JPH01242465A - 炭化珪素焼結体およびその摺動部材の製造方法 - Google Patents
炭化珪素焼結体およびその摺動部材の製造方法Info
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- JPH01242465A JPH01242465A JP63068679A JP6867988A JPH01242465A JP H01242465 A JPH01242465 A JP H01242465A JP 63068679 A JP63068679 A JP 63068679A JP 6867988 A JP6867988 A JP 6867988A JP H01242465 A JPH01242465 A JP H01242465A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
炭化珪素焼結体は、その優れた化学的及び物理的特性で
ある高い熱伝導率、低い熱膨張率、優れた耐酸化性と耐
食性、高い耐熱衝撃性および常温から高温における高強
度特性を具備していることにより、例えばガスタービン
部材、高温用熱交換器の様な高温構造部材、耐摩耗部材
に使用されている。本発明は上記特性を更に向上させた
炭化珪素焼結体の製造方法に係わり、上に例示した部材
等は勿論のこと、特に摺動部材に使用される炭化珪素焼
結体の製造方法に関するものである。
ある高い熱伝導率、低い熱膨張率、優れた耐酸化性と耐
食性、高い耐熱衝撃性および常温から高温における高強
度特性を具備していることにより、例えばガスタービン
部材、高温用熱交換器の様な高温構造部材、耐摩耗部材
に使用されている。本発明は上記特性を更に向上させた
炭化珪素焼結体の製造方法に係わり、上に例示した部材
等は勿論のこと、特に摺動部材に使用される炭化珪素焼
結体の製造方法に関するものである。
炭化珪素焼結体は上記の様に優れた特性を有しているが
、炭化珪素焼結体の出発原料である炭化珪素微粉は、焼
結し難い材料であるため、これまで高密度の焼結体を得
ようとする際には、加圧焼結法が使用されていた。しか
しながら、前記加圧焼結法によれば複雑な形状の焼結体
を製造することが難しく、また生産性も上がらない欠点
があった。
、炭化珪素焼結体の出発原料である炭化珪素微粉は、焼
結し難い材料であるため、これまで高密度の焼結体を得
ようとする際には、加圧焼結法が使用されていた。しか
しながら、前記加圧焼結法によれば複雑な形状の焼結体
を製造することが難しく、また生産性も上がらない欠点
があった。
前記加圧焼結法の有する欠点を除去改善するため、従来
から炭化珪素微粉【焼結助剤としてＢおよびｃ’ｌ添加
し、常圧焼結により高密度の炭化珪素焼結体を得る方法
が提案されている。これらの焼結助剤の役割は、Ｂにつ
いては焼結初期の粒子の粗大化の原因である表面拡散を
防ぎ、焼結後期の緻密化のための体積拡散を促進する効
果であり、Ｃについては炭化珪素微粉表面のＳｉＯ２膜
を還元除去し炭化珪素粒子間の焼結性を高めることであ
ると言われている。例えば、特開昭５１−１４８７１２
の〔炭化ケイ素焼結セラミックス体およびその製造方法
〕に、炭化珪素、ホウ素含有添加剤および炭化可能な有
機溶剤可溶性の有機材料および一次結合剤からなる原料
組成物全成形し常圧で焼結することにより、理論密度の
７５％以上の密度を有する炭化珪素焼結体を得る方法が
開示されている。
から炭化珪素微粉【焼結助剤としてＢおよびｃ’ｌ添加
し、常圧焼結により高密度の炭化珪素焼結体を得る方法
が提案されている。これらの焼結助剤の役割は、Ｂにつ
いては焼結初期の粒子の粗大化の原因である表面拡散を
防ぎ、焼結後期の緻密化のための体積拡散を促進する効
果であり、Ｃについては炭化珪素微粉表面のＳｉＯ２膜
を還元除去し炭化珪素粒子間の焼結性を高めることであ
ると言われている。例えば、特開昭５１−１４８７１２
の〔炭化ケイ素焼結セラミックス体およびその製造方法
〕に、炭化珪素、ホウ素含有添加剤および炭化可能な有
機溶剤可溶性の有機材料および一次結合剤からなる原料
組成物全成形し常圧で焼結することにより、理論密度の
７５％以上の密度を有する炭化珪素焼結体を得る方法が
開示されている。
従来の炭化珪素焼結体の製造方法において、使用される
炭化珪素微粉は一般にＳｉＯ□膜に覆われており、酸、
例えば弗酸および硝酸の混合酸を用いる処理によって、
焼結操作を妨害する恐れのあるＳ ｉＯ２を含む不純物
を除去する処理が施される。
炭化珪素微粉は一般にＳｉＯ□膜に覆われており、酸、
例えば弗酸および硝酸の混合酸を用いる処理によって、
焼結操作を妨害する恐れのあるＳ ｉＯ２を含む不純物
を除去する処理が施される。
この処理によっても残った５ＩＯ２膜全還元除去して微
粉間の焼結性を高めるためｃｌ添加する必要があった。
粉間の焼結性を高めるためｃｌ添加する必要があった。
従来このＣ源に、フェノールなどの炭化可能な有機材料
が使用されている。しかし、フェノール等の有機材料は
、作業性が悪く、さらにこれを用いて焼結した焼結体は
摺動特性が良くないという課題があった。
が使用されている。しかし、フェノール等の有機材料は
、作業性が悪く、さらにこれを用いて焼結した焼結体は
摺動特性が良くないという課題があった。
本発明は、このような課題を解消するべくなされたもの
であり、Ｃ源にカーボンブラックを使用することにより
摺動特性の優れた炭化珪素焼結体を比較的５ｉ０２含有
量の多い炭化珪素微粉により製造できる方法およびＢ含
有添加剤の添加量ｋＮ力低減することにより耐食性の優
れた炭化珪素の摺動部材の製造方法全提供するものであ
る。
であり、Ｃ源にカーボンブラックを使用することにより
摺動特性の優れた炭化珪素焼結体を比較的５ｉ０２含有
量の多い炭化珪素微粉により製造できる方法およびＢ含
有添加剤の添加量ｋＮ力低減することにより耐食性の優
れた炭化珪素の摺動部材の製造方法全提供するものであ
る。
すなわち５ｉ０２含有量が０．０５〜５． Ｑ ｗｔ％
の炭化珪素微粉１００重量部にＢ換算で０．０５〜４．
０重量部のＢ又はＢ化合物、１．０〜４．０重量部のカ
ーボンブラック、更に１〜４重量部の成形用バインダー
を加え、均質に混合した原料組成′ｖ／Ｊｅ１．７〜２
．２ ｉ ７ｃｍ５の嵩密度に成形した生成形体を脱脂
した後、１１００〜１５５０℃の温度範囲を５×１０−
１ｔｏｒｒ以下の減圧下で処理し、１５５０〜２１００
℃を常圧もしくは加圧の不活性ガス雰囲気中で焼結する
ことを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法および、上
記製造方法においてＢ又はＢ化合物をＢ換算で望ましく
は０．０５〜０．１５重量部と少なくすることを特徴と
する炭化珪素摺動部材の製造方法を提供するものである
。
の炭化珪素微粉１００重量部にＢ換算で０．０５〜４．
０重量部のＢ又はＢ化合物、１．０〜４．０重量部のカ
ーボンブラック、更に１〜４重量部の成形用バインダー
を加え、均質に混合した原料組成′ｖ／Ｊｅ１．７〜２
．２ ｉ ７ｃｍ５の嵩密度に成形した生成形体を脱脂
した後、１１００〜１５５０℃の温度範囲を５×１０−
１ｔｏｒｒ以下の減圧下で処理し、１５５０〜２１００
℃を常圧もしくは加圧の不活性ガス雰囲気中で焼結する
ことを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法および、上
記製造方法においてＢ又はＢ化合物をＢ換算で望ましく
は０．０５〜０．１５重量部と少なくすることを特徴と
する炭化珪素摺動部材の製造方法を提供するものである
。
本発明に於て、使用する炭化珪素微粉のＳｉＯ２含有量
は０．０５〜５．Ｑｗｔ％とする。これはＳｉＯ□含有
量は弗酸および硝酸の混合酸を用いて処理し軽減し少な
い方が良いが０．０５ ｗｔ％以下にすることが炭化珪
素微粉の製造上困難であり、６．０ｗｔ％全越えるとＳ
ｉＯ２の焼結に対する阻害効果、すなわち焼結促進効果
を持つＢの添加剤がＳｉＯ２に覆われている炭化珪素微
粉の内部への拡散を阻害する効果が強まり、焼結体の密
度が上がらないから５ＩＯ２含有量が０．０５〜６．
０ｗｔ％が適している。
は０．０５〜５．Ｑｗｔ％とする。これはＳｉＯ□含有
量は弗酸および硝酸の混合酸を用いて処理し軽減し少な
い方が良いが０．０５ ｗｔ％以下にすることが炭化珪
素微粉の製造上困難であり、６．０ｗｔ％全越えるとＳ
ｉＯ２の焼結に対する阻害効果、すなわち焼結促進効果
を持つＢの添加剤がＳｉＯ２に覆われている炭化珪素微
粉の内部への拡散を阻害する効果が強まり、焼結体の密
度が上がらないから５ＩＯ２含有量が０．０５〜６．
０ｗｔ％が適している。
次にＢまたはＢ化合物の添加量は、炭化珪素微粉１００
重量部に対してＢ換算で０．０５〜４．０重量部が適当
である。なぜならば、Ｂの焼結に対する効果は炭化珪素
微粉表面および内部に拡散し、焼結体の結晶粒の粗大化
の原因となる焼結初期段階の表面拡散全抑制し、焼結後
期には炭化珪素微粉中に固溶し、体積拡散全促進し、焼
結密度を上“干ることであると言われているがＢが炭化
珪素微粉表面に均一に拡散するのに最低必要な量が０．
０５重量部であると本発明者が知見したことによる。
重量部に対してＢ換算で０．０５〜４．０重量部が適当
である。なぜならば、Ｂの焼結に対する効果は炭化珪素
微粉表面および内部に拡散し、焼結体の結晶粒の粗大化
の原因となる焼結初期段階の表面拡散全抑制し、焼結後
期には炭化珪素微粉中に固溶し、体積拡散全促進し、焼
結密度を上“干ることであると言われているがＢが炭化
珪素微粉表面に均一に拡散するのに最低必要な量が０．
０５重量部であると本発明者が知見したことによる。
また４、０重量部を越えると、炭化珪素微粉中に固溶し
きれずに、炭化珪素微粉の粒界に第２相全形成し、粒界
拡散を阻害することにより、焼結密度が上がらないこと
による。
きれずに、炭化珪素微粉の粒界に第２相全形成し、粒界
拡散を阻害することにより、焼結密度が上がらないこと
による。
また、メカニカルシールの様な耐食性が厳しく要求され
る摺動部材を焼結して製造する場合にはＢ又はＢ化合物
の添加量は、Ｂ換算で０．０５〜０．１５重量部にする
のが好ましい。なぜならば０．１５重量部を越えると炭
化珪素焼結体の持つｍ食性が損われるからである。
る摺動部材を焼結して製造する場合にはＢ又はＢ化合物
の添加量は、Ｂ換算で０．０５〜０．１５重量部にする
のが好ましい。なぜならば０．１５重量部を越えると炭
化珪素焼結体の持つｍ食性が損われるからである。
焼結促進剤としてのＢ又はＢ化合物は、例えば単体硼素
、炭化硼素（代表的組成り４Ｃ）、硼化珪素（５ＩＢ４
あるいはＳｔＢ、、、 ）等が挙げられる。
、炭化硼素（代表的組成り４Ｃ）、硼化珪素（５ＩＢ４
あるいはＳｔＢ、、、 ）等が挙げられる。
次に、焼結助剤としてのＣ源であるが、従来はＣ源とし
て、フェノール樹脂がよく使用されているが、種々のＣ
源につき検討した結果、カーボンブラックが最も好まし
いことが分った。フェノール樹脂の場合にはスプレード
ライ等で炭化珪素微粉を造粒する際の作業性が悪い欠点
があり、さらにＣ源としてカーボンブラックを使用した
炭化珪素焼結体のほうが、フェノール樹脂を使用したも
のより摺動特性が優れているという本発明者の実験結果
も得られている。これらのことから、焼結助剤としての
Ｃ諒にはカーボンブラックとした。
て、フェノール樹脂がよく使用されているが、種々のＣ
源につき検討した結果、カーボンブラックが最も好まし
いことが分った。フェノール樹脂の場合にはスプレード
ライ等で炭化珪素微粉を造粒する際の作業性が悪い欠点
があり、さらにＣ源としてカーボンブラックを使用した
炭化珪素焼結体のほうが、フェノール樹脂を使用したも
のより摺動特性が優れているという本発明者の実験結果
も得られている。これらのことから、焼結助剤としての
Ｃ諒にはカーボンブラックとした。
また、その配合量であるが、これは、炭化珪素微粉１０
０重量部に対して１．０〜４．０重量部が望ましく原粉
の炭化珪素微粉中のＳｉＯ２量に依存して決まる。例え
ば、ＳｉＯ２含有量が１ｗｔ％未満の炭化珪素微粉の場
合は１ないし２重量部が最適であり、ＳｉＯ２含有量が
２ｗｔ％ないし６ｗｔ％程度の場合には、３重量部ない
し４重量部が最適である。
０重量部に対して１．０〜４．０重量部が望ましく原粉
の炭化珪素微粉中のＳｉＯ２量に依存して決まる。例え
ば、ＳｉＯ２含有量が１ｗｔ％未満の炭化珪素微粉の場
合は１ないし２重量部が最適であり、ＳｉＯ２含有量が
２ｗｔ％ないし６ｗｔ％程度の場合には、３重量部ない
し４重量部が最適である。
カーボンブラックの添加量が４重量部を越えると、焼結
密度も上がらないし、耐食性および耐摩耗性が著しく劣
ることになる。
密度も上がらないし、耐食性および耐摩耗性が著しく劣
ることになる。
成形加工し易くするために、炭化珪素微粉全造粒などを
するが、そのための成形体バインターとして、ポリビニ
ルアルコール等が使われ、それは、炭化珪素微粉１００
重量部に対して１〜４重量部が好ましい。すなわち１重
量部未満では生成形体の密度が上がらないため結果とし
て焼結密度が上がらず、４重量部を越えると、焼結の際
に、バインダーの気化が激しくなることにより成形体の
割れが発生するからである。
するが、そのための成形体バインターとして、ポリビニ
ルアルコール等が使われ、それは、炭化珪素微粉１００
重量部に対して１〜４重量部が好ましい。すなわち１重
量部未満では生成形体の密度が上がらないため結果とし
て焼結密度が上がらず、４重量部を越えると、焼結の際
に、バインダーの気化が激しくなることにより成形体の
割れが発生するからである。
以上に述べた様な種々の助剤類を均一に炭化珪素微粉に
混合した原料組成物を造粒なとをした後、それを成型金
型等に入れ、加圧し、密度を１．７〜２．２，９／ｃｒ
ｎに成形することが好ましい。すなわち、この範囲の密
度にすることにより充填された炭化珪素粉末粒子の隣接
する粒子との配位数を増すとともに、接触面積を増やし
、焼結に於ける物質移動を容易にすることができる。
混合した原料組成物を造粒なとをした後、それを成型金
型等に入れ、加圧し、密度を１．７〜２．２，９／ｃｒ
ｎに成形することが好ましい。すなわち、この範囲の密
度にすることにより充填された炭化珪素粉末粒子の隣接
する粒子との配位数を増すとともに、接触面積を増やし
、焼結に於ける物質移動を容易にすることができる。
以上の方法により得られた生成形体は、加熱脱脂した後
、１１００〜１５５０℃の温度範囲を５Ｘ １０−１ｔ
ｏｒｒ以下の減圧下で、その後、１５５０〜２１００℃
を常圧もしくは加圧の不活性ガス雰囲気中で・焼結する
。１１００〜１５５０℃を減圧下にするのは、この範囲
の温度領域では、炭化珪素微粉中に含有されているＳｉ
Ｏ２のＣによる還元反応が起り、ＳｉＯおよびＣＯガス
の発生が著しく、焼結を阻害するからである。従って、
この温度領域では、焼結炉内の圧力を下げ、５ｉＯ１Ｃ
Ｏガスを効率的に除去しなければいけないからである。
、１１００〜１５５０℃の温度範囲を５Ｘ １０−１ｔ
ｏｒｒ以下の減圧下で、その後、１５５０〜２１００℃
を常圧もしくは加圧の不活性ガス雰囲気中で・焼結する
。１１００〜１５５０℃を減圧下にするのは、この範囲
の温度領域では、炭化珪素微粉中に含有されているＳｉ
Ｏ２のＣによる還元反応が起り、ＳｉＯおよびＣＯガス
の発生が著しく、焼結を阻害するからである。従って、
この温度領域では、焼結炉内の圧力を下げ、５ｉＯ１Ｃ
Ｏガスを効率的に除去しなければいけないからである。
また、１５５０〜２１００℃の範囲を常圧もしくは加圧
の不活性ガス雰囲気中にするのは、この範囲の高温領域
では、炭化珪素の分解が起こるためである。また、焼結
最終温度は、１９００〜２１００℃が好ましい。２１０
０℃を越えると炭化珪素の蒸発や結晶粒の粗大化が起こ
り、機械的強度が低下するためであり、一方、１９００
℃未満では焼結が元号に進まないため焼結体の密度が上
がらないからである。
の不活性ガス雰囲気中にするのは、この範囲の高温領域
では、炭化珪素の分解が起こるためである。また、焼結
最終温度は、１９００〜２１００℃が好ましい。２１０
０℃を越えると炭化珪素の蒸発や結晶粒の粗大化が起こ
り、機械的強度が低下するためであり、一方、１９００
℃未満では焼結が元号に進まないため焼結体の密度が上
がらないからである。
以下に本発明を実施例により更に詳述する。
実施例１〜１２
アチソン法で造った平均粒径が０．５μｍで、５ｉ０２
含有量２ｗｔ％および６ ｗｔ％のα−８ｉＣ微粉とこ
れらの微粉を更に弗酸処理を施して５ｉ０２含有量を少
なくしたα−８ｉＣ微粉を使用した。このＳｉＣ微粉に
Ｂ４Ｃおよびカーボンブラックを表・１の様に配合し、
更にこれらの混合粉に対しそれぞれ成形用バインダーと
してポリビニルアルコールを０．８重量部とポリエチレ
ングリコール２１．５重量部入れ、水を８０重量部加え
、ボールミルにて２０時間混合した後、スプレードライ
ヤーで顆粒化した。この顆粒を直径５０膿、厚さ６ｔｒ
ｒｒｎ、密度１、９〜２．１９７ｃｍに加圧成形し、脱
脂した後、１１００〜ｂ 圧下で、１５５０〜２０７０℃の間をＡｒガス雰囲気中
で無加圧で加熱し、更に２０７０℃で、５時間加熱し焼
結した。以上の方法によシ得た焼結体の密度の測定結果
を表・１に示す。
含有量２ｗｔ％および６ ｗｔ％のα−８ｉＣ微粉とこ
れらの微粉を更に弗酸処理を施して５ｉ０２含有量を少
なくしたα−８ｉＣ微粉を使用した。このＳｉＣ微粉に
Ｂ４Ｃおよびカーボンブラックを表・１の様に配合し、
更にこれらの混合粉に対しそれぞれ成形用バインダーと
してポリビニルアルコールを０．８重量部とポリエチレ
ングリコール２１．５重量部入れ、水を８０重量部加え
、ボールミルにて２０時間混合した後、スプレードライ
ヤーで顆粒化した。この顆粒を直径５０膿、厚さ６ｔｒ
ｒｒｎ、密度１、９〜２．１９７ｃｍに加圧成形し、脱
脂した後、１１００〜ｂ 圧下で、１５５０〜２０７０℃の間をＡｒガス雰囲気中
で無加圧で加熱し、更に２０７０℃で、５時間加熱し焼
結した。以上の方法によシ得た焼結体の密度の測定結果
を表・１に示す。
上記の実施例のうち１〜５および８〜９の実施例は、特
許請求の範囲の第２項に相当する例である。
許請求の範囲の第２項に相当する例である。
比較例１〜７
ＳｉＯ含有量が６． ０ｗｔ％を越える炭化珪素微粉を
使用した場合また、Ｂ４Ｃおよびカービンブラックの添
加量を特許請求の範囲外に添加した場合、Ｃ源としてカ
ービンブラックの代りにフェノール樹脂を使用した場合
につき上記実施例と同様な方法で混合配合し、顆粒子ヒ
後、加圧成形し、焼結した焼結体の特性を表・２に示す
。
使用した場合また、Ｂ４Ｃおよびカービンブラックの添
加量を特許請求の範囲外に添加した場合、Ｃ源としてカ
ービンブラックの代りにフェノール樹脂を使用した場合
につき上記実施例と同様な方法で混合配合し、顆粒子ヒ
後、加圧成形し、焼結した焼結体の特性を表・２に示す
。
実施例１〜１２および比較例１〜７について耐食性対カ
ーゼン材摺動特性の評価を実施した。
ーゼン材摺動特性の評価を実施した。
なお、耐食性は、１０１０Ｘ１０Ｘ１０角の焼結体サン
プルを作製し、各サンプル１０個’（Ｈ７０℃の２０％
硝酸と５％弗酸とを１：１に混合した弗硝酸液中に８０
０時間浸漬し、その重量減少を測定した。また、対カー
ボン材摺動特性は、焼結体サンプルを外径１１４ｍｍφ
、内径９４胡φ、厚み２０団のリング状に加工し、これ
をカービン製のディスクに５０℃の水中で接融させ、周
速１５ ｍｌ ｓｅｃで回転させ、カーボン製ディスク
の摩耗量ｔ １ｉＪ１１定した。その結果全表・３に示
す。
プルを作製し、各サンプル１０個’（Ｈ７０℃の２０％
硝酸と５％弗酸とを１：１に混合した弗硝酸液中に８０
０時間浸漬し、その重量減少を測定した。また、対カー
ボン材摺動特性は、焼結体サンプルを外径１１４ｍｍφ
、内径９４胡φ、厚み２０団のリング状に加工し、これ
をカービン製のディスクに５０℃の水中で接融させ、周
速１５ ｍｌ ｓｅｃで回転させ、カーボン製ディスク
の摩耗量ｔ １ｉＪ１１定した。その結果全表・３に示
す。
表・３
上記の各実施例から明らかな様に本発明の請求の範囲外
の製造方法によって造られた炭化珪素焼結体は、密度が
低いか、耐食性、耐摩耗性が劣ることがわかる。
の製造方法によって造られた炭化珪素焼結体は、密度が
低いか、耐食性、耐摩耗性が劣ることがわかる。
本発明により５ＩＯ２含有量の多い炭化珪素微粉を用い
て高品位の焼結体が得られるとともに、Ｂ含有添加剤の
添加量を低減することによシ耐食性が優れ、かつ摺動特
性の優れた炭化珪素焼結体を提供する。
て高品位の焼結体が得られるとともに、Ｂ含有添加剤の
添加量を低減することによシ耐食性が優れ、かつ摺動特
性の優れた炭化珪素焼結体を提供する。
代理人 弁理士 寺 １） 實
Claims (2)
- （１）ＳｉＯ＿２を０．０５〜６．０ｗｔ％含有する炭
化珪素微粉１００重量部に対して、Ｂ換算で０．０５〜
４．０重量部のＢ又はＢ化合物、１〜４重量部のカーボ
ンブラックを均質に混合し、嵩密度を１．７〜２．２ｇ
／ｃｍ＾３になる様に成形した生成形体を脱脂した後、
１１００〜１５５０℃の温度範囲を５×１０＾−＾１ｔ
ｏｒｒ以下の減圧下で、１５５０〜２１００℃を常圧又
は加圧の不活性ガス雰囲気中で、焼結することを特徴と
する炭化珪素焼結体の製造方法。 - （２）第１項記載の炭化珪素焼結体の製造方法において
、Ｂ又はＢ化合物の添加量をＢ換算で０．０５〜０．１
５重量部とする炭化珪素焼結体からなる摺動部材の製造
方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068679A JPH01242465A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 炭化珪素焼結体およびその摺動部材の製造方法 |
| GB8821796A GB2215738B (en) | 1988-03-23 | 1988-09-16 | Method of preparing silicon carbide sintered body |
| FR8813295A FR2629077B1 (fr) | 1988-03-23 | 1988-10-03 | Procede de preparation d'un corps fritte au carbure de silicium |
| DE19883833611 DE3833611A1 (de) | 1988-03-23 | 1988-10-03 | Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid-sinterkoerpern |
| SG94491A SG94491G (en) | 1988-03-23 | 1991-11-08 | Method of preparing silicon carbide sintered body |
| HK101591A HK101591A (en) | 1988-03-23 | 1991-12-12 | Method of preparing silicon carbide sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068679A JPH01242465A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 炭化珪素焼結体およびその摺動部材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242465A true JPH01242465A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13380649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068679A Pending JPH01242465A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 炭化珪素焼結体およびその摺動部材の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242465A (ja) |
| DE (1) | DE3833611A1 (ja) |
| FR (1) | FR2629077B1 (ja) |
| GB (1) | GB2215738B (ja) |
| HK (1) | HK101591A (ja) |
| SG (1) | SG94491G (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126610A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-29 | Phillips Petroleum Co | 炭化物化合物及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU7360194A (en) * | 1993-07-22 | 1995-02-20 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Silicon carbide grain |
| FR2715398B1 (fr) * | 1994-01-27 | 1996-04-12 | Ceramiques Composites | Procédé de fabrication de matériaux céramiques de carbure de silicium, essentiellement de forme alpha et matériaux céramiques obtenus notamment par ledit procédé. |
| ES2113781B1 (es) * | 1994-04-27 | 1999-09-16 | Bakelite Iberica S A | Procedimiento para la obtencion de compactos en verde para sinterizacion posterior. |
| FR2878520B1 (fr) | 2004-11-29 | 2015-09-18 | Saint Gobain Ct Recherches | Bloc refractaire fritte a base de carbure de silicium a liaison nitrure de silicium |
| US20110175264A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-07-21 | Pujari Vimal K | High Toughness Ceramic Composites |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2751769A (en) * | 1954-02-17 | 1956-06-26 | Hemphill Co | Picking mechanism |
| US4312954A (en) * | 1975-06-05 | 1982-01-26 | Kennecott Corporation | Sintered silicon carbide ceramic body |
| US4123286A (en) * | 1976-12-27 | 1978-10-31 | The Carborundum Company | Silicon carbide powder compositions |
| US4346049A (en) * | 1978-05-01 | 1982-08-24 | Kennecott Corporation | Sintered alpha silicon carbide ceramic body having equiaxed microstructure |
| JPS55167177A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-26 | Ngk Spark Plug Co | Manufacture of silicon carbide heating body |
| US4318876A (en) * | 1979-10-19 | 1982-03-09 | Societe Anonyme Dite: Compagnie Generale D'electricite | Method of manufacturing a dense silicon carbide ceramic |
| US4668452A (en) * | 1980-02-26 | 1987-05-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process for producing silicon carbide heating elements |
| US4579704A (en) * | 1983-04-14 | 1986-04-01 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Process for sintering cubic system silicon carbide powder |
| US4525461A (en) * | 1983-12-14 | 1985-06-25 | Kennecott Corporation | Sintered silicon carbide/graphite/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure |
| US4692418A (en) * | 1984-08-29 | 1987-09-08 | Stemcor Corporation | Sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having fine microstructure |
| US4692481A (en) * | 1984-09-27 | 1987-09-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for matching color of paint to a colored surface |
| US4853299A (en) * | 1985-09-06 | 1989-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon carbide sintered body and method of manufacturing the same |
| US4701427A (en) * | 1985-10-17 | 1987-10-20 | Stemcor Corporation | Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity |
| JPH089504B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1996-01-31 | 住友化学工業株式会社 | 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068679A patent/JPH01242465A/ja active Pending
- 1988-09-16 GB GB8821796A patent/GB2215738B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-03 DE DE19883833611 patent/DE3833611A1/de active Granted
- 1988-10-03 FR FR8813295A patent/FR2629077B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-11-08 SG SG94491A patent/SG94491G/en unknown
- 1991-12-12 HK HK101591A patent/HK101591A/xx unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126610A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-29 | Phillips Petroleum Co | 炭化物化合物及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2215738B (en) | 1991-06-05 |
| FR2629077B1 (fr) | 1993-04-09 |
| GB8821796D0 (en) | 1988-10-19 |
| DE3833611C2 (ja) | 1990-08-30 |
| GB2215738A (en) | 1989-09-27 |
| HK101591A (en) | 1991-12-20 |
| SG94491G (en) | 1992-03-20 |
| FR2629077A1 (fr) | 1989-09-29 |
| DE3833611A1 (de) | 1989-10-05 |
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