JPS6189628A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6189628A JPS6189628A JP59211668A JP21166884A JPS6189628A JP S6189628 A JPS6189628 A JP S6189628A JP 59211668 A JP59211668 A JP 59211668A JP 21166884 A JP21166884 A JP 21166884A JP S6189628 A JPS6189628 A JP S6189628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- discharge
- cathode
- reaction chamber
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
杢＠明は水素化非晶質シリコンなどの模作成に用いる７
”ラズマＣＶＤ装置に関する。
”ラズマＣＶＤ装置に関する。
従来、第２図のようにシャンターのないプラズマＣＶＤ
装置が知られている。
装置が知られている。
しかし従来のプラズマ轟装置は、二電極８゜９間にシャ
ンターがないために、放電開始から放電の安定するまで
の間についた膜と、放電が安定した後に付いた喚とでは
嗅質が異なるという欠点があった。なお、８はカソード
電極、９はアノード電極、１０はアースシールド、１１
は反応室、１２はガスの導入孔、１５は排気孔である。
ンターがないために、放電開始から放電の安定するまで
の間についた膜と、放電が安定した後に付いた喚とでは
嗅質が異なるという欠点があった。なお、８はカソード
電極、９はアノード電極、１０はアースシールド、１１
は反応室、１２はガスの導入孔、１５は排気孔である。
そこで本発明は従来のかかる欠点１ｆＩ：Ｍ決し、均質
な模を得ることを目的とする。
な模を得ることを目的とする。
上記問題点全解決するため、この発明は、対向する二′
ＩＪＬ極間にシャッターを設け、放電開始から放電の安
定するまでの間は模が炒成されないようにした。
ＩＪＬ極間にシャッターを設け、放電開始から放電の安
定するまでの間は模が炒成されないようにした。
上記のように構成されたプラズマＣＶＤ装置（Ｃて、二
電極間に高周敦電圧を加えるとカソード電極とシャ）タ
ーの間で放′１が起こる。この状態のまま放電が安定す
るまで寺ち、放−が十７ｊ−安定して刀）らシャンター
を開けれは膜作成の全行程を通じて均質なｊ漢を得られ
る。
電極間に高周敦電圧を加えるとカソード電極とシャ）タ
ーの間で放′１が起こる。この状態のまま放電が安定す
るまで寺ち、放−が十７ｊ−安定して刀）らシャンター
を開けれは膜作成の全行程を通じて均質なｊ漢を得られ
る。
以下（・ここの発明の実施例を図面（′？：基づいて説
明する。第１図において１げカソード′−０：極、２は
アノード電１１で二・〕る。５はシャンターであり、反
応室４の外部から自由に開閉することが（支）来る。５
はアースシーツ、レドでカソード電極１と該アースンー
ルド５の曲は真空ギヤングになっている。６はカス樽入
孔、７は排気孔である。また、アノード電極２と７ヤン
ター６の電位は反応室４、アースンールド５及びカソー
ド１とは独立に変化きせることか可能である。
明する。第１図において１げカソード′−０：極、２は
アノード電１１で二・〕る。５はシャンターであり、反
応室４の外部から自由に開閉することが（支）来る。５
はアースシーツ、レドでカソード電極１と該アースンー
ルド５の曲は真空ギヤングになっている。６はカス樽入
孔、７は排気孔である。また、アノード電極２と７ヤン
ター６の電位は反応室４、アースンールド５及びカソー
ド１とは独立に変化きせることか可能である。
上記のプラズマＣＶＤ装置で水素化非晶質シリコン模を
作成する時は、予めアノード″θ−毬２の上に基板’ｅ
ｔ＝： ｉ心しておき、次ＶＣガス導入孔６から一定
流血のシランガス（ｓｉＨ４）ｋ導入する。同時；ｌｃ
併気孔７全ａ して排気を行い反応室４の内部の圧力を
一定に保つ。然る後、Ｖこアノード電極２とシャンク−
５を同′礒位にし、欠Ｖこカソード′亀惟１とンヤンタ
ー５の間に晶周彼電圧を印加するとカノード電物１とン
ヤンタ−６の間でシランガスの枚篭分ｐｙ４が行なわれ
る。第６図は放電開始［亘後から時間金遣ってＳ ｉ
Ｈ＊ラジカルの発光強度金的３ｉ１ｉしたものでめるが
、これによｒｔば放ｔＥは放電開始後数十秒で十分安定
することが判る。従って、シランガスの放電数十秒後に
シャンター５を開け、放′４全カンード直極１とアノー
ド′曲極２の間で行なわせるようにすれば基板には安定
な放電による水素化非晶質シリコン１模のみが堆積する
。才だ、放電しにくい条件で放心させようとすると、カ
ソード′直極１に宣周阪′【ば圧を加えても放′イが起
きないことがある。そのような場合シャンター６に瞬間
的に高′鴫圧（数ＫＶ）ｉ加えるとそれが引き金になっ
てカソード１と７ヤンター３の間で放電がｔｉｉ−１始
される。
作成する時は、予めアノード″θ−毬２の上に基板’ｅ
ｔ＝： ｉ心しておき、次ＶＣガス導入孔６から一定
流血のシランガス（ｓｉＨ４）ｋ導入する。同時；ｌｃ
併気孔７全ａ して排気を行い反応室４の内部の圧力を
一定に保つ。然る後、Ｖこアノード電極２とシャンク−
５を同′礒位にし、欠Ｖこカソード′亀惟１とンヤンタ
ー５の間に晶周彼電圧を印加するとカノード電物１とン
ヤンタ−６の間でシランガスの枚篭分ｐｙ４が行なわれ
る。第６図は放電開始［亘後から時間金遣ってＳ ｉ
Ｈ＊ラジカルの発光強度金的３ｉ１ｉしたものでめるが
、これによｒｔば放ｔＥは放電開始後数十秒で十分安定
することが判る。従って、シランガスの放電数十秒後に
シャンター５を開け、放′４全カンード直極１とアノー
ド′曲極２の間で行なわせるようにすれば基板には安定
な放電による水素化非晶質シリコン１模のみが堆積する
。才だ、放電しにくい条件で放心させようとすると、カ
ソード′直極１に宣周阪′【ば圧を加えても放′イが起
きないことがある。そのような場合シャンター６に瞬間
的に高′鴫圧（数ＫＶ）ｉ加えるとそれが引き金になっ
てカソード１と７ヤンター３の間で放電がｔｉｉ−１始
される。
以上の説明は水素化非晶質シリコン俣を作成する場合を
想定して行ったが、使用するガスの５（里；１及び放ｄ
条件金変えることにより二酸化シリコン模、窒化シリコ
ン模等を作成する際も前記ンヤンタ−６は有効である。
想定して行ったが、使用するガスの５（里；１及び放ｄ
条件金変えることにより二酸化シリコン模、窒化シリコ
ン模等を作成する際も前記ンヤンタ−６は有効である。
不発明は以上説明したように、二電極間に電圧印７ＪＯ
町牝なシャンターを設けたという簡単な構造き て均質な襖が作成で（、さらに放電の起こりにくい条件
下でも該シャンターは放＝Ｗ生ぜせしめる引さ雀になシ
得るという効果がある。
町牝なシャンターを設けたという簡単な構造き て均質な襖が作成で（、さらに放電の起こりにくい条件
下でも該シャンターは放＝Ｗ生ぜせしめる引さ雀になシ
得るという効果がある。
第１図は不発明にかかるプラズマＣＶＤ装置の断面図、
第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図、；４３図
は５１１１（発光強度の時間変化を示す凶である。 １・・・・・・カソード電極 ２・・・・・・アノー
ド電極６・・・・・・シャッター ４・・・・・・
反応室５・・・・・・アースシーツド 以 上
第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図、；４３図
は５１１１（発光強度の時間変化を示す凶である。 １・・・・・・カソード電極 ２・・・・・・アノー
ド電極６・・・・・・シャッター ４・・・・・・
反応室５・・・・・・アースシーツド 以 上
Claims (1)
- 反応室と該反応室内に設けられた対向する二電極と該
二電極のうち一方の電極を囲むように設けられたアース
シールドとからなるプラズマＣＶＤ装置において、前記
二電極間に電圧印加可能なシャッターを設けたことを特
徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211668A JPS6189628A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211668A JPS6189628A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189628A true JPS6189628A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16609614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211668A Pending JPS6189628A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189628A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243413A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2011222991A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-11-04 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置及び薄膜基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767938A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-24 | Canon Inc | Production of photoconductive member |
| JPS5833256A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-02-26 | Canon Inc | 光導電部材 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59211668A patent/JPS6189628A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767938A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-24 | Canon Inc | Production of photoconductive member |
| JPS5833256A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-02-26 | Canon Inc | 光導電部材 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243413A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2011222991A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-11-04 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置及び薄膜基板の製造方法 |
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