JPS6230109Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6230109Y2 JPS6230109Y2 JP1984198172U JP19817284U JPS6230109Y2 JP S6230109 Y2 JPS6230109 Y2 JP S6230109Y2 JP 1984198172 U JP1984198172 U JP 1984198172U JP 19817284 U JP19817284 U JP 19817284U JP S6230109 Y2 JPS6230109 Y2 JP S6230109Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- volatile memory
- power supply
- memory
- detection means
- light detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Storage Device Security (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、メモリ消去回路に関し、特に、揮発
性メモリを有する装置において、装置の盗難等の
場合にメモリの記憶データを消去し、秘密のデー
タが他人に知られるのを防ぐことを目的としたメ
モリ消去回路に関する。
性メモリを有する装置において、装置の盗難等の
場合にメモリの記憶データを消去し、秘密のデー
タが他人に知られるのを防ぐことを目的としたメ
モリ消去回路に関する。
従来の技術
CMOS技術を用いた揮発生スタチツクRAM
（以下単にCMOSRAMと記す）は、消費電力が非
常に少なく、装置の主電源が切れても小型の電池
でバツクアツプすることにより、長時間（場合に
よつては数年間）にわたつて記憶の保持が可能で
ある。この特性により、CMOSRAMは、近年、
種々の電子装置において半永久的なデータの記憶
に利用されている。
（以下単にCMOSRAMと記す）は、消費電力が非
常に少なく、装置の主電源が切れても小型の電池
でバツクアツプすることにより、長時間（場合に
よつては数年間）にわたつて記憶の保持が可能で
ある。この特性により、CMOSRAMは、近年、
種々の電子装置において半永久的なデータの記憶
に利用されている。
この様な装置においては、CMOSRAMの記憶
データに対して厳重に秘密保持が要求される場合
があり、特に装置の盗難といつた事態において
も、自動的、かつ速やかに記憶データの消去を行
う回路の必要性が増大している。
データに対して厳重に秘密保持が要求される場合
があり、特に装置の盗難といつた事態において
も、自動的、かつ速やかに記憶データの消去を行
う回路の必要性が増大している。
従来、この種のメモリ消去回路として、マイク
ロスイツチ等を用い、装置のフタの開閉といつた
機械的動作によつて、CMOSRAMへの電源電流
を切る方法が考案されている。
ロスイツチ等を用い、装置のフタの開閉といつた
機械的動作によつて、CMOSRAMへの電源電流
を切る方法が考案されている。
考案が解決しようとする問題点
しかしながら、上記方法は、非常に簡単である
が、機械的部品を用いるために、小型化が因難で
ある。故に、超小型の装置には実装することが難
しく、さらに、マイクロスイツチの所在が発見さ
れ易く、データの不正入手を計る者により、メモ
リ消去の防止策を容易に見出される可能性があつ
た。
が、機械的部品を用いるために、小型化が因難で
ある。故に、超小型の装置には実装することが難
しく、さらに、マイクロスイツチの所在が発見さ
れ易く、データの不正入手を計る者により、メモ
リ消去の防止策を容易に見出される可能性があつ
た。
本考案は従来の上記事情に鑑みてなされたもの
であり、従つて本考案の目的は、従来方式の以上
欠点を改善することができる新規なメモリ消去回
路を提供することにある。
であり、従つて本考案の目的は、従来方式の以上
欠点を改善することができる新規なメモリ消去回
路を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本考案に係るメモリ消去回路は、従来方式と異
なり、装置のフタが開けられたことをフオトトラ
ンジスタやフオトダイオードといつた光検出手段
により、装置外部からの光線を懸出することによ
つて認識し、この光検出手段の出力を用いて電流
遮断手段を駆動し、電源からCMOSRAMに供給
される電源電流を遮断し、記憶データの消去を行
うことを特徴としている。
なり、装置のフタが開けられたことをフオトトラ
ンジスタやフオトダイオードといつた光検出手段
により、装置外部からの光線を懸出することによ
つて認識し、この光検出手段の出力を用いて電流
遮断手段を駆動し、電源からCMOSRAMに供給
される電源電流を遮断し、記憶データの消去を行
うことを特徴としている。
本考案は、全て電子的手段を用いているため
に、小型化が容易であり、超小型の装置にも実装
できる。また、小型であることを用いて、装置内
に巧みに隠匿することができるために、他人が本
回路の存在に気づく可能性も少なくなる。
に、小型化が容易であり、超小型の装置にも実装
できる。また、小型であることを用いて、装置内
に巧みに隠匿することができるために、他人が本
回路の存在に気づく可能性も少なくなる。
考案の実施例
次に、本考案をその好ましい一実施例について
図面を用いて詳細に説明する。
図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本考案の一実施例を示す一般的なブロ
ツク図である。図中の光検出手段２において、装
置外部からの光線ａ１が検出されると、その出力
ｖ１によつて電流遮断手段３が動作し、電源１か
ら揮発性メモリ４へ供給される電源電流ｌ１が遮
断され、揮発性メモリ４内のデータが消去され
る。
ツク図である。図中の光検出手段２において、装
置外部からの光線ａ１が検出されると、その出力
ｖ１によつて電流遮断手段３が動作し、電源１か
ら揮発性メモリ４へ供給される電源電流ｌ１が遮
断され、揮発性メモリ４内のデータが消去され
る。
光検出手段２及び電流遮断手段３はさまざまな
構成法が考れられるが、第２図はその具体的な回
路構成例を示したものであり、光検出手段２とし
てフオトトランジスタ５が、電流遮断手段３とし
て抵抗６、トランジスタ７、ダイオード８がそれ
ぞれ使用されている。
構成法が考れられるが、第２図はその具体的な回
路構成例を示したものであり、光検出手段２とし
てフオトトランジスタ５が、電流遮断手段３とし
て抵抗６、トランジスタ７、ダイオード８がそれ
ぞれ使用されている。
第２図において、外部光線ａ２がない場合に
は、フオトトランジスタ５は“OFF”状態であ
り、トランジスタ７のベース電位ｖ２は抵抗６に
よつて、ほぼ電源１の出力電圧ｖ３に等しい。故
に、トランジスタ７は“ON”状態であり、揮発
性メモリ４に電源電流ｌ２が供給されており、記
憶データが保持されている。逆に外部光線ａ２が
入射すると、フオトトランジスタ５が“ON”状
態になるため、トランジスタ７のベース電位ｖ２
がほぼグランド電位まで落ちる。このために、ト
ランジスタ７が“OFF”状態となり、揮発性メ
モリ４への電源電流ｌ２が遮断され、記憶データ
が消去される。ダイオード８は、フオトトランジ
スタ５の導通時に、揮発生メモリ４に蓄積された
電荷を速やかに放電し、短時間に記憶データの消
去が行なわれる様に、挿入されている。
は、フオトトランジスタ５は“OFF”状態であ
り、トランジスタ７のベース電位ｖ２は抵抗６に
よつて、ほぼ電源１の出力電圧ｖ３に等しい。故
に、トランジスタ７は“ON”状態であり、揮発
性メモリ４に電源電流ｌ２が供給されており、記
憶データが保持されている。逆に外部光線ａ２が
入射すると、フオトトランジスタ５が“ON”状
態になるため、トランジスタ７のベース電位ｖ２
がほぼグランド電位まで落ちる。このために、ト
ランジスタ７が“OFF”状態となり、揮発性メ
モリ４への電源電流ｌ２が遮断され、記憶データ
が消去される。ダイオード８は、フオトトランジ
スタ５の導通時に、揮発生メモリ４に蓄積された
電荷を速やかに放電し、短時間に記憶データの消
去が行なわれる様に、挿入されている。
考案の効果
以上の様に、本考案では、全て電子的手段を用
いてメモリ消去回路が構成されているので、小型
化が容易であり、メモリと共にハイブリツドIC
内に実装することも可能である。また、小型であ
る特徴を生かせば、従来方式のマイクロスイツチ
とは異なり、巧みに装置内に隠匿することがで
き、他人に本回路の存在を気づかれる可能性が小
さくなる。
いてメモリ消去回路が構成されているので、小型
化が容易であり、メモリと共にハイブリツドIC
内に実装することも可能である。また、小型であ
る特徴を生かせば、従来方式のマイクロスイツチ
とは異なり、巧みに装置内に隠匿することがで
き、他人に本回路の存在を気づかれる可能性が小
さくなる。
第１図は本考案の一実施例を示す一般的なブロ
ツク図、第２図は第１図に示した本考案一実施例
の具体的回路構成例を示す図である。 １……電源、２……光検出手段、３……電流遮
断手段、４……揮発性メモリ、５……フオトトラ
ンジスタ、６……抵抗、７……トランジスタ、８
……ダイオード、ａ１，ａ２……外部からの光
線、ｖ１……光検出手段の出力、ｖ２……トラン
ジスタ７のベース電圧、ｖ３……電源１の出力電
圧、ｌ１，ｌ２……電源電流。
ツク図、第２図は第１図に示した本考案一実施例
の具体的回路構成例を示す図である。 １……電源、２……光検出手段、３……電流遮
断手段、４……揮発性メモリ、５……フオトトラ
ンジスタ、６……抵抗、７……トランジスタ、８
……ダイオード、ａ１，ａ２……外部からの光
線、ｖ１……光検出手段の出力、ｖ２……トラン
ジスタ７のベース電圧、ｖ３……電源１の出力電
圧、ｌ１，ｌ２……電源電流。
Claims (1)
- 揮発性メモリを有する装置において、外部光線
を検出するための光検出手段と、前記光検出手段
により駆動される電流遮断手段とを有し、前記装
置外からの光線が前記光検出手段で検出される
と、前記電流遮断手段により前記揮発性メモリに
供給される電源電流を遮断し、前記揮発性メモリ
の記憶内容を消去することを特徴とするメモリ消
去回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984198172U JPS6230109Y2 (ja) | 1984-12-31 | 1984-12-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984198172U JPS6230109Y2 (ja) | 1984-12-31 | 1984-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61120957U JPS61120957U (ja) | 1986-07-30 |
| JPS6230109Y2 true JPS6230109Y2 (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=30756937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984198172U Expired JPS6230109Y2 (ja) | 1984-12-31 | 1984-12-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230109Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124153A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 記憶情報保護装置 |
| JPH0646373B2 (ja) * | 1987-01-28 | 1994-06-15 | アンリツ株式会社 | メモリのバツクアツプ回路 |
-
1984
- 1984-12-31 JP JP1984198172U patent/JPS6230109Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61120957U (ja) | 1986-07-30 |
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