JPH0812887B2 - 高速集積回路パツケ−ジ - Google Patents

高速集積回路パツケ−ジ

Info

Publication number
JPH0812887B2
JPH0812887B2 JP60077550A JP7755085A JPH0812887B2 JP H0812887 B2 JPH0812887 B2 JP H0812887B2 JP 60077550 A JP60077550 A JP 60077550A JP 7755085 A JP7755085 A JP 7755085A JP H0812887 B2 JPH0812887 B2 JP H0812887B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
wiring
line structure
semiconductor integrated
strip line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60077550A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61239650A (ja
Inventor
彰 宮内
央 西本
正 沖山
博夫 北相模
正浩 杉本
春男 玉田
伸二 江森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP60077550A priority Critical patent/JPH0812887B2/ja
Priority to CA000506182A priority patent/CA1246170A/en
Priority to AT86302753T priority patent/ATE68915T1/de
Priority to DE8686302753T priority patent/DE3682101D1/de
Priority to EP86302753A priority patent/EP0198698B1/en
Publication of JPS61239650A publication Critical patent/JPS61239650A/ja
Priority to US07/222,303 priority patent/US4875087A/en
Priority to SG589/92A priority patent/SG58992G/en
Priority to HK565/92A priority patent/HK56592A/xx
Publication of JPH0812887B2 publication Critical patent/JPH0812887B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/601—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • H01P5/022—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
    • H01P5/028—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions between strip lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching; Mechanical auxiliary parts therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
    • H10W44/203—Electrical connections
    • H10W44/209—Vertical interconnections, e.g. vias
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Waveguides (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Train Traffic Observation, Control, And Security (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体集積回路チップを気密封止する部分に於ける配
線の幅を狭くして、その配線のマイクロストリップライ
ン構造となる部分と平衡型ストリップライン構造となる
部分の特性インピーダンスを整合させて、高速信号の伝
搬特性を改善したものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、数Gb/s程度の高速動作を可能とした半導体
集積回路チップを気密封止し、高速動作特性を改善した
高速集積回路パッケージに関するものである。
半導体技術の進歩により、数Gb/s程度の高速伝送信号
の処理用の半導体集積回路が実現している。このような
高速半導体集積回路に於いても、信頼性向上の為に半導
体集積回路チップはパッケージにより気密封止され、半
導体集積回路チップと接続された外部端子が導出され
て、外部装置との接続を行う必要がある。
〔従来の技術〕
Si（シリコン）又はGaAs（ガリウム砒素）等の半導体
チップに複数のトランジスタ等を形成した高速動作可能
の半導体集積回路チップを気密封止するパッケージは、
例えば、第３図の要部断面図及び第４図の要部平面図に
示す構成を有するものであった。即ち、下面に金属膜14
が形成されたセラミック等の絶縁基板12上に半導体集積
回路チップ16が搭載され、その半導体集積回路チップ16
と配線11とがアルミニウム或いは金の接続線17で接続さ
れ、金属のキャップ15により半導体集積回路チップ16の
気密封止が行われるものである。この場合、キャップ15
と配線11との間には絶縁体13が介在されている。又配線
11が気密封止部分から延長されて外部端子となる。
この外部端子は、プリント基板18の配線19と半田等に
より接続され、所望の信号処理装置が構成されるもので
ある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
半導体集積回路チップ16が気密封止された内部に於け
る配線11は、絶縁基板12の下面に金属膜14が形成されて
おり、上部が空間であるからマイクロストリップライン
構造となり、又気密封止部分までは、絶縁基板12と絶縁
体13とにより挟まれて、それらの厚さや誘電率を同一と
することにより平衡型ストリップライン構造となる。従
って、この平衡型ストリップライン構造となる配線11部
分に於いては、絶縁体13の誘電率に対応して特性インピ
ーダンスが低下することになる。その為、配線11を伝搬
する信号に対して特性インピーダンスの不整合による反
射損失等が生じる欠点があった。
本発明は、このような特性インピーダンスの不整合を
なくすことを目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の高速集積回路パッケージは、第１図を参照し
て説明すると、下面に金属膜を形成したセラミック等の
絶縁基板２上に半導体集積回路チップ６を搭載し、その
半導体集積回路チップ６と配線１とを接続線７で接続
し、その配線１を延長して外部端子1cとし、キャップに
よって半導体集積回路チップ６を気密封止し、その気密
封止の配線部分1bとキャップとの間に絶縁体３を介在さ
せて、平衡型ストリップライン構造とし、この平衡型ス
トリップライン構造となる配線部分1bの幅を、他のマイ
クロストリップライン構造となる配線部分1aの幅より狭
くしたものである。
〔作用〕
配線の幅を狭くすることにより特性インピーダンスは
大きくなり、又平衡型ストリップラインは誘電体によっ
て配線が挟まれるので、特性インピーダンスが小さくな
る傾向を有するものであり、気密封止部分の配線は、平
衡型ストリップライン構造であるから、特性インピーダ
ンスが小さくなるが、その配線1bの幅を狭くすることに
より特性インピーダンスを大きくし、結果として他のマ
イクロストリップライン構造の配線部分と同じ特性イン
ピーダンスとすることが可能となり、特性インピーダン
スの整合をとることができる。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説
明する。
第１図は本発明の実施例の要部平面図、第２図は要部
断面図であり、下面に金属膜４が形成されたセラミック
等の絶縁基板２上に、半導体集積回路チップ６を搭載
し、配線１と接続線７で接続する。又金属のキャップ５
と絶縁基板２の周辺とを絶縁体３を介して接合し、半導
体集積回路チップ６を気密封止する。配線１は、内部配
線部分1aと気密封止配線部分1bと外部端子1cとからな
り、気密封止配線部分1bは、絶縁基板２と絶縁体３とに
挟まれて平衡型ストリップラインを構成し、内部配線部
分1aは上部が空間のマイクロストリップラインを構成し
ている。なお、気密封止手段は半導体集積回路パッケー
ジに於ける公知の手段を採用することができるものであ
る。
配線１に於いて、平衡型ストリップライン構造の気密
封止配線部分1bの幅Wbを、マイクロストリップライン構
造の内部配線部分1aの幅Waより狭くするものである。こ
の幅Wa,Wbの関係は、絶縁基板２と絶縁体３との誘電率
や厚さに対応して特性インピーダンスが整合するように
選定されるものである。
例えば、絶縁基板２と絶縁体３とのそれぞれの誘電率
ε＝10、それぞれの厚さｔ＝330μｍ、配線１の厚さｄ
＝15μｍとし、内部配線部分1aの幅Waを300μｍとし
て、特性インピーダンスZ0＝50Ωとした場合に、気密封
止配線部分1bの幅Wbを300μｍとすると、その気密封止
配線部分1bの特性インピーダンスは33Ωとなり、特性イ
ンピーダンスの不整合が生じることになる。しかし、気
密封止配線部分1bの幅Wbを100μｍとすると、その部分
に於ける特性インピーダンスはほぼ50Ωとなり、特性イ
ンピーダンスの不整合は生じないことになる。
又内部配線部分1aと気密封止配線部分1bとの境界部分
の幅の変化は、気密封止部分の構成に対応して連続的と
なるようにすることもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、半導体集積回路チッ
プ６と接続した配線１を延長して外部端子1cとし、気密
封止される配線部分1bの幅Wbを内部配線部分1aの幅Waよ
り狭くしたことにより、内部配線部分1aと気密封止配線
部分1bとの特性インピーダンスを整合させることができ
る。又外部端子1cの特性インピーダンスとの整合をとる
こともできる。従って、高速信号の伝搬特性を改善する
ことができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の要部平面図、第２図は本発明
の実施例の要部断面図、第３図は従来例の要部断面図、
第４は従来例の要部平面図である。 １は配線、1aは内部配線部分、1bは気密封止配線部分、
1cは外部端子、２は絶縁基板、３は絶縁体、４は金属
膜、５はキャップ、６は半導体集積回路チップ、７は接
続線である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北相模 博夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 杉本 正浩 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 玉田 春男 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 江森 伸二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−168939（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−51554（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−89369（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下面に金属膜（４）を有する絶縁基板
    （２）上に搭載した半導体集積回路チップ（６）と、 該半導体集積回路チップ（６）と接続して外部端子とす
    る配線（１）と、 前記絶縁基板（２）の周辺と接合させて前記半導体集積
    回路チップ（６）を気密封止するキャップ（５）とを備
    えた高速集積回路パッケージに於いて、 前記絶縁基板（２）と前記キャップ（５）との間の平衡
    型ストリップライン構造となる気密封止配線部分（1b）
    の幅を、他のマイクロストリップライン構造となる配線
    部分（1a）の幅より狭くした ことを特徴とする高速集積回路パッケージ。
JP60077550A 1985-04-13 1985-04-13 高速集積回路パツケ−ジ Expired - Lifetime JPH0812887B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60077550A JPH0812887B2 (ja) 1985-04-13 1985-04-13 高速集積回路パツケ−ジ
CA000506182A CA1246170A (en) 1985-04-13 1986-04-09 Integrated circuit device having strip line structure therein
AT86302753T ATE68915T1 (de) 1985-04-13 1986-04-14 Integrierte schaltung mit eingebauter streifenleiterstruktur.
DE8686302753T DE3682101D1 (de) 1985-04-13 1986-04-14 Integrierte schaltung mit eingebauter streifenleiterstruktur.
EP86302753A EP0198698B1 (en) 1985-04-13 1986-04-14 Integrated circuit device having strip line structure therein
US07/222,303 US4875087A (en) 1985-04-13 1988-07-22 Integrated circuit device having strip line structure therein
SG589/92A SG58992G (en) 1985-04-13 1992-06-03 Integrated circuit device having strip line structure therein
HK565/92A HK56592A (en) 1985-04-13 1992-07-30 Gain controlled electronic ballast system integrated circuit device having strip line structure therein

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60077550A JPH0812887B2 (ja) 1985-04-13 1985-04-13 高速集積回路パツケ−ジ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61239650A JPS61239650A (ja) 1986-10-24
JPH0812887B2 true JPH0812887B2 (ja) 1996-02-07

Family

ID=13637119

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60077550A Expired - Lifetime JPH0812887B2 (ja) 1985-04-13 1985-04-13 高速集積回路パツケ−ジ

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4875087A (ja)
EP (1) EP0198698B1 (ja)
JP (1) JPH0812887B2 (ja)
AT (1) ATE68915T1 (ja)
CA (1) CA1246170A (ja)
DE (1) DE3682101D1 (ja)
HK (1) HK56592A (ja)
SG (1) SG58992G (ja)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2612697B1 (fr) * 1987-03-20 1989-06-16 Thomson Csf Jonction entre une ligne triplaque et une ligne microruban et applications
JPS63258046A (ja) * 1987-04-15 1988-10-25 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JP2507476B2 (ja) * 1987-09-28 1996-06-12 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JP2580674B2 (ja) * 1988-02-08 1997-02-12 三菱電機株式会社 高周波用モールド型パッケージ
FR2630261B1 (fr) * 1988-04-15 1990-08-17 Trt Telecom Radio Electr Circuit utilisable dans le domaine des hyperfrequences
US5136271A (en) * 1989-01-09 1992-08-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microwave integrated circuit mountings
JPH0716100B2 (ja) * 1990-01-10 1995-02-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 多層配線モジュール
US5157477A (en) * 1990-01-10 1992-10-20 International Business Machines Corporation Matched impedance vertical conductors in multilevel dielectric laminated wiring
US5065227A (en) * 1990-06-04 1991-11-12 International Business Machines Corporation Integrated circuit packaging using flexible substrate
ATE186795T1 (de) * 1990-07-21 1999-12-15 Mitsui Chemicals Inc Halbleiteranordnung mit einer packung
US5065124A (en) * 1990-09-04 1991-11-12 Watkins-Johnson Company DC-40 GHz module interface
JPH0766949B2 (ja) * 1990-09-28 1995-07-19 富士通株式会社 Ｉｃパッケージ
US5132613A (en) * 1990-11-30 1992-07-21 International Business Machines Corporation Low inductance side mount decoupling test structure
US5184095A (en) * 1991-07-31 1993-02-02 Hughes Aircraft Company Constant impedance transition between transmission structures of different dimensions
EP0563873B1 (en) * 1992-04-03 1998-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency ceramic multi-layer substrate
US5376909A (en) * 1992-05-29 1994-12-27 Texas Instruments Incorporated Device packaging
FR2695514B1 (fr) * 1992-09-10 1994-10-21 Alcatel Telspace Dispositif hyperfréquence comprenant un filtre triplaque réalisé dans une semelle conductrice d'électricité recouverte d'un matériau diélectrique.
US5338970A (en) * 1993-03-24 1994-08-16 Intergraph Corporation Multi-layered integrated circuit package with improved high frequency performance
US6271579B1 (en) * 1993-10-08 2001-08-07 Stratedge Corporation High-frequency passband microelectronics package
WO1996027282A1 (en) * 1995-03-02 1996-09-06 Circuit Components Incorporated A low cost, high performance package for microwave circuits in the up to 90 ghz frequency range using bga i/o rf port format and ceramic substrate technology
GB2298957A (en) * 1995-03-16 1996-09-18 Oxley Dev Co Ltd Microstrip microwave package
DE19534309C1 (de) * 1995-09-15 1997-03-27 Siemens Ag Anordnung zum Übertragen von Signalen über Triplate-Leitungen
FR2739496B1 (fr) * 1995-10-03 1998-01-30 Dassault Electronique Circuit hyperfrequence multicouches a elements actifs integres
FR2739492B1 (fr) * 1995-10-03 1997-11-07 Dassault Electronique Circuit hyperfrequence multi-couches a elements actifs integres
US5952709A (en) * 1995-12-28 1999-09-14 Kyocera Corporation High-frequency semiconductor device and mounted structure thereof
EP0795907A1 (fr) * 1996-03-14 1997-09-17 Dassault Electronique Circuit hyperfréquence multicouches à éléments actifs intégrés
US6018283A (en) * 1996-12-18 2000-01-25 Texas Instruments Incorporated Ultrawide bandwidth Z-axis interconnect
US6687842B1 (en) * 1997-04-02 2004-02-03 Tessera, Inc. Off-chip signal routing between multiply-connected on-chip electronic elements via external multiconductor transmission line on a dielectric element
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US6261872B1 (en) * 1997-09-18 2001-07-17 Trw Inc. Method of producing an advanced RF electronic package
US5923234A (en) * 1997-10-27 1999-07-13 Lockheed Martin Corp. Hermetic feedthrough using three-via transmission lines
US6057600A (en) * 1997-11-27 2000-05-02 Kyocera Corporation Structure for mounting a high-frequency package
KR100563122B1 (ko) * 1998-01-30 2006-03-21 다이요 유덴 가부시키가이샤 하이브리드 모듈 및 그 제조방법 및 그 설치방법
US6225690B1 (en) * 1999-12-10 2001-05-01 Lsi Logic Corporation Plastic ball grid array package with strip line configuration
JP2001308547A (ja) * 2000-04-27 2001-11-02 Sharp Corp 高周波多層回路基板
TW452953B (en) * 2000-05-22 2001-09-01 Via Tech Inc BGA chip package capable of decreasing its impedance when operating at high frequency
EP1293009A4 (en) * 2000-06-09 2004-06-09 Synergy Microwave Corproation MULTI-LAYERED MICROWAVE CIRCUITS AND METHODS OF MAKING SAME
JP3487283B2 (ja) * 2000-10-31 2004-01-13 三菱電機株式会社 差動ストリップ線路垂直変換器および光モジュール
JP4462758B2 (ja) * 2000-12-27 2010-05-12 京セラ株式会社 高周波用配線基板
FR2826780A1 (fr) * 2001-06-28 2003-01-03 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur a structure hyperfrequence
DE10212769A1 (de) * 2002-03-22 2003-10-02 Dystar Textilfarben Gmbh & Co Farbstoffmischungen von faserreaktiven Azofarbstoffen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
JP2005086603A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Tdk Corp 電子部品モジュールおよびその製造方法
JP2008537843A (ja) 2005-03-01 2008-09-25 エックストゥーワイ アテニュエイターズ，エルエルシー 内部で重なり合った調整器
US8159832B2 (en) * 2007-09-21 2012-04-17 Nokia Corporation Electromagnetic band gap structures and method for making same
US8081045B1 (en) * 2008-08-08 2011-12-20 Lockheed Martin Corporation Beamformer power divider/combiner with transmission lines distributed between MMIC and associated PC board
JP5636834B2 (ja) * 2010-09-10 2014-12-10 富士通株式会社 高周波回路用パッケージ及び高周波回路装置
US10062972B1 (en) * 2013-04-23 2018-08-28 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Antenna array with low Rx and Tx sidelobe levels
CN111788737B (zh) 2017-11-10 2022-11-15 雷神公司 毫米波传输线架构
US11121474B2 (en) 2017-11-10 2021-09-14 Raytheon Company Additive manufacturing technology (AMT) low profile radiator
JP7155261B2 (ja) 2017-11-10 2022-10-18 レイセオン カンパニー 無線周波数回路におけるアディティブ製造技術（ａｍｔ）ファラデー境界
US11289814B2 (en) 2017-11-10 2022-03-29 Raytheon Company Spiral antenna and related fabrication techniques
US20190150296A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Raytheon Company Additive manufacturing technology microwave vertical launch
EP3760014B1 (en) 2018-02-28 2022-09-28 Raytheon Company Snap-rf interconnections
EP3760015B1 (en) 2018-02-28 2023-09-27 Raytheon Company Additive manufacturing technology (amt) low profile signal divider

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715635A (en) * 1971-06-25 1973-02-06 Bendix Corp High frequency matched impedance microcircuit holder
GB1501500A (en) * 1975-06-20 1978-02-15 Int Computers Ltd Multilayer printed circuit boards
GB2007911B (en) * 1977-10-12 1982-03-24 Secr Defence Methods of packaging microwave intergrated circuits and to microwave intergrated circiuted packages
US4259684A (en) * 1978-10-13 1981-03-31 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Packages for microwave integrated circuits
US4276558A (en) * 1979-06-15 1981-06-30 Ford Aerospace & Communications Corp. Hermetically sealed active microwave integrated circuit
GB2078845A (en) * 1980-06-23 1982-01-13 Electronic Locks Sweden Ab Lock system for storage units
US4498122A (en) * 1982-12-29 1985-02-05 At&T Bell Laboratories High-speed, high pin-out LSI chip package
CA1246755A (en) * 1985-03-30 1988-12-13 Akira Miyauchi Semiconductor device
US4701573A (en) * 1985-09-26 1987-10-20 Itt Gallium Arsenide Technology Center Semiconductor chip housing

Also Published As

Publication number Publication date
HK56592A (en) 1992-08-07
ATE68915T1 (de) 1991-11-15
SG58992G (en) 1992-09-04
EP0198698A2 (en) 1986-10-22
CA1246170A (en) 1988-12-06
JPS61239650A (ja) 1986-10-24
EP0198698B1 (en) 1991-10-23
DE3682101D1 (de) 1991-11-28
US4875087A (en) 1989-10-17
EP0198698A3 (en) 1988-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4875087A (en) Integrated circuit device having strip line structure therein
US4725878A (en) Semiconductor device
US5014115A (en) Coplanar waveguide semiconductor package
US5451818A (en) Millimeter wave ceramic package
JP2605502B2 (ja) パッケージ
JP2978533B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH0321089B2 (ja)
JPH0325082B2 (ja)
JPH0766949B2 (ja) Ｉｃパッケージ
US5777528A (en) Mode suppressing coplanar waveguide transition and method
US4996588A (en) Device for interconnection and protection of a bare microwave component chip
JPH067551B2 (ja) 半導体装置
JP3409767B2 (ja) 高周波回路基板
JP3395290B2 (ja) 高周波用回路基板
JP3170017B2 (ja) 半導体装置
JP3297607B2 (ja) 高周波回路用パッケージ
JPH05199019A (ja) 高周波回路パッケージ
JPH05259717A (ja) マイクロストリップ結合器
JPH0427170Y2 (ja)
KR900005784B1 (ko) 스트립선 구조를 내장한 집적회로장치
JPH0126109Y2 (ja)
JP3297604B2 (ja) 高周波回路用パッケージ
JP2507483B2 (ja) フィルムキャリアを用いた半導体集積回路装置
JP2000164764A (ja) 高周波用配線基板の実装構造
JPS6045044A (ja) Ｉｃパツケ−ジ