JPH0124799Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は装置に取付けられた磁気バブルメモ
リが不正に外されようとすると、磁気バブルメモ
リの記憶が自動的に破壊されるようにした磁気バ
ブルメモリの記憶破壊回路に関する。

「従来の技術」 各種情報処理装置においてはプログラムや各種
データは磁気デイスクや磁気テープに記憶してお
き、必要に応じて記憶を読み出して利用すること
が行われている。このプログラムやデータには秘
密性の高いものがある。このようなものを記憶し
た磁気デイスクや磁気テープにおいては、キーワ
ード（パスワード）が用いられ、そのキーワード
を入力し、これと一致しないと外部からこれら磁
気デイスクが磁気テープをアクセスすることがで
きないようにされている。

しかし磁気バブルメモリは、例えばカセツトに
されて用いられ、これを直接アクセスすることが
でき、キーワードのようなものを用いることはで
きず、磁気バブルメモリを入手できれば誰れでも
がその記憶内容を読み取ることができる。この点
から磁気バブルメモリの記憶内容につき秘密を保
持する対策が必要とされていた。

この考案の目的は磁気バブルメモリが不正に装
置から取り外されようとするとその記憶内容が自
動的に消去されるようにした磁気バブルメモリの
記憶破壊回路を提供することにある。

「問題点を解決するための手段」 この考案によれば磁気バブルメモリにその記憶
内容を消去する磁界を印加することができる破壊
コイルが設けられ、不正に磁気バブルメモリが装
置から外されようとすると破壊動作起動スイツチ
が動作し、そのスイツチの動作により、電源端子
に接続された破壊用電源から上記破壊コイルに破
壊電流を自動的に流す。この破壊電流により磁気
バブルメモリの記憶は破壊するが、磁気バブルメ
モリが物理的にまでは破壊しないように制限手段
が設けられる。

「実施例」 図はこの考案による磁気バブルメモリの記憶破
壊回路の実施例を示す。図の右側に示すように破
壊コイル１１が設けられる。この破壊コイル１１
としては例えば磁気バブルメモリカセツトに内蔵
している消去用コイルを用いることができ、破壊
コイル１１に破壊電流を流すことにより磁気バブ
ルメモリに記憶破壊磁界を印加し、バブルの極性
をすべて同一方向に磁化し、つまりその記憶内容
を消去することができるものである。

また磁気バブルメモリが装置から不正に取り外
されようとすると動作する破壊動作起動スイツチ
１２が必要に応じて複数設けられる。例えば磁気
バブルメモリのカセツトが収容された収容室のと
びらを不正に開けようとすると自動的に動作する
ように、そのとびらの可動部と関連して破壊動作
起動スイツチ１２が設けられる。また磁気バブル
メモリカセツトをわずかでも外そうとすると直ち
に動作するスイツチが破壊動作起動スイツチ１２
として設けられる。このスイツチ１２は安全性を
高める点から、磁気バブルメモリを外すために必
要とする各種接続にそれぞれ応動するように複数
個を設けることが好ましい。図には特に示してな
いが、正規の操作員は例えばキーワードにより、
あるいはキー、または隠された解除スイツチによ
り、破壊動作起動スイツチ１２が動作しても破壊
動作が発生しないようにされる。

この記憶破壊回路の電源端子１３，１４には破
壊用電源が接続される。この例では電源端子１
３，１４に、商用電源１５の出力を直流化する電
源回路１６が接続される。あるいは電池１７が接
続される。この例では電池１７は２次電池であ
り、電池１７の正側は端子１３に接続され、電源
回路１６の正側はダイオード１８を通じて電源端
子１３に接続される。電池１７の負側は電源切替
回路１９を通じ、更に主スイツチ２１を通じて電
源端子１４に接続される。電源端子１４は充電回
路２３を通じ、更に電源切替回路１９を通じて電
源回路１６の負側に接続される。電源切替回路１
９は点線で示すように常時は接点２４により電池
１７と主スイツチ２１とが接続され、また切替接
点２５により電源回路１６の負側は電源端子１４
と充電回路２３の他端とに切替え接続される。

起動スイツチ１２が動作すると電源端子１３，
１４に接続された破壊用電源から破壊電流が破壊
コイル１１に流される。この例では起動スイツチ
１２が動作するとリレーが起動され、そのリレー
により破壊電流が流される。またこの破壊電流が
磁気バブルメモリを物理的に破壊しないように制
限する。例えば電源端子１３に起動スイツチ１２
の一端が接続され、また破壊コイル１１の一端が
接続され、破壊コイル１１の他端は電流制限用抵
抗器２６を通じ、更にリレー接点２７ａ、スイツ
チ２８を通じて電源端子１４に接続される。

更にこの例では破壊コイル１１に一定時間破壊
電流を流すと自動的にこの電流が停止されて磁気
バブルメモリの物理的破壊が防止される。すなわ
ち起動スイツチ１２は破壊時間制限回路２９に接
続され、起動スイツチ１２がオンにされると破壊
時間制限回路２９内のリレーコイル２７ｃに一定
時間電流を流す。

スイツチ２１，２８は連動とされ、この記憶破
壊回路を動作状態にする際にオンされる。この状
態でリレーコイル２７ｃと直列のトランジスタ３
１のベースには高レベルが与えられている。磁気
バブルメモリが外されようとして破壊動作起動ス
イツチ１２が動作（オン）すると、その起動スイ
ツチ１２を通じてトランジスタ３１のコレクタエ
ミツタ間に電源端子１３，１４の電圧が印加さ
れ、トランジスタ３１が直ちに導通し、リレーコ
イル２７ｃに電流が流れ、そのリレーの接点２７
ａがオンとなつて、破壊コイル１１に破壊電流が
流れ、磁気バブルメモリの記憶内容は瞬時にして
破壊される。

この時、破壊コイル１１に磁気バブルメモリを
物理的に破壊するような過大電流が流れようとし
ても電流制限用抵抗器２６により破壊電流が制限
され、磁気バブルメモリが物理的に破壊するおそ
れはない。また破壊時間制限回路２９内において
抵抗器３２を通じてコンデンサ３３に対する充電
が行われ、一定時間するとシユミツトトリガ回路
３４がトリガされてその出力によりトランジスタ
３１は不導通となり、従つてリレー接点２７ａは
オフとなる。このようにして破壊コイル１１に一
定時間以上破壊電流が流れて磁気バブルメモリが
物理的に破壊するのを防止している。

この実施例においては電流制限用抵抗器２６の
両端は破壊電流検出回路３５に接続され、電流制
限用抵抗器２６に破壊電流が流れ、その両端電圧
が所定値を越えると、これが破壊電流検出回路３
５で検出され、その検出出力により、例えばフリ
ツプフロツプよりなる破壊確認回路３６が駆動さ
れ、破壊電流が流れたことが記憶され、このこと
が例えば表示素子３７で表示される。従つて磁気
バブルメモリに対する記憶破壊が行われると、そ
のことが破壊確認回路３６に記憶される。このた
め磁気バブルメモリが持ち去られても、その記憶
内容は破壊されてしまつたものとなつたことが破
壊確認回路３６で確認でき、つまり磁気バブルメ
モリに記憶していた内容が盗まれるおそれはなか
つたことが確認される。

なお電池１７は電源回路１６の出力により、充
電回路２３を通じて常時充電状態になつており、
停電などにより電源回路１６から出力が得られな
い状態でも電池１７により、この記憶破壊回路は
所期の動作をする。電池１７を用いない場合は破
壊電源切替回路１９内の接点２４をオフとし、接
点２５を電源端子１４側に切替えればよい。また
電池１７のみで動作させることもできることは明
らかである。

必要に応じて電源端子１３，１４に電圧検出回
路３８が接続され、電源端子１３，１４間の電圧
が低下して破壊コイル１１に電流を流しても磁気
バブルメモリの記憶を消去することができない状
態になると、これを電圧検出回路３８が検出し、
表示素子３９に表示するなどの響報を発する。ス
イツチ２１，２８の一方は省略してもよい。

「考案の効果」 以上述べたようにこの考案の記憶破壊回路によ
れば、磁気バブルメモリが取り去られようとする
と、破壊動作起動スイツチが動作して直ちに破壊
電流が破壊コイルに流れ、磁気バブルメモリの記
憶が破壊される。従つて磁気バブルメモリが持ち
去られてもそれまでに記憶していた内容が盗まれ
るおそれはない。誤つて破壊動作起動スイツチを
動作しても、磁気バブルメモリが物理的に破壊さ
れるのは防止するようにされているため、その磁
気バブルメモリをメモリとして何度も使用するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

図はこの考案による磁気バブルメモリの記憶破
壊回路の実施例を示す図である。 １１：破壊コイル、１２：破壊動作起動スイツ
チ、１３，１４：電源端子、１９：破壊電源切替
回路、２６：電流制限用抵抗器、２９：破壊時間
制限回路。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 磁気バブルメモリに、その記憶内容を消去する
   磁界を発生することができる破壊コイルと、 破壊用電源が接続されるべき電源端子と、 不正に上記磁気バブルメモリが装置から外され
   ようとすると動作して上記破壊コイルに上記電源
   端子を通じて破壊電流を供給する破壊動作起動ス
   イツチと、 上記破壊電流が供給された際に上記磁気バブル
   メモリが物理的に破壊されるのを防止する制限手
   段とを具備する磁気バブルメモリの記憶破壊回
   路。