JPH01246868A - シヨツトキバリア半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は胃１＠圧ショットキバリア半導体装瓢に関する
。

〔従来の技術と発明が解決しようとてる課題〕ショット
キバリアダイオードは、高速応答性Ｃ高速スイッチング
特性）の長さ及び低指失であるねＡを生かして、高周波
整流回路等に広く利用されている。しかし、ショットキ
バリアダイオードは、周辺耐圧Ｃショットキバリア周辺
での耐圧）がパルプ耐圧（ショットキバリアの中央部で
の耐圧）に比べて低下する現象が署しく、ｉ！＃Ｉ耐圧
什が難しいという問題を有する。

そこで１本発明の目的は周辺耐圧を同士させることが回
部なショットキバリア半導体装置を提供することにある
。

〔諜嗣を解決″Ｖるだめの手段〕

上記目的を辺成するための本発明は、第１の半導体領域
と、糺２の苧導体＠域と、前記第１及び第２の半導体＄
ｊＩ域との間にそれぞれ第１のショットキバリア及び第
２のショットキバリアを生じさゼることかできるように
前記第１及び第２の半導体領域上に形成されたバリア電
極とを有し、前記第２の半導体惟域は前記第１の半導体
細板に比べて禁止帯のエネルギー幅の大きい半導体材料
から成り、前記第１及び第２の半導体頭載は前記第１の
ショットキバリアが前記第２のショットキバリアに包囲
され、且つ前記第１のショットキバリアと前記第２のシ
ョットキバリアとが直接又はｐｎ接合を介して接続さ九
るよ５に配置されていることを特徴とするショットキバ
リア牛導体装置に係わるものである。

［作　用］ 上記発明における第１の半導体細板よりも禁止帯のエネ
ルギー幅（エネルギーギャップ）の大きい第２の半導体
細板は、臨界電界強度が大きい。

従って、第２の半導体頭載が第１の半導体細板を包囲す
るよ５に配＆することにより、第１のショットキバリア
の周辺耐圧を高めることができる。

［第１の実施例〕 本発明の第１の実施例に係わるショットキバリアダイオ
ード及びその層迄方法を第１囚〜第３図に基づいて説明
する。

第１囚に示すショットキバリアダイオードを製造するた
めに、ます、第２図（ＡＲＫ示すように、　ＧａＡｓ　
（砒化ガリウム）から成る半導体基板２１を用意する。

この半導体基板２１は、厚さ約３００μｍ。

不純物濃度１〜３　Ｘ　Ｉ　Ｑ”ｃｍ　　のｎ形細板２
２の上に、厚さ１０〜２０μｍ、不純物濃度１〜２ｘ　
１０１ｓｃｍ−’のｎ影領域２３をエピタキシャル成長
させたものである。

次に、第２図の）に示すように、ｎ影領域２３の止面全
域に、Ｎさ２μｍ、不純物１１１度０．５〜１×１０″
ｃｍ　　のＡＩ　ＧａＡｓ　（砒化アルεニウム・ガリ
ウム）から成るｎ−影領域２４をエピタキシャル成長さ
せる。ｎ−影領域２４はｎ影領域２６よりも不純物濃度
が更に低くなっている。ここでは、ｎ−形頭載２４の形
成にＭ　ＯＣＶ　Ｄ法（Ｍｅｔａｌ　Ｃ）ｒｇａｎｉｃ
ＣｈｅｍｉｃａＩ　Ｖａｐｃｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
　；　有機金稿気相成長法）を採用した。、即ち、減圧
された反応容器内に半導体基７ｆｉ２１を配置し、　Ｇ
ａ　（ガリウム）の有機金属化合物であるＧａ　（ＣＨ
ｓ）ｓ　（トリメチルガリウム）のガスｋ　Ｈｙ　（水
素）ガスをキャリアガスとして送り込んで熱分解反応を
起こさせ、　Ａ　Ｉ　ｘＧａ　Ｈ−ｘＡｓ　（ｘ　４：
ｏ、４）　ノ結晶をエピタキシャル成長すせる。ｎ形を
付与するためには、上記ガスと共にＨ２Ｓｅ　（セレン
化水素）を送り込み、ＡｌＧａＡｓ結晶中にｎ形不純物
としてＳｅ　（セレン）をドープする。

次に、第２図Ωに示すように、ｎ−形頭載２４のうち１
１１を流の主通路となるべきショットキバリアが＃成さ
れる領域を選択的にエツチングして凹所２５を形成し、
凹１５１′ｒ２５の底面にｎ形飴域２３を露出させる。

ＧａＡｓよりＡｌ０ａＡｓＫ対して大きいエツチング速
度を有するエツチング液を用いることにより、凹１５′
ｒ２５の底ｍ１をｎ影細板２３とｎ−影領域２４の境界
面とほぼ一致させることができる。

しかし、凹１′９′ｒ２５の底面がこの境界面を少し越
えるようにエツチングしてもよい。凹所２５の周辺側に
はリング状１ｃｎ−影領域２４ａが形成される。

次に、第２図のに示すように、＃！−碑体基敏２１の土
面全体に１゛ｉ（ナタン）薄ＩｖＲ２６を真空蒸着で形
成し、更にその上面全体ｒＡ！　（アルξニウム）層２
．７を連続して真空蓋ＮＴる。１゛ｉ薄層２６の厚さは
３０〜２０　ＯＡ　（０，００３〜０．０２　μｍ　）
　ト極薄である。、へ！層２７の厚さは約２μｍである
。

更に、ｎ影領域２２の下面にＡｕ　Ｃ金）　−Ｇｅ　（
ゲルマニウム）の合金から成る低抵抗オータック接触の
ｉ４極２８を真空蒸着により形成し、その後。

６８０℃、１０秒間の熱処理を行う。

次に、第２図（ト）に示すように、フォトエツチングに
よりＡｌ眉２７の−ｉｔ除去し、凹Ｐ９ｒ２５及びｎ影
領域２４ａの内周側を被徨するＡ１層２７ａを形成する
。更に、フォトエツチングによりチップの周辺領域から
Ｔｉ薄層２６を除去し、　ＡＩ層２７ａの下部にあるＴ
ｉ薄層２６ａとこれを＠接して包囲てるＴｉ薄層２６ｂ
を残存させる。Ｔｉ薄層２６ａ、２６ｂは１゛ｉ目身は
導体であるが極薄の膜であるためシート批抗２０〜４０
０Ω／口の抵抗Ｊ麺となっており、ＡＩＪ繭２７ａＶｃ
比べれは桁違いに筒抵抗である。

次に、空気中で６００℃、５〜３０分間の熱処理全施丁
。こｔＬにより、ＡＩ層２７ａに被覆さｎ、ていないＴ
ｉ薄層２６ｂは酸化されてチタン酸化物薄Ｊ曽２９とな
るが、Ａｌ７１２７ａにマスクされているＴｉ薄層２６
ａは酸化されない。ここで、ＡＩ及びＴｉはともに低不
純物濃度の（３ａＡｓ及び低不純物嬢＆　（７）　ＡＩ
　ＧａＡｓ　トの間にショットキバリアを形成する金属
であるので、ＡＩ層２７ａとＴｉ薄層２６　ａを合せて
バリアを極又はバリア金担を極３０と呼ぶことにする。

Ｔｉ薄層２６ａが極薄の膜であるため、Ｔｉ薄Ｎ　２６
　ａとＡＩ膚２７ａがショットキバリアの形成にそれぞ
れどのように関与しているかは必すしも明らかではない
。なお、Ｔ４Ｈｍ２６ａはＡｌ７１２７ａのｎ形＠域２
６及びｎ−影領域２４ａへの密着性の向上ＶＣ′４−与
する。寸た。１゛ｉ薄層２６ａはバリア金属を極３０？
Ｉ−リング状に囲むチタン酸化物薄層２９とＡ！層２７
ａとの電気的接離に寄与する。バリア金属電極３０のシ
ート抵抗は１Ω／口以下であることが望葉しく、この実
施例でｔ工約０．０５Ω／口である。チタン酸化物薄層
２９の厚さは酸化に伴ってＴｉ薄＃２６ｂの厚さより増
大して４５〜６ｏｏｉ程度と考えられるが、正確な値は
測定が困難であるために明らかではない。

チタン酸化物薄層２９のシート抵抗は１ＯＮ１〜５００
ＭΩ／口であり、チタン酸化物薄層２９は中絶縁性の高
抵抗層である。即ち、チタン酸化物薄層２９は健全な絶
縁物と見なせる１’ｉＣｈ　（２酸化チタン）ではなく
　、　Ｔｉ（Ｊ２よりも酸素が少ないいわゆる酸素プア
ーなチタン酸化物Ｔｉｅｘ（ｘは２よりも小さい数値）
となっていると考えられる。

続いて、第１図に示すように、チタン酸化物薄層２９の
Ｊ：全絶縁ｌ−３１で被覆して電力用ショットキバリア
ダイオードを完敗させる。なお、絶縁層３１はプラスマ
（、’ＶＤ法あるいは光ＣＶＤ法により形成したシリコ
ン酸化膜が好適であった。ｆた１図示は省略するが、　
Ａｌ　／曽２７ａの土面に例えば〕゛ｉ層とＡｕＪ？Ｉ
！Ｉとを１１１次に設け、これをリード部材に対する接
続用電極とすることが多い。

第２１山）の平面を示す第６図の各間・ｊの寸法を例示
Ｔると、バリア金属を極３０の幅ａは約１０００μｍ、
　ｎ−形ｇ域２４ａの幅すは約３２０　μｍ。

チタン酸化物薄層２９の幅Ｃは約１４０μｍ、チタン酸
化物薄層２９とｎ−影領域２４ａの周縁との間の幅ｄは
約１５０μｍ″Ｔ：ある。

このショットキバリアダイオードにおいては。

＋１１１１　ｉｌｌ流の主通路となるショットキバリア
は、バリア金属電極６０とＧａＡｓから成るｎ影領域２
３が＠接する部分である。正確にはバリア金楓電′Ｉ！
ｉ６０とｎ−影領域２４ａとが＠接する開動もｗｉ電流
の主通路となるショットキバリアの一部と見るべきかも
しれないが、微かな面積であるのでこれは無視できる。

第１図のショットキバリアダイオードはバリア金属電極
６０とｎ影領域２３との間に第１のショットキバリアが
形成され、バリア金属電極３０とｎ−形細板２４ａとの
間に第２のショットキバリアが形成される。ｆた。チタ
ン酸化物薄ＩＷＩ２９とｎ−影領域２４ａの間にも第６
のショットキバリアが形成される。チタン酸化物薄層２
９はバリア金属電極６０會＠接して包囲するので第３の
ショットキバリアはバリア金属電極３０に基づく第１及
び第２のショットキバリアと連続する。従って、第１図
のショットキバリアダイオードに逆電圧ｉ　ＥＩＪｍ−
ｆると、第１のショットキバリアから延びる空乏層と第
２のショットキバリアから延びる空乏層と第６のショッ
トキバリアから砥びる空乏層とが連続し電界集中を緩和
するなめらかな空乏層が得られる。チタン酸化物薄層２
９による＾耐圧化構造については本願発明者等によって
発明され１本願出願人より％願昭６２−３０７１９６号
として出細さｒしている。ＲＬｌち、ショットキバリア
ダイオードに印加する逆電圧を増加していくと、チタン
酸化物ｗ１．層２９の外周縁でブレークダウンが生じる
。しかし、チタン酸化物薄層２９は高抵抗層であるため
、前記ブレークダウンに伴う逆電流の増加はチタン酸化
物薄層２９の抵抗外により抑制される。チタン酸化物薄
層２９にブレークダウンに伴う微少の逆電流が流れると
チタン酸化物薄層２９に電位勾配が生じ、′ｗ１界集中
を良好に緩和する空乏層が得られる。

本実施例のショットキバリアダイオードの注目丁べき点
はバリア金属電極３０１Ｃ基づ（ショットキバリアのバ
リアハイドφＢが中央部分と周辺部分とで異なっている
ことにある。バリア金属電極３００周縁部の下部に位置
するＡｌ（３ａＡｓから成るｎ−形頌城２４ａはＧａＡ
ｓから成るｎ影領域２６よりも禁止帯のエネルギー＋ｐ
Ｊｄ　ｒエネルギーギャップ）　Ｅｇが大きい。即ち、
　ＡｌｘＧａ１−、ｃＡｓ　（ｘ　ｌ−０，４）のエネ
ルギーギャップＥｇは約１．９ｅＶであり。

（３ａＡｓのエネルギーギャップＥｇは約１，４ｅＶ　
であ、る。

ところで、エネルギーギャップＥｇの大きい半導体はエ
ネルギーギャップＥｇの小さい半導体よりも臨界電界強
度Ｅｃｒｉｔ　（アバランシェ降伏を起ごてときの電界
強度）が大きい。このため、バリア金楓電＠Ｉ３０とエ
ネルギーギャップＥＨの大きいｎ−影領域２４との間に
形成される第２のショットキバリアは、バリア金Ｊ／！
！４１ｉＩ＠ｔ３０とエネルギーギャツ７ＥＨの小さい
ｎ影領域２３との間に形成されるあ１のショットキバリ
アよりも高い耐圧をｉＴる。即ち、ショットキバリア周
辺での耐圧が向上し、ショットキバリアダイオードの高
耐圧化が図られている。

本実施例の他の利点を要約すると以下のとおりである。

（１１バリア金属電極３０の周辺部分の下部のｎＴ形領
領域２４ａ不純物６度はバリア金属電極３０の中央部分
の下部のｎ影領域２３よりも低くなっている。このため
、逆電圧回加時にバリア金属電極６０の中央部分に比べ
て電界集中の生じ易い周辺部分で空乏層が延び易い。従
って１周辺耐圧を向上させる効果が強化されている。

（２１ＧａＡｓとＡ　Ｉ　ＧａＡｓは結晶格子の整合性
が良いので、ｎ１ｆｊｋ域２４ａのエピタキシャル成長
が可能であるし、ｎ影領域２４ａを形成したことによる
不都合も住じない。また、　ＡｌＧａＡｓから成るｎ−
影領域２４ａを形成するのに拘ＯＣＶ　Ｄ法を用いたの
で量産性が良い。

１３１　　チタン酸化物薄層２９を設けたことにより。

バリア金属電極の周囲にガードリングｇＩ域を設けた従
来の高耐圧化構造のショットキバリアダイオードに比べ
て耐圧を大幅に高めることができる。

また、ガードリンクｍＨＲを設けたショットキバリアダ
イオードで問題とされて（・た高速応答性の低下が解消
されている。

（４）　　チタン酸化物源＃２９を設けたことにより。

絶縁物を介したフィールドプレートを有する従来の高耐
圧化構造のショットキバリアダイオードに比べて耐圧を
大幅に高めることができる。テた。

絶縁物を介したフィールドグレートを有するショットキ
バリアダイオードで問題とされていた特性の熱的不安定
性が解消されている。

〔第２の実施例〕 第４図に示す本発明の第２の実施例に係わるショットキ
バリアダイオードを説明する。但し、第４図において第
１図〜第３図と実質的に同一の部分には同一の符号を付
し、てその説明を省略する。

第４図のショットキバリアダイオードに３いても、第１
囚のショットキバリアダイオードと四様にバリア金＊’
ｍ極６０とｎ影領域２３との間に第１のショットキバリ
アが形成され、バリア金属電極６０とｎ−形細板２４ａ
との間には第１のショットキバリアを包囲するように第
２のショットキバリアが形成される。帛１図のショット
キバリアダイオードと同じように第２のショットキバリ
アの耐圧は第１のショットキバリアよりも高いため。

周辺耐圧が向止し高耐圧のショットキバリアダイオード
が実現できる。

更に、第４図のショットキバリアダイオードにおいては
、バリア金属ｔ６３０の外周側にリング状に２層の〕゛
ｉ薄層２６ｅ、２６ｆ及び２層のチタン酸化物薄珈２９
ａ、２９ｂが順次＠接して配置されている。Ｔｉ薄層２
６ｅ、２６ｆ及びチタン酸化物薄層２９ａ、２９ｂはバ
リア金属を極３ｏのＡＩ層２７ａの下部に位置するＴｉ
薄層２６ｃ、２６ｄの勉在部分に当る。従ってチタン酸
化物薄層２９ａ、２９ｂはそれぞれＴｉ薄層２６ｅ、２
６ｆを弁してバリア金属電＠１６０と電気的に接！され
ている。ここで１゛ｉ薄〜２６ｅはｎ−形細板２４ａと
の間に第４のショットキバリアを形成する。従って、バ
リア金属１！極３０からチタン酸化物薄層２９ａの外周
縁にかけてのｎ形細板２３及びｎ影領域２４ａの表面に
は、バリア金＠１！極３０に基づく第１及び第２のショ
ットキバリアとＴｊ薄／ｉｉ１１２６ｅＫＭづ＜第４の
ショットキバリアとチタン酸化物ｉ看２９　ａ　ＶＣ基
づく第３のショットキバリアが連続して形成される。結
果として、逆電圧印加時にはこれらそれぞれのショット
キバリアから廷びる空乏層が連続して電界集中を緩和す
るなめらかな空乏層が得られる。更に、Ｔｉ薄層２６ｅ
、２６ｆを設けたことにより電界集中点と応力集中点と
が分離でき耐圧歩留りが向上てる。即ち、Ｔｊ薄Ｎ２６
ｅ、２６ｆはバリア金属１！！＠！３０より肉薄であり
、かつチタン酸化物薄Ｎ７ｊＩ２９ａ、２９ｂよりもは
るかに小さいシート抵抗を有する。従って。

電界集中点はＴｉ薄層２６ｅ、２６ｆとチタン酸化物薄
／！２９ａ、２９ｂの境界部分の下部に位置し。

応力集中点はバリア金属電極６０とＴｉ薄層２６ｅ。

２６ｆの境界部分の下部に位置する。このため臨界′Ｍ
、界強度Ｅｃｒｊｔの低い応力集中点から電界集中点を
術間でき、規定耐圧以）の製品の生じる頻度が小さくな
る。つ筐り、ｒ＠圧歩留りが向上てる。

また、ｍ４ｍのショットキバリアダイオードでは、下側
のチタン酸化物薄層２９ａを上側のチタン酸化物薄層２
９ｂよりも酸化を強めてシート抵抗を太き（している。

従って、逆電流は主として上側のチタン酸化物薄Ｗｔ　
２９　ｂを壇り、　’１１位勾配は主として上側のチタ
ン酸化物薄４２９ｂにて決定さｎる。下側のチタン酸化
物薄層２９ａは高いバリアハイドを有するので、飽和電
流Ｉ８が小さくなり、結果として、逆電流レベルの手許
いショットキバリアダイオードを実柳できる。

普だ、上側のチタン酸化物薄層２９ｂＫげリング状にＴ
ｉ薄層から成る等電位領域６１が設けられている。等電
位領域３１はチタン酸什物薄層２９ｂの形成の際に音し
公的に酸化を行わすＴｉ薄層をそのまま残した領域であ
る。この等電位領域６１にチタン酸化物薄層２９ａ、２
９ｂに比べると導電性が非常ＶＣ高く仙域内で電位がほ
ぼ等しい。この結果、ｎ影領域２６及びｎ−影領域２４
ａの表面上における平面的に見た電位勾配の不均一性が
修正され、耐圧歩留りが向上する。

史に、チタン酸化物薄層２９ａ、２９ｂの端部はＡｕ　
（金）Ｇｅ（ゲルマニ、ウム）合金から成る接続領域６
２にてｎ−形頭載２４ａと電気的に知絡されている。こ
のため、チタン酸化物薄層２９ａの外周線の微少領域で
ブレークダウンが起こらすノイズの少すいショットキバ
リアダイオ−ドラ提供できる。第１図のショットキバリ
アダイオードではチタン酸化物薄層２９の外周縁の微少
領域で起こるブレークダウンによる急峻な電流変化がノ
イズの発生を誘うことがある。このノイズは実用土問題
とならない程度のものであるが低ノイズが強（要求され
る場合には第４図のショットキバリアダイオードの方が
有利である。

〔変形例〕

本発明は上述の実施例に限定されるものでなく。

例えば次の変形が可能なものである。

１１＋第１−及び第２図のショットキバリアダイオード
において、ｎ形ｅ域２４ａの不純物濃度をｎ形頭載２６
と同等もしくはｎ形飴域より大きく選んでも、エネルギ
ーギャップＥｇの差異に基づく周辺耐圧向上の効果は認
ぬらｉする。但し、実施例のようにｎ影領域２６より不
純物濃度の低いｎ″″形領域２４ａとする方が周辺耐圧
向上の点で有利である。

（２１ｎ形＠域２４ａはｎ影領域２３土に結晶成長が可
能でありかつｎ影領域２６０学導体材料よりもエネルギ
ーギャップＥｇが大きい半導体材料の範囲で違択する。

実施例のようにＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの組合せの例は
最適例であるが、ｎ影領域２３がＧａＰ　（燐化ガリウ
ム）であるときには、ｎ″″形領域２４ａσ？牛導体材
料としてＡＩ　ＧａＰ　（燐化アルミニウム・ガリウム
）を使用できる。

（３１バリア金嬉電＆３０にはＡｇ（ｆｆＭ）やｃｕｃ
銅）などの種々の金属材料が使用できる。

１４）　　チタン酸化物薄層による高耐圧化構造を採用
するときのチタン酸化物薄層２９のシート抵抗は、半導
体チップ幕造やサイズによって効果的な範囲が変わるが
、１０にΩ／口〜５０００八】Ω／口。

望ましくは１０ＭΩ／口〜ｉｏｏｏＭΩ／口に選ぶべき
である。

（５）　　第２図面のＴｉ薄層２６の膜厚は、膜厚制動
。

酸化温度、酸化時間等を勘案して２ＯＡ以上に丁べきで
ある。上限については、上記所定のシート抵抗が得られ
るならば？ｔｉｌ＋限はないが、’ｌ”ｉｉｆ膜を熱酸
化してチタン酸化物薄層を形成てるときには。

酸化温度と酸化時間を勘案して６００Ａ以下と丁べきで
ある。プラズマ酸化のような強力な酸化を行うならば、
この上限はさらに拡大できる。

（６）　　ゴミ薄層２６を酸化してチタン酸化物薄層２
・９を得る時の酸化温度は５００℃以下にすることが望
プしく　、　Ａｕ糸の電極を用いる時は３８０℃以下と
する。酸化温度の下限値については、熱酸化法による時
では２００℃以上とするが、プラズマ酸化による時では
室温以下の低温とすることもできる。酸化時間は１１８
層２６の厚さ、酸化温度。

酸化雰囲気によって変わるか、５秒〜２時間の範囲に収
めることが望！しい。

（７）　　チタン酸化物薄層２９．２９ｂに対応するモ
ノヲチタン酸化物の蒸着やスパッタリングで形放し、　
Ｔｉ薄ｆｉｉ２６ｅ、２６ｆを導電件が比較的高いチタ
ン窒化物層に置き換えてもよい。チタン窒化物層は、Ａ
１層をマスクとしてチタン酸化物層を窒化することによ
って形灰し得る。

（８）　　シート抵抗が鍋くがつショットキバリアを生
成する薄層としてチタン散化物薄／＃が好適であるが、
　１”ａ　（タンタル）糸材料の酸化物薄層等にするこ
ともできる。！た。Ｔｉ薄層２６及びチタン酸化物薄層
２９．２９ｂはＩｎ　’Ｐ　Ｓｎ等を添加したものであ
ってもよい。

（９）凹Ｆｆｒ２５の底部周辺に隣接するようにｎ形領
域２３中にガードリングとしてリング状のｐ影領域を形
成してもよい。この場合は、バリア金属ＩＩ極３０とｎ
形飴城２６の間に形成されるショットキバリアとバリア
金属１［極３ｏとｎ−形飴域２４ａの間に形成されるシ
ョットキバリアは、直接ではなくｐｎ接合を介して連続
することになる。

ａｌＪ　　集積回路中にショットキバリア＃８４体装駄
を形成する場合には、ｎ影領域２６を島状に囲むように
ｎ影領域２２を設けてオータック電極２８をｎ形ａ域２
３の表面側ＶＣ設けるブレーナ構造としてもよい。

旧Ｊｎ形頭載２３．ｎ形領域２２をｐ形領域と置き換え
ることができる。

〔発明の効果〕

土述のように本発明によれは、ショットキバリアの周辺
耐圧を同士でき、高耐圧のショットキバリア＃−導体装
置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係わるショットキバリ
アダイオードを示すＰ！ｌ′Ｉ面図。 第２図囚〜（社）は第１図のショットキバリアダイオー
ドを製造工程順に示す断面図。 第６図に第２図面の状態を示す平面図。 第４図は第２の実施例のショットキバリアダイオードを
示−ｒ断面図である。 ２２・・・ｎ形頭載、２６・・・ｎ影領域、２４ａ・・
・ｎ−影領域−２６ａ−Ｔｉ薄４．２７　ａ−Ａｌ　ｒ
＊、　２８・・・オーばツク電極、２９・・・チタン酸
化物薄層、３０・・・バリア金稿を極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 〔１〕第１の半導体領域と、第２の半導体領域と、前記
   第１及び第２の半導体領域との間にそれぞれ第１のシヨ
   ツトキバリア及び第２のシヨツトキバリアを生じさせる
   ことができるように前記第１及び第２の半導体領域上に
   形成されたバリア電極とを有し、 前記第２の半導体領域は前記第１の半導体領域に比べて
   禁止帯のエネルギー幅の大きい半導体材料から成り、 前記第１及び第２の半導体領域は前記第１のシヨツトキ
   バリアが前記第２のシヨツトキバリアに包囲され、且つ
   前記第１のシヨツトキバリアと前記第２のシヨツトキバ
   リアとが直接又はｐｎ接合を介して接続されるように配
   置されていることを特徴とするシヨツトキバリア半導体
   装置。