JPH01243610A - 静電誘導型トランジスタ回路の自動バイアス回路 - Google Patents

静電誘導型トランジスタ回路の自動バイアス回路

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JPH01243610A
JPH01243610A JP63071227A JP7122788A JPH01243610A JP H01243610 A JPH01243610 A JP H01243610A JP 63071227 A JP63071227 A JP 63071227A JP 7122788 A JP7122788 A JP 7122788A JP H01243610 A JPH01243610 A JP H01243610A
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JP
Japan
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circuit
voltage
sit
gate
automatic bias
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JP63071227A
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Hiroyuki Wada
浩之 和田
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Tokin Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔分野の概要〕 本発明は、静電誘導トランジスタ(以下SITと称す)
の駆動回路に於て、SITを保護するためのゲート側に
接続する自動バイアス回路に関する。
〔従来技術の内容と問題点〕
従来SITのゲート電圧はドレーン側電圧が正の電圧の
時には、常に負の電圧にバイアスされていないとSIT
は破壊してしまうことから、SITの保護のため別途に
ゲート側を負電圧に保つためのバイアス用電源を必要と
し、別途の電源回路を必要としていた。このため従来、
ゲート側に設けるバイアス回路では、電源トランスや安
定化回路、時間遅れ回路等のバイアス用電源部品を必要
とするなど装置価格を高価にする欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は、従来SITのゲート側駆動回路を構成してい
た、電源トランス、安定化回路、時間遅延回路を省略し
、簡単な自動バイアス回路をゲート側に挿入してSIT
を駆動する、回路構成を簡単にしたSIT駆動回路を提
供することにある。
〔発明の構成〕
本発明は、SITを用いた機器に於て、ドレーン側電圧
がオフとなる時間に対し、ゲート側の回路のオフとなる
時間を遅延させるための自動バイアス回路をゲート駆動
回路内に設けるものであり、従来ドレーン側回路に接続
されている平滑用コン ′デンサの、蓄積電荷による残
留放電電圧により発生するSITの破損を防止するため
、ゲートとソース間に、抵抗で側路されたダイオードの
正極をSITのゲートに接続し、又抵抗、で側路された
ダイオードと、固定抵抗と、コンデンサとを直列に接続
してSIT駆動回路の自動バイアス回路を構成するもの
で、即ち本発明は、静電誘導型トランジスタ(SIT)
を駆動する駆動回路に於て、静電誘導型トランジスタの
ゲート、ソース間に正極を向く抵抗で側路したダイオー
ド、コンデンサ、抵抗を直列に接続し、一方をゲート側
に、他方をソース側に接続したことを特徴とする静電誘
導型トランジスタ回路の自動バイアス回路である。
〔実施例による説明〕
以下、本発明の実施例を図を参照して説明する。
第1図は、本発明の自動バイアス回路を示し、第2図は
、電源全体を一度オフとした時のSITのゲート(G)
とソース(S)間の電圧とVGSドレーン、ソース間電
圧VDSの時間の経過とそれぞれの電圧変化との関係を
示す。
電源電圧のオフとゲート側バイアス電圧オフの時間が同
時の場合、電源ラインに挿入されている平滑用コンデン
サの放電電圧によりSITが破損することがある。
SITの保護のためには、ドレーン側電源電圧のオフの
時間に比べてゲート側バイアス電圧のオフの時間を遅延
させる必要がある。このためSITを駆動する駆動回路
に自動バイアス回路を設けるものである。
第1図に於て、SITのゲート、ソース間に挿入されて
いる抵抗R,R,,ダイオードDD、コンデンサCの回
路が本発明による自動バイアス回路であるが、Rはゲー
ト、ソース間に加わる信号電圧に影響を与えないため数
にΩの抵抗とし、コンデンサは充電用のコンデンサであ
り、ダイオードDDとにより入力信号からゲート側に直
流のバイアス電圧を作り自動バイアス回路を構成し、コ
ンデンサは1μF程度の容量を持つフィルムコンデンサ
でダイオードはプレーナー型ダイオードを用いている。
第1図に於けるゲート人力a、bにはソース側を設置電
位としたOvから負の駆動信号矩形波電圧が入力され、
信号電圧によりコンデンサCに電圧が蓄積されバイアス
直流電圧を得ることになる。
負電圧に於ては、SITのゲートの電位が下がるために
コンデンサCの放電がおころうとするがダイオードDD
により阻止することになる。電源全体をオフとするとバ
イアス電圧も0となりダイオードDDと並列に接続され
ている抵抗R1によりコンデンサCに蓄積された電圧が
放電され、第2図に示す特性が得られ、ドレーン側電源
のオフとバイアス回路のバイアス電圧との時間の遅延が
はかられ、SITの保護が行える。
尚、SITの全体の回路として、ドレーン側電源には電
源オン時にはソフトスタート回路、又は全体電源をオン
にした時から遅れて、リレー等を用いドレーン電圧を印
加する様回路を構成しである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の自動バイアス回路を設け
ることにより、従来SITの駆動回路には、ゲート側を
負電圧にバイアスするためのゲート電圧を作る電源回路
を必要とし、又ゲート側バイアス電圧は常にドレーン電
圧がオフ状態になって始めてオフとするため、特に装置
電源をオン、オフする時にはドレン電圧、ゲート電圧そ
れぞれにオン、オフの時間を調整する回路を必要とした
のに対し、ゲート、ソース間を本発明の回路とすること
により、装置電源をオンにするときのドレーン側とゲー
ト側の簡単な時間調整回路を設けるのみで済み、SIT
のゲート側の駆動回路を大幅に簡略化出来、SITを用
いた安価な使い易い装置が提供出来る様になった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるSIT自動バイアス回路、負荷
側回路を示す図。 第2図は、装置電源をオフとしたときのVDS(ドレー
ンソース電圧)と、VGS(ゲート、ソース電圧)の時
間変化を示す図。 以下余白 1・・・静電誘導型トランジスタ(SIT)。 2・・・ドレーン側コンデンサ(CB)。 3・・・負荷側抵抗(RL)。 R%R1、R2、RB・・・抵抗。 DD・・・ダイオード。 C,CB・・・コンデンサ。 D・・・ドレーン端子 G・・・ゲート端子。 S・・・ソース端子。 a、b・・・入力。 A・・・ドレーン、ソース間電圧(VDS) 。 B・・・ゲート、ソース間電圧(VGS)。 Vin・・・入力信号電圧。 特許出願人  東北金属工業株式会社 lc: く7 第2図 →を吋話

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 静電誘導型トランジスタ(SIT)を駆動する駆動回路
    に於て、静電誘導型トランジスタのゲート、ソース間に
    、正極を向く抵抗で側路したダイオード、コンデンサ、
    抵抗を直列に接続し、一方をゲート側に、他方をソース
    側に接続したことを特徴とする静電誘導型トランジスタ
    回路の自動バイアス回路。
JP63071227A 1988-03-24 1988-03-24 静電誘導型トランジスタ回路の自動バイアス回路 Expired - Lifetime JPH0693578B2 (ja)

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JP63071227A JPH0693578B2 (ja) 1988-03-24 1988-03-24 静電誘導型トランジスタ回路の自動バイアス回路

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JPH01243610A true JPH01243610A (ja) 1989-09-28
JPH0693578B2 JPH0693578B2 (ja) 1994-11-16

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5442449U (ja) * 1977-08-29 1979-03-22
JPS5518155A (en) * 1978-07-25 1980-02-08 Nec Corp Power amplifier

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5442449U (ja) * 1977-08-29 1979-03-22
JPS5518155A (en) * 1978-07-25 1980-02-08 Nec Corp Power amplifier

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