JPH01243413A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH01243413A JPH01243413A JP63070997A JP7099788A JPH01243413A JP H01243413 A JPH01243413 A JP H01243413A JP 63070997 A JP63070997 A JP 63070997A JP 7099788 A JP7099788 A JP 7099788A JP H01243413 A JPH01243413 A JP H01243413A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波（ＲＦ）グロー放電によるプラズマＣ
ＶＤ法により、基板上に半導体薄膜等の薄膜を形成する
薄膜形成装置に関する。
ＶＤ法により、基板上に半導体薄膜等の薄膜を形成する
薄膜形成装置に関する。
一般ニ、アモルファスシリコン薄膜などの薄膜を形成す
る手法として、ＲＦグロー放電によるプラズマＣＶＤ法
が知られており、これは、反応室内に配設されたカソー
ド、アノード間にＲＦグロー放電を発生させ、このＲＦ
グロー放電により、反応ガスのプラズマを生成し、アノ
ードに装着保持された薄膜形成用基板上に薄膜を形成す
るものである。
る手法として、ＲＦグロー放電によるプラズマＣＶＤ法
が知られており、これは、反応室内に配設されたカソー
ド、アノード間にＲＦグロー放電を発生させ、このＲＦ
グロー放電により、反応ガスのプラズマを生成し、アノ
ードに装着保持された薄膜形成用基板上に薄膜を形成す
るものである。
ところが、この場合、成膜中に放電により発生する電子
、イオンなどの高エネルギ粒子が、基板や基板上の薄膜
に衝突し、基板上に形成される薄膜の膜質の低下を招く
という不都合がある。
、イオンなどの高エネルギ粒子が、基板や基板上の薄膜
に衝突し、基板上に形成される薄膜の膜質の低下を招く
という不都合がある。
そこで従来、サード シンポジウム オン プラズマ
プロセシング、 １９８１ 、 「アナリシスオブ
シラン グロー ディスチャージ バイマス ヌベクト
ロスコピイＪ （Ｔｈｉｒｄ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎ
Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ 、 １９８１
、 ［ＡＮＡＬＹＳＩＳ ０ＦＳＩＬＡＮＥ ＯＬ
□’ｔｌＶ ＤＩＳＣＩ（ＡＩ［Ｅ ＢＹ ＭＡＳＳ
ＳＰＰ；ＣＴ’ＲＯ８ＣＯＰＹ Ｊ （Ｈｅｒｌ）ｅ
ｒｔ Ａ、Ｗｅａｋｌｉｅｍ ） に報告されている
ように、カソード、アノード間にメツシュ状のグリッド
を設ける。いわゆるトライオード法の採用により、成膜
中の高エネルギ粒子の衝突を抑えることが行なわれてい
る。
プロセシング、 １９８１ 、 「アナリシスオブ
シラン グロー ディスチャージ バイマス ヌベクト
ロスコピイＪ （Ｔｈｉｒｄ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎ
Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ 、 １９８１
、 ［ＡＮＡＬＹＳＩＳ ０ＦＳＩＬＡＮＥ ＯＬ
□’ｔｌＶ ＤＩＳＣＩ（ＡＩ［Ｅ ＢＹ ＭＡＳＳ
ＳＰＰ；ＣＴ’ＲＯ８ＣＯＰＹ Ｊ （Ｈｅｒｌ）ｅ
ｒｔ Ａ、Ｗｅａｋｌｉｅｍ ） に報告されている
ように、カソード、アノード間にメツシュ状のグリッド
を設ける。いわゆるトライオード法の採用により、成膜
中の高エネルギ粒子の衝突を抑えることが行なわれてい
る。
ところで、このようなトライオード方式の几ドグロー放
電プラズマＣＶＤ法に用いる装置は、たとえば第５図に
示すように構成されており、同図において、（１）は反
応ガスが供給される反応室、（２）。
電プラズマＣＶＤ法に用いる装置は、たとえば第５図に
示すように構成されており、同図において、（１）は反
応ガスが供給される反応室、（２）。
（３１は反応室（１１に平行に配設された平板状のカソ
ード及びアノード、（４１はアノード（３）に装着され
た薄膜形成用基板、（５）はカソード１２＋とアノード
Ｃ３１との間に配設されアースされたメツシュ状のグリ
ッド、（６）はカソード（２）、グリッド（５）間に高
周波電圧を印加してグロー放電を発生させる高周波電源
、（７）はアノード（３）に直流バイアス電圧を印加す
るバイアス電源である。
ード及びアノード、（４１はアノード（３）に装着され
た薄膜形成用基板、（５）はカソード１２＋とアノード
Ｃ３１との間に配設されアースされたメツシュ状のグリ
ッド、（６）はカソード（２）、グリッド（５）間に高
周波電圧を印加してグロー放電を発生させる高周波電源
、（７）はアノード（３）に直流バイアス電圧を印加す
るバイアス電源である。
そして、第５図に示す装置により薄膜を形成する場合、
電源（６）によシ、カソードＣ２）、グリッド（５）間
に高周波電圧が印加されて几Ｆグロー放電が発生され・
、反応ガスがデフズマ化されて成膜ラジカルが生成され
、基板（４）上に成膜ラジカルによる薄膜が形成される
とともに、バイアス電源（７）によりアノード（３１に
バイアス電圧が印加され、アース電位のグリッドｒ５）
によシ、几Ｆグロー放電によって発生する電子、イオン
などの高エネルギ粒子が緩和され、基板（４１あるいは
基板＋４１上に形成される薄膜への高エネルギ粒子の衝
突が抑制される。
電源（６）によシ、カソードＣ２）、グリッド（５）間
に高周波電圧が印加されて几Ｆグロー放電が発生され・
、反応ガスがデフズマ化されて成膜ラジカルが生成され
、基板（４）上に成膜ラジカルによる薄膜が形成される
とともに、バイアス電源（７）によりアノード（３１に
バイアス電圧が印加され、アース電位のグリッドｒ５）
によシ、几Ｆグロー放電によって発生する電子、イオン
などの高エネルギ粒子が緩和され、基板（４１あるいは
基板＋４１上に形成される薄膜への高エネルギ粒子の衝
突が抑制される。
しかし、ＲＦグロー放電の発生当初は、高エネルギ粒子
が非常に多く存在し、しかもこれらの高エネルギ粒子に
は中性のものも含まれているため、前記したようにグリ
ッドｒ５１を設けただけでは、放電発生直後の中性粒子
を含む高密度の高エネルギ粒子の基板（４１への衝突を
、十分に抑制することができず、基板（４）上に形成さ
れる薄膜の膜質の劣化を防止することができないという
問題点がある。
が非常に多く存在し、しかもこれらの高エネルギ粒子に
は中性のものも含まれているため、前記したようにグリ
ッドｒ５１を設けただけでは、放電発生直後の中性粒子
を含む高密度の高エネルギ粒子の基板（４１への衝突を
、十分に抑制することができず、基板（４）上に形成さ
れる薄膜の膜質の劣化を防止することができないという
問題点がある。
さらに、積層構造のデバイスを作成した場合−は、各層
を形成する際のＲＦグロー放電発生直後の高エネルギ粒
子の衝撃の影響が下層に及び、たとえばテクニカル ダ
イジェスト オプ ファースト インターナショナル
フォトボルタイックサイエンス アンド エンジニアリ
ング コンファレンス、 ＋９８４ 、頁７１９〜７２
２ （Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔｏｆ ｉｓ
む Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｐｈｏｔｏｖｏｌ
ｔａｉｃ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｆ；ｎｇｉ−
ｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏｎｆｅｒｃｎｃｅ 、 １９８４
、 ｐ、７１９〜７２２〕に報告されているように、
各層の界面特性の劣化を招き、デバイス特性の低下の原
因になる。
を形成する際のＲＦグロー放電発生直後の高エネルギ粒
子の衝撃の影響が下層に及び、たとえばテクニカル ダ
イジェスト オプ ファースト インターナショナル
フォトボルタイックサイエンス アンド エンジニアリ
ング コンファレンス、 ＋９８４ 、頁７１９〜７２
２ （Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔｏｆ ｉｓ
む Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｐｈｏｔｏｖｏｌ
ｔａｉｃ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｆ；ｎｇｉ−
ｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏｎｆｅｒｃｎｃｅ 、 １９８４
、 ｐ、７１９〜７２２〕に報告されているように、
各層の界面特性の劣化を招き、デバイス特性の低下の原
因になる。
そこで、本発明は前記の点に留意してなされ、トライオ
ード方式の几Ｆグロー放電プラズマＣＶＤ法による薄膜
形成の際に、ＲＦグロー放電の発生直後の中性粒子を含
む高エネルギ粒子の基板あるいは基板上の成長薄膜への
衝突を防止し、得られる薄膜の膜質の劣化を防止するこ
とを目的とする。
ード方式の几Ｆグロー放電プラズマＣＶＤ法による薄膜
形成の際に、ＲＦグロー放電の発生直後の中性粒子を含
む高エネルギ粒子の基板あるいは基板上の成長薄膜への
衝突を防止し、得られる薄膜の膜質の劣化を防止するこ
とを目的とする。
つぎに、前記目的を達成するだめの手段を、実施例に対
応する第１図を用いて説明する。
応する第１図を用いて説明する。
すなわち、本発明では、反応ガスが供給される反応室（
１）と、 前記反応室（１）に平行に配設された平板状のカソード
（２）及、びアノード（３）と、 前記アノード（３）に装着された薄膜形成用基板（４１
と、 前記カソード（２）と前記アノ−トイ３１との間に配設
されたグリッドｒ８１と、 前記カソード（２）、グリッド１８１間に高周波電圧を
印加してグロー放電を発生させる高周波電源ｒ６１と、
前記アノード（３）にバイアス電圧を印加するバイアス
電源ｃ力と、 前記グリッド【８）の近傍に該グリッド（８）と同電位
に設けられ、前記グロー放電が安定するまで閉状態に保
持され、前記グロー放電が安定したのち開放されるシャ
ッタａＯとを備えるという技術的手段を講じている。
１）と、 前記反応室（１）に平行に配設された平板状のカソード
（２）及、びアノード（３）と、 前記アノード（３）に装着された薄膜形成用基板（４１
と、 前記カソード（２）と前記アノ−トイ３１との間に配設
されたグリッドｒ８１と、 前記カソード（２）、グリッド１８１間に高周波電圧を
印加してグロー放電を発生させる高周波電源ｒ６１と、
前記アノード（３）にバイアス電圧を印加するバイアス
電源ｃ力と、 前記グリッド【８）の近傍に該グリッド（８）と同電位
に設けられ、前記グロー放電が安定するまで閉状態に保
持され、前記グロー放電が安定したのち開放されるシャ
ッタａＯとを備えるという技術的手段を講じている。
しだがって、本発明によると、カソード（２）、グリッ
ド（８）間に発生されるＲ Ｉ／グロー放電が安定する
までの間、シャッタ００が閉状態に保持されるだめ、Ｒ
Ｆグロー放電の放電開始直後における中性粒子を含む高
エネルギ粒子の基板（４）への衝突が、ンヤツタ００に
より防止され、基板（４）上に成長する薄膜の膜質の劣
化が防止される。
ド（８）間に発生されるＲ Ｉ／グロー放電が安定する
までの間、シャッタ００が閉状態に保持されるだめ、Ｒ
Ｆグロー放電の放電開始直後における中性粒子を含む高
エネルギ粒子の基板（４）への衝突が、ンヤツタ００に
より防止され、基板（４）上に成長する薄膜の膜質の劣
化が防止される。
つぎに、本発明を、そのｌ実施例を示した第１図ないし
第４図とともに詳細に説明する。
第４図とともに詳細に説明する。
全体の構成を示す第１図において、第５図と同一記号は
同一もしくは相当するものを示し、第１図において、（
８）は複数個のワイヤ（９）が等間隔（２ＭＭ）に配列
されて形成されたグリッドであり、カソード（２１とア
ノード（３１との間に配設され、アースされている。
同一もしくは相当するものを示し、第１図において、（
８）は複数個のワイヤ（９）が等間隔（２ＭＭ）に配列
されて形成されたグリッドであり、カソード（２１とア
ノード（３１との間に配設され、アースされている。
さらに、叫はグリッド（８）の下側近傍に設けられアー
スされたシャッタであり、各ワイヤ（９１の方向に直角
方向に長尺の薄い金属板Ｏ１） （幅１．５ ａｍ ）
が複数個配設されて形成され、閉状態では、第２図（ａ
）。
スされたシャッタであり、各ワイヤ（９１の方向に直角
方向に長尺の薄い金属板Ｏ１） （幅１．５ ａｍ ）
が複数個配設されて形成され、閉状態では、第２図（ａ
）。
（ｂ）に示すように、各金属板０刀が順次に配列されて
カソードＣ２１，アノードｒ３１間を遮蔽し、開状態で
は、第３（２）（Ａ） 、 （ｂ）に示すように、何枚
かずつに組分けされた各金属板ｔｉｌ＋が各組ごとに重
合されてカソードＣ２）、アノード（３）が開放される
。
カソードＣ２１，アノードｒ３１間を遮蔽し、開状態で
は、第３（２）（Ａ） 、 （ｂ）に示すように、何枚
かずつに組分けされた各金属板ｔｉｌ＋が各組ごとに重
合されてカソードＣ２）、アノード（３）が開放される
。
このとき、シャッタα０の開、閉は外部操作により行わ
れ、たとえば各金属板０１１に各組ごとに操作ワイヤが
それぞれ係合され、各操作ワイヤを反応室（１）の外部
から手動によりあるいは機械的に引っ張ることにより、
各組ごとの金属板０υが移動され、ンヤツタαＧが開、
閉されるようになっている。
れ、たとえば各金属板０１１に各組ごとに操作ワイヤが
それぞれ係合され、各操作ワイヤを反応室（１）の外部
から手動によりあるいは機械的に引っ張ることにより、
各組ごとの金属板０υが移動され、ンヤツタαＧが開、
閉されるようになっている。
そして、基板（４）上に薄膜を形成する場合、まずシャ
ッタｆｌＧを閉じておき、電源（６１によシカソード（
２１，グリッド＋８１間に高周波電圧を印加し、カソー
ド（２Ｉ、グリッド＋８１間にＲＦグロー放電を発生さ
せ、放電が安定するまでの間、シャッタ０υを第２図（
ａ）。
ッタｆｌＧを閉じておき、電源（６１によシカソード（
２１，グリッド＋８１間に高周波電圧を印加し、カソー
ド（２Ｉ、グリッド＋８１間にＲＦグロー放電を発生さ
せ、放電が安定するまでの間、シャッタ０υを第２図（
ａ）。
（ｂ）に示すように閉状態に保持し、カソード（２）、
７ノード（３１間を遮蔽する。
７ノード（３１間を遮蔽する。
つぎに、ＲＦグロー放電の発生から、放電が安定するま
での時間が経過したのち、シャッタａ１を第３図（ａ）
、 （ｂ）に示すように開状態にし、ＲＦグロー放電
によシ生成される成膜ラジカルが基板（４１上に到達し
得る状態にし、基板（４）上への薄膜の形成を行う。
での時間が経過したのち、シャッタａ１を第３図（ａ）
、 （ｂ）に示すように開状態にし、ＲＦグロー放電
によシ生成される成膜ラジカルが基板（４１上に到達し
得る状態にし、基板（４）上への薄膜の形成を行う。
このように、ＲＦグロー放電が安定するまでの間、シャ
ッタａＯを閉状態に保持することにより、中性粒子を含
む高エネルギ粒子の基板（４）への衝突が防止されるた
め、基板（４）上に成長する薄膜の膜質の劣化が防止さ
れる。
ッタａＯを閉状態に保持することにより、中性粒子を含
む高エネルギ粒子の基板（４）への衝突が防止されるた
め、基板（４）上に成長する薄膜の膜質の劣化が防止さ
れる。
ところで、前記した装置を用い、下表に示す反応条Ｎｉ
ｎ構造のアモルファスシリコン太ｉｔ池の作成を行い、
得られた太陽電池の収集効率を測定した結果、第４図中
の実線に示すようになった。
ｎ構造のアモルファスシリコン太ｉｔ池の作成を行い、
得られた太陽電池の収集効率を測定した結果、第４図中
の実線に示すようになった。
ただし、この場合、基板（４）として、上面に透光性導
電酸化膜を形成したガラス基板を用い、裏面電極として
、アルミニウム蒸着膜を用いている。
電酸化膜を形成したガラス基板を用い、裏面電極として
、アルミニウム蒸着膜を用いている。
なお、ｐ、ｉ、ｎの各層形成時に、ＲＦグロー放電が安
定するまでの間、シャッタ（１１を閉じておき、安定後
シャッタ００を開放するのは、前記したとおりである。
定するまでの間、シャッタ（１１を閉じておき、安定後
シャッタ００を開放するのは、前記したとおりである。
そして、比較のため、前記した反応条件と同一条件下で
、第５図の従来装置を用いて作成したアモルファスシリ
コン太陽電池の収集効率の測定も行い、これを第４図中
の破線に示す。
、第５図の従来装置を用いて作成したアモルファスシリ
コン太陽電池の収集効率の測定も行い、これを第４図中
の破線に示す。
このように、第４図から明らかなように、第１図に示す
本発明の実施例の装置により作成した太陽電池の方が、
従来装置により作成した太陽電池に比べ、３００〜６０
０ ｎｍの短波長側における収集効率が増大しており、
短波長感度の向上が見られ、これはシャッタ叫を設けた
ことにより、ｉ層形成の際に、下層のｐ層に加わるダメ
ージが従来装置の場合に比べて低減することが可能とな
シ、その結果、１層の膜質の劣化を防止できただめであ
る。
本発明の実施例の装置により作成した太陽電池の方が、
従来装置により作成した太陽電池に比べ、３００〜６０
０ ｎｍの短波長側における収集効率が増大しており、
短波長感度の向上が見られ、これはシャッタ叫を設けた
ことにより、ｉ層形成の際に、下層のｐ層に加わるダメ
ージが従来装置の場合に比べて低減することが可能とな
シ、その結果、１層の膜質の劣化を防止できただめであ
る。
したがって、前記実施例によると、几Ｆグロー放電が安
定するまでの間、シャッタａＯを閉状態に保持し、ＲＦ
グロー放電の安定後シャッタａｌｌを開くようにしただ
め、放電開始直後における中性粒子を含む高エネルギ粒
子の基板（４）への衝突を、シャッタａＯにより防止す
ることができ、基板（４）上に成長する薄膜の膜質の劣
化を防止することができ、非晶質薄膜太陽電池などの積
層構造の光起電力素子を作成する場合Ｋ、従来に比べ、
各層の界面特性の劣化を防止して素子特性の向上を図る
ことが可能となる。
定するまでの間、シャッタａＯを閉状態に保持し、ＲＦ
グロー放電の安定後シャッタａｌｌを開くようにしただ
め、放電開始直後における中性粒子を含む高エネルギ粒
子の基板（４）への衝突を、シャッタａＯにより防止す
ることができ、基板（４）上に成長する薄膜の膜質の劣
化を防止することができ、非晶質薄膜太陽電池などの積
層構造の光起電力素子を作成する場合Ｋ、従来に比べ、
各層の界面特性の劣化を防止して素子特性の向上を図る
ことが可能となる。
さらに、前記実施例において、シャッタ（１０を導電性
材料により形成し、かつシャッタ００をグリッド（８）
に近接して同電位に設けただめ、放電の乱れを防止する
ことができ、従来と同様に安定したＲＦグロー放電を得
ることができ、従来と同等の再現性１歩留り及び均一性
を維持することができる。
材料により形成し、かつシャッタ００をグリッド（８）
に近接して同電位に設けただめ、放電の乱れを防止する
ことができ、従来と同様に安定したＲＦグロー放電を得
ることができ、従来と同等の再現性１歩留り及び均一性
を維持することができる。
なお、グリッドＣ８）、シャッタＩ′１Ｇの構成は、前
記したものに限らないのは言うまでもない。
記したものに限らないのは言うまでもない。
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載するような効果を奏する。
下に記載するような効果を奏する。
１’ＬＦグロー放電開始直後における中性粒子を含む高
エネルギ粒子の基板への衝突を、ンヤツタにより防止す
ることができるため、基板上に成長する薄膜の膜質の劣
化を防止することができ、非晶質薄膜太陽電池などの積
層構造の光起電力素子を作成する場合に、従来に比べ、
各層の界面特性の劣化を防止して素子特性の向上を図る
ことが可能となり、その効果は極めて大きい。
エネルギ粒子の基板への衝突を、ンヤツタにより防止す
ることができるため、基板上に成長する薄膜の膜質の劣
化を防止することができ、非晶質薄膜太陽電池などの積
層構造の光起電力素子を作成する場合に、従来に比べ、
各層の界面特性の劣化を防止して素子特性の向上を図る
ことが可能となり、その効果は極めて大きい。
第１図ないし第４図は本発明の薄膜形成装置の１実施例
を示し、第１図は正面図、第２図（ａ） 、 （ｈ）は
閉状態におけるシャッタの底面図及び正面図、第３図（
ＥＬ） 、 （ｂ）は開状態におけるシャッタの底面図
及び正面図、第４図は収集効率特性図、第５図は従来例
の正面図である。 ＋１１・・・反応室、Ｃ２）・・・カソード、Ｃ３）・
・・アノード、（４）・・・基板、（６）・・・高周波
電源、（７）・・・バイアス電源、Ｃ８１・・・グリッ
ド、ａＯ・・・シャッタ。
を示し、第１図は正面図、第２図（ａ） 、 （ｈ）は
閉状態におけるシャッタの底面図及び正面図、第３図（
ＥＬ） 、 （ｂ）は開状態におけるシャッタの底面図
及び正面図、第４図は収集効率特性図、第５図は従来例
の正面図である。 ＋１１・・・反応室、Ｃ２）・・・カソード、Ｃ３）・
・・アノード、（４）・・・基板、（６）・・・高周波
電源、（７）・・・バイアス電源、Ｃ８１・・・グリッ
ド、ａＯ・・・シャッタ。
Claims (1)
- （１）反応ガスが供給される反応室と、 前記反応室に平行に配設された平板状のカソード及びア
ノードと、 前記アノードに装着された薄膜形成用基板と、前記カソ
ードと前記アノードとの間に配設されたグリッドと、 前記カソード、グリッド間に高周波電圧を印加してグロ
ー放電を発生させる高周波電源と、前記アノードにバイ
アス電圧を印加するバイアス電源と、 前記グリッドの近傍に該グリッドと同電位に設けられ、
前記グロー放電が安定するまで閉状態に保持され、前記
グロー放電が安定したのち開放されるシャッタと を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
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| JP63070997A JP2678286B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 薄膜形成装置 |
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| JPH01243413A true JPH01243413A (ja) | 1989-09-28 |
| JP2678286B2 JP2678286B2 (ja) | 1997-11-17 |
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ID=13447707
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP2678286B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289530A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Asahi Glass Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置及び成膜方法 |
| JP2011222991A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-11-04 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置及び薄膜基板の製造方法 |
| JP2015099866A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 国立大学法人名古屋大学 | Ｉｉｉ族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58124223A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS60160117A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Nec Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6189628A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS61144817A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 成膜装置用電極 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63070997A patent/JP2678286B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58124223A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS60160117A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Nec Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6189628A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS61144817A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 成膜装置用電極 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289530A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Asahi Glass Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置及び成膜方法 |
| JP2011222991A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-11-04 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置及び薄膜基板の製造方法 |
| JP2015099866A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 国立大学法人名古屋大学 | Ｉｉｉ族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2678286B2 (ja) | 1997-11-17 |
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