JPH0124359B2 - - Google Patents
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- JPH0124359B2 JPH0124359B2 JP60073172A JP7317285A JPH0124359B2 JP H0124359 B2 JPH0124359 B2 JP H0124359B2 JP 60073172 A JP60073172 A JP 60073172A JP 7317285 A JP7317285 A JP 7317285A JP H0124359 B2 JPH0124359 B2 JP H0124359B2
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- Japan
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- film
- emitting layer
- thin film
- insulating layer
- light emitting
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的分野〕
本発明は絶縁耐圧が高くかつ経時的な特性劣化
の少ない薄膜EL発光素子の製造方法に関するも
のである。
の少ない薄膜EL発光素子の製造方法に関するも
のである。
従来よりEL薄膜の電気的保護、湿気からの保
護の目的で電極と絶縁層との間あるいは電極と発
光層との間、または最外部にSi3N4薄膜を有する
薄膜EL素子が知られているが、このようなSi3N4
薄膜は、従来熱CVD法、プラズマCVD法および
スパツタ法により製造されていた。
護の目的で電極と絶縁層との間あるいは電極と発
光層との間、または最外部にSi3N4薄膜を有する
薄膜EL素子が知られているが、このようなSi3N4
薄膜は、従来熱CVD法、プラズマCVD法および
スパツタ法により製造されていた。
熱CVD法においては、Si3N4薄膜を形成する際
に500〜1000℃の高温度を必要とするため、ガラ
ス基板を用いた場合には基板の熱的変形やあるい
はすでに形成された発光層と絶縁層との熱膨張係
数の差により、これら薄膜中にクラツクが発生し
電圧印加時にその部分がリーク部になり破壊しや
すいという欠点があつた。
に500〜1000℃の高温度を必要とするため、ガラ
ス基板を用いた場合には基板の熱的変形やあるい
はすでに形成された発光層と絶縁層との熱膨張係
数の差により、これら薄膜中にクラツクが発生し
電圧印加時にその部分がリーク部になり破壊しや
すいという欠点があつた。
またプラズマCVD法で形成されたSi3N4膜は熱
CVD法に比べて緻密度が低く湿気からの保護に
対し充分な効果が得られていなかつた。
CVD法に比べて緻密度が低く湿気からの保護に
対し充分な効果が得られていなかつた。
一方、スパツタ法では、Si3N4膜形成時にスパ
ツタイオンによつて、すでに形成されている膜が
損傷を受け、素子特性に悪影響を与えるという問
題があつた。
ツタイオンによつて、すでに形成されている膜が
損傷を受け、素子特性に悪影響を与えるという問
題があつた。
上述のように従来のいずれの方法によつて形成
したSi3N4膜も、EL素子の素子特性を低下させる
ことなく、素子の耐電気的および耐湿的性能を向
上させる上で不十分であつた。
したSi3N4膜も、EL素子の素子特性を低下させる
ことなく、素子の耐電気的および耐湿的性能を向
上させる上で不十分であつた。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、
緻密はSi3N4膜を基板、発光層などを損傷させる
ことがなく形成することにより、発光層中への湿
気の侵入ないし背面電極材料の絶縁層または前記
発光層中への湿気の拡散を防止し、耐湿性および
安定性を向上せしめた薄膜EL素子を製造する方
法を提供することを目的とするものである。
緻密はSi3N4膜を基板、発光層などを損傷させる
ことがなく形成することにより、発光層中への湿
気の侵入ないし背面電極材料の絶縁層または前記
発光層中への湿気の拡散を防止し、耐湿性および
安定性を向上せしめた薄膜EL素子を製造する方
法を提供することを目的とするものである。
したがつて本発明による薄膜EL素子の製造方
法は、少なくとも一方が透明である一対の電極間
に発光層あるいは発光層と絶縁層を挟持した薄膜
EL素子の製造方法において、最外部に形成した
電極と絶縁層あるいは電極と発光層との間又は最
外部にSi3N4膜形成用原料ガラスを10-3Torr以下
の条件下で電子サイクロトロン共鳴によつて生じ
たプラズマにより反応させ、500℃以下の温度で、
Si3N4膜を形成することを特徴とするものであ
る。
法は、少なくとも一方が透明である一対の電極間
に発光層あるいは発光層と絶縁層を挟持した薄膜
EL素子の製造方法において、最外部に形成した
電極と絶縁層あるいは電極と発光層との間又は最
外部にSi3N4膜形成用原料ガラスを10-3Torr以下
の条件下で電子サイクロトロン共鳴によつて生じ
たプラズマにより反応させ、500℃以下の温度で、
Si3N4膜を形成することを特徴とするものであ
る。
本発明により薄膜EL素子によれば、ECRプラ
ズマCVD法により500℃以下の温度でSi3N4膜を
生成しているため、すでに形成されている絶縁
層、発光層、ガラス基板などに熱的な損傷を与え
る虞がないばかりでなく、緻密なSi3N4膜を提供
できる。したがつて本発明による薄膜EL素子は、
湿気および電気的に良好に保護され、素子の劣化
が防止可能になるとともに絶縁耐圧が向上すると
いう利点がある。
ズマCVD法により500℃以下の温度でSi3N4膜を
生成しているため、すでに形成されている絶縁
層、発光層、ガラス基板などに熱的な損傷を与え
る虞がないばかりでなく、緻密なSi3N4膜を提供
できる。したがつて本発明による薄膜EL素子は、
湿気および電気的に良好に保護され、素子の劣化
が防止可能になるとともに絶縁耐圧が向上すると
いう利点がある。
第１図は本発明による薄膜EL素子の一構成例
の断面図であり、図中、１は基板、２は透明電
極、３は発光層、４は絶縁層、５はSi3N4膜、６
は背面電極を示す。このような第１図より明らか
なように、本発明による一構成例においては、た
とえばガラス基板１上に、たとえば酸化インジウ
ム（In2O3）と酸化錫（SnO2）との混合膜（ITO
膜）よりなる透明電極２が形成されており、この
透明電極２にさらに、たとえば硫化亜鉛（ZnS）
と弗化テルビウム（TbF3）の混合蒸着膜からな
る発光層３が形成されている。上記発光層３の上
部には、たとえば酸化サマリウム（Sm2O3）の
蒸着膜からなる絶縁層４が積層され、この絶縁層
４上に窒化シリコン（Si3N4）膜５が形成されて
いるとともに、Alの蒸着膜などよりなる背面電
極６が積層されている。
の断面図であり、図中、１は基板、２は透明電
極、３は発光層、４は絶縁層、５はSi3N4膜、６
は背面電極を示す。このような第１図より明らか
なように、本発明による一構成例においては、た
とえばガラス基板１上に、たとえば酸化インジウ
ム（In2O3）と酸化錫（SnO2）との混合膜（ITO
膜）よりなる透明電極２が形成されており、この
透明電極２にさらに、たとえば硫化亜鉛（ZnS）
と弗化テルビウム（TbF3）の混合蒸着膜からな
る発光層３が形成されている。上記発光層３の上
部には、たとえば酸化サマリウム（Sm2O3）の
蒸着膜からなる絶縁層４が積層され、この絶縁層
４上に窒化シリコン（Si3N4）膜５が形成されて
いるとともに、Alの蒸着膜などよりなる背面電
極６が積層されている。
本発明において、前記基板１、透明電極２、発
光層３、絶縁層４などの材料は基本的に限定され
るものではなく、従来この種の薄膜EL素子に用
いられている材料を有効に用いることができる。
また、基板１より絶縁層４ないしSi3N4膜５に至
る積層順も限定されるものではなく、前記絶縁層
４を省略してもよい。また、前記Si3N4膜５の位
置は、この実施例においては、背面電極６と絶縁
層４との間に挟着されているが、前述のように電
極６と発光層３（Si3N4膜５が絶縁層の作用を行
うため絶縁層４が省略されている）との間に形成
してもよいし、また電極６の外側、すなわち再外
側に形成してもよい。
光層３、絶縁層４などの材料は基本的に限定され
るものではなく、従来この種の薄膜EL素子に用
いられている材料を有効に用いることができる。
また、基板１より絶縁層４ないしSi3N4膜５に至
る積層順も限定されるものではなく、前記絶縁層
４を省略してもよい。また、前記Si3N4膜５の位
置は、この実施例においては、背面電極６と絶縁
層４との間に挟着されているが、前述のように電
極６と発光層３（Si3N4膜５が絶縁層の作用を行
うため絶縁層４が省略されている）との間に形成
してもよいし、また電極６の外側、すなわち再外
側に形成してもよい。
このような薄膜EL素子において、本発明にお
いては、500℃以下の温度でECRプラズマCVD法
により形成したSi3N4膜５を用いている。Si3N4
薄膜を形成する温度が500℃を超えると、下地の
発光層、絶縁層、基板などを熱的に損傷する虞を
生じるからである。
いては、500℃以下の温度でECRプラズマCVD法
により形成したSi3N4膜５を用いている。Si3N4
薄膜を形成する温度が500℃を超えると、下地の
発光層、絶縁層、基板などを熱的に損傷する虞を
生じるからである。
前述のECRプラズマCVD法は電子サイクロト
ロン共鳴によりプラズマを形成し、そのプラズマ
により基板１上にSi3N4膜５を生成させる方法で
あるが、電子サイクロトロン共鳴により発生した
プラズマは高エネルギを有しており、低温、低圧
下においてSi3N4膜が生成できるという利点があ
るとともに、生成したSi3N4膜が緻密化するとい
う利点もある。すなわち、低温（500℃以下）
でSi3N4膜を形成可能であることより、Si3N4膜
の下地の絶縁層４、発光層３、基板２などに熱に
よる損傷を与えることがない、低圧でSi3N4膜
を形成することにより、不純物の混入が少なくな
る、高エネルギのプラズマによつてSi3N4膜を
形成させるので、Si3N4膜が緻密化するなどの
種々の利点を有している。
ロン共鳴によりプラズマを形成し、そのプラズマ
により基板１上にSi3N4膜５を生成させる方法で
あるが、電子サイクロトロン共鳴により発生した
プラズマは高エネルギを有しており、低温、低圧
下においてSi3N4膜が生成できるという利点があ
るとともに、生成したSi3N4膜が緻密化するとい
う利点もある。すなわち、低温（500℃以下）
でSi3N4膜を形成可能であることより、Si3N4膜
の下地の絶縁層４、発光層３、基板２などに熱に
よる損傷を与えることがない、低圧でSi3N4膜
を形成することにより、不純物の混入が少なくな
る、高エネルギのプラズマによつてSi3N4膜を
形成させるので、Si3N4膜が緻密化するなどの
種々の利点を有している。
このようなECRプラズマCVD法によつて薄膜
EL素子のSi3N4膜５を形成する方法を前記の薄膜
EL素子の構成例に基づき説明する。
EL素子のSi3N4膜５を形成する方法を前記の薄膜
EL素子の構成例に基づき説明する。
前述の構成例においては、基板１、透明電極
２、発光層３および絶縁層４を順次積層した後、
Si3N4膜５を形成するわけであるが、前述のよう
に絶縁層４まで積層した基板１をECRプラズマ
装置内に入れ、プラズマを発生させるためのガ
ス、たとえばN2、Arなどのガスを、好ましくは
10-5〜10-3Torrの圧力になるように導入する。
このガスの圧力が10-5Torr未満であると、プラ
ズマが発生しない虞があり、また一方10-3Torr
より高いと形成された膜の緻密性が悪化し、さら
には膜の組成が変化し、薄膜EL素子を充分保護
しえない虞を生じるからである。
２、発光層３および絶縁層４を順次積層した後、
Si3N4膜５を形成するわけであるが、前述のよう
に絶縁層４まで積層した基板１をECRプラズマ
装置内に入れ、プラズマを発生させるためのガ
ス、たとえばN2、Arなどのガスを、好ましくは
10-5〜10-3Torrの圧力になるように導入する。
このガスの圧力が10-5Torr未満であると、プラ
ズマが発生しない虞があり、また一方10-3Torr
より高いと形成された膜の緻密性が悪化し、さら
には膜の組成が変化し、薄膜EL素子を充分保護
しえない虞を生じるからである。
このような状態において、任意に予備プラズマ
照射を行つて、前記基板１を清浄化し、反応ガス
であるSiH4ガスとN2ガスをそれぞれ、好ましく
は10〜30c.c.／minの流量で導入する。SiH4ガスと
N2ガスのそれぞれの流量が10〜30c.c.／minの範
囲を逸脱すると、Si3N4膜の組成が変化し、緻密
性が損なわれる虞を生じるからである。この
SiH4ガスとN2ガスを導入した場合にあつても、
装置内の圧力は前述の範囲、すなわち10-5〜10-3
Torrに保持するのがよい。前述と同様に圧力が
10-5Torr未満であると、プラズマが発生しない
虞があり、また一方10-3Torrより高いと形成さ
れた膜の緻密性が悪化し、さらには膜の組成が変
化し、薄膜EL素子を充分保護しえない虞を生じ
るからである。
照射を行つて、前記基板１を清浄化し、反応ガス
であるSiH4ガスとN2ガスをそれぞれ、好ましく
は10〜30c.c.／minの流量で導入する。SiH4ガスと
N2ガスのそれぞれの流量が10〜30c.c.／minの範
囲を逸脱すると、Si3N4膜の組成が変化し、緻密
性が損なわれる虞を生じるからである。この
SiH4ガスとN2ガスを導入した場合にあつても、
装置内の圧力は前述の範囲、すなわち10-5〜10-3
Torrに保持するのがよい。前述と同様に圧力が
10-5Torr未満であると、プラズマが発生しない
虞があり、また一方10-3Torrより高いと形成さ
れた膜の緻密性が悪化し、さらには膜の組成が変
化し、薄膜EL素子を充分保護しえない虞を生じ
るからである。
このような状態において、好ましくは100〜
250Wのマイクロ波の出力で電子サイクロトン共
鳴によりプラズマを生成し、Si3N4膜を絶縁層４
上に形成する。この場合マイクロ波の出力が100
〜250Wの範囲を逸脱すると、Si3N4膜の応力が
大きくなりすぎ、ひび割れなどを生じる虞がある
からである。
250Wのマイクロ波の出力で電子サイクロトン共
鳴によりプラズマを生成し、Si3N4膜を絶縁層４
上に形成する。この場合マイクロ波の出力が100
〜250Wの範囲を逸脱すると、Si3N4膜の応力が
大きくなりすぎ、ひび割れなどを生じる虞がある
からである。
このようなSi3N4膜５の形成時ないし予備プラ
ズマ照射時に、本発明においては基板の加熱を行
わない。
ズマ照射時に、本発明においては基板の加熱を行
わない。
次ぎに実施例について説明する。
第１図に示した構成の薄膜EL素子を製造した。
すなわち、ガラス基板１上に、酸化インジウム
（In2O3）と酸化錫（SnO2）との混合膜（ITO膜）
よりなる透明電極２を形成し、この透明電極２に
硫化亜鉛（ZnS）と弗化テルビウム（TbF3）の
混合蒸着膜からなる発光層３を形成させた。上記
発光層３の上部に、酸化サマリウム（Sm2O3）
の蒸着膜からなる絶縁層４を積層した基板１を
ECRプラズマCVD装置内に設置し、ベルジヤ内
を10-6Torr台まで排気したのち、N2ガスを４×
10-4Torrの圧力になるように導入し、１分以上
予備プラズマ照射を行つた。
すなわち、ガラス基板１上に、酸化インジウム
（In2O3）と酸化錫（SnO2）との混合膜（ITO膜）
よりなる透明電極２を形成し、この透明電極２に
硫化亜鉛（ZnS）と弗化テルビウム（TbF3）の
混合蒸着膜からなる発光層３を形成させた。上記
発光層３の上部に、酸化サマリウム（Sm2O3）
の蒸着膜からなる絶縁層４を積層した基板１を
ECRプラズマCVD装置内に設置し、ベルジヤ内
を10-6Torr台まで排気したのち、N2ガスを４×
10-4Torrの圧力になるように導入し、１分以上
予備プラズマ照射を行つた。
この後、ベルジヤー内にSiH4ガスとN2ガスを
それぞれ20c.c.／min、30c.c.／minの流量で導入し
た。このときの全圧力は、４×10-4Torrであつ
た。次ぎに、マイクロ波出力200Wの条件で電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマを発生させ
て、前記基板１上にSi3N4膜５を形成した。
それぞれ20c.c.／min、30c.c.／minの流量で導入し
た。このときの全圧力は、４×10-4Torrであつ
た。次ぎに、マイクロ波出力200Wの条件で電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマを発生させ
て、前記基板１上にSi3N4膜５を形成した。
このようにして作製したSi3N4膜を緩衝フツ酸
（50％HF：40％NH4F＝15：85）によつてエツチ
ングした際のエツチレートは５Å／minであり、
800℃で熱CVD法によつて作製したSi3N4のエツ
チレートは10Å／minであつた。このようにエツ
チレートが低いことはECRプラズマCVD法によ
り作製したSi3N4膜の緻密性が高く、すなわち耐
湿性が優れていることを示している。なお、
ECRプラズマ法は基板の温度上昇が小さく、そ
の温度上昇が500℃以下に抑えられるので、本発
明のようにECRプラズマCVD法によりSi3N4膜を
形成すれば、下地の発光層や絶縁層が膜形成時に
損傷を受けることがない。
（50％HF：40％NH4F＝15：85）によつてエツチ
ングした際のエツチレートは５Å／minであり、
800℃で熱CVD法によつて作製したSi3N4のエツ
チレートは10Å／minであつた。このようにエツ
チレートが低いことはECRプラズマCVD法によ
り作製したSi3N4膜の緻密性が高く、すなわち耐
湿性が優れていることを示している。なお、
ECRプラズマ法は基板の温度上昇が小さく、そ
の温度上昇が500℃以下に抑えられるので、本発
明のようにECRプラズマCVD法によりSi3N4膜を
形成すれば、下地の発光層や絶縁層が膜形成時に
損傷を受けることがない。
前記のように作製したSi3N4膜５上にAl蒸着膜
の背面電極６を形成して薄膜EL素子とした。
の背面電極６を形成して薄膜EL素子とした。
この薄膜EL素子を動作させるには、透明電極
２と背面電極６との間に交流電圧を印加する。こ
れにより発光層３を発光させて透明ガラス基板１
の表面側より発光を観察することができる。
２と背面電極６との間に交流電圧を印加する。こ
れにより発光層３を発光させて透明ガラス基板１
の表面側より発光を観察することができる。
第２図は薄膜EL素子に5KHzの交流電圧を印加
した際の輝度−電圧特性曲線であり、図中、Ａは
本発明による薄膜EL素子の輝度−電圧特性曲線
であり、ＢはSi3N4膜を用いない薄膜EL素子の輝
度−電圧特性曲線である。この図より判るよう
に、1nitの輝度が得られる電圧と素子が絶縁破壊
を起こす電圧の差が本発明による素子では105V
であり、Si3N4膜を用いない素子での45Vに比べ
て２倍以上の電圧差が得られている。このことは
本発明に用いたSi3N4膜が、薄膜EL素子を電気的
に保護する効果に優れていることを示している。
した際の輝度−電圧特性曲線であり、図中、Ａは
本発明による薄膜EL素子の輝度−電圧特性曲線
であり、ＢはSi3N4膜を用いない薄膜EL素子の輝
度−電圧特性曲線である。この図より判るよう
に、1nitの輝度が得られる電圧と素子が絶縁破壊
を起こす電圧の差が本発明による素子では105V
であり、Si3N4膜を用いない素子での45Vに比べ
て２倍以上の電圧差が得られている。このことは
本発明に用いたSi3N4膜が、薄膜EL素子を電気的
に保護する効果に優れていることを示している。
第３図は100Hz、70Vの交流電圧を印加し、室
内雰囲気中で薄膜EL素子を駆動した際の輝度の
経時変化特性を示す。図中、Ｃは本発明による薄
膜EL素子の経時変化特性であり、ＤはSi3N4膜を
用いない場合の経時変化特性である。
内雰囲気中で薄膜EL素子を駆動した際の輝度の
経時変化特性を示す。図中、Ｃは本発明による薄
膜EL素子の経時変化特性であり、ＤはSi3N4膜を
用いない場合の経時変化特性である。
この第３図より明らかなように、本発明による
薄膜EL素子は、経時的な特性の変化が少ない。
このような素子特性の劣化の原因としては、湿気
の混入、電極材料の絶縁層、発光層中への拡散な
どが考えられる。第３図に示したように特性劣化
が少ないのは、本発明で用いたSi3N4膜が緻密で
あるため素子を湿気から保護する効果および電極
材料の拡散を防ぐ効果が優れているためと考えら
れる。
薄膜EL素子は、経時的な特性の変化が少ない。
このような素子特性の劣化の原因としては、湿気
の混入、電極材料の絶縁層、発光層中への拡散な
どが考えられる。第３図に示したように特性劣化
が少ないのは、本発明で用いたSi3N4膜が緻密で
あるため素子を湿気から保護する効果および電極
材料の拡散を防ぐ効果が優れているためと考えら
れる。
なお上記実施例においては、発光層に弗化テル
ビウムを添加した硫化亜鉛薄膜を使用し、また素
子構成としては発光層の片側にのみ絶縁層を設け
たものであるが、本発明においては、これに限定
されるものではなく、発光層を二枚の絶縁層で挟
持した構造の薄膜EL素子や弗化テルビウム添加
の硫化亜鉛薄膜以外のものであつても、上部絶縁
層と電極膜との間に本発明によるSi3N4膜を形成
すれば、耐電圧、耐湿性に富んだ薄膜EL素子を
実現することができる。また、電極と発光層との
間にSi3N4膜を形成すれば、絶縁層として用いる
ことができ、耐電圧、耐湿性に富んだ薄膜EL素
子を実現できる。また、最外部にSi3N4膜を形成
した場合は耐湿性に富んだ薄膜EL素子を実現で
きる。
ビウムを添加した硫化亜鉛薄膜を使用し、また素
子構成としては発光層の片側にのみ絶縁層を設け
たものであるが、本発明においては、これに限定
されるものではなく、発光層を二枚の絶縁層で挟
持した構造の薄膜EL素子や弗化テルビウム添加
の硫化亜鉛薄膜以外のものであつても、上部絶縁
層と電極膜との間に本発明によるSi3N4膜を形成
すれば、耐電圧、耐湿性に富んだ薄膜EL素子を
実現することができる。また、電極と発光層との
間にSi3N4膜を形成すれば、絶縁層として用いる
ことができ、耐電圧、耐湿性に富んだ薄膜EL素
子を実現できる。また、最外部にSi3N4膜を形成
した場合は耐湿性に富んだ薄膜EL素子を実現で
きる。
以上説明したように、背面電極と絶縁層などと
の間に500℃以下の温度でECRプラズマCVD法に
よりSi3N4膜を形成することにより、薄膜EL素子
は湿気より保護され、また電気的にも保護される
ことになるため、絶縁耐性が向上し、かつ素子特
性の劣化を防ぐことができるという利点がある。
また、最外部に500℃以下の温度でECRプラズマ
CVD法によりSi3N4膜を形成すると、薄膜EL素
子を湿気より保護可能になることから、この場合
においても素子特性の劣化を防止可能になるとい
う利点を生じる。
の間に500℃以下の温度でECRプラズマCVD法に
よりSi3N4膜を形成することにより、薄膜EL素子
は湿気より保護され、また電気的にも保護される
ことになるため、絶縁耐性が向上し、かつ素子特
性の劣化を防ぐことができるという利点がある。
また、最外部に500℃以下の温度でECRプラズマ
CVD法によりSi3N4膜を形成すると、薄膜EL素
子を湿気より保護可能になることから、この場合
においても素子特性の劣化を防止可能になるとい
う利点を生じる。
第１図は本発明による薄膜EL素子の一構成例
の断面図、第２図は実施例による薄膜EL素子に
5KHzの交流電圧を印加したときの輝度−電圧特
性を示した図、第３図は前記実施例による薄膜
EL素子に1KHz、70Vの交流電圧を印加し、室内
雰囲気中で駆動したときの輝度の経時変化特性を
示した図である。 １……基板、２……透明電極、３……発光層、
４……絶縁層、５……Si3N4膜、６……背面電
極。
の断面図、第２図は実施例による薄膜EL素子に
5KHzの交流電圧を印加したときの輝度−電圧特
性を示した図、第３図は前記実施例による薄膜
EL素子に1KHz、70Vの交流電圧を印加し、室内
雰囲気中で駆動したときの輝度の経時変化特性を
示した図である。 １……基板、２……透明電極、３……発光層、
４……絶縁層、５……Si3N4膜、６……背面電
極。
Claims (1)
- １ 少なくとも一方が透明である一対の電極間に
発光層あるいは発光層と絶縁層を挟持した薄膜
EL素子の製造方法において、最外部に形成した
電極と絶縁層あるいは電極と発光層との間又は最
外部に、Si3N4膜形成用原料ガスを10-3Torr以下
の条件下で電子サイクロトロン共鳴によつて生じ
たプラズマにより反応させ、500℃以下の温度で、
Si3N4膜を形成することを特徴とする薄膜EL素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60073172A JPS61232598A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60073172A JPS61232598A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61232598A JPS61232598A (ja) | 1986-10-16 |
| JPH0124359B2 true JPH0124359B2 (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=13510457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60073172A Granted JPS61232598A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61232598A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3577117B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2004-10-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子の製法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224959Y2 (ja) * | 1981-05-28 | 1987-06-25 |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP60073172A patent/JPS61232598A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61232598A (ja) | 1986-10-16 |
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