JPH02212306A - 酸化物超伝導薄膜 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜Info
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- JPH02212306A JPH02212306A JP1034146A JP3414689A JPH02212306A JP H02212306 A JPH02212306 A JP H02212306A JP 1034146 A JP1034146 A JP 1034146A JP 3414689 A JP3414689 A JP 3414689A JP H02212306 A JPH02212306 A JP H02212306A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は５ＱＵＩＤ、ジョセフソン声子、超伝導トラン
ジスタ、電磁波センサー 素子配線、電極等に用いる超
伝導薄膜に関する。
ジスタ、電磁波センサー 素子配線、電極等に用いる超
伝導薄膜に関する。
現在話題の酸化物超伝導物質は結晶構造に起因して異方
正が強い、例えば臨界電流密度を見るとＣ軸方向はａ、
ｂ軸方向の１１５〜１／７となっている。故に高臨
界電流密度を要求する薄膜デバイスに酸化物超伝導物質
を応用するにはエピタキシャル成長をさせることが必要
不可欠といえる。
正が強い、例えば臨界電流密度を見るとＣ軸方向はａ、
ｂ軸方向の１１５〜１／７となっている。故に高臨
界電流密度を要求する薄膜デバイスに酸化物超伝導物質
を応用するにはエピタキシャル成長をさせることが必要
不可欠といえる。
エピタキシャル成長をさせるには基板との格子定数をマ
ツチングさせる必要があり一般的には応用物理第５７巻
第２号（１９８８）ｐ２２７−２３１や公開特許公報昭
６３−２７０３９５に述べられているように基板に５ｒ
Ｔｉ０３を初めとしたペロブスカイト型酸化物の単結晶
を用いていた。
ツチングさせる必要があり一般的には応用物理第５７巻
第２号（１９８８）ｐ２２７−２３１や公開特許公報昭
６３−２７０３９５に述べられているように基板に５ｒ
Ｔｉ０３を初めとしたペロブスカイト型酸化物の単結晶
を用いていた。
またＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ Ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２７
Ｎｏ。
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２７
Ｎｏ。
６ １９８８ ｐｐＬ１０６Ｂ−１０７０に述べられ
ている様にシリコンウェハー上にＺｒＯ２層を形成した
後酸化物超伝導層を形成する方法も検討されている。
ている様にシリコンウェハー上にＺｒＯ２層を形成した
後酸化物超伝導層を形成する方法も検討されている。
しかしながら従来の酸化物超伝導薄膜の形成に用いるペ
ロブスカイト型酸化物の単結晶基板はベルヌーイ法で作
製されており、結晶の直径が約２ｃｍφ前後以下のもの
に限られていた。そのため大口径化は不可能であり、用
途が限定される（小型素子しか応用できない）、量産性
が無い、基板のコストが高い（例えば５ｒＴｉ０３の２
ｃｍφ単結晶基板は約２万円／枚である）等の問題を有
していた。
ロブスカイト型酸化物の単結晶基板はベルヌーイ法で作
製されており、結晶の直径が約２ｃｍφ前後以下のもの
に限られていた。そのため大口径化は不可能であり、用
途が限定される（小型素子しか応用できない）、量産性
が無い、基板のコストが高い（例えば５ｒＴｉ０３の２
ｃｍφ単結晶基板は約２万円／枚である）等の問題を有
していた。
また大口径化の可能な単結晶シリコンウェハーを用いＺ
ｒＯ２層を形成した後酸化物超伝導薄膜を付ける場合は
ＺｒＯ２と酸化物超伝導物質の格子定数に大きな差があ
りエピタキシャル成長性が悪いとゆう問題を有していた
。
ｒＯ２層を形成した後酸化物超伝導薄膜を付ける場合は
ＺｒＯ２と酸化物超伝導物質の格子定数に大きな差があ
りエピタキシャル成長性が悪いとゆう問題を有していた
。
本発明はこの様な問題を解決するものであり、その目的
とするところは大口径、高臨界電流密度で用途の限定が
無く量産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ん
とするものである。
とするところは大口径、高臨界電流密度で用途の限定が
無く量産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ん
とするものである。
上記の問題を解決するため本発明の酸化物超伝導薄膜は
１）基板に単結晶シリコンウェハーを用いる酸化物超伝
導薄膜に於て単結晶シリコンウェハー基板と酸化物超伝
導薄膜の中間部に少なくともＺｒＯ２、Ａ １２０３、
ＭｇＯ１ＳｒＯ１ＣａＯ１の白河れかの酸化物層と組成
式をＡｘＢｙＯｚ （ここでＡは希土類元素を、ＢはＴ
ａまたはＮｂを示す）と表したとき０．２８≦ｘ≦０．
４．０．９≦ｙ≦１．１である酸化物層を１層以上形成
して成る事２）酸化物超伝導物質がＬｎ１Ｂａ２Ｃｕ３
Ｏｙ系（ここでＬｎはＹを含み４価元素を除く希土類元
素）で有ることを特徴とする。ｘ、 ｙの値が上記組
成範囲を外れると酸化物層は安定した結晶構造をとらな
くなる。それは酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長
を阻害する原因となる。また値はそれぞれ０．３３．１
に近いほど好ましい。２は薄膜では測定が困難なため確
認できていないがバルクでは最適組成において３となっ
ている。
１）基板に単結晶シリコンウェハーを用いる酸化物超伝
導薄膜に於て単結晶シリコンウェハー基板と酸化物超伝
導薄膜の中間部に少なくともＺｒＯ２、Ａ １２０３、
ＭｇＯ１ＳｒＯ１ＣａＯ１の白河れかの酸化物層と組成
式をＡｘＢｙＯｚ （ここでＡは希土類元素を、ＢはＴ
ａまたはＮｂを示す）と表したとき０．２８≦ｘ≦０．
４．０．９≦ｙ≦１．１である酸化物層を１層以上形成
して成る事２）酸化物超伝導物質がＬｎ１Ｂａ２Ｃｕ３
Ｏｙ系（ここでＬｎはＹを含み４価元素を除く希土類元
素）で有ることを特徴とする。ｘ、 ｙの値が上記組
成範囲を外れると酸化物層は安定した結晶構造をとらな
くなる。それは酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長
を阻害する原因となる。また値はそれぞれ０．３３．１
に近いほど好ましい。２は薄膜では測定が困難なため確
認できていないがバルクでは最適組成において３となっ
ている。
実施例−１
先ず最初に１００配向の単結晶シリコンウェハー基板上
にＺｒ０２（Ｙ安定化）酸化物層を反応蒸着法（電子ビ
ーム）により形成する。成膜条件は蒸発源にＺｒとＹペ
レットを用い、基板温度６２０℃、真空度２〜６＊１０
−’Ｔｏｒｒ、 成膜速度７ｎｍ／ｍｉｎであり基板へ
の酸素供給は成膜中に基板周辺に酸素を吹き付けて行な
う、得られた酸化物層の組成は（Ｙ２Ｏ２） ０．０９
（Ｚ ｒ０２） ０．９１でありＸ線回折とＲＨＥＥ
Ｄ分析によるとＣ軸配向した極めて単結晶に近い膜であ
り格子定数は５・１５〜５． ３２Ａ （ａｓ、 ｂ
＠）であった０次に第１表に示した組成の酸化物層をＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法により形成する。
にＺｒ０２（Ｙ安定化）酸化物層を反応蒸着法（電子ビ
ーム）により形成する。成膜条件は蒸発源にＺｒとＹペ
レットを用い、基板温度６２０℃、真空度２〜６＊１０
−’Ｔｏｒｒ、 成膜速度７ｎｍ／ｍｉｎであり基板へ
の酸素供給は成膜中に基板周辺に酸素を吹き付けて行な
う、得られた酸化物層の組成は（Ｙ２Ｏ２） ０．０９
（Ｚ ｒ０２） ０．９１でありＸ線回折とＲＨＥＥ
Ｄ分析によるとＣ軸配向した極めて単結晶に近い膜であ
り格子定数は５・１５〜５． ３２Ａ （ａｓ、 ｂ
＠）であった０次に第１表に示した組成の酸化物層をＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法により形成する。
使用ターゲットは第１表の組成に近い組成（最終的に第
１表になるよう補正したもの）の酸化物焼結ターゲット
である。成膜条件は基板温度４５０℃〜８００℃、真空
度３〜６＊１Ｏ−２Ｔｏｒｒ、使用ガス０２：Ａｒ比３
：１、Ｐｏｗｅｒ ｄｅｎｓｉｔｙ ３．９ （Ｗ
／ｃｍ”）、成膜速度は７〜１５ｎｍ／ｍｉｎである。
１表になるよう補正したもの）の酸化物焼結ターゲット
である。成膜条件は基板温度４５０℃〜８００℃、真空
度３〜６＊１Ｏ−２Ｔｏｒｒ、使用ガス０２：Ａｒ比３
：１、Ｐｏｗｅｒ ｄｅｎｓｉｔｙ ３．９ （Ｗ
／ｃｍ”）、成膜速度は７〜１５ｎｍ／ｍｉｎである。
また膜厚は５００〜５５０ｎｍである０次に酸化物層の
結晶構造を安定化させるため７５０°Ｃ酸素雰囲気中で
１時間アニール処理を行う、得られた酸化物膜はＸ線回
折とＲＨＥＥＤにより分析したところエピタキシャル成
長した膜であった。また格子定数は３．８９〜３．９４
Ａ（ａ＠）でありＬｎ−Ｂａ−Ｃｕ−０（Ｌｎは４価元
素を除く希土類元素）系酸化物超伝導物質に近いもので
あった。
結晶構造を安定化させるため７５０°Ｃ酸素雰囲気中で
１時間アニール処理を行う、得られた酸化物膜はＸ線回
折とＲＨＥＥＤにより分析したところエピタキシャル成
長した膜であった。また格子定数は３．８９〜３．９４
Ａ（ａ＠）でありＬｎ−Ｂａ−Ｃｕ−０（Ｌｎは４価元
素を除く希土類元素）系酸化物超伝導物質に近いもので
あった。
次に反応蒸着法により前記酸化物膜上にＮｄ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０超伝導薄膜（１： ２： ３組成）を１５０
ｎｍ形成した。成膜条件は蒸発源にＮｄ、Ｂａ、Ｃｕの
金属を用い、真空度３〜６＊１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、基板温
度６５０℃、成膜速度２０〜３５ｎｍ／ｍｉｎであり、
酸素の供給はマイクロ波で活性化した酸素プラズマを基
板部に成膜中に照射して行った。
ｕ−０超伝導薄膜（１： ２： ３組成）を１５０
ｎｍ形成した。成膜条件は蒸発源にＮｄ、Ｂａ、Ｃｕの
金属を用い、真空度３〜６＊１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、基板温
度６５０℃、成膜速度２０〜３５ｎｍ／ｍｉｎであり、
酸素の供給はマイクロ波で活性化した酸素プラズマを基
板部に成膜中に照射して行った。
次にａｓ−ｄｅｐｏ、 状態で良好な膜が得られる場
合もあるが必要に応じ５００°Ｃ酸素雰囲気中において
アニール処理を行い不足している酸素を補給すると共に
結晶構造を安定化させ酸化物超伝導薄膜を得る。
合もあるが必要に応じ５００°Ｃ酸素雰囲気中において
アニール処理を行い不足している酸素を補給すると共に
結晶構造を安定化させ酸化物超伝導薄膜を得る。
第１表
得られた酸化物超伝導薄膜をＸ線回折、ＲＨＥＥＤによ
り分析したところエピタキシャル成長した膜であった。
り分析したところエピタキシャル成長した膜であった。
実施例−２
実施例−１と同様な条件で単結晶シリコンウェハー基板
上に酸化物層をＭｇＯ酸化物層、Ｎｄ−Ｎｂ−０酸化物
層の順に形成する。膜厚はそれぞれ２００ｎｍ、４００
ｎｍである。次にＮｄ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００
ｎ形成し酸化物超伝導薄膜を得る。
上に酸化物層をＭｇＯ酸化物層、Ｎｄ−Ｎｂ−０酸化物
層の順に形成する。膜厚はそれぞれ２００ｎｍ、４００
ｎｍである。次にＮｄ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００
ｎ形成し酸化物超伝導薄膜を得る。
実施′例−３
実施例−１と同様な条件で単結晶シリコンウェハー基板
上に酸化物層をＡ ｌ ２０３酸化物層、Ｎｄ−Ｎｂ−
０酸化物層の順にそれぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ形成
する０次にＮｄ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成
し酸化物超伝導薄膜を得る。
上に酸化物層をＡ ｌ ２０３酸化物層、Ｎｄ−Ｎｂ−
０酸化物層の順にそれぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ形成
する０次にＮｄ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成
し酸化物超伝導薄膜を得る。
実施例−４
実施例−１と同様な条件で単結晶シリコンウェハー基板
上に酸化物層をＳｒＯ酸化物層、Ｎｄ−Ｎｂ−０酸化物
層の順にそれぞれ３５０ｎｍ、４００ｎｍ形成する。次
にＹｂ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸化物
超伝導薄膜を得る。
上に酸化物層をＳｒＯ酸化物層、Ｎｄ−Ｎｂ−０酸化物
層の順にそれぞれ３５０ｎｍ、４００ｎｍ形成する。次
にＹｂ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸化物
超伝導薄膜を得る。
実施例−５
実施例−１と同様な条件で単結晶シリコンウェハー基板
上に酸化物層をＢａＯ酸化物層、ＣａＯ酸化物層、Ｄｙ
−Ｔａ−０酸化物層の順にそれぞれ１５０ｎｍ、２００
ｎｍ、４００ｎｍ形成する。
上に酸化物層をＢａＯ酸化物層、ＣａＯ酸化物層、Ｄｙ
−Ｔａ−０酸化物層の順にそれぞれ１５０ｎｍ、２００
ｎｍ、４００ｎｍ形成する。
この時の酸化物の格子定数はＢａ＞Ｃａ＞Ｄｙである０
次にＤｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸化
物超伝導薄膜を得る。
次にＤｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸化
物超伝導薄膜を得る。
上記得られた酸化物超伝導薄膜の臨界温度と臨界電流密
度を４端子法により測定した。測定温度は７７Ｋ（ダイ
キン工業製極低温冷凍機ＵＶ２０４ＳＲ使用）で測定雰
囲気はヘリウムガス中である。
度を４端子法により測定した。測定温度は７７Ｋ（ダイ
キン工業製極低温冷凍機ＵＶ２０４ＳＲ使用）で測定雰
囲気はヘリウムガス中である。
結果を比較例と共に第２表（実施例−１）、第３表（比
較例）、第４表（実施例−２、実施例−３、実施例−４
、実施例−５）に示した。比較例は単結晶シリコンウェ
ハー基板上に直接Ｎｄ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００
ｎ形成した場合（Ｋ）Ｚｒ０３酸化物層ノミノ場合（Ｌ
）、 Ｎｄ−Ｎｂ−ｏ酸化物層のみの場合（Ｍ）と基板
に５ｒＴｉ０３単結晶を用いた場合（Ｎ：応用物理第５
７巻第２号１９８８ ｐ２２７−２３１ ＮＴＴデータ
による）である。
較例）、第４表（実施例−２、実施例−３、実施例−４
、実施例−５）に示した。比較例は単結晶シリコンウェ
ハー基板上に直接Ｎｄ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００
ｎ形成した場合（Ｋ）Ｚｒ０３酸化物層ノミノ場合（Ｌ
）、 Ｎｄ−Ｎｂ−ｏ酸化物層のみの場合（Ｍ）と基板
に５ｒＴｉ０３単結晶を用いた場合（Ｎ：応用物理第５
７巻第２号１９８８ ｐ２２７−２３１ ＮＴＴデータ
による）である。
表より判るように本発明の酸化物超伝導薄膜は基板に単
結晶シリコンウェハーを用いても高い臨−界電流密度を
得ることが出来る。比較例Ｇ、 Ｈ１■の特性の悪い
のは、 （Ｇ）： シリコンウェハーと酸化物超伝導物
質が反応して酸化物超伝導の結晶構造を壊しているため
、 （Ｈ）： ＺｒＯ２酸化物層は単結晶に近いもの
であるがＺｒＯ２酸化物層と酸化物超伝導物質には格子
定数に大きな差がありマツチングが悪く酸化物超伝導膜
のエピタキシャル成長が阻害されているため、 （１）
： シリコンウェハーと酸化物層のマツチングが悪く酸
化物層の構造が安定していないためその上に形成される
酸化物超伝導膜も安定したエピタキシャル成長膜になら
ないためである。
結晶シリコンウェハーを用いても高い臨−界電流密度を
得ることが出来る。比較例Ｇ、 Ｈ１■の特性の悪い
のは、 （Ｇ）： シリコンウェハーと酸化物超伝導物
質が反応して酸化物超伝導の結晶構造を壊しているため
、 （Ｈ）： ＺｒＯ２酸化物層は単結晶に近いもの
であるがＺｒＯ２酸化物層と酸化物超伝導物質には格子
定数に大きな差がありマツチングが悪く酸化物超伝導膜
のエピタキシャル成長が阻害されているため、 （１）
： シリコンウェハーと酸化物層のマツチングが悪く酸
化物層の構造が安定していないためその上に形成される
酸化物超伝導膜も安定したエピタキシャル成長膜になら
ないためである。
第２表
第４表
第３表
これらの点を纏めると本発明は基板と酸化物超伝導層の
間に酸化物超伝導物質よりエピタキシャル成長させ易い
酸化物層を格子定数が少しずつ変化するよう多段に配し
たことにより反応がなく且エピタキシャル性の良い酸化
物超伝導膜が出来るようになったといえる。
間に酸化物超伝導物質よりエピタキシャル成長させ易い
酸化物層を格子定数が少しずつ変化するよう多段に配し
たことにより反応がなく且エピタキシャル性の良い酸化
物超伝導膜が出来るようになったといえる。
また実施例の中でＡ、 Ｃ，Ｆ、 Ｈが他に比べ臨
界電流密度が低いのは酸化物超伝導側の酸化物層が最適
組成から僅かずれていることにより最適結晶構造を採ら
ない、それが酸化物超伝導膜のエピタキシャル成長を僅
か崩しているためである。
界電流密度が低いのは酸化物超伝導側の酸化物層が最適
組成から僅かずれていることにより最適結晶構造を採ら
ない、それが酸化物超伝導膜のエピタキシャル成長を僅
か崩しているためである。
故に酸化物の組成はＡｘＡｌｙＯｚ（ここでＡは希土類
元素を示す）と表したとき０．９≦ｘ≦１０１．０．８
５≦ｙ≦１．１５の範囲内である必要があり、外れると
臨界電流密度は急激に低下する。
元素を示す）と表したとき０．９≦ｘ≦１０１．０．８
５≦ｙ≦１．１５の範囲内である必要があり、外れると
臨界電流密度は急激に低下する。
これら実施例の値は第４表の比較例に示す５ｒＴｉ０３
単結晶基板を用いた値（比較例Ｊ： ＮＴＴデータ）
に近いものであり十分デバイス等に応用できる値である
。
単結晶基板を用いた値（比較例Ｊ： ＮＴＴデータ）
に近いものであり十分デバイス等に応用できる値である
。
第５表
第５表に単結晶シリコンウェハー基板と従来よく用いら
れていた５ｒＴｉ０３単結晶基板の１枚の値段を示した
。単結晶シリコンウェハー基板は４インチ（約１０ｃｍ
φ）と５ｒＴｉ０３単結晶基板の約８５倍と大口径であ
るにも関わらず値段は約１／１０であり大幅な低コスト
化が可能となる。
れていた５ｒＴｉ０３単結晶基板の１枚の値段を示した
。単結晶シリコンウェハー基板は４インチ（約１０ｃｍ
φ）と５ｒＴｉ０３単結晶基板の約８５倍と大口径であ
るにも関わらず値段は約１／１０であり大幅な低コスト
化が可能となる。
以上述べたように本発明によれば大口径化の可能な単結
晶シリコンウェハーを基板に用いても酸化物超伝導薄膜
のエピタキシャル成長が可能となり、なお且基板との反
応を抑制できるため高い臨界電流密度をえられる。さら
に大口径で有るにも関わらず基板の値段が格段に安い、
即ち形状や臨界電流密度による”用途の限定が無く、量
産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ることが
出来る。
晶シリコンウェハーを基板に用いても酸化物超伝導薄膜
のエピタキシャル成長が可能となり、なお且基板との反
応を抑制できるため高い臨界電流密度をえられる。さら
に大口径で有るにも関わらず基板の値段が格段に安い、
即ち形状や臨界電流密度による”用途の限定が無く、量
産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ることが
出来る。
本発明により得られた酸化物超伝導薄膜はそのままで用
いたり微細加工、保護膜形成、他物質の積層等を施した
後５ＱＵＩＤ、ジョセフソン素子、超伝導トランジスタ
、電磁波センサー 磁気センサー 素子配線、電箪制御
素子、磁束量子メモリ、光スイツチ素子、磁気シールド
等に応用することが出来る。
いたり微細加工、保護膜形成、他物質の積層等を施した
後５ＱＵＩＤ、ジョセフソン素子、超伝導トランジスタ
、電磁波センサー 磁気センサー 素子配線、電箪制御
素子、磁束量子メモリ、光スイツチ素子、磁気シールド
等に応用することが出来る。
Claims (2)
- （１）基板に単結晶シリコンウェハーを用いる酸化物超
伝導薄膜に於て単結晶シリコンウェハー基板と酸化物超
伝導薄膜の中間部に少なくともＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、
ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＣａＯの内何れかの酸化物層と組成式
をＡｘＢｙＯｚ（ここでＡは希土類元素を、ＢはＴａま
たはＮｂを示す）と表したとき０．２８≦ｘ≦０．４、
０．９≦ｙ≦１０１である酸化物層を１層以上形成して
成る事を特徴とする酸化物超伝導薄膜。 - （２）酸化物超伝導物質がＬｎ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｙ系（
ここでＬｎはＹを含み４価元素を除く希土類元素）で有
ることを特徴とする請求項１記載の酸化物超伝導薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034146A JPH02212306A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034146A JPH02212306A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212306A true JPH02212306A (ja) | 1990-08-23 |
Family
ID=12406063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034146A Pending JPH02212306A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02212306A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5231077A (en) * | 1990-08-09 | 1993-07-27 | Nobuo Sasaki | Active device having an oxide superconductor and a fabrication process thereof |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1034146A patent/JPH02212306A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5231077A (en) * | 1990-08-09 | 1993-07-27 | Nobuo Sasaki | Active device having an oxide superconductor and a fabrication process thereof |
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