JPH01241832A - 電子部品におけるワイヤボンディング構造 - Google Patents
電子部品におけるワイヤボンディング構造Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ産業上の利用分野
この発明は、半導体素子など電子部品におけるワイヤボ
ンディング構造に関する。
ンディング構造に関する。
（ｂ）従来の技術
半導体素子をパッケージに実装する方法として、従来よ
り−ｇにワイヤボンディング法が採用されている。
り−ｇにワイヤボンディング法が採用されている。
第３図は半導体素子上のワイヤボンディング用電極の構
成を表す図であり、（Ａ）は平面、（Ｂ）は断面をそれ
ぞれ示している。図において１はＳｉ基板、２は基板表
面に形成されたＳ ＋ Ｏｚからなる絶縁膜である。こ
の絶縁膜上に同図（Ａ）に示す形状のＡｆｆ電極３が形
成され、さらにその上部にパッシベーション膜４が形成
されている。
成を表す図であり、（Ａ）は平面、（Ｂ）は断面をそれ
ぞれ示している。図において１はＳｉ基板、２は基板表
面に形成されたＳ ＋ Ｏｚからなる絶縁膜である。こ
の絶縁膜上に同図（Ａ）に示す形状のＡｆｆ電極３が形
成され、さらにその上部にパッシベーション膜４が形成
されている。
パッシベーション膜４には図に示すように開口部５が形
成されていて、Ａｎ電極３が露出している以上のように
構成された半導体素子の電極上にワイヤボンディングが
行われる。第４図はその断面構造を示している。ここで
６はＡｕなどのワイヤであり、パッシベーション膜４に
形成されている開口部の略中央部でワイヤ６先端のボー
ル部を電極３に熱圧着している。
成されていて、Ａｎ電極３が露出している以上のように
構成された半導体素子の電極上にワイヤボンディングが
行われる。第４図はその断面構造を示している。ここで
６はＡｕなどのワイヤであり、パッシベーション膜４に
形成されている開口部の略中央部でワイヤ６先端のボー
ル部を電極３に熱圧着している。
（Ｃ）発明が解決しようとする課題
ところが、従来の電子部品におけるワイヤボンディング
構造においては、第４図に示したように、ホンディング
が完了した状態で、電極上にパッシベーション膜４とワ
イヤ６の先端部の何れにも覆われない露出部５′が存在
する。このため露出部分の電極３か腐蝕して電極配線か
オープンするなどの不良が発生ずる場合があった。この
ようなＡｆｆ電極の腐蝕は、パッケージの表面あるいは
リードとの界面から水分が浸入し、この水分に樹脂パッ
ケージ中の不純物イオンが溶解して生しる酸性ｌ容液な
どによって進行する。
構造においては、第４図に示したように、ホンディング
が完了した状態で、電極上にパッシベーション膜４とワ
イヤ６の先端部の何れにも覆われない露出部５′が存在
する。このため露出部分の電極３か腐蝕して電極配線か
オープンするなどの不良が発生ずる場合があった。この
ようなＡｆｆ電極の腐蝕は、パッケージの表面あるいは
リードとの界面から水分が浸入し、この水分に樹脂パッ
ケージ中の不純物イオンが溶解して生しる酸性ｌ容液な
どによって進行する。
この発明の目的は、電極上にワイヤポンティングが完了
したとき、パッシベーション膜の開口部などから電極が
露出しないようにして、電極の腐蝕を防止した電子部品
におけるワイヤホンディング構造を提供することにある
。
したとき、パッシベーション膜の開口部などから電極が
露出しないようにして、電極の腐蝕を防止した電子部品
におけるワイヤホンディング構造を提供することにある
。
（ｄ）課題を解決するだめの手段
この発明の電子部品におけるワイヤホンディング構造は
、電極」二に、それぞれボンディング時のワイヤ先端の
広かり径より狭い開口部を有するパンシヘーション膜と
柔軟性樹脂皮膜をこの順に形成し、前記開Ｌｉ部を介し
て前記電極にワイヤ先端部を接続したことを特徴とする
。
、電極」二に、それぞれボンディング時のワイヤ先端の
広かり径より狭い開口部を有するパンシヘーション膜と
柔軟性樹脂皮膜をこの順に形成し、前記開Ｌｉ部を介し
て前記電極にワイヤ先端部を接続したことを特徴とする
。
ｔｅ１作用
この発明の電子部品におけるワイヤボンディング構造に
おいては、ホンディング時のワイヤ先端の広がり径より
狭い開口部をそれぞれ有するパソシヘーション膜と柔軟
性樹脂皮膜がこの順で電極上に形成されていて、前記開
口部を介して前記電極にワイヤ先端部が接続されている
。したがって、ワイヤボンディングが完了した時点て、
ワイヤ先端部はパノシヘーション膜と柔軟性樹脂皮膜と
に形成されている開口部全体を覆うこととなる。
おいては、ホンディング時のワイヤ先端の広がり径より
狭い開口部をそれぞれ有するパソシヘーション膜と柔軟
性樹脂皮膜がこの順で電極上に形成されていて、前記開
口部を介して前記電極にワイヤ先端部が接続されている
。したがって、ワイヤボンディングが完了した時点て、
ワイヤ先端部はパノシヘーション膜と柔軟性樹脂皮膜と
に形成されている開口部全体を覆うこととなる。
このため、開口部から電極が露出することなく、水分や
酸性溶液などによる電極の腐蝕が発生しない。
酸性溶液などによる電極の腐蝕が発生しない。
また、溶融・球状化したワイヤ先端のボール部が柔軟性
樹脂皮膜の開口部に先ず当接するため、この柔軟性樹脂
皮膜かワイヤ先端のホール部当接によるショックを吸収
する。したがって、下部に存在するパノシヘーション膜
にクラックが入ることはなく、クラックからの水分浸入
などによる電極腐蝕が発生しない。
樹脂皮膜の開口部に先ず当接するため、この柔軟性樹脂
皮膜かワイヤ先端のホール部当接によるショックを吸収
する。したがって、下部に存在するパノシヘーション膜
にクラックが入ることはなく、クラックからの水分浸入
などによる電極腐蝕が発生しない。
（ｆ）実施例
第１図はこの発明の実施例に適用される半導体素子上の
ワイヤポン）゛−インク用電極の構成を表す図であり、
（Ａ）は平面、（Ｂ ）は正面を示している。図におい
て１は８１基板、２は基板上に形成された５）０２から
なる絶縁膜である。絶縁膜２＋には同図（Ａ）に示ず形
状のＡｆｆ電極３か形成されていて、さらにその上部に
１）ＳＯ（リンカラス）やＳｉｎ、などのパノシベーノ
ヨン膜４およびポリイミドなどの柔軟性樹脂皮膜７が形
成されている。パノシヘーン＝３ン膜４と柔軟性樹脂皮
膜７にはそれぞれホンディング時のワイヤ先端の広がり
径より狭い開口部５が形成されている。
ワイヤポン）゛−インク用電極の構成を表す図であり、
（Ａ）は平面、（Ｂ ）は正面を示している。図におい
て１は８１基板、２は基板上に形成された５）０２から
なる絶縁膜である。絶縁膜２＋には同図（Ａ）に示ず形
状のＡｆｆ電極３か形成されていて、さらにその上部に
１）ＳＯ（リンカラス）やＳｉｎ、などのパノシベーノ
ヨン膜４およびポリイミドなどの柔軟性樹脂皮膜７が形
成されている。パノシヘーン＝３ン膜４と柔軟性樹脂皮
膜７にはそれぞれホンディング時のワイヤ先端の広がり
径より狭い開口部５が形成されている。
第２ヌ１は以１−のように構成された半導体素子に対し
てワイヤボンデインクが行われた状態を示す断面図であ
る。ここで６はＡｕなどのワイヤであり、ポンティング
か完了したとき、ワイヤ先端の広がり径ｗｂは開［」部
の内径’ＴＶ ｈより大きいため、回示の通り開口部５
の周囲かワイヤ６の先端ボール部で覆われる。したがっ
てこの状態で電極３に露出部が存在−リす、外部環境に
対する耐腐蝕性が向上する。
てワイヤボンデインクが行われた状態を示す断面図であ
る。ここで６はＡｕなどのワイヤであり、ポンティング
か完了したとき、ワイヤ先端の広がり径ｗｂは開［」部
の内径’ＴＶ ｈより大きいため、回示の通り開口部５
の周囲かワイヤ６の先端ボール部で覆われる。したがっ
てこの状態で電極３に露出部が存在−リす、外部環境に
対する耐腐蝕性が向上する。
なお、柔軟性樹脂皮膜７はフメ＝１〜リソグラフィによ
り形成することができる。すなわち、パターン化した電
極３の上部の全面にパッジ・＼−ジョン膜としてＣＶＤ
法によりＰＳＧ膜を形成し、このバ・７シヘーシヨン膜
上に柔軟性樹脂皮膜としてスピンナーによりポリイミド
膜を被覆する。その後、エソヂングにより、ボンディン
グ時のワイヤ先端の広かり径より狭い開ｌ］部５を形成
する。
り形成することができる。すなわち、パターン化した電
極３の上部の全面にパッジ・＼−ジョン膜としてＣＶＤ
法によりＰＳＧ膜を形成し、このバ・７シヘーシヨン膜
上に柔軟性樹脂皮膜としてスピンナーによりポリイミド
膜を被覆する。その後、エソヂングにより、ボンディン
グ時のワイヤ先端の広かり径より狭い開ｌ］部５を形成
する。
また、ワイヤボンディングの方法としては従来の熱圧着
法や超音波ボンディング法あるいはこれらを組み合わせ
たいわゆるサーモソニック法により行うことができる。
法や超音波ボンディング法あるいはこれらを組み合わせ
たいわゆるサーモソニック法により行うことができる。
その際、アーク放電やトーチなどにより溶融・球状化し
たワイヤ先端のボール部が柔軟性樹脂皮膜７の開口部に
先ず当接するため、この柔軟性樹脂皮膜７かワイヤ先端
のポール部当接によるショックを吸収する。したがって
下部に存在するパッジ−＼−ジョン膜４にクラックが入
ることはない。
たワイヤ先端のボール部が柔軟性樹脂皮膜７の開口部に
先ず当接するため、この柔軟性樹脂皮膜７かワイヤ先端
のポール部当接によるショックを吸収する。したがって
下部に存在するパッジ−＼−ジョン膜４にクラックが入
ることはない。
［ｇ１発明の効果
以上のようにこの発明の電子部品におけるワイヤボンデ
ィング構造によれば、パソシヘーション膜および柔軟性
樹脂皮膜に形成されている開口部にワイヤ先端のポール
部が覆われているため、開口部から電極が露出すること
がなく、電極の腐蝕が防止される。また、パソシヘーシ
ョン膜上の柔軟性樹脂皮膜がクツシコン材として作用す
るため、ワイヤボンディング時にバンシヘーション膜の
開口部付近にクラックが入ることなく、クランクからの
水分浸入による電極の腐蝕が発生することはない。この
ようにして、耐環境性の高い電子部品を構成することが
できる。その他に、パンシヘーション膜上に柔軟性樹脂
皮膜をつけているため、樹脂封止時にハソファとして作
用し、パソシヘーシコン膜のクランクやチップのクラン
クが防止できるという効果もある。
ィング構造によれば、パソシヘーション膜および柔軟性
樹脂皮膜に形成されている開口部にワイヤ先端のポール
部が覆われているため、開口部から電極が露出すること
がなく、電極の腐蝕が防止される。また、パソシヘーシ
ョン膜上の柔軟性樹脂皮膜がクツシコン材として作用す
るため、ワイヤボンディング時にバンシヘーション膜の
開口部付近にクラックが入ることなく、クランクからの
水分浸入による電極の腐蝕が発生することはない。この
ようにして、耐環境性の高い電子部品を構成することが
できる。その他に、パンシヘーション膜上に柔軟性樹脂
皮膜をつけているため、樹脂封止時にハソファとして作
用し、パソシヘーシコン膜のクランクやチップのクラン
クが防止できるという効果もある。
第１図はこの発明の実施例に適用される半導体素子の構
成を表す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図で
ある。第２図はこの発明の実施例である半導体素子にお
けるワイヤボンディング構造を表す断面図である。第３
図は従来例である半導体素子の構成を表す図であり、（
Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。第４図は従来の
半導体素子におけるワイヤボンディング構造を表す断面
図である。 １−３ｉ基板、２−絶縁膜、 ３−Ａρ電極、４−バソシヘーション膜、５−開口部、
５′−露出部、 ６−ワイヤ、７−柔軟性樹脂皮膜。
成を表す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図で
ある。第２図はこの発明の実施例である半導体素子にお
けるワイヤボンディング構造を表す断面図である。第３
図は従来例である半導体素子の構成を表す図であり、（
Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。第４図は従来の
半導体素子におけるワイヤボンディング構造を表す断面
図である。 １−３ｉ基板、２−絶縁膜、 ３−Ａρ電極、４−バソシヘーション膜、５−開口部、
５′−露出部、 ６−ワイヤ、７−柔軟性樹脂皮膜。
Claims (1)
- （１）電極上に、それぞれボンディング時のワイヤ先端
の広がり径より狭い開口部を有するパッシベーション膜
と柔軟性樹脂皮膜をこの順に形成し、前記開口部を介し
て前記電極にワイヤ先端部を接続したことを特徴とする
電子部品におけるワイヤボンディング構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070754A JPH01241832A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 電子部品におけるワイヤボンディング構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070754A JPH01241832A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 電子部品におけるワイヤボンディング構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241832A true JPH01241832A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13440613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070754A Pending JPH01241832A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 電子部品におけるワイヤボンディング構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241832A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02281743A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Nec Corp | ボールボンディング用電極を備えた半導体装置 |
| DE4201792A1 (de) * | 1991-01-29 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| US5898226A (en) * | 1995-12-30 | 1999-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip having a bonding window smaller than a wire ball |
| US6208029B1 (en) * | 1993-12-14 | 2001-03-27 | Hyundai Electronics America | Integrated circuit device with reduced cross talk |
| US6437425B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-08-20 | Agere Systems Guardian Corp | Semiconductor devices which utilize low K dielectrics |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63070754A patent/JPH01241832A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02281743A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Nec Corp | ボールボンディング用電極を備えた半導体装置 |
| DE4201792A1 (de) * | 1991-01-29 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| JPH04271132A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US5430329A (en) * | 1991-01-29 | 1995-07-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with bonding pad electrode |
| DE4201792C2 (de) * | 1991-01-29 | 1996-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Anschlußelektrodenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
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| US6448653B1 (en) | 1993-12-14 | 2002-09-10 | Hyundai Electronics America | Method for using low dielectric constant material in integrated circuit fabrication |
| US6208029B1 (en) * | 1993-12-14 | 2001-03-27 | Hyundai Electronics America | Integrated circuit device with reduced cross talk |
| US6504250B1 (en) | 1993-12-14 | 2003-01-07 | Hyundai Electronics America Inc. | Integrated circuit device with reduced cross talk |
| US6504249B1 (en) | 1993-12-14 | 2003-01-07 | Hyundai Electronics America Inc. | Integrated circuit device with reduced cross talk |
| US6522005B1 (en) | 1993-12-14 | 2003-02-18 | Hyundai Electronics America Inc. | Integrated circuit device comprising low dielectric constant material for reduced cross talk |
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