JPH01246733A - 真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器 - Google Patents
真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器Info
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- JPH01246733A JPH01246733A JP63074146A JP7414688A JPH01246733A JP H01246733 A JPH01246733 A JP H01246733A JP 63074146 A JP63074146 A JP 63074146A JP 7414688 A JP7414688 A JP 7414688A JP H01246733 A JPH01246733 A JP H01246733A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高耐電圧性及び耐溶着性に優れた真空遮断器
用接点並びにその製造方法及び真空遮断器に関する。
用接点並びにその製造方法及び真空遮断器に関する。
真空遮断器用電極接点としては、従来から種々の材料が
開発されてきている。主な材料として、代表されるもの
にはＣｕをベースとした溶解合金（Ｃｕ−Ｐｂ、Ｃｕ−
Ｂ１．Ｃｕ−Ｃｏ−Ｂ１Ｐｂなど）、あるいは特開昭５
４−７３２８４号のような粉末冶金的に作られるＷ Ｃ
−Ａ ｇや特公昭４５−３５１０１号に開示されるよう
なＣｒ −Ｃｕ系溶浸合金が知られている。
開発されてきている。主な材料として、代表されるもの
にはＣｕをベースとした溶解合金（Ｃｕ−Ｐｂ、Ｃｕ−
Ｂ１．Ｃｕ−Ｃｏ−Ｂ１Ｐｂなど）、あるいは特開昭５
４−７３２８４号のような粉末冶金的に作られるＷ Ｃ
−Ａ ｇや特公昭４５−３５１０１号に開示されるよう
なＣｒ −Ｃｕ系溶浸合金が知られている。
以上の背景で、最近、真空遮断器は益々高電圧化、大電
流遮断の要望が高まりつつあり、現在は後者のＣｒ−Ｃ
ｕ系、あるいはその改良材が非常に多く提案されつつあ
る。特にこのＣｒ −Ｃｕ材は原料が安く、Ｉ２造法も
簡単であるところから需要も伸びている。
流遮断の要望が高まりつつあり、現在は後者のＣｒ−Ｃ
ｕ系、あるいはその改良材が非常に多く提案されつつあ
る。特にこのＣｒ −Ｃｕ材は原料が安く、Ｉ２造法も
簡単であるところから需要も伸びている。
ところが、近年になり原子力や核融合などの大出力発電
設備が普及されるようになってから、更に大容量の電源
遮断器が必要となってきている。
設備が普及されるようになってから、更に大容量の電源
遮断器が必要となってきている。
従来であると、高電圧用としてはガス遮断器が使われて
いたが、将来は小型で大電流遮断が可能で、しかも無騒
音、メンテナンスフリーな真空遮断器が適用されると考
えられる。このためには上記したような従来の電極接点
材料では耐電圧及び耐溶着特性の点で限界が出始めてい
る。
いたが、将来は小型で大電流遮断が可能で、しかも無騒
音、メンテナンスフリーな真空遮断器が適用されると考
えられる。このためには上記したような従来の電極接点
材料では耐電圧及び耐溶着特性の点で限界が出始めてい
る。
現在、具体的に提案されている高耐電圧材料には、粉末
冶金的に作られるＣ ｒ −Ｃｕ−セラミックス系とし
て種々の材料が開示されている。例えば、特開昭６１−
１４８７２６号、同６１−２５３７３０号、同５１−１
１６９８１号、同５９−５８７２３号、同６０−１３１
７２３号、同６０−１９７８４０号、同５２−１２０３
７１号、同５５−１４３７３１号、同６０−８９０２０
号及び同６０−１８００２６号などは耐溶着性、あるい
はセラミックス粉末の種類によっては裁断サージを低く
できるなど、比較的有望な材料とみられる。しかし、上
記材料はいずれもＣｕを含んだものから成るため、耐電
圧に限界がある。つまり、Ｃｒ−Ｃｕ−セラミックス系
の材料はＣｒ −Ｃｕ系に対し幾分かの改良は望めるも
のの、Ｃｕが含まれている限りは、Ｃｕ分量に支配され
た耐電圧特性になってしまっていた。
冶金的に作られるＣ ｒ −Ｃｕ−セラミックス系とし
て種々の材料が開示されている。例えば、特開昭６１−
１４８７２６号、同６１−２５３７３０号、同５１−１
１６９８１号、同５９−５８７２３号、同６０−１３１
７２３号、同６０−１９７８４０号、同５２−１２０３
７１号、同５５−１４３７３１号、同６０−８９０２０
号及び同６０−１８００２６号などは耐溶着性、あるい
はセラミックス粉末の種類によっては裁断サージを低く
できるなど、比較的有望な材料とみられる。しかし、上
記材料はいずれもＣｕを含んだものから成るため、耐電
圧に限界がある。つまり、Ｃｒ−Ｃｕ−セラミックス系
の材料はＣｒ −Ｃｕ系に対し幾分かの改良は望めるも
のの、Ｃｕが含まれている限りは、Ｃｕ分量に支配され
た耐電圧特性になってしまっていた。
従来の電極材料では、耐溶着性を持たせるために、それ
自身が脆く剥離しゃすいＣｒを分散させ。
自身が脆く剥離しゃすいＣｒを分散させ。
または骨格としていた。しかし、大電流遮断を繰り返す
と、それでも電接面の溶着は避けられなかった。これを
強制剥離させると電接部の面荒れが進行し電界集中の原
因となる無数の突起物が形成され、この結果、徐々に耐
電圧性を劣化させてしまう傾向にあった。
と、それでも電接面の溶着は避けられなかった。これを
強制剥離させると電接部の面荒れが進行し電界集中の原
因となる無数の突起物が形成され、この結果、徐々に耐
電圧性を劣化させてしまう傾向にあった。
また、Ｃｒ −Ｃｕ系に各種セラミックスを含む材料が
開示されているが、たしかにセラミックスを僅かでも添
加されたものは耐溶着性は向上する傾向にある。しかし
、従来材料は必ず、多かれ少なかれ、Ｃｕが含まれたも
のであった。このＣｕは融点がそれほど高くないため、
繰返しの遮断アーク熱によって面荒れを助長するもので
あった。
開示されているが、たしかにセラミックスを僅かでも添
加されたものは耐溶着性は向上する傾向にある。しかし
、従来材料は必ず、多かれ少なかれ、Ｃｕが含まれたも
のであった。このＣｕは融点がそれほど高くないため、
繰返しの遮断アーク熱によって面荒れを助長するもので
あった。
従って、Ｃｕを含む限りは、既述の如く、Ｃｕ自体も耐
電圧が良くないことからして、より高耐電圧、大電流化
を図る上では限界しこきていた。
電圧が良くないことからして、より高耐電圧、大電流化
を図る上では限界しこきていた。
一方、単にセラミックスを含有させれば良いというもの
ではない。すなわち、真空遮断器にあっては常に大電流
を通電したり、その遮断を繰返している。このため、電
接部分の導電性は常に良好なものでなければ接触抵抗が
増大し、発熱の原因となり、これも面荒れのおおきな要
因となってしまうからである。
ではない。すなわち、真空遮断器にあっては常に大電流
を通電したり、その遮断を繰返している。このため、電
接部分の導電性は常に良好なものでなければ接触抵抗が
増大し、発熱の原因となり、これも面荒れのおおきな要
因となってしまうからである。
本発明の目的は、上記したような従来材料の耐溶着性を
改善し、それと同時に優れた耐電圧性と電流遮断性能を
発揮させることができる真空遮断器用接点を提供するこ
とにある。また、そのような接点の製造方法及び真空遮
断器を提供することを目的としている。
改善し、それと同時に優れた耐電圧性と電流遮断性能を
発揮させることができる真空遮断器用接点を提供するこ
とにある。また、そのような接点の製造方法及び真空遮
断器を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明に係る真空遮断器用接
点は、銅より融点の高い金属間化合物と導電性セラミッ
クスから成るものである。そして、真空遮断器は前記接
点を備え、たものである６導電性のセラミックスの量は
１〜２０重量％の範囲とするのがよい。また、導電性セ
ラミックスとしてはＴｉ、Ｚｒ、Ｍｏ又はＷのボライド
、カーバイド、ナイトライド又はシリサイドが挙げられ
、金属間化合物としてはＮｉＡｌ又はＮ ｉ、Ａ Ｑが
挙げられる。すなわち、ＮｉＡｕ−ＴｉＢ２．ＮｉＡｌ
−ＴｉＮ、ＮｉＡｌ−ＴｉＣ等の複合材料である。
点は、銅より融点の高い金属間化合物と導電性セラミッ
クスから成るものである。そして、真空遮断器は前記接
点を備え、たものである６導電性のセラミックスの量は
１〜２０重量％の範囲とするのがよい。また、導電性セ
ラミックスとしてはＴｉ、Ｚｒ、Ｍｏ又はＷのボライド
、カーバイド、ナイトライド又はシリサイドが挙げられ
、金属間化合物としてはＮｉＡｌ又はＮ ｉ、Ａ Ｑが
挙げられる。すなわち、ＮｉＡｕ−ＴｉＢ２．ＮｉＡｌ
−ＴｉＮ、ＮｉＡｌ−ＴｉＣ等の複合材料である。
前記金属間化合物を具体的に示すと、
ＮｉＡ Ｑ 、 Ｎｉ、Ａ Ｑの他に、Ｎ ｉ２Ａ Ｑ
３ ｙ Ｆ ｅ Ａ Ｑ ＨＦ ｅ Ａ Ｑ ２ ＊
Ｆ ｅ ｚ Ａ Ｑ ｓ ＋ Ｆ ｅ Ａ Ｑ ３
ｓ ＣＯＡ Ｉ２ ｔＣｏｚＡ Ｑ、、 Ｃｒ、Ａ Ｑ
ｔｌ、 Ｃｒ、Ａ Ｑ９． ＣｒＡ Ｑ、等がある。こ
れらの融点は、いずれもＣｕやＡｇより高＜Ｍｏ、Ｗ、
Ｔａ等よりも低いものであり。
３ ｙ Ｆ ｅ Ａ Ｑ ＨＦ ｅ Ａ Ｑ ２ ＊
Ｆ ｅ ｚ Ａ Ｑ ｓ ＋ Ｆ ｅ Ａ Ｑ ３
ｓ ＣＯＡ Ｉ２ ｔＣｏｚＡ Ｑ、、 Ｃｒ、Ａ Ｑ
ｔｌ、 Ｃｒ、Ａ Ｑ９． ＣｒＡ Ｑ、等がある。こ
れらの融点は、いずれもＣｕやＡｇより高＜Ｍｏ、Ｗ、
Ｔａ等よりも低いものであり。
これらを一種又は二種以上混合させて用いる。また、前
記導電性セラミックスを具体的に示すと、ＴｉＢ２．Ｚ
ｒＢｚ＋ ＨｆＢ２．ＶＢ２．ＮｂＢｚｅＴ ａ Ｂ
２ ＃ Ｃｒ Ｂ ｚ ＨＭ ｏ Ｂ ２１ Ｗ２ Ｂ
ＨＴ ｘ Ｎ ｐＺ ｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、
ＴａＮ、Ｃｒ２Ｎ、Ｍｏ、Ｎ、ＷＮ、Ｔｉ Ｓｉ、、Ｚ
ｒＳｉ、。
記導電性セラミックスを具体的に示すと、ＴｉＢ２．Ｚ
ｒＢｚ＋ ＨｆＢ２．ＶＢ２．ＮｂＢｚｅＴ ａ Ｂ
２ ＃ Ｃｒ Ｂ ｚ ＨＭ ｏ Ｂ ２１ Ｗ２ Ｂ
ＨＴ ｘ Ｎ ｐＺ ｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、
ＴａＮ、Ｃｒ２Ｎ、Ｍｏ、Ｎ、ＷＮ、Ｔｉ Ｓｉ、、Ｚ
ｒＳｉ、。
ＨｆＳｉ、、ＶＳｉ２．ＮｂＳｉ２．ＴａＳｉ２゜Ｃｒ
Ｓｉ２．ＭｏＳｉ、、ｗｓｉ、’ｒｉｃ、ＺｒＣ。
Ｓｉ２．ＭｏＳｉ、、ｗｓｉ、’ｒｉｃ、ＺｒＣ。
ＨｆＣ，ＮｂＣ，ＴａＣ，Ｃｒ３Ｇ２．Ｍｏ２Ｃ。
ＷＣのいずれか一種以上よりなるものである。
真空遮断器用接点の製造方法としては、金属間化合物及
び導電性セラミックスの粉末を混合して成形した後、焼
結し１次いで減圧して脱ガスする工程よりなり、前記各
工程のいずれか一種以上の工程を経た後、熱間静水圧加
圧（ＨＩＰ）、冷間静水圧加圧（ＣＩＰ）、又はホット
プレス（ＨＰ）等の加圧処理をして高密度化する工程を
含む製造方法がある。
び導電性セラミックスの粉末を混合して成形した後、焼
結し１次いで減圧して脱ガスする工程よりなり、前記各
工程のいずれか一種以上の工程を経た後、熱間静水圧加
圧（ＨＩＰ）、冷間静水圧加圧（ＣＩＰ）、又はホット
プレス（ＨＰ）等の加圧処理をして高密度化する工程を
含む製造方法がある。
複合材において、ＮｉＡｌのような金属間化合物は、と
くに優れた良導電性を有し、しかも高融点物質であり、
１６００℃台の高い融点を持つ。
くに優れた良導電性を有し、しかも高融点物質であり、
１６００℃台の高い融点を持つ。
したがって、耐熱性が良好で、従来のＣｕやＡｇベース
材に比ベアーク熱によって接点ｆｉＪ１の溶融が少なく
、溶着も起こりにくい。また、ＮｉＡｌ化合物は電気抵
抗も低く、導電率に換算すると約１５〜２０ＩＡＣ８％
（１００ＩＡＣ８％は電気抵抗値に換算すると１．７Ｘ
１０−’Ω・■）を有し、接点材料としてそのままでも
利用できるものである。
材に比ベアーク熱によって接点ｆｉＪ１の溶融が少なく
、溶着も起こりにくい。また、ＮｉＡｌ化合物は電気抵
抗も低く、導電率に換算すると約１５〜２０ＩＡＣ８％
（１００ＩＡＣ８％は電気抵抗値に換算すると１．７Ｘ
１０−’Ω・■）を有し、接点材料としてそのままでも
利用できるものである。
更に、ＮｉＡ１等の金属間化合物の粒子の周囲に分散さ
れた各種導電性セラミックスは、それ自身が導体であっ
て、なおかつＮ ｉ Ａ １などの金属間化合物よりも
高い融点を有している。このため。
れた各種導電性セラミックスは、それ自身が導体であっ
て、なおかつＮ ｉ Ａ １などの金属間化合物よりも
高い融点を有している。このため。
アーク熱による接点溶着を防ぐことができるばかりでな
く、電接面の荒れを少なくし、常に滑らかな面を維持さ
せることができる。従って、電界集中の原因となる突起
物の発生も少ないため耐電圧性が高く、安定している。
く、電接面の荒れを少なくし、常に滑らかな面を維持さ
せることができる。従って、電界集中の原因となる突起
物の発生も少ないため耐電圧性が高く、安定している。
また、接点材料をなす構成物質がいずれも導電性を有し
、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ程に熱電子放射性が大きくないので絶
縁回復特性が良く、大電流遮断性能も優れるという大き
なメリットも有する。
、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ程に熱電子放射性が大きくないので絶
縁回復特性が良く、大電流遮断性能も優れるという大き
なメリットも有する。
なお、ボライドやナイトライドそれ自体は仕事関係の低
い物質であるので、これらの導電性セラミックスを重量
比で約１０％とすると、熱電子放射が多くなり遮断性能
はその分だけ低下する。ただし、この現象と合わせて裁
断サージも下がる傾向にあるので、導電性セラミックス
の含有量を適量選ぶことによって１種々のＶＣＢ （真
空遮断器）の電極特性を発揮させることができる。つま
り、通常は高耐電圧・大電流と、低サージ化は互いに相
反する性質を持つことが知られているように。
い物質であるので、これらの導電性セラミックスを重量
比で約１０％とすると、熱電子放射が多くなり遮断性能
はその分だけ低下する。ただし、この現象と合わせて裁
断サージも下がる傾向にあるので、導電性セラミックス
の含有量を適量選ぶことによって１種々のＶＣＢ （真
空遮断器）の電極特性を発揮させることができる。つま
り、通常は高耐電圧・大電流と、低サージ化は互いに相
反する性質を持つことが知られているように。
従来は両者の特性を同時に高度に満足させるような電極
材はなかった。ところが１本発明材によれば、高融点金
属間化合物と導電性セラミックス量比を適宜選ぶことに
よって広範囲の電極特性を引き出すことができることに
なる。
材はなかった。ところが１本発明材によれば、高融点金
属間化合物と導電性セラミックス量比を適宜選ぶことに
よって広範囲の電極特性を引き出すことができることに
なる。
以上を纏めてみると、ＶＣＢ電極としては、導電性セラ
ミックスが１〜１０重量％のもので高耐電圧・耐溶着性
を発揮し、１０〜２０重量％で低サージ性を発揮するも
のである。従って、導電性セラミックスの含有量は１〜
２０重量％の範囲とする。
ミックスが１〜１０重量％のもので高耐電圧・耐溶着性
を発揮し、１０〜２０重量％で低サージ性を発揮するも
のである。従って、導電性セラミックスの含有量は１〜
２０重量％の範囲とする。
次に１本発明に係り真空遮断器用接点の製造方法は・Ｈ
ＩＰ処理等の加圧処理工程を含むため、金属間化合物及
び導電性セラミックスとも共有結合性の物質であること
から、通常の金属粉末のような自己焼結性に乏しい物質
に対しても、高密度化し得る。
ＩＰ処理等の加圧処理工程を含むため、金属間化合物及
び導電性セラミックスとも共有結合性の物質であること
から、通常の金属粉末のような自己焼結性に乏しい物質
に対しても、高密度化し得る。
以下本発明の実施例を示す。
実施例１
高周波真空溶解したＮｉＡ１合金（化合物組成；Ｎｉ−
３１，５ｗｔ％Ａｌ）を粉砕し、 ２００ｍｅｓｈ
の粉末を得た。第１図に示す工程により、このＮｉＡｌ
粉とＴｉＢ、粉を自動乳鉢を用いて３０分混合し１次に
、この混合粉末を油圧プレスを用いて直径５０−１厚さ
３０ｍｎの寸法に金型成形した０次いでこの成形体を若
干還元性を持たせるために（Ａ ｒ ＋ ４ ｖ ｏ
１％Ｈ，）の混合ガス雰囲気中で１４００℃で１時間の
仮焼結を行なった。更にこの成形体を軟鋼性をカプセル
に温度３００℃。
３１，５ｗｔ％Ａｌ）を粉砕し、 ２００ｍｅｓｈ
の粉末を得た。第１図に示す工程により、このＮｉＡｌ
粉とＴｉＢ、粉を自動乳鉢を用いて３０分混合し１次に
、この混合粉末を油圧プレスを用いて直径５０−１厚さ
３０ｍｎの寸法に金型成形した０次いでこの成形体を若
干還元性を持たせるために（Ａ ｒ ＋ ４ ｖ ｏ
１％Ｈ，）の混合ガス雰囲気中で１４００℃で１時間の
仮焼結を行なった。更にこの成形体を軟鋼性をカプセル
に温度３００℃。
圧力１０−２〜ｌ Ｏ−’ｔｏｒｒで脱気しながら減圧
封入し、このカプセルを温度１４００℃、圧力２０００
ｋｇ／ｃｄの条件下でＨＩＰ処理した。この結果、上
記仮焼結体はカプセル毎１強制圧縮され、理論密度に対
し９８〜９９％の緻密な複合材料が得られた。
封入し、このカプセルを温度１４００℃、圧力２０００
ｋｇ／ｃｄの条件下でＨＩＰ処理した。この結果、上
記仮焼結体はカプセル毎１強制圧縮され、理論密度に対
し９８〜９９％の緻密な複合材料が得られた。
次に、このＨＩＰ処理材の軟鋼性カプセルを皮むきし、
放電加工機を用いて直径２０Ｉ（球Ｒ３０付）、厚さ５
閣の一対の電極接点を採取した。
放電加工機を用いて直径２０Ｉ（球Ｒ３０付）、厚さ５
閣の一対の電極接点を採取した。
各種電極接点の遮断特性試験方法としては、第２図に示
す真空バルブを用いた。この真空バルブは、筒状のセラ
ミックス製の絶縁ケース１とステンレス製の端子板２，
３とによって容器が構成され、その内部は１０−６〜１
０−”ｔｏｒｒ台の高真空に保たれている。この容器内
部には１対の電極、すなわち固定電極４と、ベローズ６
を介して動けるようにした可動電極５が設けられている
。さらに円筒状のシールド７は前記電極４．５を囲むよ
うに設けられ、このシールド７は、電極構成部材が遮断
アークにより蒸発、荒散した場合、それらが絶縁ケース
１の内壁に付着することを防止する役目を持つ。電極４
，５はＣｕ製の補助電極板８゜９に銀ロー付けされてい
る。１０．１１はホルダー、１２はベローズシールド、
１３は排気管を示す、つまり、本実施例の電極接点は直
径２０ｍｍ。
す真空バルブを用いた。この真空バルブは、筒状のセラ
ミックス製の絶縁ケース１とステンレス製の端子板２，
３とによって容器が構成され、その内部は１０−６〜１
０−”ｔｏｒｒ台の高真空に保たれている。この容器内
部には１対の電極、すなわち固定電極４と、ベローズ６
を介して動けるようにした可動電極５が設けられている
。さらに円筒状のシールド７は前記電極４．５を囲むよ
うに設けられ、このシールド７は、電極構成部材が遮断
アークにより蒸発、荒散した場合、それらが絶縁ケース
１の内壁に付着することを防止する役目を持つ。電極４
，５はＣｕ製の補助電極板８゜９に銀ロー付けされてい
る。１０．１１はホルダー、１２はベローズシールド、
１３は排気管を示す、つまり、本実施例の電極接点は直
径２０ｍｍ。
厚さ５ｍｍのチップ状接点として用いられている。
各種電気的性能試験において、耐電圧試験方法としては
、交流３００Ａを１０回遮断後、インパルス電圧を５ｋ
Ｖステツプで増加しながら印加し。
、交流３００Ａを１０回遮断後、インパルス電圧を５ｋ
Ｖステツプで増加しながら印加し。
極間が絶縁破壊に至る放電電圧値を測定することである
。遮断性能試験は、直径２０ＩＩｆｉの電極において、
交流電流を５０ＯＡステツプで増加しながら遮断し、遮
断が不能となる限界電流値を求めることである。更に、
裁断電流試験は、交流２〜８Ａの小電流を遮断した場合
に発生する裁断電流を１００回測定し、その最大値と平
均値を求めるようにした。゛第１表は以上の接点を用い
て上記ｖＣＢ電極特性を測定した結果である・ 実施例１では、主に、ＮｉＡ１化合物粉末とＴｉの各種
導電性粉末（ボライド、ナイトライド、シリサイド、カ
ーバイド）との複合材料を取り上げた。
。遮断性能試験は、直径２０ＩＩｆｉの電極において、
交流電流を５０ＯＡステツプで増加しながら遮断し、遮
断が不能となる限界電流値を求めることである。更に、
裁断電流試験は、交流２〜８Ａの小電流を遮断した場合
に発生する裁断電流を１００回測定し、その最大値と平
均値を求めるようにした。゛第１表は以上の接点を用い
て上記ｖＣＢ電極特性を測定した結果である・ 実施例１では、主に、ＮｉＡ１化合物粉末とＴｉの各種
導電性粉末（ボライド、ナイトライド、シリサイド、カ
ーバイド）との複合材料を取り上げた。
表中に従来材料との比較としてＣｕ−Ｃｏ−Ｂ１Ｐｂ、
Ｃｒ−Ｃｕ合金を挙げているが１本発明材はとくに耐電
圧性が優れていることがわかる。
Ｃｒ−Ｃｕ合金を挙げているが１本発明材はとくに耐電
圧性が優れていることがわかる。
すなわち、［ＮｉＡｌ−導電性セラミックス］複合材料
はいずれも耐電圧が１００ｋＶ以上を有し、これはＣｕ
−Ｇｏ−ＢｉＰｂ溶解合金に対し２〜２．５倍、Ｃｒ−
Ｃｕ溶浸合金に対しても約３割増しの高耐電圧性を持つ
ことが判明した。
はいずれも耐電圧が１００ｋＶ以上を有し、これはＣｕ
−Ｇｏ−ＢｉＰｂ溶解合金に対し２〜２．５倍、Ｃｒ−
Ｃｕ溶浸合金に対しても約３割増しの高耐電圧性を持つ
ことが判明した。
尚、耐電圧はＮｉＡ１に１〜５ｗｔ％の導電性セラミッ
クスが入っても効果はあるが、おおよそ１０ｖｔ％で最
大を示し、それ以上の量では逆に下がる傾向にある。た
だし、１０〜２０ｗｔ％のセラミックスが入ると裁断電
流特性が改善され、約１〜２Ａの低サージ特性が得られ
ている。また、電流遮断性能を見ると、いずれとも８〜
ｌ０ＫＡの範囲にあり、この値も従来のＣｕ−Ｇｏ−Ｂ
ｉＰｂやＣｒ−Ｃｕ合金に比べても全く遜色ない高い遮
断能力を有していると言える。
クスが入っても効果はあるが、おおよそ１０ｖｔ％で最
大を示し、それ以上の量では逆に下がる傾向にある。た
だし、１０〜２０ｗｔ％のセラミックスが入ると裁断電
流特性が改善され、約１〜２Ａの低サージ特性が得られ
ている。また、電流遮断性能を見ると、いずれとも８〜
ｌ０ＫＡの範囲にあり、この値も従来のＣｕ−Ｇｏ−Ｂ
ｉＰｂやＣｒ−Ｃｕ合金に比べても全く遜色ない高い遮
断能力を有していると言える。
実施例２
第２表は他のＮｉとＡｔの化合物であるＮｉ。
ＡＩにＴｉボライド、Ｔｉナイトライドを複合化したも
のや、Ｎ ｉ Ａ ｌ化合物と他の導電性セラミックス
であるＭｏ、Ｗ、Ｚｒなどのボライド、ナイトライド、
シリサイド、カーバイドとの各種複合材料を検討した結
果である。試験方法は、実施例１と同様である。
のや、Ｎ ｉ Ａ ｌ化合物と他の導電性セラミックス
であるＭｏ、Ｗ、Ｚｒなどのボライド、ナイトライド、
シリサイド、カーバイドとの各種複合材料を検討した結
果である。試験方法は、実施例１と同様である。
表から明らかなように、いずれも実施例１と同様な傾向
を持ち、優れた耐電圧性、高遮断能力があり、また導電
性セラミックス量が増えると低サージ性も発揮すること
が分かった。
を持ち、優れた耐電圧性、高遮断能力があり、また導電
性セラミックス量が増えると低サージ性も発揮すること
が分かった。
以上、本発明によれば、従来の電極接点に比べて耐電圧
特性が向上し、更に大電流遮断性能、耐溶着性能のいず
れも優れた真空遮断器用接点を得ることか出来る。また
、導電性セラミックスを２０重量％近く含ませることに
よって低サージタイプの接点を得ることも出来る。
特性が向上し、更に大電流遮断性能、耐溶着性能のいず
れも優れた真空遮断器用接点を得ることか出来る。また
、導電性セラミックスを２０重量％近く含ませることに
よって低サージタイプの接点を得ることも出来る。
本発明に係る製造方法によれば、自己焼結性に乏しいセ
ラミックス等を原料としても、容易に高密度化させて接
点を得ることができる。
ラミックス等を原料としても、容易に高密度化させて接
点を得ることができる。
更に、本発明に係る真空遮断器は、上記接点を備えてい
るため、信頼性が向上し、高電圧化、大電流遮断の要請
に応えることができる。
るため、信頼性が向上し、高電圧化、大電流遮断の要請
に応えることができる。
第 １ 表
第 ２ 表
第１図は本発明の電極接点の製造方法の工程図。
第２図は本発明の真空遮断器用真空バルブの断面構成図
を示す。 ４・・・固定電極（接点）、５・・・可動電極（接点）
。
を示す。 ４・・・固定電極（接点）、５・・・可動電極（接点）
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、銅より融点の高い金属間化合物と導電性セラミック
スから成ることを特徴とする真空遮断器用接点。 ２、導電性セラミックスが１〜２０重量％で、残りが金
属間化合物及び不可避的不純物である請求項１記載の真
空遮断器用接点。 ３、導電性セラミックスがＴｉ、Ｚｒ、Ｍｏ又はＷのボ
ライド、カーバイド、ナイトライド又はシリサイドであ
り、金属間化合物はＮｉＡｌ又はＮｉ＿３Ａｌである請
求項２記載の真空遮断器用接点。 ４、金属間化合物及び導電性セラミックスの粉末を混合
して成形した後、焼結し、次いで減圧して脱ガスする工
程よりなり、前記各工程のいずれか一種以上の工程を経
た後、加圧処理して高密度化する工程を含むことを特徴
とする真空遮断器用接点の製造方法。 ５、請求項１記載の真空遮断器用接点を備えた真空遮断
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074146A JP2555409B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074146A JP2555409B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246733A true JPH01246733A (ja) | 1989-10-02 |
| JP2555409B2 JP2555409B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=13538736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074146A Expired - Lifetime JP2555409B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555409B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110330266A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-10-15 | 湖南省美程陶瓷科技有限公司 | 新能源动力电池继电器陶瓷材料及其制备方法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63074146A patent/JP2555409B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2555409B2 (ja) | 1996-11-20 |
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