JPH01246902A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01246902A JPH01246902A JP7549288A JP7549288A JPH01246902A JP H01246902 A JPH01246902 A JP H01246902A JP 7549288 A JP7549288 A JP 7549288A JP 7549288 A JP7549288 A JP 7549288A JP H01246902 A JPH01246902 A JP H01246902A
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- Japan
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- line
- semiconductor device
- slot line
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- slot
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体素子又は半導体素子を含む回路部品を誘
電体基板上に搭載した半導体装置に関する。
電体基板上に搭載した半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、第４図に示すように、誘
電体基板１１上に半導体素子１３や半導体素子を含む回
路部品１４等を搭載し、かつこれらをキャップ１６で覆
って気密に封止している。
電体基板１１上に半導体素子１３や半導体素子を含む回
路部品１４等を搭載し、かつこれらをキャップ１６で覆
って気密に封止している。
そして、信号等の入出力ポートとしての端子１７は、誘
電体基板１１に開設した孔を通した上でガラス１８によ
って封止して基板に支持し、ボンディングワイヤ１５に
より前記半導体素子１３や回路部品１４に接続している
。
電体基板１１に開設した孔を通した上でガラス１８によ
って封止して基板に支持し、ボンディングワイヤ１５に
より前記半導体素子１３や回路部品１４に接続している
。
上述した従来の半導体装置では、入出力ボート端子１７
が誘電体基板１１を貫通しているため、この部分の気密
性を保つことが難しく、半導体装置の信頼性を低下させ
る原因となっている。また、この入出力ボートを他の半
導体装置等と接続する場合、入出力ポートの接触部分が
高周波的に不連続となり、この不連続によって半導体装
置の性能が劣化されるという問題がある。
が誘電体基板１１を貫通しているため、この部分の気密
性を保つことが難しく、半導体装置の信頼性を低下させ
る原因となっている。また、この入出力ボートを他の半
導体装置等と接続する場合、入出力ポートの接触部分が
高周波的に不連続となり、この不連続によって半導体装
置の性能が劣化されるという問題がある。
本発明は気密性を高めるとともに、高周波的な不連続を
なくすことができる半導体装置を提供することを目的と
している。
なくすことができる半導体装置を提供することを目的と
している。
本発明の半導体装置は、半導体素子や回路部品を搭載し
てキャンプにて封止される誘電体基板の表面に希望周波
数の１７４波長で開放されたスロットラインを形成する
とともに、このスロットラインに対応する誘電体基板の
裏面側位置に、該スロットラインと電磁界結合するマイ
クロストリップラインを形成している。
てキャンプにて封止される誘電体基板の表面に希望周波
数の１７４波長で開放されたスロットラインを形成する
とともに、このスロットラインに対応する誘電体基板の
裏面側位置に、該スロットラインと電磁界結合するマイ
クロストリップラインを形成している。
上述した構成では、スロットラインとマイクロストリッ
プラインの電磁界結合により信号の伝送が実現できるの
で、半導体装置の気密を確保した上で高周波的な不連続
を防止することが可能となる。
プラインの電磁界結合により信号の伝送が実現できるの
で、半導体装置の気密を確保した上で高周波的な不連続
を防止することが可能となる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施例の一部破
断平面図及びその縦断面図である。図示のように、誘電
体基板１上には導体膜でスロットライン２を形成すると
ともに、半導体素子３や半導体素子を含む回路部品４を
搭載している。そして、これら半導体素子３や回路部品
４はボンディングワイヤ５によって前記スロットライン
２に接続している。また、このスロットライン２の両端
部は希望周波数の１７４波長開放端２ａとして構成して
いる。
断平面図及びその縦断面図である。図示のように、誘電
体基板１上には導体膜でスロットライン２を形成すると
ともに、半導体素子３や半導体素子を含む回路部品４を
搭載している。そして、これら半導体素子３や回路部品
４はボンディングワイヤ５によって前記スロットライン
２に接続している。また、このスロットライン２の両端
部は希望周波数の１７４波長開放端２ａとして構成して
いる。
この例では、１０ＧＨ２の周波数に対して、誘電体基板
１は厚さ０．６３５ｍｍ、誘電率９．８のアルミナ基板
を使用し、スロットライン２の幅を０．０８＋ｎｍ。
１は厚さ０．６３５ｍｍ、誘電率９．８のアルミナ基板
を使用し、スロットライン２の幅を０．０８＋ｎｍ。
開放端２ａまでの長さを２．４ｍｍに設定している。
そして、前記誘電体基板１の上にはキャップ６を被せ、
周囲を固着することにより内部の封止を行っている。
周囲を固着することにより内部の封止を行っている。
この構成の半導体装置を実装する際には、第２図に平面
図を示すように、マイクロストリップライン７を形成し
た絶縁基板８上に載置する。このマイクロストリップラ
イン７は前記誘電体基板１の裏側において、前記スロッ
トライン２の１７４開放端２ａに対応する位置に形成さ
れ、誘電体基板１を挟んでスロットライン２とは電磁界
結合される。即ち、マイクロストリップライン７はスロ
ットライン２に対して直角でかつスロットライン２の開
放端２ａから希望周波数の１／４波長の点で交差してお
り、かつこの点から１７４波長の長さにおいてマイクロ
ストリップライン７の開放端７ａとなっている。この例
では、マイクロストリップライン７の幅を０．６ｍｍ、
長さを４．８ｍｍ以上としている。
図を示すように、マイクロストリップライン７を形成し
た絶縁基板８上に載置する。このマイクロストリップラ
イン７は前記誘電体基板１の裏側において、前記スロッ
トライン２の１７４開放端２ａに対応する位置に形成さ
れ、誘電体基板１を挟んでスロットライン２とは電磁界
結合される。即ち、マイクロストリップライン７はスロ
ットライン２に対して直角でかつスロットライン２の開
放端２ａから希望周波数の１／４波長の点で交差してお
り、かつこの点から１７４波長の長さにおいてマイクロ
ストリップライン７の開放端７ａとなっている。この例
では、マイクロストリップライン７の幅を０．６ｍｍ、
長さを４．８ｍｍ以上としている。
この構成によれば、半導体装置のスロットライン２とマ
イクロストリップライン７とは、その交差点において電
磁界結合して信号の伝送を行い、その人出力ポートとし
て機能される。このため、誘電体基板１及びキャップ６
に貫通孔を設ける費用はなく、半導体装置の気密性を向
上できる。また、伝送ラインにおける接触部分が存在し
ないので高周波的な不連続が存在せず、半導体装置の性
能が低下されることもない。 ・ 第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例の一部破
断平面図及び縦断面図である。なお、第１図と同一部分
には同一符号を付している。
イクロストリップライン７とは、その交差点において電
磁界結合して信号の伝送を行い、その人出力ポートとし
て機能される。このため、誘電体基板１及びキャップ６
に貫通孔を設ける費用はなく、半導体装置の気密性を向
上できる。また、伝送ラインにおける接触部分が存在し
ないので高周波的な不連続が存在せず、半導体装置の性
能が低下されることもない。 ・ 第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例の一部破
断平面図及び縦断面図である。なお、第１図と同一部分
には同一符号を付している。
この実施例は、スロットライン２を形成し、かつ半導体
素子３２回路部品４を搭載してキャップ６で封止した誘
電体基板１の裏面に、導体膜を用いてマイクロストリッ
プライン７を直接に一体形成している。このマイクロス
トリップライン７の規格は第１実施例と全く同じである
。
素子３２回路部品４を搭載してキャップ６で封止した誘
電体基板１の裏面に、導体膜を用いてマイクロストリッ
プライン７を直接に一体形成している。このマイクロス
トリップライン７の規格は第１実施例と全く同じである
。
したがって、この例では誘電体表面のスロットライン２
が誘電体裏面のマイクロストリップライン７と電磁界結
合し、両者間で信号の伝送を行うことが可能となる。こ
れにより、半導体装置を気密に保持し、かつ高周波的不
連続が防止できることは第１実施例と同じである。
が誘電体裏面のマイクロストリップライン７と電磁界結
合し、両者間で信号の伝送を行うことが可能となる。こ
れにより、半導体装置を気密に保持し、かつ高周波的不
連続が防止できることは第１実施例と同じである。
以上説明したように本発明は、半導体素子や回路部品を
搭載してキャップにて封止される誘電体基板の表面に形
成したスロットラインと、裏面側に形成したマイクロス
トリップラインの電磁界結合により信号の伝送が実現で
きるので、半導体装置の気密を確保して半導体装置の信
頼性を向上できるとともに、伝送ラインにおける高周波
的な不連続を防止して半導体装置の性能の劣化を防止で
きる効果がある。
搭載してキャップにて封止される誘電体基板の表面に形
成したスロットラインと、裏面側に形成したマイクロス
トリップラインの電磁界結合により信号の伝送が実現で
きるので、半導体装置の気密を確保して半導体装置の信
頼性を向上できるとともに、伝送ラインにおける高周波
的な不連続を防止して半導体装置の性能の劣化を防止で
きる効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施例の一部破
断乎面図及びその縦断面図、第２図は第１図の半導体装
置を絶縁基板に実装した状態の平面図、第３図（ａ）及
び（ｂ）は本発明の第２実施例の一部破断乎面図及びそ
の縦断面図、第４図は従来の半導体装置の縦断面図であ
る。 １・・・誘電体基板、２・・・スロットライン、 ２ａ
・・・１／４開放端、３・・・半導体素子、４・・・回
路部品、５・・・ボンディングワイヤ、６・・・キャッ
プ、７・・・マイクロストリップライン、７ａ・・・開
放端、８・・・絶縁基板、１１・・・誘電体基板、１３
・・・半導体素子、１４・・・回路部品、１５・・・ボ
ンディングワイヤ、１６・・・キャップ、１７・・・入
出力端子。 第１図
断乎面図及びその縦断面図、第２図は第１図の半導体装
置を絶縁基板に実装した状態の平面図、第３図（ａ）及
び（ｂ）は本発明の第２実施例の一部破断乎面図及びそ
の縦断面図、第４図は従来の半導体装置の縦断面図であ
る。 １・・・誘電体基板、２・・・スロットライン、 ２ａ
・・・１／４開放端、３・・・半導体素子、４・・・回
路部品、５・・・ボンディングワイヤ、６・・・キャッ
プ、７・・・マイクロストリップライン、７ａ・・・開
放端、８・・・絶縁基板、１１・・・誘電体基板、１３
・・・半導体素子、１４・・・回路部品、１５・・・ボ
ンディングワイヤ、１６・・・キャップ、１７・・・入
出力端子。 第１図
Claims (1)
- １、誘電体基板の表面に半導体素子や回路部品を搭載し
、かつこれらをキャップにて封止した半導体装置におい
て、前記誘電体基板の表面に希望周波数の１／４波長で
開放されたスロットラインを形成するとともに、このス
ロットラインに対応する誘電体基板の裏面側位置に、該
スロットラインと電磁界結合するマイクロストリップラ
インを形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7549288A JPH01246902A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7549288A JPH01246902A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246902A true JPH01246902A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13577832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7549288A Pending JPH01246902A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246902A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114063A (en) * | 1978-02-25 | 1979-09-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ic-formed magic t and double balanced modulator using the said magic t |
| JPS55128901A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High frequency circuit device |
| JPS5875303A (ja) * | 1982-09-20 | 1983-05-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｉｃ化マジツクｔ |
| JPS6094506A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | Nec Corp | マジツクｔ回路 |
| JPS6143802A (ja) * | 1985-08-07 | 1986-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 変形結合スロツトラインを用いたｉｃ化マジツクｔ |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7549288A patent/JPH01246902A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114063A (en) * | 1978-02-25 | 1979-09-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ic-formed magic t and double balanced modulator using the said magic t |
| JPS55128901A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High frequency circuit device |
| JPS5875303A (ja) * | 1982-09-20 | 1983-05-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｉｃ化マジツクｔ |
| JPS6094506A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | Nec Corp | マジツクｔ回路 |
| JPS6143802A (ja) * | 1985-08-07 | 1986-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 変形結合スロツトラインを用いたｉｃ化マジツクｔ |
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