JPH01241037A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH01241037A JPH01241037A JP63065661A JP6566188A JPH01241037A JP H01241037 A JPH01241037 A JP H01241037A JP 63065661 A JP63065661 A JP 63065661A JP 6566188 A JP6566188 A JP 6566188A JP H01241037 A JPH01241037 A JP H01241037A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information recording
- recording medium
- recording layer
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- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は記録用の光ビームの照射により記録層の原子配
列の変化に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報の
記録、消去を繰返し行い、光学的特性の変化を検出して
情報を再生する情報記録媒体に関する。
列の変化に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報の
記録、消去を繰返し行い、光学的特性の変化を検出して
情報を再生する情報記録媒体に関する。
(従来の技術)
従来広く開発がなされている記録、消去が可能な情報記
録媒体には光ビームの照射による原子配列の変化を利用
したものがある。
録媒体には光ビームの照射による原子配列の変化を利用
したものがある。
このような情報記録媒体に情報を記録する際には、まず
情報記録層に光ビームを全面照射して加熱し、記録層を
結晶性の高い状態(以下結晶状態という)にする。次に
短い強いパルス光を照射し、記録層を加熱急冷する。す
るとパルス照射部の結晶性が低下した状態(以下非晶質
状態という)となり、情報が記録される。上記の結晶状
態と非晶質状態では、原子配列が異なることから、光学
的特性(反射率、透過率)が変化するため、この光学的
特性の変化を検出して情報を再生することができる。書
込まれた情報を消去するには、長い弱いパルス光を照射
して加熱徐冷し、原子配列を変化させ、再び結晶状態と
する。
情報記録層に光ビームを全面照射して加熱し、記録層を
結晶性の高い状態(以下結晶状態という)にする。次に
短い強いパルス光を照射し、記録層を加熱急冷する。す
るとパルス照射部の結晶性が低下した状態(以下非晶質
状態という)となり、情報が記録される。上記の結晶状
態と非晶質状態では、原子配列が異なることから、光学
的特性(反射率、透過率)が変化するため、この光学的
特性の変化を検出して情報を再生することができる。書
込まれた情報を消去するには、長い弱いパルス光を照射
して加熱徐冷し、原子配列を変化させ、再び結晶状態と
する。
このように光ビームの照射条件によって原子配列を変化
させ、情報を記録、消去する記録層の材料としては、反
射率変化の特に大きなTe、Se。
させ、情報を記録、消去する記録層の材料としては、反
射率変化の特に大きなTe、Se。
Geなどカルコゲナイド系元素を主成分とする半導体非
晶質が提案されている。しかし半導体非晶質以外にもC
aとCuとの2元合金においてはCaの含有率が20原
子%以上80%以下の範囲で上記と同様に光ビームの照
射条件の違いにより、金属結晶と金属非晶質とに繰返し
変化しうろことが見い出された。ところがこれらの金属
合金においては相変化に伴う光学的特性の変化が記録材
料として使用できるほど充分大きくない。又、結晶化温
度が低く室温での非晶質状態の安定性が悪いなどの欠点
があり、情報記録媒体として使うことができない。
晶質が提案されている。しかし半導体非晶質以外にもC
aとCuとの2元合金においてはCaの含有率が20原
子%以上80%以下の範囲で上記と同様に光ビームの照
射条件の違いにより、金属結晶と金属非晶質とに繰返し
変化しうろことが見い出された。ところがこれらの金属
合金においては相変化に伴う光学的特性の変化が記録材
料として使用できるほど充分大きくない。又、結晶化温
度が低く室温での非晶質状態の安定性が悪いなどの欠点
があり、情報記録媒体として使うことができない。
(発明が解決しようとする課題)
以上詳述したようにCaとCu (20原子%≦Ca
≦80原子%)との2元合金では、結晶化温度が低く室
温における非晶質状態の安定性が悪く、また、相変化に
伴う光学的特性の変化が小さいため、情報記録媒体の材
料としては使用できなかった。
≦80原子%)との2元合金では、結晶化温度が低く室
温における非晶質状態の安定性が悪く、また、相変化に
伴う光学的特性の変化が小さいため、情報記録媒体の材
料としては使用できなかった。
上記課題を解決するために、本発明ではCaとCuとの
2元合金にカルコゲナイド元素Te、Se、Geを加え
ることにより、結晶化温度を高めて室温における非晶質
状態を安定させ、又、相変化に伴う光学的特性の変化量
を増大させ、情報記録媒体として使いうる材料を提供す
ることを目的とする。
2元合金にカルコゲナイド元素Te、Se、Geを加え
ることにより、結晶化温度を高めて室温における非晶質
状態を安定させ、又、相変化に伴う光学的特性の変化量
を増大させ、情報記録媒体として使いうる材料を提供す
ることを目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段と作用)
本発明の情報記録媒体は例えば第1図に示されるような
断面を有する。第1図において情報記録媒体は基板1と
この基板1上に無機物保護層3゜光記録層2.無機物保
護層3.有機物保護層4を順次備えて構成されている。
断面を有する。第1図において情報記録媒体は基板1と
この基板1上に無機物保護層3゜光記録層2.無機物保
護層3.有機物保護層4を順次備えて構成されている。
基板1はガラスやプラスチック材料(例えばポリオレフ
ィン、エポキシ、ポリカーボネイト、ポリメラルメタク
リレート等)からなる。
ィン、エポキシ、ポリカーボネイト、ポリメラルメタク
リレート等)からなる。
無機物保護層3は光記録層2の経時変化を防ぐために光
記録層2の両側を挾んだ構造となっており、金属又は半
金属の酸化物、弗化物、硫化物。
記録層2の両側を挾んだ構造となっており、金属又は半
金属の酸化物、弗化物、硫化物。
窒化物例えばSt 02 、A 1203 、 Zn
Sなどの誘電体からなる。この無機物保護層は反射光を
増幅させる機能も有する。有機物保護層4は、紫外線硬
化樹脂からなり、この情報記録媒体を取扱う場合の表面
での傷や埃を防止するために配設されている。
Sなどの誘電体からなる。この無機物保護層は反射光を
増幅させる機能も有する。有機物保護層4は、紫外線硬
化樹脂からなり、この情報記録媒体を取扱う場合の表面
での傷や埃を防止するために配設されている。
このような組成の記録層は多元同時スパッタ法により成
膜する。すなわち、使用されるスパッタ装置は第2図及
び第3図に示す通りである。第2図中11は真空容器で
あり、ガス排気ボート12を介して排気装置13に接続
され、ガス導入ボート14を介してアルゴンガスボンベ
15に接続されている。真空容器11内の上部には、基
板16が支持装置17に水平に支架され支持装置17に
より回転駆動できる。又、真空容器11の底部には、所
定元素で形成されたスパッタ源18,19゜20が設け
られ、各スパッタ源上部にはモニタ装置21,22.2
3が設けられている。
膜する。すなわち、使用されるスパッタ装置は第2図及
び第3図に示す通りである。第2図中11は真空容器で
あり、ガス排気ボート12を介して排気装置13に接続
され、ガス導入ボート14を介してアルゴンガスボンベ
15に接続されている。真空容器11内の上部には、基
板16が支持装置17に水平に支架され支持装置17に
より回転駆動できる。又、真空容器11の底部には、所
定元素で形成されたスパッタ源18,19゜20が設け
られ、各スパッタ源上部にはモニタ装置21,22.2
3が設けられている。
この装置により、記録層の成膜を行なう場合には、まず
排気装置13により、真空容器11内を10−6T o
rr台の真空度まで排気する。次いでガス導入ボート1
4よりArガスを導入し排気装置13の排気量を調節し
て真空容器11内を所定の減圧下に保持する。そして基
板16を回転させっつスパッタ源18,19.20に所
定時間電力を印加する。これにより基板16に記録層が
形成される。
排気装置13により、真空容器11内を10−6T o
rr台の真空度まで排気する。次いでガス導入ボート1
4よりArガスを導入し排気装置13の排気量を調節し
て真空容器11内を所定の減圧下に保持する。そして基
板16を回転させっつスパッタ源18,19.20に所
定時間電力を印加する。これにより基板16に記録層が
形成される。
(実施例)
上記のような構造の情報記録媒体の実施例を具体的に以
下に述べる。
下に述べる。
一実施例1−
第2図の真空容器11内にCaとCuとTeまたはse
のスパッタ源を設け、容器内を5XlO−6T orr
まで排気した。次にArガスを導入して5X 10””
T orrに全体の圧力を調節した。基板として充分に
洗浄した外径130n11.板厚1.2mm+の円板状
ポリカーボネート基板を用い、この基板を80rpmで
回転しつつモニタにより各元素のスパッタ量を検知して
各スパッタ源に投入する電力を制御し、全体の膜厚10
00人になるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した
。Ca 4oCu 6aに対してTe1Seの含有量を
しだいに増加させ高感度DSC(示差走査熱量計)で昇
温速度lo℃/■で結晶化温度を測定しTe、Seの含
有量と結晶化温度の関係を調べた。結果は第4図に示す
通りである。
のスパッタ源を設け、容器内を5XlO−6T orr
まで排気した。次にArガスを導入して5X 10””
T orrに全体の圧力を調節した。基板として充分に
洗浄した外径130n11.板厚1.2mm+の円板状
ポリカーボネート基板を用い、この基板を80rpmで
回転しつつモニタにより各元素のスパッタ量を検知して
各スパッタ源に投入する電力を制御し、全体の膜厚10
00人になるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した
。Ca 4oCu 6aに対してTe1Seの含有量を
しだいに増加させ高感度DSC(示差走査熱量計)で昇
温速度lo℃/■で結晶化温度を測定しTe、Seの含
有量と結晶化温度の関係を調べた。結果は第4図に示す
通りである。
CaとCuの組成比に関係なく結晶化温度が充分高かっ
た。また、Geでも同様の効果が得られた。
た。また、Geでも同様の効果が得られた。
従ってCa、Cu、X (X−Te、Se、Ge)から
なる情報記録媒体はCaとCuとの組成比に関係なく結
晶化温度が十分高く、非晶質状態が安定であることがわ
かった 一実施例2一 実施例1と同様の方法でCaとCuとX(X−Te、S
e)の3元記録層を多元同時スパッタ法で成膜し波長7
90rvの光を照射してその表面反射率を測定した。結
果は、第4図に示す通りである。カルコゲナイド元素T
e、Seの含有量が増すと反射率の変化量も増大するこ
とがわかる。CaとCuとの組成比を変えても同様の効
果が得られた。更にTe、Seの代わりにGeを加えた
場合にも同様の効果が得られた。
なる情報記録媒体はCaとCuとの組成比に関係なく結
晶化温度が十分高く、非晶質状態が安定であることがわ
かった 一実施例2一 実施例1と同様の方法でCaとCuとX(X−Te、S
e)の3元記録層を多元同時スパッタ法で成膜し波長7
90rvの光を照射してその表面反射率を測定した。結
果は、第4図に示す通りである。カルコゲナイド元素T
e、Seの含有量が増すと反射率の変化量も増大するこ
とがわかる。CaとCuとの組成比を変えても同様の効
果が得られた。更にTe、Seの代わりにGeを加えた
場合にも同様の効果が得られた。
以上の実験結果によりCaとCuとの2元合金にカルコ
ゲナイド元素を加えることにより相変化に伴う反射率の
変化量が増大し、ひいては再生信号量も増大することが
わかった。
ゲナイド元素を加えることにより相変化に伴う反射率の
変化量が増大し、ひいては再生信号量も増大することが
わかった。
一実施例3−
ここでは成膜された合金薄膜の非晶質状態の安全性を調
べた。
べた。
ガラス基板上にSl 02100rv 、光記録材料1
00ni、SSlO7100n 、 UV硬化樹脂層を
前記のスパッタ法により形成した。成膜した記録層の組
成は(Ca 3oCu TO) eoTe Iol (
Ca 5ocu 5o)9oTe Iol (Ca
tocu 30) 、oTe toである。この記録層
にまず光ビームを全面照射し、次いで短い強いパルス光
を照射し、X線構造回折により非晶質となっていること
を確かめた。
00ni、SSlO7100n 、 UV硬化樹脂層を
前記のスパッタ法により形成した。成膜した記録層の組
成は(Ca 3oCu TO) eoTe Iol (
Ca 5ocu 5o)9oTe Iol (Ca
tocu 30) 、oTe toである。この記録層
にまず光ビームを全面照射し、次いで短い強いパルス光
を照射し、X線構造回折により非晶質となっていること
を確かめた。
つぎにこの試料を45℃、70%RHの環境に供し反射
率の変化を測定した。基板側での表面反射率の初期値を
Ro、経時での反射率の値をRとし、経時4間に対して
R/ Roの値をプロットした(第6図)。(Ca 3
ocu 70) 9oTe Iol(Ca 5oCu
50) 9oTe Ion (Ca yocu :l
o) 9oTe1oいずれの組成の記録層についても3
力月経過しても反射率にはほとんど変化がないことがわ
かつた。又Teの代わりにSe、Geを加えた場合にも
同様の効果が得られる。
率の変化を測定した。基板側での表面反射率の初期値を
Ro、経時での反射率の値をRとし、経時4間に対して
R/ Roの値をプロットした(第6図)。(Ca 3
ocu 70) 9oTe Iol(Ca 5oCu
50) 9oTe Ion (Ca yocu :l
o) 9oTe1oいずれの組成の記録層についても3
力月経過しても反射率にはほとんど変化がないことがわ
かつた。又Teの代わりにSe、Geを加えた場合にも
同様の効果が得られる。
以上の実験結果よりCaとCuとからなる2元合金に、
Te、Se、Ge等のカルコゲナイド元素を加えた材料
は経時反射率が安定であり情報記録媒体として使いうる
材料であることがわかった。
Te、Se、Ge等のカルコゲナイド元素を加えた材料
は経時反射率が安定であり情報記録媒体として使いうる
材料であることがわかった。
一実施例4−
本実施例では、成膜された記録層を有する情報記録媒体
を第7図に示すような実用的な試験装置に実装して再生
信号量を測定した。
を第7図に示すような実用的な試験装置に実装して再生
信号量を測定した。
半導体レーザー源34により出た光はコリメータレンズ
35を通過して平行光となる。続いて光はビームスプリ
ッタ36を通過してλ/4板3板金7過し、対物レンズ
38により試料31上に集光される。試料31から反射
した光はλ/4板3板金7過し、ビームスプリッタ36
で反射される。
35を通過して平行光となる。続いて光はビームスプリ
ッタ36を通過してλ/4板3板金7過し、対物レンズ
38により試料31上に集光される。試料31から反射
した光はλ/4板3板金7過し、ビームスプリッタ36
で反射される。
この反射された光は検出レンズ39により集光され、受
光器40に入って検出信号となる。
光器40に入って検出信号となる。
更に検出信号は、サーボ系42を通って電流に変えられ
、駆動コイル41に流れこの電流により対物レンズか駆
動され、試料31上の情報を記録した溝(案内溝)上に
正確に集光される。
、駆動コイル41に流れこの電流により対物レンズか駆
動され、試料31上の情報を記録した溝(案内溝)上に
正確に集光される。
実施例1に示した方法を用い、Ca aoCu b。に
対してTeの含有量をふった記録層を作成し、この記録
層の両側をSiO2(膜厚1000入)で挟んだ媒体試
料を作成し、前述の装置に実装して再生信号量を測定し
た。その結果Teの含有量が増すごとに再生信号量も増
えることがわかった。
対してTeの含有量をふった記録層を作成し、この記録
層の両側をSiO2(膜厚1000入)で挟んだ媒体試
料を作成し、前述の装置に実装して再生信号量を測定し
た。その結果Teの含有量が増すごとに再生信号量も増
えることがわかった。
また、CaとCuの組成比を変えても同様の効果が得ら
れた。更に、Teのかわりに5eSGeを加えた場合に
も同様の効果が得られた。
れた。更に、Teのかわりに5eSGeを加えた場合に
も同様の効果が得られた。
以上の実験結果から、CaとCuの2元合金にカルコゲ
ナイド元素のTe5Se、Geを加えるとより再生信号
量の大きな情報記録媒体が得られることがわかった。
ナイド元素のTe5Se、Geを加えるとより再生信号
量の大きな情報記録媒体が得られることがわかった。
[発明の効果]
以上詳述したように結晶状態と非晶質状態との相変化を
可逆的に起こすCaとCuとの2元合金に更にカルコゲ
ナイド元素Te、Se、Geを加えると結晶化温度が上
昇し、記録状態が安定で相変化に伴なう反射率変化が増
大し、再生信号量の大きな情報記録媒体が得られる。
可逆的に起こすCaとCuとの2元合金に更にカルコゲ
ナイド元素Te、Se、Geを加えると結晶化温度が上
昇し、記録状態が安定で相変化に伴なう反射率変化が増
大し、再生信号量の大きな情報記録媒体が得られる。
第1図は、本発明の情報記録媒体の断面構造図、第2図
は、スパッタ装置の側面図、 第3図は、スパッタ装置の底面図、 第4図は、カルコゲナイド元素の添加量と結晶化温度の
相関を示すグラフ、 第5図は、カルコゲナイド元素の添加量と反射率変化量
の相関を示すグラフ、 第6図は、Ca、Cu、Teの3元記録層の経時反射率
変化量の相関を示すグラフである。 第7図は、実用的な試験装置の概略図である。 1・・・基板 2・・・記録層 3・・・無機物保護層 4・・・有機物保護層
は、スパッタ装置の側面図、 第3図は、スパッタ装置の底面図、 第4図は、カルコゲナイド元素の添加量と結晶化温度の
相関を示すグラフ、 第5図は、カルコゲナイド元素の添加量と反射率変化量
の相関を示すグラフ、 第6図は、Ca、Cu、Teの3元記録層の経時反射率
変化量の相関を示すグラフである。 第7図は、実用的な試験装置の概略図である。 1・・・基板 2・・・記録層 3・・・無機物保護層 4・・・有機物保護層
Claims (1)
- 光ビームの照射により原子配列の変化を生じさせて情報
を記録しうる記録層がCaとCuとX(XはSe、Te
、Geの中から選ばれた元素)とを含有する合金薄膜か
らなることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63065661A JPH01241037A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63065661A JPH01241037A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241037A true JPH01241037A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13293400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63065661A Pending JPH01241037A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241037A (ja) |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63065661A patent/JPH01241037A/ja active Pending
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