JPH0341978B2

JPH0341978B2 -

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Publication number: JPH0341978B2
Application number: JP56191267A
Authority: JP
Priority date: 1981-11-28
Filing date: 1981-11-28
Publication date: 1991-06-25
Also published as: JPS5892217A

Description

【発明の詳細な説明】本発明はプラズマ気相法により、再現法、特性
のよい半導体装置を作製する方法に関する。

本発明はプラズマ気相法により反応炉内に設け
られた基板上にＰ型およびＮ型の半導体層を有す
る第１の半導体装置を形成した後、この半導体装
置のＮまたはＰ型不純物が次に作られるＰまたは
Ｎ型の半導体層中に反応装置の内壁または基板の
ホルダーより再放出され、これが10¹⁵〜10¹⁸cm^-3
の濃度で混入されてしまうことを防止するため、
この各工程の間に前回作られた半導体層上に真性
または実質的に真性（以下Ｉ層という）のコーテ
イング用の被膜を形成する工程（この場合は次の
工程の最初に作られる被膜をコーテイングしても
よい）により実質的に過去の履歴を除去してしま
うことを目的としている。

さらにまたは前回作られた半導体層のうち、反
応装置の内壁、基板のホルダー等の表面に付着し
たものをCF₄等の反応性気体をプラズマ化するこ
とにより除去してしまう工程を設けることを目的
とする。

かくすることにより再現性よくRUN−TO−
RUNの特性バラツキを少くするとともに、その
得られた特性もきわめてすぐれたものとすること
ができるという特徴を有する。

また本発明は反応炉内に設けられた基板上に少
くともひとつの接合特にPIN、PI、NIまたはPN
接合を有する半導体装置において、反応炉の内壁
特にプラズマ原子または反応性気体が衝突する内
壁より不純物特に酸素、アルカリ金属原子が放出
されることを防ぐため、これらの表面にあらかじ
め真性または実質的に真性の半導体層例えば非単
結晶珪素を形成することを目的としている。

本発明はこれらの実質的に除去するためのコー
テイングにより再放出を防ぐため、半導体層を半
導体装置の作製に必要な電磁エネルギの出力Po
例えば５〜100W、温度Ta例えば200〜320℃に対
し、Po−10W（但し最低5Wとする）〜Po＋30W
の範囲、またTo−50℃〜To＋50℃特に好ましく
はPo、Toと同じまたは概略同じ条件にて作製
し、0.2〜1μの厚さに形成せしめることを特徴と
している。

従来プラズマCVD法に関しては、ひとつの反
応炉にてPIN接合等を有する半導体装置の作製が
行なわれていた。しかしこの接合をくりかえし行
なうと、全くわけのわからない劣化、バラツキに
悩まされてしまい、半導体装置としての信頼性に
不適当なものしかできなかつた。

この原因を調べた結果、この最大の原因は、反
応炉内に付着している酸素、アルカリ金属が半導
体層中に混入して、電気伝導度の低下をもたらす
のであり、酸素にあつては−1PPMの混入であつ
ても、暗伝導度10^-6（Ωcm）^-1を10^-8（Ωcm）^-1と1/
１００にまで下げてしまつていた。

またアルカリ金属にあつても、5PPMの混入に
おいて、Ｐ型、Ｉ型の伝導度の低下または透明導
電膜の電導度の低下をもたらしてしまつた。

これらの混入を防ぐため、反応炉の内壁また基
板のホルダー（ボートともいう）の特にプラズマ
による反応性気体にスパツタされる部分に対し
て、あらかじめ半導体層を0.2〜2μの厚さに形成
させ、コーテイングしてしまうことがきわめて重
要であつた、さらに再現性特性劣化に対しては、
ひとつの半導体装置の作製に対し、その最後の工
程がＮまたはＰ型半導体層を作りまた次の最初の
工程にＰまたはＮ型の半導体層を作ろうとした
時、10¹⁵〜10¹⁸cm^-3の濃度に最初の不純物例えば
リンがＰ型半導体層中に混入してしまう。このた
めＰ型半導体層は例えば10¹⁸〜10²¹cm^-3の濃度に
ホウ素を添加してＰ型層としてもその電気伝導度
はリンの混入により再結合中心が増加するためき
わめて特性が悪く、混入がない場合10^-2〜10⁺⁶
（Ωcm）^-1に対し、10^-6〜10^-4（Ωcm）^-1と1/100〜
１／１０００しか得られなかつた。

このためPIN型光電変換装置においては２〜４
％の効率を各ランごとのバヲツキを±200％も有
して得られたにすぎず好ましくなかつた。

しかし本発明方法にあつては、８〜10％の約３
〜５倍の高い変換効率を得ることができるように
なつた。

またこの不純物酸素ドーピングの効果を少くす
るため、本発明人の出願になる特許願半導体装
置作製方法56−55608（原表示53−152887昭和53年
12月10日出願）が知られている。これは例えば
PIN半導体装置を作ろうとする時、各Ｐ層、Ｉ
層、Ｎ層をそれぞれ独立の反応炉を作り、基板を
その層間を移動せしめることにより行わんとする
ものである。この方法にあつては、本発明と同じ
対策を持つことができ、きわめて好ましい電気的
特性を得ることができる。しかしその場合、装置
はひとつの室の方式の３倍であり、製造コストが
2.5〜３倍も高価になつてしまう。さらに多量生
産向きでない等の欠点を有していた。

本発明はかかる反応炉において、特に横型の反
応炉において特に有効である。また多量に基板上
に半導体装置を作ろうとする時特に有効であり、
半導体装置ひとつあたりの装置の減価償却を含め
て、製造コストをたて型反応炉の1/100にできる
という大きな特徴を有している。

すなわち本発明はかかる多量生産用に横型に配
置された反応炉または反応筒（10〜30cmφ 、長さ
１〜５ｍ）用いる方法を中心として記す。

かかる反応筒の外側に一対の反応性気体をプラ
ズマ化する電磁エネルギ供給用の電極と該電極の
外側にこの反応筒および電極を囲んで加熱装置と
を具備し、この反応炉内を炉方向に反応性気体を
流し、この気体の流れにそつて基板を配置せしめ
たものである。

さらにかかる装置内に一対の電極により発生す
る電磁界に垂直または平行に基板を配置し、これ
を複数段または複数列配置して２〜20cm□ の基板
例えば10cm□ の基板を20段20列計400まいの被形
成面上に一度に被膜特に珪素、炭素炭化珪素また
は珪化ゲルマニユーム、ゲルマニユーム被膜すな
わち４価の元素を中心とした半導体膜を形成せし
めることを中心として記す。

本発明は炭素−珪素結合を有する水素化物また
はハロゲン化物（炭化珪化物気体）よりなる反応
性気体、シラン（SinH_2o+2ｎ１）の如き珪化
物気体またはアセチレン等の炭化水素を用いて被
成形面上に非単結晶の炭化珪素、珪素または炭素
を主成分とする被膜を0.05〜1torrの反応炉圧力
で100〜400℃の温度で形成せしめるプラズマ気相
法に関する。

本発明はさらにかかる反応性気体に価の不純
物であるＢ、Al、Ga、Inを含む不純物気体例え
ばジボラン（B₂H₆）、Ｖ価の不純物を含む不純物
気体例えばフオスヒン（PH₃）またはアルシン
（AsH₃）漸次添加して被形成面を有する基板上
に密接してＰ型層、さらにＩ型層およびＮ型層を
PINの順序にて積層形成せしめ、これをくりかえ
し、安定して作製することを目的としている。さ
らに本発明はフラズマ化する電磁エネルギのパワ
ーにより、アモルフアス構造の半導体（ASとい
う）、５〜100Aの大きさの微結晶性を有するセミ
アモルフアス（半非晶質、以下SASという）ま
たは５〜200Aの大きさのマイクロポリクリスタ
ル（微多結晶、以下PCという）の構造を有する
半導体の如き非単結晶半導体膜を作製せんとする
ものである。さらに強い電磁エネルギを与える場
合、基板表面ではスパツターされた電気的に欠陥
だらけのアモルフアス構造になりやすい。かかる
欠陥構造をなくすため、基板は互いに10〜40mm代
表的には20〜25mm離間し、プラズマ反応に200〜
500Wという高いエネルギが必要な場合であつて
も、被形成面上にはこのスピーシスの実質的なプ
ラズマエネルギを得る距離を基板間の距離で制御
し、実質的に２〜20Wという弱いパワーで被膜化
せしめると同等の特性を有せしめたことを特徴と
する。

このため本発明においては、その出発物質であ
る反応性気体に炭化珪素（SixC_1-110＜ｘ＜１）
を作ろうとした場合、炭素−珪素結合を有する材
料を用いた。すなわち炭素−珪素結合を有する水
素化物またはハロゲン化物例えばテトラメチルシ
ラン（Si（CH₃）₄）（単にTMSという）、テトラエ
チルシラン（Si（C₂H₅）₄）、Si（CH₃）xcl_4-x（１
ｘ３）Si（CH₃）xH_4-x（１ｘ３）等の反応
性気体を用いて反応生成物中にSi−Ｃ結合を得や
すくしている。

また珪素を主成分とする被膜を得ようとする時
はSinH_2o+2（ｎ１）のシラン、SiF₄またはこれ
らの混合気体を用いた。炭素を得ようとする時
は、アセチレン（C₂H₁）またはエチレン
（C₂H₄）を主として用いた。こうすることによ
り、珪素（Si）、炭化珪素（SixC_1-x０＜ｘ＜１）
または炭素(C)（これらを合わせるとSixC_1-x（０
ｘ１）と示すことができるため、以下炭化珪素
という時はSixC_1-x（０ｘ１）を意味するもの
とする）を作製する。

さらにここに価または価の不純物を添加し
て被形成面よりＰ型、Ｉ型（真性またはオートド
ーピング等を含む人為的に不純物を添加しない実
質的に真性）さらにＮ型の半導体または半絶縁体
を作製した。

さらにかかる反応性気体を用いると、反応炉を
１気圧以下特に0.01〜10torr、代表的には0.3〜
0.6torrの圧力下にて50W以下の電磁エネルギに
おいても、例えば0.01〜100MHz特に500KHzまた
は13.56MHzにおいて被膜を形成することが可能
である。即ち低エネルギプラズマCVD装置とす
ることができた。

さらに50〜500Wという高エネルギプラズマ雰
囲気とすると、形成された炭化珪素は微結晶化
し、その結果Ｐ型またはＮ型において、ホウ素ま
たはリンを0.1〜５％（ここでは（B₂H₆または
PH₃）／（炭化物気体または炭化珪化物気体＋珪
化物気体）の比をパーセントで示す）添加した場
合、低エネルギでは電気伝導度は10^-9〜10^-3（Ω
cm）^-1であつたものが10^-6〜10⁺²（Ωcm）^-1と約千
倍にまで高めることができた。

さらにこの高エネルギ法を用いて得られた炭化
珪素は５〜200Aの大きさの微結晶構造を有する
いわゆるSAS構造を有せしめることができた。
かかるSASにおいて、そのまたはＮ型の不純物
のアクセプタまたはドナーとなるイオン化率を97
〜100％を有し、添加した不純物のすべてを活性
化することができた。

以下に図面に従つて本発明のプラズマ気相法を
説明する。

第１図は本発明を用いたプラズマCVD装置の
概要を示す。

第１図において被形成面を有する基板１は角型
の石英ホルダーにて保持され、図面では７段２列
計14まいの構成をさせている。基板およびホルダ
ーは反応炉の前方の別室２９に入口３０より予め
設置され、バルブ３２ロータリーポンプ３３によ
り真空びきがなされる。さらに開閉とびら３４を
開けて、反応炉内に自動送り装置により導入さ
れ、さらにミキサー用混合板３５も同時配置され
る。これらは反応炉、別室ともに真空状態におい
てなされ、反応炉内に酸素（空気）が少しでも混
入しないように務めた。さらに開閉とびら３４を
閉じたことにより、図面の如く電極９，１０の間
に基板が配置された。

各基板は10〜40mm代表的には20〜25mmの間かく
をおいて配列されており、このホルダーによる反
応性気体は反応炉２５の前方にミキサ８を設け層
流とし、さらにこれらの反応性気体が基板の間の
空隙に均一に注入するように設けてある。被形成
面は基板の下面または互いに裏面を重ね合わせて
垂直に配置された側面である。

また図面は反応系を上方よりながめた構造を示
したものであり、基板１は互いに裏面を合わせて
垂直に配置させている。かくの如く重力を利用し
てフレイクを下部に除去することは、量産歩留り
を考慮する時きわめて重要である。さらにこの基
板１を折入させた反応炉２５には、この基板に垂
直または平行（特に平行にすると被膜の均一性が
得やすい）に電磁エネルギの電界が第２図Ａまた
はＢ特にＢの如くに加わるように一対の電極９，
１０を上下または左右に配置して設けた。この電
極の外側に電気炉５が設けられており、基板１が
100〜400℃代表的には300℃に加熱されている。

反応性気体は水素またはヘリユームのキヤリア
ガス例えばヘリユームを１３より、価の不純物
であるジボラン１４より、価の不純物であるフ
オスヒン１５より、価の添加物である珪化物気
体のシラン１６より導入した。

また炭素−珪素結合を有する反応性気体TMS
２０を用いると、初期状態で液体であるためステ
ンレス容器２１に保存される。この容器は電子恒
温層２２により所定の温度に制御されている。

このTMSは沸点が25℃であり、ロータリーポ
ンプ１２をバルブ１１をへて排気させ、反応炉内
を0.01〜10torr特に0.02〜0.4torrに保持させた。
こうすることにより、１気圧より低い圧力により
結果として特に加熱しなくてもTMSを気化させ
ることができる。この気化したTMSを100％の濃
度で流量計を介して反応炉に導入することは、従
来の如く容器２１をバブルして反応性気体を放出
するやり方に比較して、その流量制御が精度よく
可能であり、技術上重要である。

実用上流量計がつまつた場合、図面において２
４よりヘリユームを導入した。

また反応筒２５またはホルダー２の内壁または
表面に付着した反応生成物を除去する場合は１７
よりCE₄またはCF₄＋O₂（２〜５％）を導入し、
電磁エネルギを加えてフツ素ラジカルを発生させ
て気相エツチングをして除去した。

さらにこのプラズマ放電においては、反応性気
体が混合室８をへて混合された後、励起室２６に
おいて分解または反応をおこさしめ、反応生成物
を基板上に形成する空間反応を主として用いた。
電磁エネルギは電源４より直流または高周波を主
として用いた。

このようにして被形成面上に炭化珪素被膜を形
成した。例えば基板温度300℃、高周波エネルギ
の出力25W、シランまたはTMS50c.c.／分キヤリ
アガスとしてのHe250c.c.分とした。（反応性気
体／He）５において160A／分の被膜成長速度を
得ることができた。

さらにこの被膜形成には、PIN接合、PN接合、
PI、NI接合、PINPIN接合等をその必要な厚さ
に必要な反応生成物を基板上に漸次積層して形成
させた。

このようにして被形成面上に被膜を形成させて
しまつた後、反応性気体を反応筒より十分にパー
ジした後、開閉とびら３４を開け、ミキサ用混合
板３５、ジグ３上の基板を別室２９に自動引出し
管により反応筒および別室をともに真空
（0.01torr以下）にして移動させた。さらに開閉
とびら３４を閉じた後、別室に３１よりバルブを
開けて空気を充填し大気圧とした後、外部にジグ
および被膜の形成された基板をとり出した。

以上の実施例より明らかな如く、本発明は反応
性気体をミキサ８にて混合した後、排気口６に層
状（ミクロにはプラズマ化された状態ではランダ
ム運動をしていた）に流し、この流れに平行に基
板を配置して被形成面上にの膜厚が±５％以内の
バラツキで0.1〜3μの厚さに被膜を形成せしめた
ことを特徴としている。

さらにこの際プラズマをグロー放電法を利用し
ておこさせるが、その電極を反応筒の外側に配置
せしめ、多量の基板に均一にプラズマがおこるよ
うにしたことを特徴としている。

また被膜の形成に際し、図面の如く７段２列で
はなく、20段20列の如く反応筒を長くする場合、
0.4torrではなくさらに0.2、0.1、0.05torrとより
低圧にすることが、その膜質の均一性特に最前列
と最後列との均一性を得しめる上に重要である。

またこの反応筒内に酸素等の制御できない酸化
物気体の混入を防ぐため、別室を設け、この別室
を介して大気中での作業と結合せしめたことは、
得られた被膜の特性の再現性を得るのにきわめて
重要であつた。

第２図は第１図の図面における排気口６方向よ
りみた基板１の配置と電極９，１０との関係を示
す。図面においてＡは基板を水平、電極９，１０
による電磁界を水平方向に配置したもので、この
場合一度に導入できる基板の枚数をふやすことが
できる。

第２図Ｂは電極９，１０による電磁界、基板１
ともに垂直にしたもので、基板の配置数がＡの２
倍になる。

第３図は本発明の半導体装置作製方法の操作手
順チヤートを示したものである。

図面において“０”である４９は反応炉の真空
引による0.01torr以下の保持を示す。さらに
“１”の４０は本発明による反応炉または反応筒
およびホルダーに珪素または炭化珪素のコーテイ
ングを示す。

このコーテイングはその詳細を示すと第３図
Ｂ，Ｃである。第３図Ｂは真空引４９により
0.01torr以下にし、10〜30分保持した後、水素を
電磁エネルギにより０〜30分30〜50Wの出力によ
りプラズマクリーニングを行ない、吸着、水分、
酸素を除去した。さらにその水素を除去した後、
５１によりヘリユームを同時に30〜50Wの出力に
より10〜30分プラズマ化し、さらに表面の水素を
除去した。この水素プラズマ発生５０に対して
は、水素中に１〜５％の濃度でHClまたはClを添
加して行なうと、塩素ラジカルが同時に発生し、
このラジカル石英等ホルダーの内側に存在してい
るナトリユームの如きアルカリ金属をすい出す効
果を有する。このためバツクグラウンドレベルで
のナトリユーム、水分、酸素の濃度を形成された
被膜中にて10¹⁴cm^-3以下にすることができ、きわ
めて重要な前処理工程であつた。

この塩素を添加した場合、さらにこの壁面に残
留吸着した塩素を除去するため５１の不活性気体
によるスパツタリングによる除去も有効であつ
た。

この後これらの系を真空引した後、珪化物気体
であるシランまたは炭化珪素化物であるTMSを
導入し、プラズマエネルギにより分解して、0.1
〜2μ代表的には0.2〜0.5μの厚さに形成させた。
これらの被膜形成をさせる際、高い電磁エネルギ
が加わる領域すなわち不純物が再放出されやすい
領域に特に厚くつきやすく、二重に好ましい結果
をもたらせた。

かかる本発明の複雑な前処理工程を行わない場
合であつても、第３図Ｃに示す如く真空引の後、
珪素または炭化珪素を５２において同様に0.1〜
2μ形成し、反応炉壁からの酸素、アルカリ金属
の再放出を防ぐことが有効であつた。

また第３図Ａにおいては半導体装置の作製のた
め、基板のコーテイング、系の真空引４１さらに
ＰまたはＮ型半導体の作製４２、Ｉ型半導体層の
作製４３、Ｎ型半導体層の作製４４を行い、第１
の半導体装置を作製４８した。この半導体装置は
前記したPI、NI、PIN、PN等の接合を少くとも
１つ有するデイバイス設計仕様によつて作らなけ
ればならないことはいうまでもない。

さらにこの後、この系に対し、反応炉のみまた
はこの反応炉とホルダーを挿入設置された反応系
に対し４６に示すＩ型半導体層または４２′に示
す半導体層と同じ半導体層のコーテイングにより
前の半導体装置作製の際用いられた工程４４のり
れきが次のランに対して影響を与えないようにし
た。その詳細は第３図Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに示す。

すなわち第３図Ｂは前記した前処理と同じく真
空引４９水素プラズマ放電５０、ヘリユームプラ
ズマ処理５１、半導体装置のランの最初の工程の
半導体層を形成する工程５２を有する。しかしこ
の５０，５１がすでにＡでの４６で行われている
ため、一般にはＣの５２での0.1〜2μの厚さの半
導体層の作製で十分であつた。

またこの前の半導体装置の作製４０すなわち前
のランでの履歴をなくすため、Ｄ，Ｅに示すプラ
ズマエツチング工程を行つてもよい。すなわち第
３図Ｂは真空引４９CF₄またはCF₄＋O₂（約５％）
を第１図での１７より導入し、20分〜１時間プラ
ズマエツチング５３を行なつた。さらに真空引を
してその後Ｃ、Ｆの残留物を除去するため水素プ
ラズマ処理５０を10〜30分、さらにこのＩ層に
0.05〜0.5μのＩ型または次の工程の最初のランの
半導体層４２′と同様の導電型、成分の半導体層
の作製を行なつた。この方法が最も徹底して再現
性を保証することができた。

簡単な方法としてはＥに示す４９の真空引、プ
ラズマエツチング５３残部吸着ガスの除去５０の
工程を行なつた。

かくすることにより第１の半導体装置の作製４
８の最後工程４４と次の工程４８′の最初の工程
４２′との間でＰまたはＮ型の不純物が互いに４
２′にて混入する可能性を除去することができた。

また４４での炭素、ゲルマニユーム等の添加物
を４２′にて混入することも防ぐことができた。

かかる本発明の方法によりその効果を評価した
結果を第４図に示す。

第４図は本発明方法を用いて作られた光電変換
装置の結果である。この場合基板として金属例え
ばステンレス基板または透光性基板であるガラス
上にITOを500〜2000A、さらにこの上に酸化ス
ズまたは酸化アンチモンを100〜500Aの厚さに形
成させた多重膜の電極を有する基板を用いた。こ
の上にＰ型炭化珪素（SixC_1-x０ｘ１）（例え
ばｘ＝0.3〜0.5）を100〜300Aの厚さにまたこの
上面に真性または実質的に真性のASまたはSAS
の珪素を0.4〜0.7μの厚さに、さらにこの上面に
Ｎ型炭化珪素（SixC_1-x０ｘ１例えばｘ＝0.3
〜0.5）を100〜300Aの厚さに形成させたPIN構
造を有せしめた。このＰ、Ｉ、Ｎ型半導体の仕様
は第３図Ａのチヤートにおける４２，４３，４
４，４２′…に対応させた。

さらにこの後この工程にITOを600〜800Aの厚
さにまたはアルミニユーム金属膜を真空蒸着法で
形成して光電変換装置を作つた。その変換効率を
第４図Ａに示す。

１cm²のセルの大きさでAM1（100ｍＷ／cm²）の
条件にて前処理４０をいれない場合７１の３％
が、また前処理を行なうと７０の値が得られた。
さらに中間の４６の工程を加えることによるラン
（製造）の効率の変化６０になり全く加えな
いと６１が得らえた。

６０はその効率が11〜９％を得ることができる
のに対し、本発明方法を用いない場合１〜４％し
かなかつた。

さらにこのセル面積を100cm²にすると、本発明
方法を用いると７〜９％の効率を得ることができ
るのに際し、本発明方法を用いないと０〜３％で
あつた。特にダイオード特性がないものが30％以
上を有し、製造不可能であつた。

第４図Ｂは特に表面程にてＰ型の半導体を作る
工程でＩ型の珪素半導体を作つた場合の電気伝導
度の値を示す。

前工程でＰ型半導体を作り、本発明方法の中間
処理法の前処理を行なわない時、AM1の光照射
による電気伝導度が６５である。暗伝導度６４と
逆の場合もみられ、またその値も10^-6〜10^-4で大
きな、バラツキがあつた。他方本発明の前処理を
行なつた場合、光伝導度７０、暗伝導度７０′が
得られた。また中間処理を行なつた時に光伝導度
６２、暗伝導度６３が得られた。これらは本発明
におけるドーピング効果防止がいかに重要である
かを明確に示したものである。

以上の説明より明らかな如く、本発明は同一反
応筒を用いて光電変換装置または発光素子のみな
らず、電界効果半導体装置、フオトセンサアレー
等の各種の半導体装置を作製する上にきわめて重
要な製造装置および製造方法を提供したものであ
り、これにより従来たて型のプラズマCD装置に
て10cm□ を４まい作ると同じ時間で、100〜500ま
いの基板上に非単結晶半導体膜を作ることがで
き、きわめて多量生産向きである。さらに本発明
の如き電極構造または基板の配置をすることによ
り、PIN構造を有する光電変換装置において10％
以上の変換効率をくりかえし安定して得ることが
でき、その膜質においてもきわめてすぐれたもの
であつた。

本発明においては、炭化珪素（SixC_1-x０ｘ
１）を中心として記した。しかし反応性気体を
ゲルマンを用いると、SixGe_1-x（０ｘ１）を
得ることができ、第１のPIN構造を珪素と炭化珪
素によりさらに第２のPIN構造を珪素と珪化ゲル
マニユームによりPINPIN構造いわゆるタンデム
構造を得ることも可能である。

本発明は第１図に示す横型のプラズマCVD装
置を中心として示した。しかしその電極の作り方
を誘電型としたり、またアーク放電を利用するプ
ラズマCVD装置であつても本発明は有効である。
またたて型、たて横型のベルジヤー型のプラズマ
CVD装置であつても同様に本発明方法を適用す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプラズマ気相装置である。第
２図は第１図の一部を示す。第３図は第１図の装
置を用い、本発明方法のプラズマ気相法を用いる
チヤートである。第４図Ａは第３図のチヤートに
従つて得られた光電変換装置の効率およびＢは本
発明方法のドーピング防止効果を示す他の資料で
ある。

Claims

【特許請求の範囲】１プラズマ気相法により反応炉内に配設された
基板上にＰまたはＮ型の半導体層を形成するに際
し、上記半導体層を成形する前に、前記反応炉内
壁または基板ホルダーの表面に、真性または実質
的に真性の半導体層または次に形成すべき導電型
と同じ導電型の半導体層を形成することにより、
前工程で形成された半導体層中のＰまたはＮ型の
不純物、若しくは反応炉内壁よりの酸素、アルカ
リ金属等の不純物が、新たに形成すべき基板上の
半導体層中へ混入するのを防止することを特徴と
する半導体装置作製方法。２特許請求の範囲第１項において、反応炉、ま
たは反応炉および反応炉に設置した基板ホルダー
に対する真性または実質的に真性の半導体層の形
成が半導体層の作製温度T₀に対しT₀−50℃〜T₀
＋50℃の範囲で行われることを特徴とする半導体
装置作製方法。