア
チップ（５）を得る。

ｎ　　＜　　゛　　　　　ゝ　　　　　　−ところで、
前述したＭＩＧヘッド（１）の従来製法では、磁気ギャ
ップｇのトラック幅１゛を設定するに際して、第２０図
に示すようにコアブロック（８）（８）の内側面に断面
■形状の複数のトラック溝（９）　　（９）・・・（９
）（９）・・・を形成している。即ち、トラック幅Ｔの
磁気ギャップｇの両側は、トラック溝形成による傾斜面
が形成される。このようにして、トラック溝形成後、コ
アブロック（８）（８）の内側面に被着形成される金属
薄Ｉｌｌ　（１０）　　（１０）の接着面積を大きくし
、上記金属薄膜（１０）　　（１０）の密着性を向上さ
せて磁気抵抗を小さくしている。

このようにトラック幅Ｔの両側で傾斜面が形成されるよ
うにトランク溝（９）（９）・・・（９）（９）・・・
を切削加工すると、トラック幅制御が困難となる。即ち
、上記トラック溝加工時、コアブロック（８）（８）の
溝切りブレードに対する位置ずれ、コアブロック（８）
（８）の厚みのばらつき等や、金属Ｗｉ膜膜形後後Ｖｒ
Ｉ９時、その研磨量のばらつき等によってトラック幅Ｔ
がばらつくという問題があった。尚、上記トランク溝を
ストレート形状にすれば°、上記問題点をある程度解消
できるが、このようにすると、金属薄膜形成時、トラッ
ク幅の両側での金属薄膜の密着性が大幅に低下すること
になり、好適な手段ではなかった。

本発明は上記問題点に鑑みて提案されたもので、その目
的とするところは、トラック幅制御を容易ならしめる磁
気ヘッドの製造方法を提供することにある。

一゛−−めの− 本発明における上記目的を達成するための技術的手段は
、強磁性体からなるコアブロックの磁気ギャップ形成予
定部位に、トラック幅を規制するマスクを被着形成する
工程と、上記コアブロックのマスク被着以外の部位に、
非磁性体材料をイオン注入して上記部位を非磁性化する
工程と、上記コアブロック上のマスクを剥離除去して所
望のトランク幅を有する磁気ギャップを形成する工程と
を含む磁気ヘッドの製造方法である。

務朋 本発明方法によれば、コアブロックへのマスク被着、及
びイオン注入によるコアブロックの非磁性化により、上
記マスクでトラック幅を規制することができ、トラック
幅制御が実現容易となる。

夫妻ｌ坦 本発明方法をＦＤＤ装置に使用されるＭｒＧヘッドに通
用した一実施例を第１図乃至第９図を参照しながら説明
する。

まず第４図に示すように強磁性体であるフェライトから
なる略直方体形状の一対のコアブロック（１５）　　（
１５）を用意する０次に第５図及び第１図に示すように
上記コアブロック（１５）（１５）の内側面に、断面Ｖ
形状を有する複数のトラック＃　（１６）　　（１６）
・・・（１６）　　（１６）・・・をその長手方向に沿
って定ピツチで切削加工する。

そして上記コアブロック（１５＞　　（１５）の内側面
に高飽和磁束密度金属強磁性体であるセンダストをスパ
ッタリング等して金属薄膜（１７）　　（１７）を被着
形成する。その後、第２図に示すように上記コアブロッ
ク（１５）　　（１５）の内側面の磁気ギャップ形成予
定部位、即ち、トラック溝（１６）（１６）・・・（１
６）　　（１６）・・・間の部位上に、マスク（１８）
　　（１Ｂ）・・・（１Ｂ）　　（１８）・・・を被着
形成する、このマスク（１Ｂ）　　（１Ｂ）・・・（１
Ｂ）　　（１８）・・・とじて、例えばフォトリソグラ
フィー技術で使用する感光性レジスト材による薄膜や、
機械的に後で剥離可能な粘着性を有する樹脂シート状の
ものであればよい。そして上記コアブロック（１５）　
　（１５）の内側面にＰ　５Ｔｉ−、Ｃｒ等の非磁性体
材料（１９）　　（１９）・・・をイオン注入し、上記
非磁性体材料（１９）　　（１９）・・・を金属薄膜（
１７）（１７）のマスク以外の部位で拡散させて、その
部位を非磁性化する。このようにして、金属薄膜（１７
）　　（１７）の上記マスク（１Ｂ）　　（１Ｂ）・・
・と対応する部位のみが強磁性を保持し、上記マスク（
１Ｂ）　　（１Ｂ）・・・の幅がトラック幅Ｔとなる。

その後、第６図及び第３図に示すように上記コアブロッ
ク（１５）　　（１５）をガラスモールドして各トラッ
ク溝（１６）　　（１６）・・・（１６）　　（１６）
・・・に低融点ガラス（２０）　　（２０）・・・（２
０）　　＜２０）・・・を充填した上でコアブロック（
１５）　　（１５）の内側面をｆ磨する。従って、トラ
ック溝形成時におけるコアブロック（１５）　　（１５
）の位置ずれやコアブロック（１５）　　（１５）の厚
みのばらつき、コアブロック（１５）　　（１５）のガ
ラスモールド後の研磨時でのその研磨量のばらつき等に
よって左右されることなく、マスク（１Ｂ）　　（１Ｂ
）・・・によす金ｊ１ｍ膜（１７）　　（１７）　ｉ’
　）　ラフ　り４１Ｔ’ヲ１ＨｉＱする。その後、図示
しないが、ギャップスペーサとなる５ｉ０２等の非磁性
体薄膜をコアブロック（１５）　　（１５）の内側面に
被着形成し、その上で第７図に示すようにコアブロック
（１５）　　（１５）を突合わせて加熱し、上記低融点
ガラス（２０）（２０）・・・（２０）　　（２０）・
・・で接合一体化する。このコアブロック（１５）　　
（１５）を定ピツチで一点鎖線Ｐ、Ｐ、・・・に沿って
スライスしてコアチップ（２１）を得る。このコアチッ
プ（２１）に、第８図及び第９図に示すように、従来と
同様、Ｃｕ等の線材（２２）　　（２２）を巻回してコ
イルを形成し、強磁性体であるフェライトからなるバッ
クコア（２３）を貼着固定すると共にセラミックや結晶
化ガラス等の非磁性体からなるスラ・イダ（図示せず）
を接着することによりＭＩＧヘッド（２４）を得る。

以上、ＦＤＤに使用されるＭＩＧヘッド（２４）に通用
した一実施例について説明したが、本発明はこれに限定
されることなく、例えば、８ｆｉＶＴＲに使用される磁
気ヘッドにも通用可能である。その磁気ヘッドの製造方
法の実施例を以下説明する。

まず、第１θ図に示すようにフェライトやセンダスト等
の強磁性体からなる略直方体形状の一対のコアブロック
（２５）　　（２５＞を用意する。そして第１１図に示
すように上記コアブロック（２５）（２５）の内外側面
にその長平方向に沿って巻線用凹溝（２６）　　（２６
）　　（２７）及び接合用Ｖ溝（２８）を切削加工する
。次に第１２図に示すようにコアブロック（２５）　　
（２５）を突合わせ、上記接合用■溝（２８）内に低融
点ガラス（２９）を充填した上で加熱してコアブロック
（２５）　　（２５）を接合一体化する。この接合一体
化後、上記コアブロック（２５）　　（２５）の頂部を
曲面研磨してテープ摺動面（３０）を形成する。このテ
ープ摺動面（３０）上にトラック幅′ｒとなる所定の幅
寸法を有する帯状のマスク（３１）　　（３１）・・・
を定ピツチで被着形成する。このマスク（３１）　　（
３１）・・・に０、前記実施例と同様のものを使用すれ
ばよい。この状態で上記テープｍ動面（３０）に対して
Ｐ　％　７１％　Ｃｒ等の非磁性体材料（３２）　　（
３２）　・・・をイオン注入し、第１３図に示すよ・）
に、マスク（３１）　　（３１）・・・以外の部位に拡
散させてその部位を非磁性化する。この時、上記イオン
注入は、少なくともギャップデプス近傍の深さまで行う
必要がある。また十分な深さまでイオン注入することが
可能であれば、コアブロック（２５）（２５）の接合一
体化後、その頂部を曲面研磨する前にマスクを被着形成
して−ｆイオン注入るようにしてもよい。その後、上記
マスク（３１）（３１）・・・を剥離除去した上でコア
ブロック　（２５）（２５）を定ピツチでスライスして
第１４図及び第１５図に示すコアチップ（３３）を得る
。そしてこのコアチップ（３３）にＣｕ等の線材（３４
）　　（３４）を巻回することにより磁気ヘッド（３５
）を得る。

以上のように本発明方法をｖ　’ｒ　Ｒ装置用の磁気−
・ラド（３５）に通用すれば、コアブロック（２５）　
　（２５）にトランク溝を形成する必要かなく切削加工
が省略でき、また、上記コアブロック（２５）　　（２
５）の接合一体化時、トラックずれが発生ずる虞もなく
、その位置合わせが容易に行える。

発皿夏処来 本発明方法によれば、コアブロックに磁気ギャップのト
ラック幅を設定するに際し、トラック溝加工等に左右さ
れることなく、簡便な手段にて所定のトラック幅を精度
良く形成することが実現可能となり、１−ラック幅制御
が容易に行えて実用的１ｉｌＩｉ値大なる磁気ヘッドの
製造方法が提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第９図は本発明方法をＦＤＤ用のＭＩＧヘッ
ドに通用した一実施例を説明するためのもので、第１図
乃至第３図はコアブロックを示す各要部拡大断面図、第
４図乃至第７図はコアブロックを示す各斜視図、第８図
は第１図乃至第７図の製造工程により製造されたＭＩＧ
ヘッドを示す斜視図、第９図は第８図の平面図である。 第１θ図乃至第１５図は本発明方法をＶＴＲ用の磁気ヘ
ッドに通用した他の実施例を説明するためのもので、第
１０図乃至第１３図はコアブロックを示す各斜視図、第
１４図はｊ８１０図乃至第１３図の製造工程により製造
された磁気ヘッドを示す斜視図、第１５図は第１４図の
平面図である。 第１６図乃至第２２図は従来の磁気ヘッドの製造方法を
説明するためのもので、第１６図はＭＩＧヘッドの具体
的構造例を示す斜視図、第１７図は第１６図の正面図、
第１８図は第１６図の平面図、第１９図乃至第２２図は
コアブロックを示す各斜視図である。 （１５）　−コアブロック、 （１Ｂ）　　（３１）−・−マスク、 Ｔ−１−ラック幅、　ｇ・・・磁気ギャップ。 第１図 第２図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１４図 第１５図 、、？２ 第１７図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）強磁性体からなるコアブロックの磁気ギャップ形
   成予定部位に、トラック幅を規制するマスクを被着形成
   する工程と、 上記コアブロックのマスク被着以外の部位に、非磁性体
   材料をイオン注入して上記マスク被着以外の部位を非磁
   性化する工程と、 上記コアブロックの磁気ギャップ形成予定部位上のマス
   クを剥離除去して、所望のトラック幅を有する磁気ギャ
   ップを形成する工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッ
   ドの製造方法。