JPH03259414A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH03259414A JPH03259414A JP2058289A JP5828990A JPH03259414A JP H03259414 A JPH03259414 A JP H03259414A JP 2058289 A JP2058289 A JP 2058289A JP 5828990 A JP5828990 A JP 5828990A JP H03259414 A JPH03259414 A JP H03259414A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic recording
- recording medium
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する垂直磁気記録用の磁気
記録媒体会咎憂奔告に関する。
記録媒体会咎憂奔告に関する。
従来の技術
近年、磁気記録の高密度化の進歩には著しいものがあり
、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実
用化に期待かがけられている［米国論文誌アイイーイー
イー トランザクションズオンマグネティクス（ＩＥＥ
Ｅ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＣＮ
ＥＴＩＣ８）ｖｏｆ！ 、ＭＡＧ−２１，Ｉ’ｈ３．１
２１７〜１２２０（１９８５）］。
、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実
用化に期待かがけられている［米国論文誌アイイーイー
イー トランザクションズオンマグネティクス（ＩＥＥ
Ｅ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＣＮ
ＥＴＩＣ８）ｖｏｆ！ 、ＭＡＧ−２１，Ｉ’ｈ３．１
２１７〜１２２０（１９８５）］。
中でも短波長になる程減磁損失が有利になる垂直磁気記
録は、膜面に垂直方向に磁化可能な特別な膜を必要とす
るものの、実用化に向は鋭意検討が続けられている。最
近では、Ｎｉ−Ｆｅ膜上のＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜と急し
ゅんな垂直磁界を発生させる補助磁極励磁型の垂直ヘッ
ドを用いずに、高分子フィ／Ｌム上に直接Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃ。
録は、膜面に垂直方向に磁化可能な特別な膜を必要とす
るものの、実用化に向は鋭意検討が続けられている。最
近では、Ｎｉ−Ｆｅ膜上のＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜と急し
ゅんな垂直磁界を発生させる補助磁極励磁型の垂直ヘッ
ドを用いずに、高分子フィ／Ｌム上に直接Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃ。
Ｃｒ−Ｎｂ等の垂直磁化膜を配したものと、リングヘッ
ドの組み合わせでも実用化の可能性が報告されるように
なってきている。垂直磁化膜の製法はスパッタリング法
と電子ビーム蒸着法とがあるが、スパッタ法は生産性が
低く、電子ビーム蒸着法は製膜時に高分子フィルムを昇
温する必要があるといった改善点が挙げられているが、
夫々の欠点を同時に改善できる可能性のある垂直磁化膜
として、Ｃｏ−０電子ビ一ム蒸着膜が知られるようにな
り、単に垂直磁気特性が得られるだけでなく電磁変換特
性の検討段階に入ってきている［特開平１−１０９５３
１号公報Ｊ０ 発明が解決しようとする課題 しかしながらやや斜めに成長はしているものの、磁気特
性からみると垂直磁化膜となっているＣｏ−〇膜は、電
磁変換特性に方向性があるためディスク状媒体として用
いられないといった点や、ピークシフトが大きく、ディ
ジタル記録の高密度化には改善が望まれる。
ドの組み合わせでも実用化の可能性が報告されるように
なってきている。垂直磁化膜の製法はスパッタリング法
と電子ビーム蒸着法とがあるが、スパッタ法は生産性が
低く、電子ビーム蒸着法は製膜時に高分子フィルムを昇
温する必要があるといった改善点が挙げられているが、
夫々の欠点を同時に改善できる可能性のある垂直磁化膜
として、Ｃｏ−０電子ビ一ム蒸着膜が知られるようにな
り、単に垂直磁気特性が得られるだけでなく電磁変換特
性の検討段階に入ってきている［特開平１−１０９５３
１号公報Ｊ０ 発明が解決しようとする課題 しかしながらやや斜めに成長はしているものの、磁気特
性からみると垂直磁化膜となっているＣｏ−〇膜は、電
磁変換特性に方向性があるためディスク状媒体として用
いられないといった点や、ピークシフトが大きく、ディ
ジタル記録の高密度化には改善が望まれる。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、ディジタ
ル記録特性の改善されたＣｏ−〇、Ｃ○Ｎｉ−〇系垂直
磁化膜を磁気記録層とした磁気記録媒体を提供するもの
である。
ル記録特性の改善されたＣｏ−〇、Ｃ○Ｎｉ−〇系垂直
磁化膜を磁気記録層とした磁気記録媒体を提供するもの
である。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は傾
斜をもった柱状ｃｏ−〇又はＣｏ−Ｎｉ０垂直磁化膜が
積層構造を有するものである。
斜をもった柱状ｃｏ−〇又はＣｏ−Ｎｉ０垂直磁化膜が
積層構造を有するものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により磁区が細分
化され粒子のもつ方向性が小さくなり、実用上の走行方
向による出力差の影響を無視できるようにすることがで
きると同時に雑音レベルが改善されるので、広帯域Ｃ／
Ｎが改良され、高密度ディジタル記録の信頼性を高める
ことができるようになる。
化され粒子のもつ方向性が小さくなり、実用上の走行方
向による出力差の影響を無視できるようにすることがで
きると同時に雑音レベルが改善されるので、広帯域Ｃ／
Ｎが改良され、高密度ディジタル記録の信頼性を高める
ことができるようになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
［実施例１１
第１図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
、第２図は発明要件の説明図である。第１図で１はポリ
エチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド
、ポリエーテルエーテルケトン等の高分子フィルムで、
２は微粒子や山脈状の塗布層で、形状付与による走行性
や耐久性の改善目的の層として多くの場合配されること
が多いが、必ずしもこれを配さないで構成したものであ
っても目的によっては実用に供することもできる。３．
４．５はＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜で、そ
の柱状微粒子は、基板に対して垂直に成長したものでは
なく、傾斜したものであって且つ垂直方向に残留磁化が
多く残せるいわゆる垂直磁化膜である。この場合は３層
構造を例示したがこれに固執せずともよく、全体の膜厚
や磁気特性等と同じく設計的事項として扱えばよい。６
は保護潤滑層で、プラズマ重合膜、ＷＩ磁化膜炭素膜等
と脂肪膜、パーフルオロポリエーテル等を組み合わせス
ペーシング損失に対して配慮し、最適な設計とするのが
好ましい。第２図で柱状微粒子７は、１層（膜厚はｈｉ
）分て、基板側に近い部分の粒径の中心にたてた垂線ｇ
Ｂと、表面に近い側の中心に立てた垂線をｇＴとすると
、ｇＢとｇＴが一致しない状態を傾斜した柱状微粒子と
して定義しているが、柱状微粒子が直線状が否かは特に
限定はない。ｇｓとｇＴをたてた中心同志を結んだｇｅ
とｇＢとのなす角を傾斜角とすると、垂直磁化膜となる
範囲はαがＯｏから３０°であるが、好ましくは１０”
〜２５°が磁気記録再生面から最適である。
、第２図は発明要件の説明図である。第１図で１はポリ
エチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド
、ポリエーテルエーテルケトン等の高分子フィルムで、
２は微粒子や山脈状の塗布層で、形状付与による走行性
や耐久性の改善目的の層として多くの場合配されること
が多いが、必ずしもこれを配さないで構成したものであ
っても目的によっては実用に供することもできる。３．
４．５はＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜で、そ
の柱状微粒子は、基板に対して垂直に成長したものでは
なく、傾斜したものであって且つ垂直方向に残留磁化が
多く残せるいわゆる垂直磁化膜である。この場合は３層
構造を例示したがこれに固執せずともよく、全体の膜厚
や磁気特性等と同じく設計的事項として扱えばよい。６
は保護潤滑層で、プラズマ重合膜、ＷＩ磁化膜炭素膜等
と脂肪膜、パーフルオロポリエーテル等を組み合わせス
ペーシング損失に対して配慮し、最適な設計とするのが
好ましい。第２図で柱状微粒子７は、１層（膜厚はｈｉ
）分て、基板側に近い部分の粒径の中心にたてた垂線ｇ
Ｂと、表面に近い側の中心に立てた垂線をｇＴとすると
、ｇＢとｇＴが一致しない状態を傾斜した柱状微粒子と
して定義しているが、柱状微粒子が直線状が否かは特に
限定はない。ｇｓとｇＴをたてた中心同志を結んだｇｅ
とｇＢとのなす角を傾斜角とすると、垂直磁化膜となる
範囲はαがＯｏから３０°であるが、好ましくは１０”
〜２５°が磁気記録再生面から最適である。
以下、更に具体的な実施例について、比較例との対比で
説明する。
説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１２０ＡのＳｉｇｈ微粒子を２０ケ／（μｍ）２
配し、直径５０ｃｍの円筒キャン（キャン温度、２０℃
）に沿わせ入射角４０度から２０度でＣｏを電子ビーム
蒸着した。その際、２０度となるように遮へいするマス
クの先端より酸素ガスとＨ２ガスを混合して導入し、Ｃ
。
に直径１２０ＡのＳｉｇｈ微粒子を２０ケ／（μｍ）２
配し、直径５０ｃｍの円筒キャン（キャン温度、２０℃
）に沿わせ入射角４０度から２０度でＣｏを電子ビーム
蒸着した。その際、２０度となるように遮へいするマス
クの先端より酸素ガスとＨ２ガスを混合して導入し、Ｃ
。
の蒸着速度を３０００ （’Ａ／ｓ ｅ ｃ ） 〜８
０００（人−′ｓ ｅ ｃ ＞ 、真空度を７Ｘ１０−
５〜３〉、１０−４ （Ｔｏ ｒ ｒ ）、０２．
／Ｈ２＝０．４〜０．０２の範囲で調整し、１層から４
層の蒸着をくり返し、類似の磁気特性のものを選び、パ
ーフルオロポリエーテルとして市販のモンテジソン社製
のフオツブリンＺ−２５を８０（■／ ｃ！ ）塗布し
８ミリ幅の磁気テープにした。夫々のテープを８ミリビ
デオを改造（ソニー■製、ＥＶＳ９００）Ｌ、ビット長
０．２６μｍを記録し、帯域１０（ＭＨｚ）でのＣ／Ｎ
と出力の方向差を比較した。テープの条件と評価結果を
第１表に示した。
０００（人−′ｓ ｅ ｃ ＞ 、真空度を７Ｘ１０−
５〜３〉、１０−４ （Ｔｏ ｒ ｒ ）、０２．
／Ｈ２＝０．４〜０．０２の範囲で調整し、１層から４
層の蒸着をくり返し、類似の磁気特性のものを選び、パ
ーフルオロポリエーテルとして市販のモンテジソン社製
のフオツブリンＺ−２５を８０（■／ ｃ！ ）塗布し
８ミリ幅の磁気テープにした。夫々のテープを８ミリビ
デオを改造（ソニー■製、ＥＶＳ９００）Ｌ、ビット長
０．２６μｍを記録し、帯域１０（ＭＨｚ）でのＣ／Ｎ
と出力の方向差を比較した。テープの条件と評価結果を
第１表に示した。
（以 下 余 白 ）
尚第１表には、電磁変換特性を改良することて耐久性が
低下したのでは、実用上好ましくないことはよく知られ
るので参考までにステル耐久を３℃５％ＲＨの条件で出
力か３ （ｄＢ）低下するまでの時間で示しである。
低下したのでは、実用上好ましくないことはよく知られ
るので参考までにステル耐久を３℃５％ＲＨの条件で出
力か３ （ｄＢ）低下するまでの時間で示しである。
第１表に示した比較例の角αは１６度で、実施例は高分
解能走査電子顕微鏡によるかん察でも明確にできないが
要は１層であればαが１６度となる角度で夫々膜厚を分
割して構成したものである。
解能走査電子顕微鏡によるかん察でも明確にできないが
要は１層であればαが１６度となる角度で夫々膜厚を分
割して構成したものである。
第１表に示したものの他にもＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜
でも同様の効果があること、Ｃｏ−〇系でも膜厚も１０
０ＯＡ〜３０００Ａの範囲でほぼ類似の効果を確認して
いる。
でも同様の効果があること、Ｃｏ−〇系でも膜厚も１０
０ＯＡ〜３０００Ａの範囲でほぼ類似の効果を確認して
いる。
［実施例２］
課題を解決する別の手段は、傾斜をもった柱状Ｃｏ−０
又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜が２層から成り、その傾
斜方向が互いに交錯するようにしたものである。
又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜が２層から成り、その傾
斜方向が互いに交錯するようにしたものである。
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により出力の方向
差が小さくなり、積層数を減らしてＣ／’ Ｎの改善と
方向差も改善できることになる。
差が小さくなり、積層数を減らしてＣ／’ Ｎの改善と
方向差も改善できることになる。
本発明の構成は第２図で、角αがｇＢに対し、右側に傾
いているとほぼ同し角度（勿論全く同一でなくてもよい
ことは後述の例で示す〉左側［右、左の関係は逆でもよ
い１に傾いた関係で構成することを意味している。同角
αは１０度から２５度がやはり好ましい範囲である。各
層の膜厚は２層目が１層目と同しか、薄く構成する方が
好ましい。
いているとほぼ同し角度（勿論全く同一でなくてもよい
ことは後述の例で示す〉左側［右、左の関係は逆でもよ
い１に傾いた関係で構成することを意味している。同角
αは１０度から２５度がやはり好ましい範囲である。各
層の膜厚は２層目が１層目と同しか、薄く構成する方が
好ましい。
以下、更に具体的な実施例について比較例との対比で説
明する。
明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径２００Ａのポリイミド球を■０ケ／（μｍ）２ｉ
１布し、直径１ｍの円筒キャンに沿わせ（キャン温度、
０℃〉、入射角３８度から１５度でＣｏ及びＣｏ−Ｎｉ
（Ｃｏ ：Ｎ１＝７７：２３ｗｔ％）を電子ビーム蒸
着した。その際酸素ガスとＫｒガスを混合して導入し、
（導入場所は、ノズル先端を１５度の入射角を調整する
マスクの先端部分とした）た。ＣＯ，Ｎ１の蒸着速度は
３５０ （Ａ／５ｅｃ） 〜３ （μｍ／５ｅｅ）。
に直径２００Ａのポリイミド球を■０ケ／（μｍ）２ｉ
１布し、直径１ｍの円筒キャンに沿わせ（キャン温度、
０℃〉、入射角３８度から１５度でＣｏ及びＣｏ−Ｎｉ
（Ｃｏ ：Ｎ１＝７７：２３ｗｔ％）を電子ビーム蒸
着した。その際酸素ガスとＫｒガスを混合して導入し、
（導入場所は、ノズル先端を１５度の入射角を調整する
マスクの先端部分とした）た。ＣＯ，Ｎ１の蒸着速度は
３５０ （Ａ／５ｅｃ） 〜３ （μｍ／５ｅｅ）。
０２／Ｋｒ＝０．０１〜０．２５．真空度７×１Ｏ−６
（Ｔｏ ｒ ｒ ） 〜３ Ｘ １０−’（Ｔｏ ｒ
ｒ）の範囲で調整し、蒸着機内でのフィルムの巻き取り
を双方向可能とし、マスクとシャッターを組み合わせて
、ある方向で入射角３８度から１５度で蒸着した後、反
転させ、入射角範囲を選択し２層目の蒸着を行った。蒸
着した後、デュポン社製のＫＲＹＴＯＸｌ ４３ＡＣを
９０輸ト／ｄ）塗布し、８ミリ幅の磁気テープに加工し
た。
（Ｔｏ ｒ ｒ ） 〜３ Ｘ １０−’（Ｔｏ ｒ
ｒ）の範囲で調整し、蒸着機内でのフィルムの巻き取り
を双方向可能とし、マスクとシャッターを組み合わせて
、ある方向で入射角３８度から１５度で蒸着した後、反
転させ、入射角範囲を選択し２層目の蒸着を行った。蒸
着した後、デュポン社製のＫＲＹＴＯＸｌ ４３ＡＣを
９０輸ト／ｄ）塗布し、８ミリ幅の磁気テープに加工し
た。
夫々のテープを８ミリビデオ（ソニー■ＥＶＳ９００）
を改造し、ビット長０．２２μｍを記録し、帯域１０（
ＭＨｚ）でのＣ／Ｎを比較し、出力の方向性についても
比較した。テープの条件と得られた評価結果について第
２表にまとめて示した。
を改造し、ビット長０．２２μｍを記録し、帯域１０（
ＭＨｚ）でのＣ／Ｎを比較し、出力の方向性についても
比較した。テープの条件と得られた評価結果について第
２表にまとめて示した。
（以 下 余 白 ）
［実施例３］
課題を解決するための別の手段は、傾斜をもった柱状Ｃ
ｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜が単層でかつ厚み
方向に磁気的に分離され、表層側程、飽和磁束密度が高
い構成としたものである。
ｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜が単層でかつ厚み
方向に磁気的に分離され、表層側程、飽和磁束密度が高
い構成としたものである。
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、膜厚が大
きくなっても表層側から充分磁化されかつ、磁区が微細
化し雑音が改善されることからＣ／Ｎが大幅に改善され
、ギャップヘッド磁界によっても十分高い記録再生性能
が確保されることになる。
きくなっても表層側から充分磁化されかつ、磁区が微細
化し雑音が改善されることからＣ／Ｎが大幅に改善され
、ギャップヘッド磁界によっても十分高い記録再生性能
が確保されることになる。
第３図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大模式図で
、第３図で１，２はこれまでの実施例と共通の構成要素
でよい。８は傾斜をもった柱状Ｃｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ
−０垂直磁化膜で、厚み方向に磁気的に分離され、磁性
を担う部分９，１０゜１１は夫々９，１０．１１の順に
飽和磁束密度が大きくなるよう構成される。磁気的分離
は当然酸化層であって、磁性をになう部分９．１０．１
１にも酸化物の存在を拒むものではない。Ｃｏ−Ｎｉ−
０はＣｏに対しＮｉは１０ｗｔ％〜２８ ｗ ｔ ％が
好ましい。上記した構成を得る方法として、回転キャン
に沿って移動する高分子フィルム上に限定された入射角
範囲内で、蒸着完了側より酸素ガス、蒸着開始側よりＫ
ｒカスを導入しながら、酸素原子ビームをイオン源を加
工して作り出し、厚み方向の位置を決め一定量照射する
方法が一例として挙げられる。
、第３図で１，２はこれまでの実施例と共通の構成要素
でよい。８は傾斜をもった柱状Ｃｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ
−０垂直磁化膜で、厚み方向に磁気的に分離され、磁性
を担う部分９，１０゜１１は夫々９，１０．１１の順に
飽和磁束密度が大きくなるよう構成される。磁気的分離
は当然酸化層であって、磁性をになう部分９．１０．１
１にも酸化物の存在を拒むものではない。Ｃｏ−Ｎｉ−
０はＣｏに対しＮｉは１０ｗｔ％〜２８ ｗ ｔ ％が
好ましい。上記した構成を得る方法として、回転キャン
に沿って移動する高分子フィルム上に限定された入射角
範囲内で、蒸着完了側より酸素ガス、蒸着開始側よりＫ
ｒカスを導入しながら、酸素原子ビームをイオン源を加
工して作り出し、厚み方向の位置を決め一定量照射する
方法が一例として挙げられる。
以下更に具体的に本発明の実施例について、比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、直径１８０ＡのＣｒ２Ｏ３微粒子を１５ケ／（μｍ
）２の密度で塗布し、そのフィルムを、直径１ｍの円筒
キャン（キャン温度、１５℃）に沿わせて移動しながら
、入射角３６度から２２度の範囲でＣＯ又はＣｏ−Ｎｉ
を電子ビーム蒸着した。その際、２２度に入射角を規制
するマスクの内側から酸素を導入し、３６度を規制する
マスクの内側からＫｒを導入し、かつ、酸素イオン源を
複数配置し、柱状微粒子を厚み方向で酸化層による磁気
分離を行うよう構成した。その上で、パーフルオロアラ
キン酸を約８ＯＡ塗布し、１、・′２インチ幅の磁気テ
ープにした。夫々の磁気テープをＭＩＩＶＴＲ（ＡＵ−
６５０松下電器製）を改造し、ギャップ長０，１３μｍ
の積層合金型リングヘッドにより、ビット長０．２μｍ
、トラック幅６μｍの信号を記録し、帯域２０（ＭＨｚ
）のＣ／Ｎを比較し、かつスチル特性を比較した。スチ
ル特性は３℃８０％ＲＨで再生信号出力が初期から６ｄ
Ｂ低下するまでの時間をスチルライフとして比較した。
に、直径１８０ＡのＣｒ２Ｏ３微粒子を１５ケ／（μｍ
）２の密度で塗布し、そのフィルムを、直径１ｍの円筒
キャン（キャン温度、１５℃）に沿わせて移動しながら
、入射角３６度から２２度の範囲でＣＯ又はＣｏ−Ｎｉ
を電子ビーム蒸着した。その際、２２度に入射角を規制
するマスクの内側から酸素を導入し、３６度を規制する
マスクの内側からＫｒを導入し、かつ、酸素イオン源を
複数配置し、柱状微粒子を厚み方向で酸化層による磁気
分離を行うよう構成した。その上で、パーフルオロアラ
キン酸を約８ＯＡ塗布し、１、・′２インチ幅の磁気テ
ープにした。夫々の磁気テープをＭＩＩＶＴＲ（ＡＵ−
６５０松下電器製）を改造し、ギャップ長０，１３μｍ
の積層合金型リングヘッドにより、ビット長０．２μｍ
、トラック幅６μｍの信号を記録し、帯域２０（ＭＨｚ
）のＣ／Ｎを比較し、かつスチル特性を比較した。スチ
ル特性は３℃８０％ＲＨで再生信号出力が初期から６ｄ
Ｂ低下するまでの時間をスチルライフとして比較した。
尚比較例は、多層構成のＣｏ−０膜、Ｃｏ−Ｎｉ−０膜
を磁気記録層として採用した。夫々のテープの条件と得
られた特性を第３表にまとめて示した。
を磁気記録層として採用した。夫々のテープの条件と得
られた特性を第３表にまとめて示した。
（以 下 余 白 ）
［実施例４１
課題を解決するための別の手段は、平滑な高分子フィル
ム上に、それ自身の突起をもったＣ。
ム上に、それ自身の突起をもったＣ。
Ｃｒ垂直磁化膜の上にＣｏ−０系垂直磁化膜を配したも
のである。本発明の磁気記録媒体は上記した構成により
、高分子フィルム上に微粒子塗布層を配して突起を形成
したものと異なり、Ｃｏ−Ｃｒ膜自身の成長突起である
ことから耐久性が極めて良好となり、Ｃｏ−０系垂直磁
化膜はＣｏ−Ｃｒの結晶配向性の良好な点の影響を受け
て、配向性が改善され、Ｃ／Ｎも改善されると共に、高
分子フィルムを透過してくる水分や、腐食性気体を含む
水分による腐食の進行に対してもＣｏ−Ｃｒが保護する
ような形になり、Ｃｏ−０系垂直膜の保存特性も改善さ
れることになる。
のである。本発明の磁気記録媒体は上記した構成により
、高分子フィルム上に微粒子塗布層を配して突起を形成
したものと異なり、Ｃｏ−Ｃｒ膜自身の成長突起である
ことから耐久性が極めて良好となり、Ｃｏ−０系垂直磁
化膜はＣｏ−Ｃｒの結晶配向性の良好な点の影響を受け
て、配向性が改善され、Ｃ／Ｎも改善されると共に、高
分子フィルムを透過してくる水分や、腐食性気体を含む
水分による腐食の進行に対してもＣｏ−Ｃｒが保護する
ような形になり、Ｃｏ−０系垂直膜の保存特性も改善さ
れることになる。
第４図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
、第４図で１２は内在粒子による突起ももたない極めて
平滑なポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリアミドイミド等の高分子フィルムで、１３
はＣ０−Ｃｒ垂直磁化膜で、それ自身が突起１４を有す
るもので、突起の形成は、高速スパッタリング法でＣ。
、第４図で１２は内在粒子による突起ももたない極めて
平滑なポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリアミドイミド等の高分子フィルムで、１３
はＣ０−Ｃｒ垂直磁化膜で、それ自身が突起１４を有す
るもので、突起の形成は、高速スパッタリング法でＣ。
Ｃｒをターゲットにしてスパッタ蒸着する際に、高分子
フィルム表面に存在する不均一性を反映して異常成長が
起ることを利用すればよい。
フィルム表面に存在する不均一性を反映して異常成長が
起ることを利用すればよい。
或いは、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を化学エツチングするか
スパッタエッチすることによってもよいが、突起の高さ
は５０Ａから２００Ａ、密度は０．５〜３０ケ／（μｍ
）２が好ましい。１４はＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０等の
Ｃｏ−０系垂直磁化膜で、これまで述べたと同様の手順
により成膜すればよい。１５は保護潤滑層で、プラズマ
重合膜、炭素膜、脂肪酸、パーフルオロアルキルカルボ
ン酸、パーフルオロポリエーテル等から適宜選択し、ス
ペーシング損失をあまり大きくしないよう、求められる
耐久性との兼ね合いで構成する。
スパッタエッチすることによってもよいが、突起の高さ
は５０Ａから２００Ａ、密度は０．５〜３０ケ／（μｍ
）２が好ましい。１４はＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０等の
Ｃｏ−０系垂直磁化膜で、これまで述べたと同様の手順
により成膜すればよい。１５は保護潤滑層で、プラズマ
重合膜、炭素膜、脂肪酸、パーフルオロアルキルカルボ
ン酸、パーフルオロポリエーテル等から適宜選択し、ス
ペーシング損失をあまり大きくしないよう、求められる
耐久性との兼ね合いで構成する。
本発明は磁気ディスク、磁気テープのいずれでもよい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１３μｍの平均粗さ２ＯＡ、最大粗さ３０Ａの極め
て平滑なポリエチレンテレフタレートフィルム上に、ス
パッタリング法でＺｎを平均した膜厚か６Ａとなるだけ
の被着を行い、ポリエチレンテレフタレートフィルムの
表面の不均一化処理を行って、Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｒ ＋
２１ｗｔ％）をターゲットにして、Ａ ｒ＋８２＝０．
０２〜０．０６（Ｔｏｒｒ）、Ａｒ ：Ｈ２＝２： １
，１３．５６（ＭＨｚ）、１．４ （ＫＷ）〜２．４（
ＫＷ）でスパッタリングを行い、０．１μｍのＣｏ−Ｃ
ｒ垂直磁化膜を形成し、その上に、直径１ｍの円筒キャ
ン（キャン温度２０℃）に沿わせて、入射角３８度から
２２度でＣｏ又はＣｏ−Ｎｉ （Ｎｉ２０ｗｔ％）を電
子ビーム蒸着した。その際、入射角２２度を規制するマ
スクの内側のノズルより Ａｒ＋０２＝０．４６ ［ｉ！ ／ｍｉ ｎｌ 。
て平滑なポリエチレンテレフタレートフィルム上に、ス
パッタリング法でＺｎを平均した膜厚か６Ａとなるだけ
の被着を行い、ポリエチレンテレフタレートフィルムの
表面の不均一化処理を行って、Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｒ ＋
２１ｗｔ％）をターゲットにして、Ａ ｒ＋８２＝０．
０２〜０．０６（Ｔｏｒｒ）、Ａｒ ：Ｈ２＝２： １
，１３．５６（ＭＨｚ）、１．４ （ＫＷ）〜２．４（
ＫＷ）でスパッタリングを行い、０．１μｍのＣｏ−Ｃ
ｒ垂直磁化膜を形成し、その上に、直径１ｍの円筒キャ
ン（キャン温度２０℃）に沿わせて、入射角３８度から
２２度でＣｏ又はＣｏ−Ｎｉ （Ｎｉ２０ｗｔ％）を電
子ビーム蒸着した。その際、入射角２２度を規制するマ
スクの内側のノズルより Ａｒ＋０２＝０．４６ ［ｉ！ ／ｍｉ ｎｌ 。
Ａｒ：０２＝４：１の条件でガス導入を行い、蒸着膜厚
は０．１μｍ一定とした。
は０．１μｍ一定とした。
比較例は、厚み１０μｍの平均粗さ２０Ａ、最大粗さ４
０Ａのポリイミドフィルム上に、直径１５０Ａの５１０
２微粒子を１２ ケ／ （ｐ ｍ ） ｌｌ′ｄｌ布し
、その上に直径５０ｃｍのキャン（キャン塩度２２０℃
）に沿わせて、入射角１５度以内でＣ。
０Ａのポリイミドフィルム上に、直径１５０Ａの５１０
２微粒子を１２ ケ／ （ｐ ｍ ） ｌｌ′ｄｌ布し
、その上に直径５０ｃｍのキャン（キャン塩度２２０℃
）に沿わせて、入射角１５度以内でＣ。
Ｃｒ （Ｃｒ２０．６ｗｔ９Ｑ）を０．１μｍ電子ビー
ム蒸着し、その上に実施例と同様に、Ｃｏ−〇垂直磁化
膜を配したものを用いた。実施例、比較例共にグラファ
イトをターゲットにして、Ａｒ＋０＝０．０１ （Ｔｏ
ｒｒ）、Ａｒ：Ｈ２１、３，１３，５６（Ｍ叱）、０．
９（Ｋ止〉でスパッタリングを行い、ダイヤモンド状硬
質炭素膜を９ＯＡ形成し、その上でモンテジソン社製の
フォツブリンＺ−２５を６０Ａ相当量塗布し、１／２イ
ンチ幅に加工し、改造したＭＩＩ−ＶＴＲで比較評価し
た。
ム蒸着し、その上に実施例と同様に、Ｃｏ−〇垂直磁化
膜を配したものを用いた。実施例、比較例共にグラファ
イトをターゲットにして、Ａｒ＋０＝０．０１ （Ｔｏ
ｒｒ）、Ａｒ：Ｈ２１、３，１３，５６（Ｍ叱）、０．
９（Ｋ止〉でスパッタリングを行い、ダイヤモンド状硬
質炭素膜を９ＯＡ形成し、その上でモンテジソン社製の
フォツブリンＺ−２５を６０Ａ相当量塗布し、１／２イ
ンチ幅に加工し、改造したＭＩＩ−ＶＴＲで比較評価し
た。
テープの条件と、評価結果を第４表にまとめて示した。
（以 下 余 白 ）
［実施例５１
課題を解決する別の手段は、Ｃｏ−〇系２層垂直磁化膜
の１層目が１０度以内の垂直蒸着で、２層目か最小入射
角が１５度以上の垂直磁化膜て構成されたものである。
の１層目が１０度以内の垂直蒸着で、２層目か最小入射
角が１５度以上の垂直磁化膜て構成されたものである。
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、１層目の
垂直配向性が２層目にも影響して、斜め蒸着成分を含ん
でも垂直特性が良好となり、かつリングヘットの形成磁
界で磁化され易くなり、面内磁化成分が結晶成長初期層
に含まれるＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜よりも良好な電磁変換
特性を与えることができ、かつ、１層目の結晶光てん率
が高く、保存特性もＣｏ−Ｃｒに劣らず優れたものとな
る。
垂直配向性が２層目にも影響して、斜め蒸着成分を含ん
でも垂直特性が良好となり、かつリングヘットの形成磁
界で磁化され易くなり、面内磁化成分が結晶成長初期層
に含まれるＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜よりも良好な電磁変換
特性を与えることができ、かつ、１層目の結晶光てん率
が高く、保存特性もＣｏ−Ｃｒに劣らず優れたものとな
る。
第５図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
、第５図で１，２は実施例−１と同様の構成でよく、１
６は１層目のＣｏ−〇又はＣ。
、第５図で１，２は実施例−１と同様の構成でよく、１
６は１層目のＣｏ−〇又はＣ。
Ｎｊ−０垂直磁化膜で、垂直蒸着により、柱状結晶のパ
ッキングデンシイティーを大きく構成する必要があり、
入射角は１０度以内で好ましく、電子ビーム蒸着時に酸
素ガス単独か酸素ガスにＡｒ。
ッキングデンシイティーを大きく構成する必要があり、
入射角は１０度以内で好ましく、電子ビーム蒸着時に酸
素ガス単独か酸素ガスにＡｒ。
Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性気体や、Ｎ２．Ｃｏ２ガス等を混
合させるか、別ノズルで例えば蒸着開始側に於て導入す
るかの方法をとればよい。Ｃｏ−〇。
合させるか、別ノズルで例えば蒸着開始側に於て導入す
るかの方法をとればよい。Ｃｏ−〇。
Ｃｏ−Ｎｉ−０の膜厚は５００Ａから１５００Ａの範囲
が好ましい。１７は２層目のＣｏ−○又はＣｏ−Ｎｉ−
０膜で、４０度から１５度の範囲の蒸気流の成分でＣｏ
又はＣｏ−Ｎｉを電子ビーム蒸着することで得られるも
ので、ガス導入は１層目と同様のやり方でよい。２層目
の膜厚は３００人から１５００Ａが好ましい。
が好ましい。１７は２層目のＣｏ−○又はＣｏ−Ｎｉ−
０膜で、４０度から１５度の範囲の蒸気流の成分でＣｏ
又はＣｏ−Ｎｉを電子ビーム蒸着することで得られるも
ので、ガス導入は１層目と同様のやり方でよい。２層目
の膜厚は３００人から１５００Ａが好ましい。
以下更に具体的に本発明の実施例について比較例との対
比で説明する。
比で説明する。
厚み１０．２μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に、直径１１０ＡのＣｒ２Ｏ３微粒子を１８ケ／（
μｍ）２平均で配し、その上に入射角を１０度以内に規
制し、直径１ｍの円筒キャン（キャン温度１８℃）に沿
わせ、入射角規制部から酸素と不活性気体或いはＮ２ガ
スを組み合わせたガスを導入しながら、Ｃｏ又はＣｏ、
Ｎｉ （Ｎｉ２６ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、引き続
き、フィルム移動方向を反転させ、入射角規制を移動さ
せ、４０度から１５度の範囲で、１層目と同しようにガ
ス導入をしながらＣｏ又はＣｏＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ２Ｑ％
）を電子ヒーム蒸着し、その上に、テトラメチルシクロ
ジシラザンを１３．５６（ＭＨｚ）、０．９５ （ＫＷ
）のプラズマ重合により約８０Ａのプラズマ重合膜とし
て配し、更にその上にＩ）ｕｐｏｎｔ社のＫＲＹＴＯＸ
１５７ Ｆ ＳＭを１００（■／ｄ〉配し、８ミリ幅
の磁気テープとした。比較例は、同じフィルム化の構成
で、磁性層のみを、高周波スパッタリング法により製造
したＣｏ−Ｃｒ （Ｃｒ２０．９ｗｔ％）垂直磁化膜（
０，１８μｍ）で置きかえたものを用いた。
ム上に、直径１１０ＡのＣｒ２Ｏ３微粒子を１８ケ／（
μｍ）２平均で配し、その上に入射角を１０度以内に規
制し、直径１ｍの円筒キャン（キャン温度１８℃）に沿
わせ、入射角規制部から酸素と不活性気体或いはＮ２ガ
スを組み合わせたガスを導入しながら、Ｃｏ又はＣｏ、
Ｎｉ （Ｎｉ２６ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、引き続
き、フィルム移動方向を反転させ、入射角規制を移動さ
せ、４０度から１５度の範囲で、１層目と同しようにガ
ス導入をしながらＣｏ又はＣｏＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ２Ｑ％
）を電子ヒーム蒸着し、その上に、テトラメチルシクロ
ジシラザンを１３．５６（ＭＨｚ）、０．９５ （ＫＷ
）のプラズマ重合により約８０Ａのプラズマ重合膜とし
て配し、更にその上にＩ）ｕｐｏｎｔ社のＫＲＹＴＯＸ
１５７ Ｆ ＳＭを１００（■／ｄ〉配し、８ミリ幅
の磁気テープとした。比較例は、同じフィルム化の構成
で、磁性層のみを、高周波スパッタリング法により製造
したＣｏ−Ｃｒ （Ｃｒ２０．９ｗｔ％）垂直磁化膜（
０，１８μｍ）で置きかえたものを用いた。
８ミリビデオを改造しギャップ長０．１２μｍの積層合
金型リングヘッドにより、ビット長０．２μｍを記録し
、Ｃ／Ｎとスチル特性を比較した。
金型リングヘッドにより、ビット長０．２μｍを記録し
、Ｃ／Ｎとスチル特性を比較した。
テープ条件と評価結果を第５表に示した。
（以 下 余 白 〉
発明の効果
以上のように本発明によれば、耐久性に優れた広帯域Ｃ
／Ｎ特性を有する磁気記録媒体が得られるといったすぐ
れた効果がある。
／Ｎ特性を有する磁気記録媒体が得られるといったすぐ
れた効果がある。
第１図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大Ｏ（又は
Ｃｏ−Ｎｉ−０）垂直磁化膜、７・・・・・・柱状微粒
子、８・・・・・・傾斜をもった柱状Ｃ○−○（又ハｃ
ｏ−Ｎ ｉ −０） 、 ９．１０．１１−磁性部。
Ｃｏ−Ｎｉ−０）垂直磁化膜、７・・・・・・柱状微粒
子、８・・・・・・傾斜をもった柱状Ｃ○−○（又ハｃ
ｏ−Ｎ ｉ −０） 、 ９．１０．１１−磁性部。
Claims (5)
- （１）傾斜をもった柱状のＣｏ−Ｏ、又は Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ系垂直磁化膜が積層構造を有することを
特徴とする磁気記録媒体。 - （２）傾斜をもった柱状Ｃｏ−Ｏ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ垂
直磁化膜が２層から成り、その傾斜方向が互いに交錯す
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - （３）傾斜をもった柱状Ｃｏ−Ｏ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ垂
直磁化膜が単層で、かつ厚み方向に磁気的に分離され表
層側ほど飽和磁束密度が大きいことを特徴とする磁気記
録媒体。 - （４）平滑な高分子フィルム上に膜自体が突起をもった
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜上にＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜を積
層したことを特徴とする磁気記録媒体。 - （５）１層目が１０度以内の垂直蒸着膜、２層目が最小
入射角１５度以上のＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜であることを
特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2058289A JPH03259414A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2058289A JPH03259414A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03259414A true JPH03259414A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=13080044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2058289A Pending JPH03259414A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03259414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9127365B2 (en) | 2008-02-16 | 2015-09-08 | HGST Netherlands B.V. | Generation of multilayer structures in a single sputtering module of a multi-station magnetic recording media fabrication tool |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2058289A patent/JPH03259414A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9127365B2 (en) | 2008-02-16 | 2015-09-08 | HGST Netherlands B.V. | Generation of multilayer structures in a single sputtering module of a multi-station magnetic recording media fabrication tool |
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