JPH01242478A - 酸素欠損型超伝導体の安定化方法 - Google Patents
酸素欠損型超伝導体の安定化方法Info
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- JPH01242478A JPH01242478A JP63068744A JP6874488A JPH01242478A JP H01242478 A JPH01242478 A JP H01242478A JP 63068744 A JP63068744 A JP 63068744A JP 6874488 A JP6874488 A JP 6874488A JP H01242478 A JPH01242478 A JP H01242478A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ペロブスカイト型結晶構造を有する酸素欠損型超伝導体
の結晶構造を安定化する方法に関し、ペロブスカイト型
結晶構造を有する酸素欠損型超伝導体にフッ素イオンを
打ち込み超伝導特性の安定化を図ることを目的とし、
′ −一般式 ＡＲＣｕＯ（式中Ａは ２ ３−ｘ ｎ−ｙ Ｃａ、Ｓｒ又はＢａのいずれか１種、Ｒは希土類金属元
素のいずれか１種、Ｘは０≦ｘ＜３で表わされる数、ｎ
は自然数、ｙは０≦ｙ＜ｎで表わされる数を表わす）で
表わされる酸素欠損型超伝導体にフッ素イオンを打ち込
む工程と、該酸素欠損型超伝導体を８５０〜９５０℃で
１〜３時間アニールする工程とを含み構成する。
の結晶構造を安定化する方法に関し、ペロブスカイト型
結晶構造を有する酸素欠損型超伝導体にフッ素イオンを
打ち込み超伝導特性の安定化を図ることを目的とし、
′ −一般式 ＡＲＣｕＯ（式中Ａは ２ ３−ｘ ｎ−ｙ Ｃａ、Ｓｒ又はＢａのいずれか１種、Ｒは希土類金属元
素のいずれか１種、Ｘは０≦ｘ＜３で表わされる数、ｎ
は自然数、ｙは０≦ｙ＜ｎで表わされる数を表わす）で
表わされる酸素欠損型超伝導体にフッ素イオンを打ち込
む工程と、該酸素欠損型超伝導体を８５０〜９５０℃で
１〜３時間アニールする工程とを含み構成する。
５産業上の利用分野〕
本発明は、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸素欠損
型超伝導体の結晶構造を安定化する方法に関する。
型超伝導体の結晶構造を安定化する方法に関する。
現在、高い転移温度（Ｔｃ）を示す高温超伝導体として
Ｂ ａ Ｙ Ｃｕ ３０等のようなベロブスカイト型
構造を有する化合物が注目されている。前記Ｂ ａ
Ｙ Ｃｕ ３０のような一般式ＡＲＣｕＯ（式中ＡはＣ
ａ、Ｓｒ又は ２ ３−ｘ ｎ−ｙ Ｂａのいずれか１種、Ｒは希土類金属元素のいずれか１
種、Ｘは０≦ｘ＜３で表わされる数、ｎは自然数、ｙは
Ｏ≦ｙ＜ｎで表わされる数を表わす）で表わされるペロ
ブスカイト型超伝導体は転移温度が９０Ｋを示し、すぐ
れた超伝導特性を有する。
Ｂ ａ Ｙ Ｃｕ ３０等のようなベロブスカイト型
構造を有する化合物が注目されている。前記Ｂ ａ
Ｙ Ｃｕ ３０のような一般式ＡＲＣｕＯ（式中ＡはＣ
ａ、Ｓｒ又は ２ ３−ｘ ｎ−ｙ Ｂａのいずれか１種、Ｒは希土類金属元素のいずれか１
種、Ｘは０≦ｘ＜３で表わされる数、ｎは自然数、ｙは
Ｏ≦ｙ＜ｎで表わされる数を表わす）で表わされるペロ
ブスカイト型超伝導体は転移温度が９０Ｋを示し、すぐ
れた超伝導特性を有する。
そして、経時変化を生ぜず安定した転移温度を維持する
超伝導体について種々の研究が行なわれている。
超伝導体について種々の研究が行なわれている。
上述のＡＲＣｕＯ系のベロブスカイ
２ ３−ｘ ｎ−ｙ
ト型超伝導体は比較的容易に作成され、その作成方法は
種々存在し、例えばラバープレス法等によってバルクと
して製造したり、エレクトロビーム（ＥＢ）蒸着法、ス
パッタリング法あるいはモレキュラビームエビタクシ（
ＭＢＥ）法等によりＳｒＴｉＯ３、層２０３あるＶ′）
はＭｇＯ等の基板上に薄膜として形成する方法がある。
種々存在し、例えばラバープレス法等によってバルクと
して製造したり、エレクトロビーム（ＥＢ）蒸着法、ス
パッタリング法あるいはモレキュラビームエビタクシ（
ＭＢＥ）法等によりＳｒＴｉＯ３、層２０３あるＶ′）
はＭｇＯ等の基板上に薄膜として形成する方法がある。
上述のＡＲＣｕＯ系のベロブスカイ
２ ３−ｘ ｎ−ｙ
ト型超伝導体は、一般にバルク状のもの又は薄膜状のい
ずれのものも、製造直後に一定の転移温度を有している
が、！！！造後時間の経過とともに転移温度が低下し、
安定した超伝導特性が得られないという欠点がある。こ
れは、 Ａ２ＲＣｕ３−ｘ ｏｏ、系のペロブスカイト型超伝導
体が結晶構造中の酸素が抜は易い、いわゆる酸素欠損型
の超伝導体であり、酸素の欠損量の増大とともに構造的
に不安定となり、超伝導特性か低下し、一定量の酸素の
欠損が生じると通常の半導体としての性質を示すことに
起因する。
ずれのものも、製造直後に一定の転移温度を有している
が、！！！造後時間の経過とともに転移温度が低下し、
安定した超伝導特性が得られないという欠点がある。こ
れは、 Ａ２ＲＣｕ３−ｘ ｏｏ、系のペロブスカイト型超伝導
体が結晶構造中の酸素が抜は易い、いわゆる酸素欠損型
の超伝導体であり、酸素の欠損量の増大とともに構造的
に不安定となり、超伝導特性か低下し、一定量の酸素の
欠損が生じると通常の半導体としての性質を示すことに
起因する。
上述の欠点を解決するため、酸素イオンとイオン半径の
近いフッ素イオンを構造中に組み込み酸素の欠損を防止
して結晶構造の安定化を図る方法として、フッ化物を予
め混入した原料粉体を用いてバルク状のペロブスカイト
型超伝導体を製造する方法、又は前記のバルク状のペロ
ブスカイト型超伝導体を用いて薄膜状のペロブスカイト
型超伝導体を製造する方法が提案されている。しかし、
上記の方法では、バルク状のペロブスカイト型超伝導体
においてはある程度酸素欠損の防止効果がみられるが、
薄膜状のペロブスカイト型超伝導体においては結晶構造
中に抜は易い酸素が相当量存在しており酸素欠損の防止
が充分に図れないという問題がある。
近いフッ素イオンを構造中に組み込み酸素の欠損を防止
して結晶構造の安定化を図る方法として、フッ化物を予
め混入した原料粉体を用いてバルク状のペロブスカイト
型超伝導体を製造する方法、又は前記のバルク状のペロ
ブスカイト型超伝導体を用いて薄膜状のペロブスカイト
型超伝導体を製造する方法が提案されている。しかし、
上記の方法では、バルク状のペロブスカイト型超伝導体
においてはある程度酸素欠損の防止効果がみられるが、
薄膜状のペロブスカイト型超伝導体においては結晶構造
中に抜は易い酸素が相当量存在しており酸素欠損の防止
が充分に図れないという問題がある。
そこで本発明は、ＡＲＣｕＯ系のべ
２ ３−ｘ ｎ−ｙ
ロブスカイト型結晶構造を有する酸素欠損型超伝導体に
フッ素イオンを打ち込み超伝導特性の安定化を図ること
を目的とするものである。
フッ素イオンを打ち込み超伝導特性の安定化を図ること
を目的とするものである。
上記の課題は、
一般式 ＡＲＣｕ Ｏ（式中Ａは
２ ３−ｘ ｎ−ｙ
Ｃａ、Ｓｒ又はＢａのいずれか１種、Ｒは希土類金属元
素のいずれか１種、ＸはＯ≦ｘ＜３で表わされる数、ｎ
は自然数、ｙは０≦ｙ＜ｎで表わされる数を表わす）で
表わされる酸素欠損型超伝導体にフッ素イオンを打ち込
む工程と、該酸素欠損型超伝導体を８５０〜９５０℃で
１〜３時間アニールする工程とを含むことによって達成
される。
素のいずれか１種、ＸはＯ≦ｘ＜３で表わされる数、ｎ
は自然数、ｙは０≦ｙ＜ｎで表わされる数を表わす）で
表わされる酸素欠損型超伝導体にフッ素イオンを打ち込
む工程と、該酸素欠損型超伝導体を８５０〜９５０℃で
１〜３時間アニールする工程とを含むことによって達成
される。
本発明は、一般式ＡＲＣｕＯ（式中
２ ３−ｘ ｎ−ｙ
ＡはＣａ、Ｓｒ又はＢａのいずれか１種、Ｒは希土類金
属元素のいずれか１種、Ｘは０≦ｘ＜３で表わされる数
、ｎは自然数、ｙは０≦ｙ＜ｎで表わされる数を表わす
）で表わされる酸素欠損型超伝導体のペロブスカイト型
結晶構造中の酸素が欠損した箇所および酸素が抜は易く
酸素欠損の生じ易い箇所にイオン打ち込み法によって酸
素イオンとイオン半径がほぼ等しいフッ素イオンを積極
的に打ち込んでペロブスカイト型の結晶構造を安定化す
るとともに、結晶構造中の抜は易い酸素の存在を低減せ
しめ、その後前記酸素欠損型超伝導体を８５０〜９５０
°Ｃで１〜３時間アニールすることにより、酸素の欠損
によって乱されたペロブスカイト型結晶構造を元の状態
に回復するものである。
属元素のいずれか１種、Ｘは０≦ｘ＜３で表わされる数
、ｎは自然数、ｙは０≦ｙ＜ｎで表わされる数を表わす
）で表わされる酸素欠損型超伝導体のペロブスカイト型
結晶構造中の酸素が欠損した箇所および酸素が抜は易く
酸素欠損の生じ易い箇所にイオン打ち込み法によって酸
素イオンとイオン半径がほぼ等しいフッ素イオンを積極
的に打ち込んでペロブスカイト型の結晶構造を安定化す
るとともに、結晶構造中の抜は易い酸素の存在を低減せ
しめ、その後前記酸素欠損型超伝導体を８５０〜９５０
°Ｃで１〜３時間アニールすることにより、酸素の欠損
によって乱されたペロブスカイト型結晶構造を元の状態
に回復するものである。
これによって該酸素欠損型超伝導体は経時による酸素の
欠損がほとんどなく、高温超伝導体として安定した超伝
導特性を示す。
欠損がほとんどなく、高温超伝導体として安定した超伝
導特性を示す。
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第１図は基板にエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法によ
って超伝導体薄膜を形成する装置の概略構成図である。
って超伝導体薄膜を形成する装置の概略構成図である。
第１図においてフィラメント５から発せられたエレクト
ロンビーム６はルツボ２内に配設された超伝導体である
蒸着源１に誘導して当てられ前記蒸着源１が加熱される
。加熱された蒸着源１から蒸発した超伝導体の蒸気は基
板４に達し、超伝導体薄膜３が形成される。
ロンビーム６はルツボ２内に配設された超伝導体である
蒸着源１に誘導して当てられ前記蒸着源１が加熱される
。加熱された蒸着源１から蒸発した超伝導体の蒸気は基
板４に達し、超伝導体薄膜３が形成される。
前記蒸着源１は下記式（１）で表わされるペロブスカイ
ト型結晶構造を有する酸素欠損型超伝導体のバルクであ
る。
ト型結晶構造を有する酸素欠損型超伝導体のバルクであ
る。
式（１） Ａ ＲＣｕ ０
２ ３−ｘ ｎ−１／
（式中ＡはＣａ、Ｓｒ又はＢａのいずれか１種、Ｒは希
土類金属元素のいずれか１種、Ｘは０≦Ｘ〈３で表わさ
れる数、ｎは自然数、ｙは０≦ｙ〈ｎで表わされる数を
表わす） 通常、前記蒸着源１には、約８００℃で焼成されペロブ
スカイト型結晶構造が形成されたバルクを使用する。
土類金属元素のいずれか１種、Ｘは０≦Ｘ〈３で表わさ
れる数、ｎは自然数、ｙは０≦ｙ〈ｎで表わされる数を
表わす） 通常、前記蒸着源１には、約８００℃で焼成されペロブ
スカイト型結晶構造が形成されたバルクを使用する。
また前記基板４は、ＳｒＴｉＯ３、ＡｆＪ２０３あるい
はＭｇＯ等の公知の組成を有する基板でよい。
はＭｇＯ等の公知の組成を有する基板でよい。
さらに、前記ＥＢ蒸着装置は公知のＥＢ蒸着装置でよく
、また蒸着は公知の蒸着条件に従えばよい。
、また蒸着は公知の蒸着条件に従えばよい。
次に、第１図に示されたＥＢ蒸着装置により基板４に形
成された超伝導体薄膜３は、８５０〜９００℃で１〜２
時間アニール処理か施される。
成された超伝導体薄膜３は、８５０〜９００℃で１〜２
時間アニール処理か施される。
このアニール処理により前記超伝導体薄膜３はへロブス
カイト型結晶構造を有する ＡＲＣｕＯ系の超伝導体薄膜となる。
カイト型結晶構造を有する ＡＲＣｕＯ系の超伝導体薄膜となる。
２ ３−ｘ ｎ−Ｙ
しかし、このペロブスカイト型結晶構造を有する造中の
酸素前記ＡＲＣｕ Ｏ系の超伝導２ ３−ｘ
ｎ−ｙ 体の結晶梢の中には、結晶構造中からきわめて抜は易い
ものがあり、時間の経過とともに前記酸素が抜は出して
酸素欠損が生じ、この酸素欠損によってペロブスカイト
型結晶構造が次第に乱されることになる。 そこで本発
明では、前記酸素欠損型の超伝導体薄膜３へのフッ素イ
オンの打ち込みが行なわれる。第２図はイオン打ち込み
装置の概略構成図であり、イオン源１１から発せられた
イオンはイオン加速系１２で加速され、質量分析系１３
で磁界によってフッ素イオンのみが曲げられて分別され
集束系１４に送られ、偏向系１５によって所定方向に偏
向されて試料系１５内に設置されな試料に打ち込まれる
。
酸素前記ＡＲＣｕ Ｏ系の超伝導２ ３−ｘ
ｎ−ｙ 体の結晶梢の中には、結晶構造中からきわめて抜は易い
ものがあり、時間の経過とともに前記酸素が抜は出して
酸素欠損が生じ、この酸素欠損によってペロブスカイト
型結晶構造が次第に乱されることになる。 そこで本発
明では、前記酸素欠損型の超伝導体薄膜３へのフッ素イ
オンの打ち込みが行なわれる。第２図はイオン打ち込み
装置の概略構成図であり、イオン源１１から発せられた
イオンはイオン加速系１２で加速され、質量分析系１３
で磁界によってフッ素イオンのみが曲げられて分別され
集束系１４に送られ、偏向系１５によって所定方向に偏
向されて試料系１５内に設置されな試料に打ち込まれる
。
前記イオン源１１としては、三フッ化ホウ素（ＢＰ
＞、四フッ化ニホウ素（８２Ｆ４）等のフッ化物が用い
られる。
＞、四フッ化ニホウ素（８２Ｆ４）等のフッ化物が用い
られる。
前記試料系１５には前記酸素欠損型の超伝導体薄膜３を
上にして基板４が設置される。
上にして基板４が設置される。
上述のイオン打ち込み装置により前記酸素欠損型の超伝
導体薄膜３に打ち込まれたフッ素イオンは、ペロプスカ
イト型結晶＃Ｉ遣中の酸素が欠損した箇所および酸素が
抜は易く酸素欠損の生じ易い箇所に入り込む、そして、
前記フッ素イオンが活性な状態であり、かつ酸素イオン
とイオン半径がほぼ等しい゛ことより、ペロブスカイト
型結晶構造中の酸素の位置する箇所に位置して結晶構造
を安定化するとともに結晶構造中の抜は易い酸素の数を
大巾に低減する。
導体薄膜３に打ち込まれたフッ素イオンは、ペロプスカ
イト型結晶＃Ｉ遣中の酸素が欠損した箇所および酸素が
抜は易く酸素欠損の生じ易い箇所に入り込む、そして、
前記フッ素イオンが活性な状態であり、かつ酸素イオン
とイオン半径がほぼ等しい゛ことより、ペロブスカイト
型結晶構造中の酸素の位置する箇所に位置して結晶構造
を安定化するとともに結晶構造中の抜は易い酸素の数を
大巾に低減する。
上記のイオン打ち込み装置は公知のイオン打ち込み装置
でよい。また、イオン打ち込みの条件は、フッ素イオン
に付加されるエネルギーが大きすぎるとペロブスカイト
型結晶構造の破壊を生じることになるので注意を要する
。
でよい。また、イオン打ち込みの条件は、フッ素イオン
に付加されるエネルギーが大きすぎるとペロブスカイト
型結晶構造の破壊を生じることになるので注意を要する
。
上述のフッ素イオンの打ち込みが完了した酸素欠損型の
超伝導薄膜３は、次にアニール処理が施される。このア
ニール処理は８５０〜９５０°Ｃで１〜３時間程度行な
われる。前記アニール処理によって酸素の欠損によって
乱されたペロブスカイト型結晶構造は元の状態に回復さ
れる。
超伝導薄膜３は、次にアニール処理が施される。このア
ニール処理は８５０〜９５０°Ｃで１〜３時間程度行な
われる。前記アニール処理によって酸素の欠損によって
乱されたペロブスカイト型結晶構造は元の状態に回復さ
れる。
本発明の酸素欠損型超伝導体の安定化方法における上記
の一連の工程を経ることにより、酸素欠損型の超伝導体
薄膜は経時による酸素の欠損がほとんど発生せず、結晶
構造はきわめて安定しており、このなめ安定した超伝導
特性を示す。
の一連の工程を経ることにより、酸素欠損型の超伝導体
薄膜は経時による酸素の欠損がほとんど発生せず、結晶
構造はきわめて安定しており、このなめ安定した超伝導
特性を示す。
本発明の酸素欠損型超伝導体の安定化方法は、上述のＥ
Ｂ蒸着法により形成された超伝導体薄膜のみでなく、抵
抗加熱蒸着法、スパッタリング法あるいはモレキュラビ
ームエピタクシ（ＭＢＢ）法等により形成された超伝導
体薄膜にも適用でき、さらにバルク状の酸素欠損型超伝
導体にも適用できる。バルク状の酸素欠損型超伝導体に
本発明の安定化方法を適用した場合、バルクの表面近傍
の結晶構造中にフッ素イオンが打ち込まれることになり
、バルク表面がきわめて安定化することによリバルク内
部における酸素欠損も大巾に低減される。また、フッ化
物を予め混入した原料粉体を用いて製造されたバルク状
の酸素欠損型超伝導体に本発明の安定化方法を適用する
ことにより、さらに安定な超伝導特性を示すバルク状の
酸素欠損型超伝導体を得ることができる。
Ｂ蒸着法により形成された超伝導体薄膜のみでなく、抵
抗加熱蒸着法、スパッタリング法あるいはモレキュラビ
ームエピタクシ（ＭＢＢ）法等により形成された超伝導
体薄膜にも適用でき、さらにバルク状の酸素欠損型超伝
導体にも適用できる。バルク状の酸素欠損型超伝導体に
本発明の安定化方法を適用した場合、バルクの表面近傍
の結晶構造中にフッ素イオンが打ち込まれることになり
、バルク表面がきわめて安定化することによリバルク内
部における酸素欠損も大巾に低減される。また、フッ化
物を予め混入した原料粉体を用いて製造されたバルク状
の酸素欠損型超伝導体に本発明の安定化方法を適用する
ことにより、さらに安定な超伝導特性を示すバルク状の
酸素欠損型超伝導体を得ることができる。
（実験例）
次に本発明の酸素欠損型超伝導体の安定化方法を実験例
をもとにさらに詳細に説明する。
をもとにさらに詳細に説明する。
尺凱頂
式（１）においてＡ＝Ｂａ、Ｒ＝Ｙ ｘ＝Ｏｒ１−１
、ｙ＝ｏとした酸素欠損型超伝導体Ｂ ａ Ｙ Ｃｕ
３０のバルクを公知の方法で製造しま た。このＢａ ＹＣｕ３０を蒸発源として第１図に示さ
れるＥＢ蒸着装置にてアルミナ （Ａ、Ｉｌ□０３）基板上に薄膜を形成した。この薄膜
に８５０°Ｃ１２時間のアニール処理を施したものを試
料−１とした。
、ｙ＝ｏとした酸素欠損型超伝導体Ｂ ａ Ｙ Ｃｕ
３０のバルクを公知の方法で製造しま た。このＢａ ＹＣｕ３０を蒸発源として第１図に示さ
れるＥＢ蒸着装置にてアルミナ （Ａ、Ｉｌ□０３）基板上に薄膜を形成した。この薄膜
に８５０°Ｃ１２時間のアニール処理を施したものを試
料−１とした。
次に試料−１に第２図に示されるイオン打ち込み装置に
よって下記の条件でフッ素イオンの打ち込みを行なった
後、９００℃、１時間のアニール処理を施したものを試
料−２とした。
よって下記の条件でフッ素イオンの打ち込みを行なった
後、９００℃、１時間のアニール処理を施したものを試
料−２とした。
イオン源： 三フッ化ホウ素
イオン打ち込み条件： ７０ ＫｅＶ、 １ ｘ １０
１６ｃｎ−”また、原料粉体中にフッ化物であるＢ ａ
Ｆ ２を予め１０ｗｔ％混入した他は全て試料−１と
同様の方法により作製した超伝導体薄膜を試料−３とし
た。
１６ｃｎ−”また、原料粉体中にフッ化物であるＢ ａ
Ｆ ２を予め１０ｗｔ％混入した他は全て試料−１と
同様の方法により作製した超伝導体薄膜を試料−３とし
た。
上記の試料−１、試料−２および試料−３について転移
温度の経時変化を調べた。結果を表１に示す。
温度の経時変化を調べた。結果を表１に示す。
＊試料−１、試料−３は４１Ｂ！の形成後アニール処理
を施した時からの経過時間を示し、試料−２はイオン打
ち込み後アニール処理を施した時からの経過時間を示す
。
を施した時からの経過時間を示し、試料−２はイオン打
ち込み後アニール処理を施した時からの経過時間を示す
。
表１に示されるように、試料−１および試料−３は時間
の経過とともに酸素欠損に起因する転移温度の低下が入
られ、超伝導特性の劣化が生じていることが判る。これ
に対し、本発明の安定化処理を施した試料−２は転移温
度がほとんど低下せず安定した超伝導特性を発揮し得る
ものであり、本発明の効果は明らかである。
の経過とともに酸素欠損に起因する転移温度の低下が入
られ、超伝導特性の劣化が生じていることが判る。これ
に対し、本発明の安定化処理を施した試料−２は転移温
度がほとんど低下せず安定した超伝導特性を発揮し得る
ものであり、本発明の効果は明らかである。
本発明によれば、一般式ＡＲＣｕＯ
２３−ｎ ｎ−ｙ
で示されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸素欠損
型超伝導体にフッ素イオンを打ち込んで酸素が欠損した
箇所あるいは酸素が抜は易く酸素欠損の生じ易い箇所に
フッ素イオンを位置せしめて結晶構造を安定化するとと
もに、結晶構造中の抜は易い酸素の存在を低減し、その
後前記酸素欠損型超伝導体をアニールすることにより酸
素欠損によって乱されたペロブスカイト型結晶構造を元
の状態に回復するので、酸素欠損型超伝導体は経時によ
る酸素の欠損がほとんどなくなり、高温超伝導体として
の超伝導特性の大巾な安定化が図れる。
型超伝導体にフッ素イオンを打ち込んで酸素が欠損した
箇所あるいは酸素が抜は易く酸素欠損の生じ易い箇所に
フッ素イオンを位置せしめて結晶構造を安定化するとと
もに、結晶構造中の抜は易い酸素の存在を低減し、その
後前記酸素欠損型超伝導体をアニールすることにより酸
素欠損によって乱されたペロブスカイト型結晶構造を元
の状態に回復するので、酸素欠損型超伝導体は経時によ
る酸素の欠損がほとんどなくなり、高温超伝導体として
の超伝導特性の大巾な安定化が図れる。
第１図は本発明の一実施例に用いるエレクトロンビーム
蒸着装置の概略構成図、 第２図は本発明の一実施例に用いるイオン打ち込み装置
の概略構成図である。 １・・・蒸着源、 ２・・・ルツボ、 ３・・・超伝導体薄膜、 ４・・・基板、 ５・・・フィラメント、 ６・・・エレクトロンビーム、 １１・・・イオン源、 １２・・・イオン加速系、 １３・・・質量分析系、 １４・・・集中系、 １５・・・偏向系、 １６・・・試料系。 第 １ 図 第 ２ 図
蒸着装置の概略構成図、 第２図は本発明の一実施例に用いるイオン打ち込み装置
の概略構成図である。 １・・・蒸着源、 ２・・・ルツボ、 ３・・・超伝導体薄膜、 ４・・・基板、 ５・・・フィラメント、 ６・・・エレクトロンビーム、 １１・・・イオン源、 １２・・・イオン加速系、 １３・・・質量分析系、 １４・・・集中系、 １５・・・偏向系、 １６・・・試料系。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 Ａ＿２ＲＣｕ＿３＿−＿ｘＯ＿ｎ＿−＿ｙ （式中ＡはＣａ、Ｓｒ又はＢａのいずれか１種、Ｒは希
土類金属元素のいずれか１種、ｘは０≦ｘ＜３で表わさ
れる数、ｎは自然数、ｙは０≦ｙ＜ｎで表わされる数を
表わす） で表わされる酸素欠損型超伝導体にフッ素イオンを打ち
込む工程と、 該酸素欠損型超伝導体を８５０〜９５０℃で１〜３時間
アニールする工程とを含むことを特徴とする酸素欠損型
超伝導体の安定化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068744A JPH01242478A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 酸素欠損型超伝導体の安定化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068744A JPH01242478A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 酸素欠損型超伝導体の安定化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242478A true JPH01242478A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13382593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068744A Pending JPH01242478A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 酸素欠損型超伝導体の安定化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0259467A (ja) * | 1988-04-01 | 1990-02-28 | Rhone Poulenc Chim | 安定した超電導物質とその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068744A patent/JPH01242478A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0259467A (ja) * | 1988-04-01 | 1990-02-28 | Rhone Poulenc Chim | 安定した超電導物質とその製造方法 |
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