JPH01241771A - 低サージインピーダンス導体の接続部 - Google Patents
低サージインピーダンス導体の接続部Info
- Publication number
- JPH01241771A JPH01241771A JP6897688A JP6897688A JPH01241771A JP H01241771 A JPH01241771 A JP H01241771A JP 6897688 A JP6897688 A JP 6897688A JP 6897688 A JP6897688 A JP 6897688A JP H01241771 A JPH01241771 A JP H01241771A
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- Japan
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- conductor
- sub
- connection
- surge impedance
- semiconductive layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、避雷器、架空地線等を接地するために用い
る低サージインピーダンス導体の接続部に関するもので
ある。
る低サージインピーダンス導体の接続部に関するもので
ある。
従来、避雷器等の接地用導体としては、600Vビニル
絶縁電線が汎用されてきたが、近年架空送配電線路に対
する雷害対策の一貫として接地用導体の低サージインピ
ーダンス化が検討され、種々の低サージインピーダンス
導体が提案されている。
絶縁電線が汎用されてきたが、近年架空送配電線路に対
する雷害対策の一貫として接地用導体の低サージインピ
ーダンス化が検討され、種々の低サージインピーダンス
導体が提案されている。
本願発明者等による実願昭62−77701の考案もこ
のような提案の一つであり、雷害対策に寄与している。
のような提案の一つであり、雷害対策に寄与している。
上記実用新案登録願の考案の要旨は、金属板からなる内
部導体の周りにほぼ矩形状に絶縁体を被■し、上記絶縁
体の少なくとも片面上に金属板からなる外部導体を前記
内部導体と平行に相対向して添設し、さらにその周りに
外被を施したことを特徴とする低サージインピーダンス
導体である。
部導体の周りにほぼ矩形状に絶縁体を被■し、上記絶縁
体の少なくとも片面上に金属板からなる外部導体を前記
内部導体と平行に相対向して添設し、さらにその周りに
外被を施したことを特徴とする低サージインピーダンス
導体である。
なお、この発明における主導体及び副導体は上記実用新
案登録願の考案における低サージインピーダンス導体の
内部導体、外部導体と同意義のものである。
案登録願の考案における低サージインピーダンス導体の
内部導体、外部導体と同意義のものである。
ところで、上記考案の低サージインピーダンス導体は種
々の架空送配電線路や避雷針など雷害の危険性のあるす
べての施設に適用し得るものであり、所要長が100m
にも及ぶものがある。従って、導体サイズが例えば10
0mm2のものでは、この低サージインピーダンス導体
だけで160kgもの重さになり、使用場所が山間地な
どに多いという条件も加わって、運搬に多大な労力を要
するという問題があった。
々の架空送配電線路や避雷針など雷害の危険性のあるす
べての施設に適用し得るものであり、所要長が100m
にも及ぶものがある。従って、導体サイズが例えば10
0mm2のものでは、この低サージインピーダンス導体
だけで160kgもの重さになり、使用場所が山間地な
どに多いという条件も加わって、運搬に多大な労力を要
するという問題があった。
そのため、低サージインピーダンス導体そのものは短(
し、使用現場で接続するための確実で簡易な方法が求め
られていた。
し、使用現場で接続するための確実で簡易な方法が求め
られていた。
しかしながら、低サージインピーダンス導体自体が新規
な技術的概念であり、そのための接続方法や接続部の構
造は未だ開発されていない。
な技術的概念であり、そのための接続方法や接続部の構
造は未だ開発されていない。
一般に複数の導体または導体と遮蔽体を有する電線、ケ
ーブル等の接続部は、導体の接続部間または導体の接続
部と遮蔽体接続部との間を絶縁するために絶縁テープを
巻くか熱融着テープを巻いた後加熱モールドして接続部
における絶縁体を形成しているが、非接続部と違って電
界が不均一になることや絶縁体の形成が手作業になるこ
とを考慮して非接続部よりも厚くし、かつ電界分布をな
るべく均一にするため導体接続部周辺の絶縁体上にも補
強絶縁を施し、導体接続部から非接続部への絶縁体外径
の減少傾向を滑らかにしており、そのため接続部全体の
長さが長(なる。
ーブル等の接続部は、導体の接続部間または導体の接続
部と遮蔽体接続部との間を絶縁するために絶縁テープを
巻くか熱融着テープを巻いた後加熱モールドして接続部
における絶縁体を形成しているが、非接続部と違って電
界が不均一になることや絶縁体の形成が手作業になるこ
とを考慮して非接続部よりも厚くし、かつ電界分布をな
るべく均一にするため導体接続部周辺の絶縁体上にも補
強絶縁を施し、導体接続部から非接続部への絶縁体外径
の減少傾向を滑らかにしており、そのため接続部全体の
長さが長(なる。
従って、接続部の形成に手間が掛かるだけでなく、接続
部の可撓性が悪くなるため、配線工事における作業性も
低下するという問題がある。このような手作業を簡略化
するため、熱収縮チューブを用いて接続部を絶縁する方
法も考えられるが、この方法で形成された接続部はイン
パルス破壊電圧特性が不十分であるという問題があった
。
部の可撓性が悪くなるため、配線工事における作業性も
低下するという問題がある。このような手作業を簡略化
するため、熱収縮チューブを用いて接続部を絶縁する方
法も考えられるが、この方法で形成された接続部はイン
パルス破壊電圧特性が不十分であるという問題があった
。
この発明は、上記の現状に鑑み、低サージインピーダン
ス導体の機能を低下させることなく、確実かつ容易に形
成し得る低サージインピーダンス導体の接続部を提供す
ることを目的とする。
ス導体の機能を低下させることなく、確実かつ容易に形
成し得る低サージインピーダンス導体の接続部を提供す
ることを目的とする。
上記の課題を解決するため、この発明は、平板状の主導
体の外周に矩形状に絶縁体を被覆し、上記絶縁体の少な
(とも片面上に主導体と平行に平板状の副導体を添設し
、その外周に外被を被覆してなる低サージインピーダン
ス導体の接続部において、2本の低サージインピーダン
ス導体の端末部の外被、副導体及び絶縁体を順次段状に
剥ぎ取って露出させた主導体を互いに接続してなる主導
体接続部と、両側の副導体露出部及び主導体接続部に当
接するように設けた半導電性層と、上記半導電性層を覆
うようにその外周に設けた絶縁体層と、さらにその外周
に両側の副導体露出部及び副導体露出部と接続して設け
た導電体からなる副導体接続部と、上記副導体接続部の
外周に設けた外被接続部と、を具備した構成としたもの
である。
体の外周に矩形状に絶縁体を被覆し、上記絶縁体の少な
(とも片面上に主導体と平行に平板状の副導体を添設し
、その外周に外被を被覆してなる低サージインピーダン
ス導体の接続部において、2本の低サージインピーダン
ス導体の端末部の外被、副導体及び絶縁体を順次段状に
剥ぎ取って露出させた主導体を互いに接続してなる主導
体接続部と、両側の副導体露出部及び主導体接続部に当
接するように設けた半導電性層と、上記半導電性層を覆
うようにその外周に設けた絶縁体層と、さらにその外周
に両側の副導体露出部及び副導体露出部と接続して設け
た導電体からなる副導体接続部と、上記副導体接続部の
外周に設けた外被接続部と、を具備した構成としたもの
である。
上記の構成を有するこの発明の低サージインピーダンス
導体の接続部は、接続すべき低サージインピーダンス導
体の副導体露出部と主導体接続部とに当接するように半
導電性層を設けであるので、雷サージの侵入によって主
導体と副導体との間に瞬間的に大きな電位差が発生した
場合でもその電位差が半導電性層の抵抗によって長さ方
向にほぼ均等に分圧され、従って、主導体部直上に大き
な電位傾度を生ずることがなく、この半導電性層がない
場合に比べてインパルス電圧による絶縁破壊値が高くな
る。換言すれば、接続部を短くすることができる。
導体の接続部は、接続すべき低サージインピーダンス導
体の副導体露出部と主導体接続部とに当接するように半
導電性層を設けであるので、雷サージの侵入によって主
導体と副導体との間に瞬間的に大きな電位差が発生した
場合でもその電位差が半導電性層の抵抗によって長さ方
向にほぼ均等に分圧され、従って、主導体部直上に大き
な電位傾度を生ずることがなく、この半導電性層がない
場合に比べてインパルス電圧による絶縁破壊値が高くな
る。換言すれば、接続部を短くすることができる。
しかも、薄い半導電性層を設けるだけであるから、これ
による外径増はごく僅かであり、可撓性を損ねることも
ない。
による外径増はごく僅かであり、可撓性を損ねることも
ない。
第1図はこの発明による低サージインピーダンス導体の
接続部の一実施例を示し、第1図(掲は、縦断面図、第
1図(ト)は第1図(3)のX−X断面矢視図、第1図
(C)は同Y−Y断面矢視図である。
接続部の一実施例を示し、第1図(掲は、縦断面図、第
1図(ト)は第1図(3)のX−X断面矢視図、第1図
(C)は同Y−Y断面矢視図である。
図示実施例において、接続すべき低サージインピーダン
ス導体は、銅条からなる主導体1の外周にビニル絶縁体
2を被覆し、そのビニル絶縁体2の片面上に銅テープか
らなる副導体3を主導体1と平行に添設し、その外周に
ビニル外被4を被覆したものである。
ス導体は、銅条からなる主導体1の外周にビニル絶縁体
2を被覆し、そのビニル絶縁体2の片面上に銅テープか
らなる副導体3を主導体1と平行に添設し、その外周に
ビニル外被4を被覆したものである。
接続部は以下に述べるようにして形成される。
即ち、主導体露出部11.11を所定長重ね合わせた上
に平形圧縮接続管12を圧縮して主導体接続部13とし
、両側の副導体3の露出部、即ち副導体露出部21,2
1は外被4,4の剥ぎ取り端41.41のところで折り
返して置く。この折り返された副導体露出部21.21
上、絶縁体2゜2上、主導体接続部13上に半導電性テ
ープを巻き付けて半導電性層22を形成する。
に平形圧縮接続管12を圧縮して主導体接続部13とし
、両側の副導体3の露出部、即ち副導体露出部21,2
1は外被4,4の剥ぎ取り端41.41のところで折り
返して置く。この折り返された副導体露出部21.21
上、絶縁体2゜2上、主導体接続部13上に半導電性テ
ープを巻き付けて半導電性層22を形成する。
次に、半導電性層22を覆うようにその外周にエチレン
プロピレンゴム製の熱収縮チューブを用いて絶縁体層5
1を形成する。副導体露出部21゜21の端部は、上記
絶縁体層51の片面上に添設した銅テープ21aとクラ
ンプ23.23によって接続し、副導体接続部24を形
成する。
プロピレンゴム製の熱収縮チューブを用いて絶縁体層5
1を形成する。副導体露出部21゜21の端部は、上記
絶縁体層51の片面上に添設した銅テープ21aとクラ
ンプ23.23によって接続し、副導体接続部24を形
成する。
さらに、その外周をエチレンプロピレンゴム製の熱収縮
チューブ42を用いて被覆し、その両端部をシーリング
テープ43,43、粘着性テープ44.44によって封
止し、外被接続部45を形成する。
チューブ42を用いて被覆し、その両端部をシーリング
テープ43,43、粘着性テープ44.44によって封
止し、外被接続部45を形成する。
以上のように形成された低サージインピーダンス導体の
接続部について、インパルス破壊電圧試験を行った。こ
の試験において、試料は第1図((至)における界面長
りを変えた実施例3種類について各3試料ずつを用意し
、比較のため、これらの実施例と半導電性層を有しない
点だけが異なる試料をそれぞれ同様に作製した。
接続部について、インパルス破壊電圧試験を行った。こ
の試験において、試料は第1図((至)における界面長
りを変えた実施例3種類について各3試料ずつを用意し
、比較のため、これらの実施例と半導電性層を有しない
点だけが異なる試料をそれぞれ同様に作製した。
試験方法は、主導体と副導体との間に20KVツインパ
ルス電圧(インパルス波形はJIS C3005によ
る)を印加後、l0KVずつ昇圧し、各3回印加した。
ルス電圧(インパルス波形はJIS C3005によ
る)を印加後、l0KVずつ昇圧し、各3回印加した。
その結果を下表に示す。
この表の試験結果において、界面閃絡とは、実施例の場
合は絶縁体2と半導電性層22との界面、比較例の場合
は絶縁体2と絶縁体層51との界面を経路として、主導
体接続部13と副導体露出部21との間に閃絡が生じた
ものであり、絶縁破壊とはこのような界面を通らずに絶
縁体2自体に絶縁破壊が生じたものである。
合は絶縁体2と半導電性層22との界面、比較例の場合
は絶縁体2と絶縁体層51との界面を経路として、主導
体接続部13と副導体露出部21との間に閃絡が生じた
ものであり、絶縁破壊とはこのような界面を通らずに絶
縁体2自体に絶縁破壊が生じたものである。
上表の結果からも明らかなように、半導電性層22を設
けない場合は、界面長りを300mmにしてもなお80
KV以下で界面閃絡を生じるが、半導電性層22を設け
たものは界面長りを250mm以上にすることにより絶
縁破壊値より低い電圧で界面閃絡を生じることはなくな
る。
けない場合は、界面長りを300mmにしてもなお80
KV以下で界面閃絡を生じるが、半導電性層22を設け
たものは界面長りを250mm以上にすることにより絶
縁破壊値より低い電圧で界面閃絡を生じることはなくな
る。
なお、上記実施例では、半導電性層22は半導電性テー
プを用いて形成したが、半導電性熱収縮チューブを用い
たものや導電性塗料を塗布することによって形成したも
の等も当然この発明に含まれる。また、主導体接続部1
3、副導体接続部24、外被接続部45、絶縁体層51
等の構造も上記実施例に限定されるものではない。
プを用いて形成したが、半導電性熱収縮チューブを用い
たものや導電性塗料を塗布することによって形成したも
の等も当然この発明に含まれる。また、主導体接続部1
3、副導体接続部24、外被接続部45、絶縁体層51
等の構造も上記実施例に限定されるものではない。
以上説明したように、この発明による低サージインピー
ダンス導体の接続部は、接続すべき低サージインピーダ
ンス導体の副導体露出部と主導体接枝部とに当接させて
薄い半導電性層を設けたため、主導体と副導体との間に
インパルス電圧が加わっても、その電位差が半導電性層
の抵抗によって長さ方向にほぼ均等に分圧される結果、
インパルス電圧に対して高い絶縁破壊強度を確保するこ
とができ、従って、接続部を短くすることができる。
ダンス導体の接続部は、接続すべき低サージインピーダ
ンス導体の副導体露出部と主導体接枝部とに当接させて
薄い半導電性層を設けたため、主導体と副導体との間に
インパルス電圧が加わっても、その電位差が半導電性層
の抵抗によって長さ方向にほぼ均等に分圧される結果、
インパルス電圧に対して高い絶縁破壊強度を確保するこ
とができ、従って、接続部を短くすることができる。
しかも外径増はごく僅かであり、可撓性が損われること
もない。即ちこの発明による低サージインピーダンス導
体の接続部は、低サージインピーダンス導体の機能を低
下させることなく確実かつ容易に形成することができる
。
もない。即ちこの発明による低サージインピーダンス導
体の接続部は、低サージインピーダンス導体の機能を低
下させることなく確実かつ容易に形成することができる
。
第1図はこの発明による低サージインピーダンス導体の
一実施例を示し、第1図(a)は縦断面図、第1図(ハ
)は第1図(a)のX−X断面矢視図、第1図(C)は
第1図(ωのY−Y断面矢視図である。 1・・・主導体、 2・・・絶縁体、3・・・副導
体、 4・・・外被、13・・主導体接続部、22
・・半導電性層、24・・副導体接続部、45・・外被
接続部。
一実施例を示し、第1図(a)は縦断面図、第1図(ハ
)は第1図(a)のX−X断面矢視図、第1図(C)は
第1図(ωのY−Y断面矢視図である。 1・・・主導体、 2・・・絶縁体、3・・・副導
体、 4・・・外被、13・・主導体接続部、22
・・半導電性層、24・・副導体接続部、45・・外被
接続部。
Claims (1)
- (1)平板状の主導体の外周に矩形状に絶縁体を被覆し
、上記絶縁体の少なくとも片面上に主導体と平行に平板
状の副導体を添設し、その外周に外被を被覆してなる低
サージインピーダンス導体の接続部において: 2本の低サージインピーダンス導体の端末部の外被、副
導体及び絶縁体を順次段状に剥ぎ取って露出させた主導
体を互いに接続してなる主導体接続部と; 両側の副導体露出部及び主導体接続部に当接するように
設けた半導電性層と; 上記の半導電性層を覆うようにその外周に設けた絶縁体
層と; さらにその外周に両側の副導体露出部及び副導体露出部
と接続して設けた導電体からなる副導体接続部と; 上記の副導体接続部の外周に設けた外被接続部と; を具備したことを特徴とする低サージインピーダンス導
体の接続部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6897688A JPH01241771A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 低サージインピーダンス導体の接続部 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6897688A JPH01241771A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 低サージインピーダンス導体の接続部 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241771A true JPH01241771A (ja) | 1989-09-26 |
| JPH0470747B2 JPH0470747B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=13389212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6897688A Granted JPH01241771A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 低サージインピーダンス導体の接続部 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241771A (ja) |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP6897688A patent/JPH01241771A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470747B2 (ja) | 1992-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |