JPH01242931A - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
- Publication number
- JPH01242931A JPH01242931A JP63071451A JP7145188A JPH01242931A JP H01242931 A JPH01242931 A JP H01242931A JP 63071451 A JP63071451 A JP 63071451A JP 7145188 A JP7145188 A JP 7145188A JP H01242931 A JPH01242931 A JP H01242931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflecting film
- compound semiconductor
- semiconductor
- compd
- optical fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は元ファイバの一端面に装着し次化合物半導体
金透過する光の吸収端波長とその温度との相関関係を利
用した反射型の温度センサに関するものである。
金透過する光の吸収端波長とその温度との相関関係を利
用した反射型の温度センサに関するものである。
第８図は例えば特開昭６１−１５９１２４号公報に示さ
れた従来の温度センサの要Ｉｇ？示す断面図であり図に
おいて１１１に光の伝送媒体の尤ファイバ、１２）は透
過する尤の吸収端波長が温度に依存して変化する化合物
半導体、＋３１は例えば鯉、クロムなどからなる反射板
、（４ａ）は上記元ファイバ＋１１の一端面と上記化合
物半導体＋２１の一方の向と？接着する接着層、 （４
ｂ）に上記化合物半導体１２）の他方の面と上記反射板
１３１の反射面とを接着する接着剤の接着層、・６１汀
上記元ファイバｉｌ＋の先端部分とこの端面に接着した
上記化合物半導体・２１とこの他方の面に接着した上記
反射板１３！とに冠着した熱伝導性の保護管である。
れた従来の温度センサの要Ｉｇ？示す断面図であり図に
おいて１１１に光の伝送媒体の尤ファイバ、１２）は透
過する尤の吸収端波長が温度に依存して変化する化合物
半導体、＋３１は例えば鯉、クロムなどからなる反射板
、（４ａ）は上記元ファイバ＋１１の一端面と上記化合
物半導体＋２１の一方の向と？接着する接着層、 （４
ｂ）に上記化合物半導体１２）の他方の面と上記反射板
１３１の反射面とを接着する接着剤の接着層、・６１汀
上記元ファイバｉｌ＋の先端部分とこの端面に接着した
上記化合物半導体・２１とこの他方の面に接着した上記
反射板１３！とに冠着した熱伝導性の保護管である。
従来の温度センサは上記のように１成された送信部（図
示せず）から光ファイバ１１１を経て伝搬された所定の
波長分布のＶ、は接着層（４ａ）、化合物半導体重２１
．接着層（４ｂ）を順次透過し反射鈑１３１で反射して
再び接着層ｒ４ｂ）、化合物半導体（２１゜接着層ｒ４
ａ）を透過し光ファイバ・ｌｌ’ｉ経て元受信部（図示
せず）へ入射する。化合物半導体（２）は例えば０族と
マ族の元素からなるＣｄＴ ｅあるいはＬＩＩ族とマ族
の元素からなるＧａＡ３の結晶でありその温度に依存し
て透過する光の吸収端波長が変化するので所定の波長分
布の光が化合物半導体（２）全透過すると保護管１６）
の外部から伝導する熱による化合物半導体（２；の温度
に対応して所定の波長以下の光を吸収しその波長以上の
尤を透過する変調全学ける。光受信部では化合物半導体
２１を往復透過してその温度に対応して変調を受けた光
の強度に基づいて化合物半導体・２１に伝導する保護管
５）外部の熱の温度を計測するようになっている。
示せず）から光ファイバ１１１を経て伝搬された所定の
波長分布のＶ、は接着層（４ａ）、化合物半導体重２１
．接着層（４ｂ）を順次透過し反射鈑１３１で反射して
再び接着層ｒ４ｂ）、化合物半導体（２１゜接着層ｒ４
ａ）を透過し光ファイバ・ｌｌ’ｉ経て元受信部（図示
せず）へ入射する。化合物半導体（２）は例えば０族と
マ族の元素からなるＣｄＴ ｅあるいはＬＩＩ族とマ族
の元素からなるＧａＡ３の結晶でありその温度に依存し
て透過する光の吸収端波長が変化するので所定の波長分
布の光が化合物半導体（２）全透過すると保護管１６）
の外部から伝導する熱による化合物半導体（２；の温度
に対応して所定の波長以下の光を吸収しその波長以上の
尤を透過する変調全学ける。光受信部では化合物半導体
２１を往復透過してその温度に対応して変調を受けた光
の強度に基づいて化合物半導体・２１に伝導する保護管
５）外部の熱の温度を計測するようになっている。
上記のような従来の温度センサでｒ／′ｉ尤の往復透過
する接着層ｒ４ａ）（４ｂ）の厚さがばらついたり温度
によりその容積や屈折率の変化するほか反射板１３）の
加工精度もばらついて光受信部に入射する光の強度に影
響を及ぼし精度の高い温度の計測ができな−と云う解決
すべき課題があった。
する接着層ｒ４ａ）（４ｂ）の厚さがばらついたり温度
によりその容積や屈折率の変化するほか反射板１３）の
加工精度もばらついて光受信部に入射する光の強度に影
響を及ぼし精度の高い温度の計測ができな−と云う解決
すべき課題があった。
この発明に上記のような課題を解決するためＶＣなされ
たもので光路中に接着＃を含まずまた反射板の加工精度
の影響を受けることもない精度の高い温度の計測ができ
る温度センサ全侍ることを目的とする。
たもので光路中に接着＃を含まずまた反射板の加工精度
の影響を受けることもない精度の高い温度の計測ができ
る温度センサ全侍ることを目的とする。
〔課題を１ｖ１！決するための手段〕
この発明に係る温度七ンサ灯乎行商の一方に反射防止膜
他方に反射幌？被着し温式に依存して透過する光の吸収
端波長の変化する化合物半導体とこの化合物半導体の反
射防止膜と所定の間隙を１７いて対向する端面に反射防
止膜を被ゼした光ファイバのこの端面を含む先端部分と
を一端に封止部？有する熱伝導性の保護管の内部に嵌入
しかつ化合物半導体の反射嘆と保護管の封止部内面とを
僅かに離間したものである。
他方に反射幌？被着し温式に依存して透過する光の吸収
端波長の変化する化合物半導体とこの化合物半導体の反
射防止膜と所定の間隙を１７いて対向する端面に反射防
止膜を被ゼした光ファイバのこの端面を含む先端部分と
を一端に封止部？有する熱伝導性の保護管の内部に嵌入
しかつ化合物半導体の反射嘆と保護管の封止部内面とを
僅かに離間したものである。
この発明におＡては化合物半導体の反射防止膜が元ファ
イバの反射防止膜と所定の間隙を膚いて対向するから光
ファイバより入射する光は元ファイバの反射防＋ｈ膜、
間隙、化合物半導体の反射防止膜、化合物半導体を透過
し化合物中１体の反射候で反射し再び化合物半導体、化
合物半導体の反射防止膜、間隙、元ファイバの反射防止
膜を透過して光ファイバへ入射する。
イバの反射防止膜と所定の間隙を膚いて対向するから光
ファイバより入射する光は元ファイバの反射防＋ｈ膜、
間隙、化合物半導体の反射防止膜、化合物半導体を透過
し化合物中１体の反射候で反射し再び化合物半導体、化
合物半導体の反射防止膜、間隙、元ファイバの反射防止
膜を透過して光ファイバへ入射する。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であｔ’）
＋ＩＩ ｎ ＋６１は上記従来の温度センサと全く（ロ
）−のものである。ｕｌＪｎ上記光ファイバ；１）の端
面に仮着した反射防止膜、１１２！汀上記化合物半導体
（２１の平行面の一方ＶＣ？ｆｉ着した反射防止膜、＋
１国ハ上記化合物半導体、２１の平行面の他方に被着し
た反射幌、０４に上記化合物半導体（２１ヲ保持するリ
ング・スペーサ、０１’ｉｌＨこのリング・スペーに上
記化合物半導体１２１を接着した接着部、ＵＳは上記反
射防止膜ｄυと上記反射防止膜１Ｉ２１とのｌｄｊに置
いた所定の間隙である。
＋ＩＩ ｎ ＋６１は上記従来の温度センサと全く（ロ
）−のものである。ｕｌＪｎ上記光ファイバ；１）の端
面に仮着した反射防止膜、１１２！汀上記化合物半導体
（２１の平行面の一方ＶＣ？ｆｉ着した反射防止膜、＋
１国ハ上記化合物半導体、２１の平行面の他方に被着し
た反射幌、０４に上記化合物半導体（２１ヲ保持するリ
ング・スペーサ、０１’ｉｌＨこのリング・スペーに上
記化合物半導体１２１を接着した接着部、ＵＳは上記反
射防止膜ｄυと上記反射防止膜１Ｉ２１とのｌｄｊに置
いた所定の間隙である。
上記のように構成された温度センサにおいてにｔ送信部
（図示せず）から光ファイバｉｌ＋を経て伝搬された所
定の波長分布のｉに反射防止膜（Ｉｌｌ 、 ｔｍ隙ｕ
ｅ 、反射防止膜Ｕ２１．化合物半４ 体＋２１ ｉ順
次透過し反射ｆｆｔ＋３１で反射して再び化合物半導体
（２１９反射防１．！：膜１１２１ ＋間隙１１Ｂ１反
射防止膜ＵＵを透過し元ファイバ１１１を時で光受信部
（図示せず）へ入射する。所定の波長分布の尤が化合物
半導体（２１を透過すると保護管・５）の外部かつ伝導
する熱による化合物半導体（２）の温度に対応して所定
の波長以下の′Ｊｔ、を吸収しその波長以上の光を透過
する変調を受ける。光受信部では化合物半導体（２）を
往復透過してその温度に対応して変調？受けた尤の強度
に基づいて化合物半導体（２）に伝導する保護管＋５１
外部の熱の温度を計測することになるが光ファイバ…の
反射防止ｇｔｌｌＪと化合物半導体（２１の反射防止膜
１１２１とは所定の間隙・ｊ■を置き化合物半導体（２
１の反射膜ｕ３１と保護管・１ｉ１の封止部内面とけ僅
かに離間しているから相互の接触による損傷がないうえ
間隙ｔｔｅの大きさやその屈折率の温度による変化は殆
んどなくまた反射模り３１に化合物半導体１２１ｖＣ被
着しているので精度の高い温度の計測を行なうことがで
きる。
（図示せず）から光ファイバｉｌ＋を経て伝搬された所
定の波長分布のｉに反射防止膜（Ｉｌｌ 、 ｔｍ隙ｕ
ｅ 、反射防止膜Ｕ２１．化合物半４ 体＋２１ ｉ順
次透過し反射ｆｆｔ＋３１で反射して再び化合物半導体
（２１９反射防１．！：膜１１２１ ＋間隙１１Ｂ１反
射防止膜ＵＵを透過し元ファイバ１１１を時で光受信部
（図示せず）へ入射する。所定の波長分布の尤が化合物
半導体（２１を透過すると保護管・５）の外部かつ伝導
する熱による化合物半導体（２）の温度に対応して所定
の波長以下の′Ｊｔ、を吸収しその波長以上の光を透過
する変調を受ける。光受信部では化合物半導体（２）を
往復透過してその温度に対応して変調？受けた尤の強度
に基づいて化合物半導体（２）に伝導する保護管＋５１
外部の熱の温度を計測することになるが光ファイバ…の
反射防止ｇｔｌｌＪと化合物半導体（２１の反射防止膜
１１２１とは所定の間隙・ｊ■を置き化合物半導体（２
１の反射膜ｕ３１と保護管・１ｉ１の封止部内面とけ僅
かに離間しているから相互の接触による損傷がないうえ
間隙ｔｔｅの大きさやその屈折率の温度による変化は殆
んどなくまた反射模り３１に化合物半導体１２１ｖＣ被
着しているので精度の高い温度の計測を行なうことがで
きる。
第２図はこの発明の他の実施例を示す断面図であつイこ
の実施例によれば貫通した保護管四の上端部に封止蓋２
騎１装し關剤弼で固層して封止部を形成するので反射防
止膜ｄυを端面に被着した光ファイバＩＩＩを保護管卵
の下端部から嵌入し反射防止膜化と反射膜ｕ３１とをそ
れぞれ平行面に被着しリング・スペーサ１Ｉ４１で保持
した化合物半導体２１ヲ保護管１２υの上端部から嵌入
して封止蓋２ｆ５？接着剤０で保護管鑓の上端部に固ｄ
することができ組み立て作業が容易になる。
の実施例によれば貫通した保護管四の上端部に封止蓋２
騎１装し關剤弼で固層して封止部を形成するので反射防
止膜ｄυを端面に被着した光ファイバＩＩＩを保護管卵
の下端部から嵌入し反射防止膜化と反射膜ｕ３１とをそ
れぞれ平行面に被着しリング・スペーサ１Ｉ４１で保持
した化合物半導体２１ヲ保護管１２υの上端部から嵌入
して封止蓋２ｆ５？接着剤０で保護管鑓の上端部に固ｄ
することができ組み立て作業が容易になる。
この発明は以上説明したとおり平行面の一方に反射防止
膜ｉ取方に反射膜を被着し温度に依存して透過する尤の
吸収端波長の変化する化合物半導体とこの化合物半導体
の反射防止膜と所定の間隙？１前いて対向する端面に反
射防止膜を被着した光ファイバのこの端面を含む先端部
分とを一端に封止部？有する熱伝導性の保護管の内部Ｖ
Ｃ嵌入しかつ化合物半導体の反射膜と保護管の封止部内
面とを僅かに離間するので尤の強度に杉ｉ！ｌを及ぼ帽
因になるものがなく精度の高い計測ができると云うυノ
果がある。
膜ｉ取方に反射膜を被着し温度に依存して透過する尤の
吸収端波長の変化する化合物半導体とこの化合物半導体
の反射防止膜と所定の間隙？１前いて対向する端面に反
射防止膜を被着した光ファイバのこの端面を含む先端部
分とを一端に封止部？有する熱伝導性の保護管の内部Ｖ
Ｃ嵌入しかつ化合物半導体の反射膜と保護管の封止部内
面とを僅かに離間するので尤の強度に杉ｉ！ｌを及ぼ帽
因になるものがなく精度の高い計測ができると云うυノ
果がある。
吊１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明の他の実施例？示す断面図。 第３図は従来の温度センサの要部を示す断面図である。 図において＋ＩＩ Ｉｒｆ光ファイバ、（２１は化合物
半導体、・５）は保護管、すυげ反射防止膜、＋Ｊ２１
１’ｆ反射防市膜、１３１げ反射膜、（１４１にリング
°スペーサ、１５１に接着部、ｆ１６１に間隙、１２５
は保護管、みは封止蓋。 ２７１に接着剤である。 なお各図中１ｃｉｊ−符号は同１−またけ相当部分を示
す。
の発明の他の実施例？示す断面図。 第３図は従来の温度センサの要部を示す断面図である。 図において＋ＩＩ Ｉｒｆ光ファイバ、（２１は化合物
半導体、・５）は保護管、すυげ反射防止膜、＋Ｊ２１
１’ｆ反射防市膜、１３１げ反射膜、（１４１にリング
°スペーサ、１５１に接着部、ｆ１６１に間隙、１２５
は保護管、みは封止蓋。 ２７１に接着剤である。 なお各図中１ｃｉｊ−符号は同１−またけ相当部分を示
す。
Claims (1)
- 平行面の一方に反射防止膜他方に反射膜を被着し温度に
依存して透過する光の吸収端波長の変化する化合物半導
体とこの化合物半導体の上記反射防止膜と所定の間隙を
置いて対向する端面に反射防止膜を被着した光ファイバ
の上記端面を含む先端部分とを一端に封止部を有する熱
伝導性の保護管の内部に嵌入しかつ上記化合物半導体の
上記反射膜と上記保護管の上記封止部内面とを僅かに離
間したことを特徴とする温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63071451A JPH01242931A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63071451A JPH01242931A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242931A true JPH01242931A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13460937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63071451A Pending JPH01242931A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10139289B2 (en) | 2014-03-04 | 2018-11-27 | Tokyo Electron Limited | Temperature measurement device, light emitting module and temperature measurement method |
| US10139290B2 (en) | 2014-03-04 | 2018-11-27 | Tokyo Electron Limited | Optical temperature sensor and method for manufacturing optical temperature sensor |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63071451A patent/JPH01242931A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10139289B2 (en) | 2014-03-04 | 2018-11-27 | Tokyo Electron Limited | Temperature measurement device, light emitting module and temperature measurement method |
| US10139290B2 (en) | 2014-03-04 | 2018-11-27 | Tokyo Electron Limited | Optical temperature sensor and method for manufacturing optical temperature sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4933545A (en) | Optical pressure-sensing system using optical resonator cavity | |
| US4850666A (en) | Slab-type optical device | |
| US4627728A (en) | Compensated Fabry Perot sensor | |
| US4288159A (en) | Optical temperature transducer | |
| US4083254A (en) | Accelerometer | |
| CN108731841B (zh) | 调频连续波激光干涉光纤温度传感器 | |
| US4641524A (en) | Optical humidity sensor | |
| JPS59105517A (ja) | 物理的量を測定するためのフアイバ−オプテイクセンサ− | |
| US20160273904A1 (en) | Sillicon based pressure and acceleration optical interferometric sensors with housing assembly | |
| JPH01242931A (ja) | 温度センサ | |
| JPH05232318A (ja) | 反射形ホログラムスケール | |
| JPH01221628A (ja) | 温度センサ | |
| JPS6135492B2 (ja) | ||
| KR920701787A (ko) | 반사작용에 의해 작동되는 물리량의 원격감지시스템 | |
| JPH03257353A (ja) | 空気の屈折率測定装置 | |
| JPH0319937B2 (ja) | ||
| JPS58135928A (ja) | 光学式温度測定器 | |
| JPH0231811B2 (ja) | ||
| CN210690406U (zh) | 光纤湿敏探头和光纤湿敏检测系统 | |
| JP2506761B2 (ja) | 気体検知装置 | |
| JPH0419527A (ja) | 薄膜の反射板の光吸収による熱形光検出器 | |
| JPS5819528A (ja) | 光圧力センサ | |
| JPS62289726A (ja) | 光学的変位検出器 | |
| JPS59162427A (ja) | 光学温度センサ | |
| JPH0568660B2 (ja) |