JPH01242411A - プラズマ発生用ＳｉＣ電極、その製造方法及びドライエッチング装置 - Google Patents
プラズマ発生用ＳｉＣ電極、その製造方法及びドライエッチング装置Info
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- JPH01242411A JPH01242411A JP63069746A JP6974688A JPH01242411A JP H01242411 A JPH01242411 A JP H01242411A JP 63069746 A JP63069746 A JP 63069746A JP 6974688 A JP6974688 A JP 6974688A JP H01242411 A JPH01242411 A JP H01242411A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、ガスプラズマ発生装置、例えば平行平板型ド
ライエツチング装置等に用いられるプラズマ発生用Ｓｉ
Ｃ電極、その製造方法及び前記プラズマ発生用ＳｉＣ電
極を装着したドライエツチング装置に関する。
ライエツチング装置等に用いられるプラズマ発生用Ｓｉ
Ｃ電極、その製造方法及び前記プラズマ発生用ＳｉＣ電
極を装着したドライエツチング装置に関する。
従来、プラズマ発生装置、例えば半導体製造装置である
平行平板型ドライエツチング装置の放電電極としては、
被エツチング材の種類によってステンレス、アルマイト
処理アルミニウム、黒鉛等が使用されている。しかし上
記の材料はガスプラズマ中での耐食性に問題があるため
、耐プラズマ性に優れるＳｉＣの多孔質焼結体を電極材
としたものが特開昭６２−１００４７７号に示されてい
る。
平行平板型ドライエツチング装置の放電電極としては、
被エツチング材の種類によってステンレス、アルマイト
処理アルミニウム、黒鉛等が使用されている。しかし上
記の材料はガスプラズマ中での耐食性に問題があるため
、耐プラズマ性に優れるＳｉＣの多孔質焼結体を電極材
としたものが特開昭６２−１００４７７号に示されてい
る。
［発明が解決しようとする課題］
従来の多孔質ＳｉＣ焼結体をドライエツチング装置放電
材として使用する場合には、次のような問題がある。
材として使用する場合には、次のような問題がある。
第１の問題点は、多孔質ＳｉＣ焼結体は一般に電気抵抗
が高く、通常は１０３Ωｃｍ以上を有する。このため高
周波電界を印加しでもグロー放電を生じにくく、放電電
極には適さない。ドライエツチング装置用電極は、電気
伝導性が優れる（電気抵抗が小さい）はど安定したグロ
ー放電、次いでガスプラズマを生じ、その結果エツチン
グレート及び均一性などのエツチング特性が向上する。
が高く、通常は１０３Ωｃｍ以上を有する。このため高
周波電界を印加しでもグロー放電を生じにくく、放電電
極には適さない。ドライエツチング装置用電極は、電気
伝導性が優れる（電気抵抗が小さい）はど安定したグロ
ー放電、次いでガスプラズマを生じ、その結果エツチン
グレート及び均一性などのエツチング特性が向上する。
したがって、電極材の電気抵抗はできるだけ小さいこと
が望まれる。然るに、前記した公知例の多孔質ＳｉＣ焼
結体は電気伝導性について何ら配慮がなされていない。
が望まれる。然るに、前記した公知例の多孔質ＳｉＣ焼
結体は電気伝導性について何ら配慮がなされていない。
一方、ＳｉＣ焼結体の電気抵抗を下げる手段としては、
金属または金属化合物、炭素等を添加する方法あるいは
ＳｉＣ粉末の圧粉成形体を窒素ガス中で焼成して多孔質
ＳｉＣ焼結体を得る方法が知られているが、これらの抵
抗率の下限は１Ωｃｍ程度であり、電極材としては不十
分である。また添加物を加えた電極材の場合は、エツチ
ング時にウェハが添加物成分である金属による汚染やダ
メージを受けてデバイス特性が劣化する恐れがある。
金属または金属化合物、炭素等を添加する方法あるいは
ＳｉＣ粉末の圧粉成形体を窒素ガス中で焼成して多孔質
ＳｉＣ焼結体を得る方法が知られているが、これらの抵
抗率の下限は１Ωｃｍ程度であり、電極材としては不十
分である。また添加物を加えた電極材の場合は、エツチ
ング時にウェハが添加物成分である金属による汚染やダ
メージを受けてデバイス特性が劣化する恐れがある。
第２の問題は、多孔質ＳｉＣ焼結体は一般に熱伝導率が
小さく、気孔率が２０％以下のものでは５０臀／ｍ・ｋ
以下である。
小さく、気孔率が２０％以下のものでは５０臀／ｍ・ｋ
以下である。
この値は前述したアルミニウム、黒鉛等の電極材に比べ
て約２以下である。エツチング時プラズマ温度は１００
℃以上になるが、長時間のエツチングではウェハ上に形
成されたレジスト膜が熱劣化を生じる恐れがある。した
がってプラズマ温度を低（抑えるため、電極材は熱伝導
率の大きなものが望まれている。
て約２以下である。エツチング時プラズマ温度は１００
℃以上になるが、長時間のエツチングではウェハ上に形
成されたレジスト膜が熱劣化を生じる恐れがある。した
がってプラズマ温度を低（抑えるため、電極材は熱伝導
率の大きなものが望まれている。
第３の問題は、多孔質ＳｉＣ電極表面からのしん埃発生
である。多孔質ＳｉＣ焼結体は粉末を焼結したものであ
るが、隣接するＳｉＣ粒と粒の接合が十分でない場合は
、バルクよりも耐プラズマ性の劣る接合部がエツチング
されやすいため、接合が外れ、ＳｉＣ粒子が脱落してじ
ん埃となる。じん埃は落下してウェハに付着し、デバイ
スの断線や特性劣化を生じ、歩留り低下の主要な原因と
なっている。
である。多孔質ＳｉＣ焼結体は粉末を焼結したものであ
るが、隣接するＳｉＣ粒と粒の接合が十分でない場合は
、バルクよりも耐プラズマ性の劣る接合部がエツチング
されやすいため、接合が外れ、ＳｉＣ粒子が脱落してじ
ん埃となる。じん埃は落下してウェハに付着し、デバイ
スの断線や特性劣化を生じ、歩留り低下の主要な原因と
なっている。
このような理由から、多孔質ＳｉＣ焼結体をドライエツ
チング装置の放電電極として使用するには、添加物を加
えずにＳｉＣ粉末単独の組成で、電気抵抗は実用上十分
に小さくまた熱伝導率で大きくさらにＳｉＣ粒子の脱落
を防止するためＳｉＣ粒と粒のネックを十分に成長させ
る必要がある。
チング装置の放電電極として使用するには、添加物を加
えずにＳｉＣ粉末単独の組成で、電気抵抗は実用上十分
に小さくまた熱伝導率で大きくさらにＳｉＣ粒子の脱落
を防止するためＳｉＣ粒と粒のネックを十分に成長させ
る必要がある。
本発明の目的は、電気抵抗が小さく、熱伝導率が大きく
、かつじん埃発生の少ない多孔質ＳｉＣ電極及びその製
造方法を提供することにある。
、かつじん埃発生の少ない多孔質ＳｉＣ電極及びその製
造方法を提供することにある。
本発明は、前述した問題点を解決するため種々検討した
結果、以下に述べる手段によって上記の目的を達成する
ことができた。
結果、以下に述べる手段によって上記の目的を達成する
ことができた。
すなわち、本発明のプラズマ発生用ＳｉＣ電極は、開気
孔率が２０〜４０％、室温時の抵抗率が１０−１Ωｃｍ
以下、室温時の熱伝導率が１００ｗ／ｍ・ｋ以上である
ＳｉＣ多結晶焼結体からなることを特徴とするものであ
って、このような、電極は、高純度のＳｉＣ粉末の圧粉
成形体を窒素ガス雰囲気下でホットプレス焼結し、Ｓｉ
Ｃ粒内に窒素をドープすることにより得られる。また前
記電極におけるＳｉＣ粒子間の接合を高めじん埃発生を
防止するには、隣接するＳｉＣ粒の接合部すなわちネッ
クを十分に成長させることにより達成される。またネッ
クの成長はじん埃発生の防止効果以外に、焼結体の低抵
抗化及び高熱伝導化にも有効である。
孔率が２０〜４０％、室温時の抵抗率が１０−１Ωｃｍ
以下、室温時の熱伝導率が１００ｗ／ｍ・ｋ以上である
ＳｉＣ多結晶焼結体からなることを特徴とするものであ
って、このような、電極は、高純度のＳｉＣ粉末の圧粉
成形体を窒素ガス雰囲気下でホットプレス焼結し、Ｓｉ
Ｃ粒内に窒素をドープすることにより得られる。また前
記電極におけるＳｉＣ粒子間の接合を高めじん埃発生を
防止するには、隣接するＳｉＣ粒の接合部すなわちネッ
クを十分に成長させることにより達成される。またネッ
クの成長はじん埃発生の防止効果以外に、焼結体の低抵
抗化及び高熱伝導化にも有効である。
そして、本発明のプラズマ発生用ＳｉＣ電極を装着した
ドライエツチング装置は、エツチングレート及び均一性
に優れたドライエツチングを行うことができるものであ
る。
ドライエツチング装置は、エツチングレート及び均一性
に優れたドライエツチングを行うことができるものであ
る。
〔作 用］
本発明のＳｉＣ電極はＳｉＣ粒の成形体を窒素ガス中で
焼成すると共にネックを成長させることにより室温時に
おける抵抗率が１０−ＩΩＣｌ１１以下、熱伝導率が１
０（ｈ／ｍ・ｋ以上の特性を有する。窒素ガス中で焼成
する理由は、窒素以外の非酸化性ガス、例えばアルゴン
、水素、ヘリウム、−酸化炭素及び真空等の雰囲気下で
焼成したものに比べて多孔質ＳｉＣ焼成体の電気抵抗を
下げ、熱伝導率を大きくする効果が顕著であること、ま
た窒素はエツチング時に電極から放出されてもデバイス
に対しては金属の場合に生じる汚染やダメージを与えず
特性劣化が生じない。
焼成すると共にネックを成長させることにより室温時に
おける抵抗率が１０−ＩΩＣｌ１１以下、熱伝導率が１
０（ｈ／ｍ・ｋ以上の特性を有する。窒素ガス中で焼成
する理由は、窒素以外の非酸化性ガス、例えばアルゴン
、水素、ヘリウム、−酸化炭素及び真空等の雰囲気下で
焼成したものに比べて多孔質ＳｉＣ焼成体の電気抵抗を
下げ、熱伝導率を大きくする効果が顕著であること、ま
た窒素はエツチング時に電極から放出されてもデバイス
に対しては金属の場合に生じる汚染やダメージを与えず
特性劣化が生じない。
ＳｉＣ電極材の室温時の抵抗率を１０−１Ωｃｍ以下に
限定した理由は、１０刊ΩＣＴ１１以下であれば高周波
電界を印加した場合にグロー放電が容易に生じ、それに
続いてガスプラズマが安定して発生するためである。こ
れにより、エツチングレートが大きく、均一性の良いエ
ツチングができる。また室温時の熱伝導率を１００ｗ／
ｍ・ｋ以上に限定した理由は、１００ｗ７ｍ・ｋ以上で
あれば電極からの放熱性が良いため、プラズマ温度を下
げる効果が大きく比較的長時間のエツチングによっても
レジスト膜が劣化することがない。
限定した理由は、１０刊ΩＣＴ１１以下であれば高周波
電界を印加した場合にグロー放電が容易に生じ、それに
続いてガスプラズマが安定して発生するためである。こ
れにより、エツチングレートが大きく、均一性の良いエ
ツチングができる。また室温時の熱伝導率を１００ｗ／
ｍ・ｋ以上に限定した理由は、１００ｗ７ｍ・ｋ以上で
あれば電極からの放熱性が良いため、プラズマ温度を下
げる効果が大きく比較的長時間のエツチングによっても
レジスト膜が劣化することがない。
また本発明のＳｉＣ電極は、じん埃発生を防止するため
、ＳｉＣ粒と粒の接合部いわゆるネックは十分に成長し
ていることが必要である。すなわち、ＳｉＣ粒の平均粒
径（Ｌ）とネックの平均径（りとの比（ｆｆｉ／Ｌ）は
０．２以上であるのが好ましい。
、ＳｉＣ粒と粒の接合部いわゆるネックは十分に成長し
ていることが必要である。すなわち、ＳｉＣ粒の平均粒
径（Ｌ）とネックの平均径（りとの比（ｆｆｉ／Ｌ）は
０．２以上であるのが好ましい。
その理由は、ｌ／Ｌが０．２よりも小さい場合はガスプ
ラズマ中に長時間さらされるとバルクＳｉＣよりも耐プ
ラズマ性が劣るネック部がエツチングされて接合が外れ
、ＳｉＣ粒子が脱落してじん埃が増大するためである。
ラズマ中に長時間さらされるとバルクＳｉＣよりも耐プ
ラズマ性が劣るネック部がエツチングされて接合が外れ
、ＳｉＣ粒子が脱落してじん埃が増大するためである。
より好ましくはｆ／Ｌ＞０．４である。なおネックは、
ＳｉＣ焼結体を公知の化学エツチング、例えばフェリシ
アン化カリウムの飽和水溶液で煮沸することにより容易
に観察できる。
ＳｉＣ焼結体を公知の化学エツチング、例えばフェリシ
アン化カリウムの飽和水溶液で煮沸することにより容易
に観察できる。
さらに本発明のＳｉＣ電極は、開気孔率が２０〜４０％
であることが好ましい。ＳｉＣ電極を多孔質にする理由
は、開気孔を通してエツチングガスを電極間にジャワ状
に吹き出させることによりエツチングレートの均一性が
向上できるためである。開気孔率を上記の範囲に限定し
た理由は、２０％以下の場合は緻密化が進みガスが十分
に流れず、４０％以上の場合はガスの流れは良いが電極
の機械的強度が弱くなり、電極取付時に破壊するなどの
欠点が生じるためである。
であることが好ましい。ＳｉＣ電極を多孔質にする理由
は、開気孔を通してエツチングガスを電極間にジャワ状
に吹き出させることによりエツチングレートの均一性が
向上できるためである。開気孔率を上記の範囲に限定し
た理由は、２０％以下の場合は緻密化が進みガスが十分
に流れず、４０％以上の場合はガスの流れは良いが電極
の機械的強度が弱くなり、電極取付時に破壊するなどの
欠点が生じるためである。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
（実施例１）
平均粒径が２μｍのＳｉＣ粉末にシリコーン樹脂系の成
形バインダを適量添加・混合した後、金型に充填し油圧
プレスで１００ＭＰａの圧力を加えて圧粉成形した。成
形体は雰囲気焼成炉を用いて、圧力（ゲージ圧）の異な
る窒素ガス中、温度２２００℃１荷重１０ＭＰａ 、時
間２ｈの条件でホットプレスした。
形バインダを適量添加・混合した後、金型に充填し油圧
プレスで１００ＭＰａの圧力を加えて圧粉成形した。成
形体は雰囲気焼成炉を用いて、圧力（ゲージ圧）の異な
る窒素ガス中、温度２２００℃１荷重１０ＭＰａ 、時
間２ｈの条件でホットプレスした。
得られた焼結体について、窒素含有量を堀場製作所製の
セラミック中窒素分析計で、開気孔率を水浸漬法で、室
温時の熱伝導率をレーザフラッシュ法で、室温時の抵抗
率を４端子法でそれぞれ測定した。第１表に測定結果を
示す。焼結体中の窒素含有量は焼成時の窒素ガス圧が高
いほど増加し、それと共に焼結体の抵抗率は低下し、熱
伝導率は増大している。そして窒素ガス圧が略２．５
ｋｇ／ａｊｌ（ゲージ圧）以上の場合に窒素含有量が０
．１ｗｔ％以上となり、この場合に抵抗率１０−１Ωｃ
ｍ以下、熱伝導率１００ｗ／ｍ・ｋ以上となる。また開
気孔率は３１〜３５％で、ガス圧が高くなるにつれてわ
ずかに小さくなる傾向を示した。
セラミック中窒素分析計で、開気孔率を水浸漬法で、室
温時の熱伝導率をレーザフラッシュ法で、室温時の抵抗
率を４端子法でそれぞれ測定した。第１表に測定結果を
示す。焼結体中の窒素含有量は焼成時の窒素ガス圧が高
いほど増加し、それと共に焼結体の抵抗率は低下し、熱
伝導率は増大している。そして窒素ガス圧が略２．５
ｋｇ／ａｊｌ（ゲージ圧）以上の場合に窒素含有量が０
．１ｗｔ％以上となり、この場合に抵抗率１０−１Ωｃ
ｍ以下、熱伝導率１００ｗ／ｍ・ｋ以上となる。また開
気孔率は３１〜３５％で、ガス圧が高くなるにつれてわ
ずかに小さくなる傾向を示した。
第１表から明らかなように、窒素ガス中で焼成するとＳ
ｉＣ粒内に窒素がドープされて、放電電極材として好ま
しい抵抗率が１０−１Ωｃｍ以下、熱伝導率１００ｗ／
ｍ・ｋ以上の特性が得られた。
ｉＣ粒内に窒素がドープされて、放電電極材として好ま
しい抵抗率が１０−１Ωｃｍ以下、熱伝導率１００ｗ／
ｍ・ｋ以上の特性が得られた。
（実施例２）
実施例１と同一原料、同一製法によって作製したＳｉＣ
粉末の圧粉成形体について、窒素ガス圧５ｋｇ ／ ａ
ｆｌ、荷重１０ＭＰａ 、最高温度での保持時間２ｈを
それぞれ一定とし、最高温度を１９５０〜２４００℃に
変えてホットプレスした。
粉末の圧粉成形体について、窒素ガス圧５ｋｇ ／ ａ
ｆｌ、荷重１０ＭＰａ 、最高温度での保持時間２ｈを
それぞれ一定とし、最高温度を１９５０〜２４００℃に
変えてホットプレスした。
得られた焼結体について微構造を観察すると共に画像解
析装置によってＳｉＣ粒子の平均粒径（Ｌ）及びＳｉＣ
粒子接合部いわゆるネックの平均径（りを求めた。さら
に同一試料の４点曲げ強さを測定した。第２表に測定結
果を示す。焼成温度が２１００℃以下の場合は、ｌ ／
Ｌ ＜ ０．２であり、ネ・ンクが十分に成長せず曲
げ強さも低いことが判る。一方焼成温度が２１００℃よ
りも高くなると、ｆ ／ Ｌ ＞０．２となり、曲げ強
さも増加している。
析装置によってＳｉＣ粒子の平均粒径（Ｌ）及びＳｉＣ
粒子接合部いわゆるネックの平均径（りを求めた。さら
に同一試料の４点曲げ強さを測定した。第２表に測定結
果を示す。焼成温度が２１００℃以下の場合は、ｌ ／
Ｌ ＜ ０．２であり、ネ・ンクが十分に成長せず曲
げ強さも低いことが判る。一方焼成温度が２１００℃よ
りも高くなると、ｆ ／ Ｌ ＞０．２となり、曲げ強
さも増加している。
１／Ｌ値の増加すなわちネックの成長はガスプラズマ中
での接合部の腐食を遅らせる効果があり、じん埃の発生
数が低減できる。
での接合部の腐食を遅らせる効果があり、じん埃の発生
数が低減できる。
（実施例３）
第２表のＮα１１試料を用いて、ドライエツチング装置
の放電電極を作製した。得られたＳｉＣ電極は、開気孔
率３３％、室温時の抵抗率２Ｘ１０−３Ωｃｍ、室温時
の熱伝導率１７０ｗ／ｍ−ｋ、室温時の曲げ強さ６２０
ｋｇ ／ ｃイ等の特性を有する。
の放電電極を作製した。得られたＳｉＣ電極は、開気孔
率３３％、室温時の抵抗率２Ｘ１０−３Ωｃｍ、室温時
の熱伝導率１７０ｗ／ｍ−ｋ、室温時の曲げ強さ６２０
ｋｇ ／ ｃイ等の特性を有する。
この電極を第１図に示す平行平板型ドライエツチング装
置の上部電極３に取付けて、４インチのウェハ５上に形
成したシリコン酸化膜６をドライエツチングした。Ｓｉ
Ｃ電極３の開気孔７を通してエツチングガスを上下電極
２〜３間に均一に吹き出させた後、電極間に４００ＫＨ
ｚの高周波電界を加えてグロー放電させ、反応ガスをプ
ラズマ化し、プラズマ中に生じたラジカルの化学反応に
よってシリコン酸化膜をエツチングした。
置の上部電極３に取付けて、４インチのウェハ５上に形
成したシリコン酸化膜６をドライエツチングした。Ｓｉ
Ｃ電極３の開気孔７を通してエツチングガスを上下電極
２〜３間に均一に吹き出させた後、電極間に４００ＫＨ
ｚの高周波電界を加えてグロー放電させ、反応ガスをプ
ラズマ化し、プラズマ中に生じたラジカルの化学反応に
よってシリコン酸化膜をエツチングした。
エツチングの結果は、エッチレートが約４５００人／ｍ
ｉｎ、ウェハ内におけるエッチレートのばらつきを表わ
す均一性は３．５％であった。一般にエッチレートは電
極の電気抵抗が大きいと小さくなることが知られている
が、上記の値はＳｉＣ電極よりも電気伝導性に優れる黒
鉛電極を用いて同一条件でエツチングした場合のそれと
ほぼ同等であり、また均一性の値も小さく、良好なエツ
チング特性が得られた。
ｉｎ、ウェハ内におけるエッチレートのばらつきを表わ
す均一性は３．５％であった。一般にエッチレートは電
極の電気抵抗が大きいと小さくなることが知られている
が、上記の値はＳｉＣ電極よりも電気伝導性に優れる黒
鉛電極を用いて同一条件でエツチングした場合のそれと
ほぼ同等であり、また均一性の値も小さく、良好なエツ
チング特性が得られた。
また所定のエツチングを行った後に、ウェハ上に付着す
る異物数を計測したところ、新品電極の使用初期が３０
〜５０ケ／ウエハで比較的多かったが、使用開始１０日
以降は１０ケ／ウエハ以下に安定し、ウェハ処理枚数が
３万枚になっても同レベルであった。この異物数は従来
の黒鉛電極を用いて同一条件でエツチングした場合の１
７２０以下であり、極めて少ない。なお異物は分析の結
果、ＳｉＣ粉であった。
る異物数を計測したところ、新品電極の使用初期が３０
〜５０ケ／ウエハで比較的多かったが、使用開始１０日
以降は１０ケ／ウエハ以下に安定し、ウェハ処理枚数が
３万枚になっても同レベルであった。この異物数は従来
の黒鉛電極を用いて同一条件でエツチングした場合の１
７２０以下であり、極めて少ない。なお異物は分析の結
果、ＳｉＣ粉であった。
（実施例４）
第２表に示したＮ０１７電極を用いて実施例３と同じ条
件でシリコン酸化膜をエツチングし、ウェハ上の異物数
を計測した。Ｎｏ、 ７電極はｌ／Ｌ、が０．１１でネ
ック長が小さい。異物数は電極が新品の使用初期が７０
〜１１０ ケ／ウェハ、使用１０回以降も６０〜９０ケ
／ウエハと比較的多く、処理枚数が３万回まで同様な異
物数であった。
件でシリコン酸化膜をエツチングし、ウェハ上の異物数
を計測した。Ｎｏ、 ７電極はｌ／Ｌ、が０．１１でネ
ック長が小さい。異物数は電極が新品の使用初期が７０
〜１１０ ケ／ウェハ、使用１０回以降も６０〜９０ケ
／ウエハと比較的多く、処理枚数が３万回まで同様な異
物数であった。
このように、ネック径が小さいと電極表面からのじん埃
落下が多くなることが判る。
落下が多くなることが判る。
（本頁以下余白）
第１表
第２表
［発明の効果］
本発明のＳｉＣ電極は電気伝導性が優れるためにグロー
放電しやすく、安定したガスプラズマが得られるので、
エツチングレート及び均一性に優れたドライエツチング
ができる。また熱伝導性に優れるためガスプラズマ温度
の上昇を抑え、レジスト膜の熱劣化を防止する効果もあ
る。さらに本発明のＳｉＣ電極はＳｉＣ粒間のネック径
が大きいので、ネック部の耐プラズマ性が向上し、Ｓｉ
Ｃ粒の脱落によるしん埃の発生が大幅に低減できる効果
があり、素子の歩留りが向上できるので経済効果が大で
ある。
放電しやすく、安定したガスプラズマが得られるので、
エツチングレート及び均一性に優れたドライエツチング
ができる。また熱伝導性に優れるためガスプラズマ温度
の上昇を抑え、レジスト膜の熱劣化を防止する効果もあ
る。さらに本発明のＳｉＣ電極はＳｉＣ粒間のネック径
が大きいので、ネック部の耐プラズマ性が向上し、Ｓｉ
Ｃ粒の脱落によるしん埃の発生が大幅に低減できる効果
があり、素子の歩留りが向上できるので経済効果が大で
ある。
またＳｉＣは、従来の金属や黒鉛を用いた電極に比べて
、耐プラズマ性が優れるため、電極材の揮散に伴うデバ
イス特性の劣化が少なく、また電極の長寿命化及びそれ
に伴う保守点検回数の減少等による経済的効果は大であ
る。
、耐プラズマ性が優れるため、電極材の揮散に伴うデバ
イス特性の劣化が少なく、また電極の長寿命化及びそれ
に伴う保守点検回数の減少等による経済的効果は大であ
る。
なお本明細書はドライエツチング装置用電極を例にして
説明したが、本発明のＳｉＣ電極は、プラズマＣＶＤ装
置に使用しても同様の効果が得られる。
説明したが、本発明のＳｉＣ電極は、プラズマＣＶＤ装
置に使用しても同様の効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す平行平板型ドライエツ
チング装置の概略口である。 １・・・チャンバ、２・・・下部電極、３・・・上部電
極、４・・・ガス供給管、５・・・ウェハ、６・・・シ
リコン酸化膜、７・・・開気孔、８・・・高周波電源。
チング装置の概略口である。 １・・・チャンバ、２・・・下部電極、３・・・上部電
極、４・・・ガス供給管、５・・・ウェハ、６・・・シ
リコン酸化膜、７・・・開気孔、８・・・高周波電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、開気孔率が２０〜４０％、室温時の抵抗率が１０＾
−＾１Ωｃｍ以下、室温時の熱伝導率が１００ｗ／ｍ・
ｋ以上であるＳｉＣ多結晶焼結体からなることを特徴と
するプラズマ発生用ＳｉＣ電極。 ２、ＳｉＣ多結晶焼結体において、隣接するＳｉＣ粒間
を接合するネックの平均径（ｌ）と、ＳｉＣ粒の平均径
（Ｌ）との比が０．２以上である請求項１記載のプラズ
マ発生用ＳｉＣ電極。 ３、ＳｉＣ多結晶焼結体中の窒素含有量が、０．１重量
％以上であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ
発生用ＳｉＣ電極。 ４、ＳｉＣ多結晶焼結体からなるプラズマ発生用ＳｉＣ
電極の製造方法において、樹脂とＳｉＣ粉末との成形体
を加圧窒素ガス雰囲気下で加熱焼結し、開気孔率が２０
〜４０％、室温時の抵抗率が１０＾−＾１Ωｃｍ以下、
室温時の熱伝導率が１００ｗ／ｍ・ｋ以上のＳｉＣ多結
晶焼結体を形成することを特徴とするプラズマ発生用Ｓ
ｉＣ電極の製造方法。５、窒素ガス雰囲気が、２．５ｋ
／ｃｍ＾２（ゲージ圧）以上の窒素ガス圧を有すること
を特徴とする請求項４記載のプラズマ発生用ＳｉＣ電極
の製造方法。 ６、ＳｉＣ多結晶焼結体中の窒素含有量が、０．１重量
％以上であることを特徴とする請求項４記載のプラズマ
発生用ＳｉＣ電極の製造方法。 ７、熱圧焼成の温度が２１００℃〜２４００℃であるこ
とを特徴とする請求項４乃至６のいずれかの項記載のプ
ラズマ発生用ＳｉＣ電極の製造方法。 ８、開気孔率が２０〜４０％、室温時の抵抗率が１０＾
−＾１Ωｃｍ以下、室温時の熱伝導率が１００ｗ／ｍ・
ｋ以上のＳｉＣ多結晶焼結体からなるプラズマ発生用Ｓ
ｉＣ電極を装着したことを特徴とするドライエッチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069746A JPH01242411A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | プラズマ発生用ＳｉＣ電極、その製造方法及びドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069746A JPH01242411A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | プラズマ発生用ＳｉＣ電極、その製造方法及びドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242411A true JPH01242411A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13411674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069746A Pending JPH01242411A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | プラズマ発生用ＳｉＣ電極、その製造方法及びドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242411A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03162593A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエツチング用電極板及びその製造法 |
| JP2003059903A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Ibiden Co Ltd | プラズマエッチング装置のガス吹き出し板及びその製造方法 |
| JP2006036585A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 液晶製造装置用セラミック部材 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069746A patent/JPH01242411A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03162593A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエツチング用電極板及びその製造法 |
| JP2003059903A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Ibiden Co Ltd | プラズマエッチング装置のガス吹き出し板及びその製造方法 |
| JP2006036585A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 液晶製造装置用セラミック部材 |
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