JPS5817146B2 - 高密度炭化珪素焼結体の製造方法 - Google Patents
高密度炭化珪素焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5817146B2 JPS5817146B2 JP54167976A JP16797679A JPS5817146B2 JP S5817146 B2 JPS5817146 B2 JP S5817146B2 JP 54167976 A JP54167976 A JP 54167976A JP 16797679 A JP16797679 A JP 16797679A JP S5817146 B2 JPS5817146 B2 JP S5817146B2
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- Japan
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- parts
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- powder
- carbon
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は本質的にβ形炭化珪素(以下β−8iCとする
)からなる炭化珪素(SiC)粉、硼素(B)または炭
化硼素(B4C)、及び炭素を含有する混合物を無加圧
で焼結し、3.0g/i以上の密度(相対密度93%以
上)を有する高密度炭化珪素焼結体の製造方法に関する
。
)からなる炭化珪素(SiC)粉、硼素(B)または炭
化硼素(B4C)、及び炭素を含有する混合物を無加圧
で焼結し、3.0g/i以上の密度(相対密度93%以
上)を有する高密度炭化珪素焼結体の製造方法に関する
。
最近高密度な炭化珪素焼結体が得られるようになり、耐
高温構造材料、摺動材料等に使用され始めている。
高温構造材料、摺動材料等に使用され始めている。
製造方法としては反応焼結法、ホットプレス法、無加圧
焼結法等がある。
焼結法等がある。
これらの方法のうち反応焼結法は珪素(Si)が過剰と
なりやすく、耐薬品性、高温強度が不足する欠点がある
。
なりやすく、耐薬品性、高温強度が不足する欠点がある
。
またホットプレス法は理論密度が100%程度の密度を
有し、最も高強度なものが得られる反面、複雑な形状の
焼結体を得ることは極めて困難である。
有し、最も高強度なものが得られる反面、複雑な形状の
焼結体を得ることは極めて困難である。
これに反し、無加圧焼結法は種々の成形方法を用いれば
相当複雑な形状の成形品を得ることができ、これを無加
圧で焼結できる利点がある。
相当複雑な形状の成形品を得ることができ、これを無加
圧で焼結できる利点がある。
しかし種々検討した結果β−8iC粉末を用いた場合、
β−8iC粉末中の酸素含量が多いと従来の方法では3
.OgZc11未満の密度までしか焼結できない欠点が
あることがわかった。
β−8iC粉末中の酸素含量が多いと従来の方法では3
.OgZc11未満の密度までしか焼結できない欠点が
あることがわかった。
従来の方法例えば特開昭50−78609号公報はβ−
8iC粉に0.3〜3.0重量%の硼素と0.1〜1.
0重量%の炭素を含む出発原料を成形、焼結するもので
ある。
8iC粉に0.3〜3.0重量%の硼素と0.1〜1.
0重量%の炭素を含む出発原料を成形、焼結するもので
ある。
さらに特開昭50−78609号公報には、1’−0,
06%の酸素含量を持つ硼素添加粉末は0.3%の炭素
の添加でもって、理論密度の98.5%まで容易に焼結
しうる。
06%の酸素含量を持つ硼素添加粉末は0.3%の炭素
の添加でもって、理論密度の98.5%まで容易に焼結
しうる。
0,3%の酸素を含有する別の粉末は0.9%の炭素で
もって91%相対密度まで焼結しうる。
もって91%相対密度まで焼結しうる。
」また、「0.1〜1.0重量%の炭素が焼結性を提供
するのに十分であることがわかった。
するのに十分であることがわかった。
これらの条件め下で焼結されない粉末はもつと多くの炭
素をたとえ加えたとしても焼結されないであろう」との
記載がある。
素をたとえ加えたとしても焼結されないであろう」との
記載がある。
つまりβ−8iC粉末中に0.3重量%以上の酸素が含
有され、炭素添加量が1.0重量%を越えると本発明の
目的としている3、0g/ff1以上の密度をもった焼
結体が得られないということである。
有され、炭素添加量が1.0重量%を越えると本発明の
目的としている3、0g/ff1以上の密度をもった焼
結体が得られないということである。
β−8iC粉末は製法上SiO2をを含みやすく、また
平均粒径0.5μm以下の微粉では酸化の影響を受けや
すく表面がSiO□になりやすい。
平均粒径0.5μm以下の微粉では酸化の影響を受けや
すく表面がSiO□になりやすい。
このためβ−8iC粉末は最大1重量%程度の酸素が必
然的に含まれる。
然的に含まれる。
本発明の目的は従来の方法では不可能であった最大1重
量%以下の酸素を含むβ−8iC粉末を用い、炭素を従
来の1.0重量%より多く添加して3. Oglcr!
以上の密度(相対密度93%以上)に焼結した高密度炭
化珪素焼結体を製造する方法を提供することにある。
量%以下の酸素を含むβ−8iC粉末を用い、炭素を従
来の1.0重量%より多く添加して3. Oglcr!
以上の密度(相対密度93%以上)に焼結した高密度炭
化珪素焼結体を製造する方法を提供することにある。
本発明者らは前記欠点について種々検討した結果、主と
してβ−8iCからなるSiC粉末に焼結助剤として硼
素を0.5〜5.0重量部または炭化硼素を0.6〜6
,0重量部、炭素を1.5〜5.0重量部加えると3.
0g/ff1以上の密度(相対密度93%以上)が得ら
れることがわかった。
してβ−8iCからなるSiC粉末に焼結助剤として硼
素を0.5〜5.0重量部または炭化硼素を0.6〜6
,0重量部、炭素を1.5〜5.0重量部加えると3.
0g/ff1以上の密度(相対密度93%以上)が得ら
れることがわかった。
またβ−8iC粉末中の酸素含量が0.1重量%では最
低炭素添加量は1.5重量部以上必要であり、酸素含量
が0.3重量%では炭素添加量2.0重量部以上、酸素
含量1.0重量%では炭素添加量4.0重量部以上必要
であることがわかった。
低炭素添加量は1.5重量部以上必要であり、酸素含量
が0.3重量%では炭素添加量2.0重量部以上、酸素
含量1.0重量%では炭素添加量4.0重量部以上必要
であることがわかった。
しかし炭素添加量は5.0重量部が限度でこれ以上加え
ても密度は3.0g/d以上にすることは困難である。
ても密度は3.0g/d以上にすることは困難である。
すなわちS i02量を還元するのに必要な炭素量以上
の炭素を加えるとその炭素が焼結の邪魔をすることであ
る。
の炭素を加えるとその炭素が焼結の邪魔をすることであ
る。
S io 2は5i02+3C−+SiC+2COの反
応でSiCとなり焼結に関与する。
応でSiCとなり焼結に関与する。
化学量論的には炭素量は重量で酸素量とほぼ同量で十分
であるが実際には余分の炭素が必要となる。
であるが実際には余分の炭素が必要となる。
本発明は最大粒径10 pm1平均粒径0.5μm以下
のβ−8iC粉末89〜98重量部、30 p、m以下
の硼素0.5〜5.0重量部または炭化硼素を0.6〜
6.0重量部、10μm以下の炭素粉末を1.5〜5.
0重量部または1.5〜5.0重量部の炭素粉末を生成
するのに相当する量の有機化合物を配合しついで溶媒を
加えて混合、成形し、さらに真空中窒素雰囲気中または
不活性雰囲気中で1900〜2300℃の温度で焼成し
て上記成形物を3.0g/d以上の密度(相対密度93
%以上)に焼結する高密度炭素珪素焼結体の製造方法に
関する。
のβ−8iC粉末89〜98重量部、30 p、m以下
の硼素0.5〜5.0重量部または炭化硼素を0.6〜
6.0重量部、10μm以下の炭素粉末を1.5〜5.
0重量部または1.5〜5.0重量部の炭素粉末を生成
するのに相当する量の有機化合物を配合しついで溶媒を
加えて混合、成形し、さらに真空中窒素雰囲気中または
不活性雰囲気中で1900〜2300℃の温度で焼成し
て上記成形物を3.0g/d以上の密度(相対密度93
%以上)に焼結する高密度炭素珪素焼結体の製造方法に
関する。
なお本発明においてβ−8iC粉末は100%のβ−8
iC粉末を使用することが好ましいが、不純物としてS
i02の形で存在する1重量%までの酸素、5重量%
までの非等軸晶系α形炭化珪素、2重量%までのその他
の不純物例えば遊離ケイ素鉄、アルミニウム、マグネシ
ウム、カルシウム等を必然的に含む、本質的にβ−8i
Cからなる炭化珪素粉末を用いることも可能である。
iC粉末を使用することが好ましいが、不純物としてS
i02の形で存在する1重量%までの酸素、5重量%
までの非等軸晶系α形炭化珪素、2重量%までのその他
の不純物例えば遊離ケイ素鉄、アルミニウム、マグネシ
ウム、カルシウム等を必然的に含む、本質的にβ−8i
Cからなる炭化珪素粉末を用いることも可能である。
これらのβ−8iC粉末は最大粒径10μm1平均粒径
0.5μm以下のものが使用され、平均粒径が0.5μ
mを越えると焼結しに< <、3.0 g/cr#J上
の高密度化が困難である。
0.5μm以下のものが使用され、平均粒径が0.5μ
mを越えると焼結しに< <、3.0 g/cr#J上
の高密度化が困難である。
また最大粒径として10μmを越えるものがあると高密
度炭化珪素焼結体に欠陥が生じ強度が低下する。
度炭化珪素焼結体に欠陥が生じ強度が低下する。
また硼素、炭化硼素の粒径は30μm以下、好ましくは
10μm以下とされ30μmを越えると3、(Bi’/
i以上の高密度化が困難である。
10μm以下とされ30μmを越えると3、(Bi’/
i以上の高密度化が困難である。
炭素粉末の粒径は10μm以下とされ10μmを越える
と前記と同様3.0g/i以上の高密度化が困難である
。
と前記と同様3.0g/i以上の高密度化が困難である
。
さらに本発明で使用される有機化合物は、高温で炭素を
生じ特に炭化率の大きいフェノールホルムアルデヒド樹
脂、クレゾールホルムアルデヒド樹脂、フラン系樹脂、
ポリフェニレン系樹脂、タール、ピッチ等が適している
。
生じ特に炭化率の大きいフェノールホルムアルデヒド樹
脂、クレゾールホルムアルデヒド樹脂、フラン系樹脂、
ポリフェニレン系樹脂、タール、ピッチ等が適している
。
また溶媒は炭化珪素粉末その他の添加物を分散するのに
適したものであればよく、水と有機溶剤が使用される。
適したものであればよく、水と有機溶剤が使用される。
なお水には分散を容易にするために界゛面活性剤、pH
調整剤等を添加してもよい。
調整剤等を添加してもよい。
また水溶性でない有機化合物を炭素添加剤とする場合に
は、有機化合物を溶解するのに必要な有機溶剤例えばア
セトン、メチルエチルケトン、メタノール、イソプロピ
ルアルコール、トルエン、キシレン等が使用される。
は、有機化合物を溶解するのに必要な有機溶剤例えばア
セトン、メチルエチルケトン、メタノール、イソプロピ
ルアルコール、トルエン、キシレン等が使用される。
硼素または炭化硼素の添加量はβ−8iC粉末89〜9
8重量部に対し、硼素0.5〜5.0重量部、炭化硼素
0.6〜6.0重量部添加され、最適量は硼素の場合は
1.0重量部、炭化硼素の場合は1.28重量部である
。
8重量部に対し、硼素0.5〜5.0重量部、炭化硼素
0.6〜6.0重量部添加され、最適量は硼素の場合は
1.0重量部、炭化硼素の場合は1.28重量部である
。
添加量が硼素において0.5重量部未満または炭化硼素
において0.6重量部未満の場合は混合が不十分となり
易<3.0g/i以上の高密度化が困難であり、また硼
素において5.0重量部または炭化硼素において6.0
重量部を越えた場合も前記と同様に3.0.!?/i以
上の高密度化が困難である。
において0.6重量部未満の場合は混合が不十分となり
易<3.0g/i以上の高密度化が困難であり、また硼
素において5.0重量部または炭化硼素において6.0
重量部を越えた場合も前記と同様に3.0.!?/i以
上の高密度化が困難である。
炭素粉末は1.5〜5.0重量部または1.5〜5.0
重量部の炭素粉末を生成するのに相当する量の有機化合
物が添加され、この範囲から外れると3.0g/cIf
1以上の高密度化が困難である。
重量部の炭素粉末を生成するのに相当する量の有機化合
物が添加され、この範囲から外れると3.0g/cIf
1以上の高密度化が困難である。
なお必要とされる炭素粉末の量は、出発炭化珪素粉末中
の酸素含量におおむね依存する。
の酸素含量におおむね依存する。
炭素粉末の添加方法は有機化合物を溶媒とともに添加し
て混合することが好ましい。
て混合することが好ましい。
もし注形法で成形する場合はカーボンブラックの使用ば
好ましい。
好ましい。
また賦形剤としてカルボキシメチルセルロース、メチル
セルロース、アラビアゴム、アビセル、ゼラチン、澱粉
、アルギン酸塩、ステアリン酸塩、ポリビニルアルコー
ル等の水溶液を添加して混合する方法が適している。
セルロース、アラビアゴム、アビセル、ゼラチン、澱粉
、アルギン酸塩、ステアリン酸塩、ポリビニルアルコー
ル等の水溶液を添加して混合する方法が適している。
成形は通常公知の方法で行なわれ、焼結は真空中、窒素
雰囲気中またはアルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気中
で1900〜2300℃の温度で行なうことが必要であ
る。
雰囲気中またはアルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気中
で1900〜2300℃の温度で行なうことが必要であ
る。
1900℃未満の焼結温度では焼結の進行が遅<、3.
0g/cr/1以上の高密度化が困難であり、2300
℃を越えると結晶が成長して粗大化し前記と同様に3.
(1/cIft以上の高密度化が困難である。
0g/cr/1以上の高密度化が困難であり、2300
℃を越えると結晶が成長して粗大化し前記と同様に3.
(1/cIft以上の高密度化が困難である。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例 1
純度99.5%の硅石粉と炭素分99.0%のコークス
粉を1900℃で処理して得た最大粒径2μm、平均粒
径0.25 pm 、 S i02含量0.3重量%(
酸素含量0.16重量%)、α−8iC1,0重量%以
下、その他の不純物1.0重量%以下を含むβ−8iC
粉末96.0重量部、1μm以下の硼素粉末1.0重量
部、ノボラック形フェノール樹脂(三菱瓦斯化学・−■
製、商品名SM−P 107A)6重量部(炭素量とし
て3重量部)を配合し、外掛でアセトン100重量部を
添加しボールミルで30分混合後80℃で2時間乾燥し
た。
粉を1900℃で処理して得た最大粒径2μm、平均粒
径0.25 pm 、 S i02含量0.3重量%(
酸素含量0.16重量%)、α−8iC1,0重量%以
下、その他の不純物1.0重量%以下を含むβ−8iC
粉末96.0重量部、1μm以下の硼素粉末1.0重量
部、ノボラック形フェノール樹脂(三菱瓦斯化学・−■
製、商品名SM−P 107A)6重量部(炭素量とし
て3重量部)を配合し、外掛でアセトン100重量部を
添加しボールミルで30分混合後80℃で2時間乾燥し
た。
乾燥後前記混合物を捕潰機で15分間粉砕後、賦形剤と
して6重量%ポリビニルアルコール水溶液を10重量部
添加しさらに15分間混合後42メツシュの篩を通し成
形粉を得た。
して6重量%ポリビニルアルコール水溶液を10重量部
添加しさらに15分間混合後42メツシュの篩を通し成
形粉を得た。
次に成形粉を1000 kg/CIF¥の圧力で成形し
、外径50關、高さ10朋の成形物を得る。
、外径50關、高さ10朋の成形物を得る。
この成形体を30℃/時間の速度で250℃まで硬化し
、さらに0.04Torrの真空中で500°C/時間
の速度で2000℃まで昇温し、45分間焼結した。
、さらに0.04Torrの真空中で500°C/時間
の速度で2000℃まで昇温し、45分間焼結した。
この結果18%の線収縮で3.14g/cI!の密度(
相対密度97.8%)の高密度炭化珪素焼結体が得られ
た。
相対密度97.8%)の高密度炭化珪素焼結体が得られ
た。
実施例 2
実施例1と同様な方法によって得られたS i02含量
が第1表に示すように異なるβ−8iC粉末を用い、炭
素添加量を変え以下実施例1と同様な工程を経て高密度
炭素珪素焼結体を得た。
が第1表に示すように異なるβ−8iC粉末を用い、炭
素添加量を変え以下実施例1と同様な工程を経て高密度
炭素珪素焼結体を得た。
この結果を合わせて第1表に示す。
実施例 3
実施例1と同様な方法によって得られたβ−8iC粉末
95重量部、1μ以下の炭化硼素粉末2重量部、カーボ
ンブラック3重量部を配合し、外掛で珪酸ナトリウム0
.1重量部、蒸留水60重量部をボールミルで30分混
合後、焼石膏型内に流し込み外径501nTIL1内径
4011t7IL1長さ50mmの円筒を成形し乾燥後
、アルゴンガス雰囲気で2050℃で45分間焼結した
。
95重量部、1μ以下の炭化硼素粉末2重量部、カーボ
ンブラック3重量部を配合し、外掛で珪酸ナトリウム0
.1重量部、蒸留水60重量部をボールミルで30分混
合後、焼石膏型内に流し込み外径501nTIL1内径
4011t7IL1長さ50mmの円筒を成形し乾燥後
、アルゴンガス雰囲気で2050℃で45分間焼結した
。
この結果3.10 g/cdの密度の高密度炭化珪素焼
結体が得られた。
結体が得られた。
比較例 1
実施例1と同様な方法によって得られたSiO□含量が
第2表に示すように異なるβ−8iC粉末を実施例1と
同様な工程を経て成形、焼結した。
第2表に示すように異なるβ−8iC粉末を実施例1と
同様な工程を経て成形、焼結した。
ただし炭素添加量は全て1重量部とした。
この結果を合わせて第2表に示す。
比較例 2
最大粒径3μm1平均粒径0.5μm1S t 02含
量1.88重量%(酸素含量1°0重量%)、その他の
不純物3.0重量%を含む研摩剤α−8iC粉末(=1
!10000)を実施例1と同様の配合でかつ同様な工
程を経て焼結体を得た。
量1.88重量%(酸素含量1°0重量%)、その他の
不純物3.0重量%を含む研摩剤α−8iC粉末(=1
!10000)を実施例1と同様の配合でかつ同様な工
程を経て焼結体を得た。
この結果密度は2.41g/cI!(相対密度75.1
%)であった。
%)であった。
実施例 4
配合時の炭素量を重量部でそれぞれ1,1.5゜2.2
.5,3,4及び5にして、ほかは実施例1と同じ方法
で炭化珪素焼結体を得た。
.5,3,4及び5にして、ほかは実施例1と同じ方法
で炭化珪素焼結体を得た。
炭素添加量と得られた炭化珪素焼結体の相対密度及び曲
げ強度との関係を第1図に示す。
げ強度との関係を第1図に示す。
また上記データから求めた相対密度と曲げ強さとの関係
を第2図に示す。
を第2図に示す。
第1図から相対密度及び曲げ強さは炭素添加量2.5重
量%のところに最大値を示す曲線が得られ、第2図から
曲げ強度は相対密度とほぼ比例関係にあることが示され
る。
量%のところに最大値を示す曲線が得られ、第2図から
曲げ強度は相対密度とほぼ比例関係にあることが示され
る。
この曲げ強度の値は従来の非加圧焼結法による焼結体に
比して何等遜色のないものである。
比して何等遜色のないものである。
本発明によれば酸素含量が最大1重量%迄のβ−8iC
粉末でも硼素または炭化硼素及び炭素を焼結助剤として
焼結する場合、炭素添加量を1.5〜5.0重量部含有
させることにより3.O,!li’/cIIt以上の密
度(相対密度93%以上)に焼結した十分な機械強度を
有する高密度炭化珪素焼結体を容易に製造することがで
きる。
粉末でも硼素または炭化硼素及び炭素を焼結助剤として
焼結する場合、炭素添加量を1.5〜5.0重量部含有
させることにより3.O,!li’/cIIt以上の密
度(相対密度93%以上)に焼結した十分な機械強度を
有する高密度炭化珪素焼結体を容易に製造することがで
きる。
第1図は炭素添加量と相対密度及び曲げ強度との関係を
示すグラフ並びに第2図は相対密度と曲げ強度の関係を
示すグラフである。
示すグラフ並びに第2図は相対密度と曲げ強度の関係を
示すグラフである。
Claims (1)
- 1 最大粒径10μm1平均粒径0.5μm以下のβ形
炭化珪素89〜98重量部、30μm以下の硼素0.5
〜5.0重量部または炭化硼素0.6〜6.0重量部、
10μm以下の炭素粉末を1.5〜5.0重量部または
1.5〜5.0重量部の炭素粉末を生成するのに相当す
る量の有機化合物を配合し、ついで溶媒を加えて混合、
成形し、さらに真空中、窒素雰囲気中または不活性雰囲
気中で1900〜2300℃の温度で焼成した上記成形
物を3.0 g/cr!!以上の密度(相対密度93%
以上)に焼結することを特徴とする高密度炭化珪素焼結
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54167976A JPS5817146B2 (ja) | 1979-12-24 | 1979-12-24 | 高密度炭化珪素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54167976A JPS5817146B2 (ja) | 1979-12-24 | 1979-12-24 | 高密度炭化珪素焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5692167A JPS5692167A (en) | 1981-07-25 |
| JPS5817146B2 true JPS5817146B2 (ja) | 1983-04-05 |
Family
ID=15859500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54167976A Expired JPS5817146B2 (ja) | 1979-12-24 | 1979-12-24 | 高密度炭化珪素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817146B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60155572A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-15 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 熱伝導性の優れた炭化けい素焼結体の製造法 |
| JPS62226861A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | 株式会社日立製作所 | 黒鉛繊維強化炭化硅素焼結体の製法 |
| JPS6360158A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | イビデン株式会社 | 炭化けい素焼結体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1478898A (en) * | 1973-10-24 | 1977-07-06 | Gen Electric | Silicon carbide ceramic |
-
1979
- 1979-12-24 JP JP54167976A patent/JPS5817146B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5692167A (en) | 1981-07-25 |
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