JPH01243220A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01243220A JPH01243220A JP63068598A JP6859888A JPH01243220A JP H01243220 A JPH01243220 A JP H01243220A JP 63068598 A JP63068598 A JP 63068598A JP 6859888 A JP6859888 A JP 6859888A JP H01243220 A JPH01243220 A JP H01243220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polymer film
- layer
- columnar crystals
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する
。
。
従来の技術
垂直磁気記録に於ては、長手記録にみられるような、記
録減磁作用がないため、記録密度の上限を高めるのに有
利なことから各方面で活発な研究開発が進められていて
、極めて高い密度での記録再生が確認されるに至ってい
る〔例えば日本応用磁気学会誌Ｖｏ１． １１ 、 Ａ
６２． １０９−１１４（１９８７）参照〕。かかる用
途には、Ｃｏ−０ｒスパツタ膜に代表されるような垂直
方向に磁化膜２ヘ一／ 能な、いわゆる垂直磁化膜が必要で、現状では高分子フ
ィルムを移動させながら回転支持体に沿わせた状態でＧ
ｏＪ３ｒをターゲットにして高周波ヌパソタリング法に
て垂直磁化膜を形成するか、高温に保持した回転キャン
に沿わせた状態でポリイミド等の耐熱フィルムを用いＧ
ｏ−Ｏｒを電子ビーム蒸着するかによって得られるもの
が中心に開発検討されている。
録減磁作用がないため、記録密度の上限を高めるのに有
利なことから各方面で活発な研究開発が進められていて
、極めて高い密度での記録再生が確認されるに至ってい
る〔例えば日本応用磁気学会誌Ｖｏ１． １１ 、 Ａ
６２． １０９−１１４（１９８７）参照〕。かかる用
途には、Ｃｏ−０ｒスパツタ膜に代表されるような垂直
方向に磁化膜２ヘ一／ 能な、いわゆる垂直磁化膜が必要で、現状では高分子フ
ィルムを移動させながら回転支持体に沿わせた状態でＧ
ｏＪ３ｒをターゲットにして高周波ヌパソタリング法に
て垂直磁化膜を形成するか、高温に保持した回転キャン
に沿わせた状態でポリイミド等の耐熱フィルムを用いＧ
ｏ−Ｏｒを電子ビーム蒸着するかによって得られるもの
が中心に開発検討されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、現状で得られる磁気記録媒体は、広帯域
でのＣ／Ｎが必ずしも十分ではなく、特に、耐久性の確
保に保護膜を配することで高密度域でのＣ／Ｎ低下は大
きく、記録密度の上限を高められるとみられている原理
的な有価値性は現実には十分得られていないといった課
題があり、改善が望まれていた。本発明は上記した事情
に鑑みなされたもので、Ｃ／Ｎを改善した垂直磁気記録
用の磁気記録媒体を提供するものである。
でのＣ／Ｎが必ずしも十分ではなく、特に、耐久性の確
保に保護膜を配することで高密度域でのＣ／Ｎ低下は大
きく、記録密度の上限を高められるとみられている原理
的な有価値性は現実には十分得られていないといった課
題があり、改善が望まれていた。本発明は上記した事情
に鑑みなされたもので、Ｃ／Ｎを改善した垂直磁気記録
用の磁気記録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体は上記した課題を解決す３ ・・
−ノ るため、高分子フィルム上に形成された垂直磁化膜の柱
状結晶の表面偏析層が高分子フィルムとの界面側で厚く
なるように構成したものである。
−ノ るため、高分子フィルム上に形成された垂直磁化膜の柱
状結晶の表面偏析層が高分子フィルムとの界面側で厚く
なるように構成したものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成によシ、結晶の
初期成長層に多く含ずれる欠陥によシ磁気的な分離が悪
くなりノイズの原因になる従来の媒体と異なシ、磁気的
分離が良好でノイズが改善され、結晶成長が進むにつれ
て表面偏析層が薄くなり、実効的な表面磁荷が増大する
ので、Ｃ／Ｎとして改善されることになる。
初期成長層に多く含ずれる欠陥によシ磁気的な分離が悪
くなりノイズの原因になる従来の媒体と異なシ、磁気的
分離が良好でノイズが改善され、結晶成長が進むにつれ
て表面偏析層が薄くなり、実効的な表面磁荷が増大する
ので、Ｃ／Ｎとして改善されることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例について
詳しく説明する。
詳しく説明する。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で、
図で１はポリエチレンテレフタレート。
図で１はポリエチレンテレフタレート。
ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルフオン
、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド等の高分子
フィルムで、微粒子塗布層等の下塗シ層を配したもので
もよい。２はＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜で、柱状結晶が成り
、しかも高分子フィルムとの界面近くの表面偏析層即ち
Ｃｒの高濃度偏析によシ非磁性に々っている層の厚みが
最も厚く構成され、柱状結晶が成長するに従って、その
厚みが薄くなるよう構成されたものでこれは、複数のタ
ーゲットと回転キャンを対向配設し、分割してスパッタ
リングを行い、最初のキャン温度から除徐にキャン温度
を下げていけば得ることができる。
、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド等の高分子
フィルムで、微粒子塗布層等の下塗シ層を配したもので
もよい。２はＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜で、柱状結晶が成り
、しかも高分子フィルムとの界面近くの表面偏析層即ち
Ｃｒの高濃度偏析によシ非磁性に々っている層の厚みが
最も厚く構成され、柱状結晶が成長するに従って、その
厚みが薄くなるよう構成されたものでこれは、複数のタ
ーゲットと回転キャンを対向配設し、分割してスパッタ
リングを行い、最初のキャン温度から除徐にキャン温度
を下げていけば得ることができる。
３は保護潤滑剤層で、ＴｉＮ膜、 ＭｏＳ２膜、カーボ
ン膜、プラズマ重合膜、脂肪酸、パーフルオロポリエー
テル等を適宜組み合わせ、スペーシング損失を勘案し、
高々３００Å以下で十分な耐久性を付与できる構成を選
択すればよい。
ン膜、プラズマ重合膜、脂肪酸、パーフルオロポリエー
テル等を適宜組み合わせ、スペーシング損失を勘案し、
高々３００Å以下で十分な耐久性を付与できる構成を選
択すればよい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で詳しく説明する。厚み１１μｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルム上ニ、直径１００への５１０２微
粒子を１０ケ／（ａｍ）２配し、その上に、１２０°Ｃ
の回転キャンに沿わせて、ｃ。
対比で詳しく説明する。厚み１１μｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルム上ニ、直径１００への５１０２微
粒子を１０ケ／（ａｍ）２配し、その上に、１２０°Ｃ
の回転キャンに沿わせて、ｃ。
−１ｒ （Ｏｒ ２０．４ｗｔ％）を１３．５６ （Ｍ
Ｈｚ ）１．１ （ｋｗ） 、 Ａｒ ８Ｘ１０−２（
Ｔｏｒｒ）でヌパッタ６へ−７ リングし、次の回転キャンを６０°Ｃにして同じくＧｏ
−Ｃｊｒを１３．５６（ＭＨ２） １．４ （ｋｗ）
、 Ａ ｒｓ Ｘ１ｏ （Ｔｏｒｒ）でスパッタリン
グし、更に回転キャンを５°Ｃにして同じ（Ｃｏ−０ｒ
を１３．５６（ＭＨ２） １．６ （ｋｗ） Ａｒ：
４Ｘ１０−２（Ｔｏｒｒ）でスパッタリングし、計１４
６０へのＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成した。この垂直磁
化膜を構成する柱状結晶は、最初の４５０人が厚み６ｏ
への表面偏析層を有し、次の５００人が４０人、最後の
６００人が３０人の表面偏析層を有するものであった。
Ｈｚ ）１．１ （ｋｗ） 、 Ａｒ ８Ｘ１０−２（
Ｔｏｒｒ）でヌパッタ６へ−７ リングし、次の回転キャンを６０°Ｃにして同じくＧｏ
−Ｃｊｒを１３．５６（ＭＨ２） １．４ （ｋｗ）
、 Ａ ｒｓ Ｘ１ｏ （Ｔｏｒｒ）でスパッタリン
グし、更に回転キャンを５°Ｃにして同じ（Ｃｏ−０ｒ
を１３．５６（ＭＨ２） １．６ （ｋｗ） Ａｒ：
４Ｘ１０−２（Ｔｏｒｒ）でスパッタリングし、計１４
６０へのＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成した。この垂直磁
化膜を構成する柱状結晶は、最初の４５０人が厚み６ｏ
への表面偏析層を有し、次の５００人が４０人、最後の
６００人が３０人の表面偏析層を有するものであった。
一方比較例は、表面偏析層が４０Ａはぼ一定で１４５０
Ａの厚みの垂直磁化膜を用いた。両者共、グラファイト
をターゲットにしてダイアモンド状硬質炭素１１ｉ１０
０人、パーフルオロオクタン酸の蒸着膜を５０人配した
後、８ミリ幅の磁気テープに加工して、特性比較をした
。改造した８ミリビデオによシ、ギヤノブ長０．１６／
！／Ｉ１１のアモルファヌヘノドによシ、最短波長０．
３３μｍ帯域９ （ＭＨ２）のＣ／Ｎを比較した結果、
実施例の方が３．４ （ｄＢ ）良好で、更に最短波長
０．２μｍ、帯域１２（ＭＨ２）６ ・＼−。
Ａの厚みの垂直磁化膜を用いた。両者共、グラファイト
をターゲットにしてダイアモンド状硬質炭素１１ｉ１０
０人、パーフルオロオクタン酸の蒸着膜を５０人配した
後、８ミリ幅の磁気テープに加工して、特性比較をした
。改造した８ミリビデオによシ、ギヤノブ長０．１６／
！／Ｉ１１のアモルファヌヘノドによシ、最短波長０．
３３μｍ帯域９ （ＭＨ２）のＣ／Ｎを比較した結果、
実施例の方が３．４ （ｄＢ ）良好で、更に最短波長
０．２μｍ、帯域１２（ＭＨ２）６ ・＼−。
のＣ／Ｎでは４．６（ｄＢ）良好であった。
発明の効果
、 以上のように本発明の磁気記録媒体は、高密度。
広帯域でのＣ／ Ｎを改善できる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の磁気記録媒体の一実施例の拡大断面図であ
る。 １・・・・・高分子フィルム、２・・・・・Ｇｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜、３・・・・保護潤滑層。
る。 １・・・・・高分子フィルム、２・・・・・Ｇｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜、３・・・・保護潤滑層。
Claims (1)
- 高分子フィルム上に形成された垂直磁化膜の柱状結晶の
表面偏析層が、高分子フィルムとの界面側で厚いことを
特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068598A JPH01243220A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068598A JPH01243220A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243220A true JPH01243220A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13378387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068598A Pending JPH01243220A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243220A (ja) |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068598A patent/JPH01243220A/ja active Pending
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