JPH01248546A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

電子部品及びその製造方法

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JPH01248546A
JPH01248546A JP63074402A JP7440288A JPH01248546A JP H01248546 A JPH01248546 A JP H01248546A JP 63074402 A JP63074402 A JP 63074402A JP 7440288 A JP7440288 A JP 7440288A JP H01248546 A JPH01248546 A JP H01248546A
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JP
Japan
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resin
sealing
electronic part
electronic component
lead
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JP63074402A
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English (en)
Inventor
Masaki Adachi
正樹 安達
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
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    • HELECTRICITY
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は電子部品の封正に用いられる電子部品及びその
製造方法に関する。
(従来の技術) 一般に、電子部品の封止には、熱硬化性樹脂であるエポ
キシ樹脂が用いられている。しかし。
エポキシ樹脂の保管に冷蔵庫を必要とし、かつ。
トランスファー成形工程においてエポキシ樹脂内の離型
剤、離燃剤のしみ出しにより発生した肉厚5μm程度の
パリを除去する工程が必要であシ、生産効率が悪い。ま
た、エポキシ樹脂の硬化時間が5〜10分、なおかつポ
ストキュア工程が必要でサイクルタイムの短縮ができな
い。さらには、スプルー、:7ンナー等の再生による使
用ができないため、材料歩留が悪い。
そこで、熱可塑性樹脂による封止が考えられているが、
熱可塑性樹脂は、密着性がエポキシ樹脂に比較して劣り
、リードフレームと封止樹脂間にギャップを生じ、この
ギャップからの水分の侵入により、チップ表面を汚染し
、リーク電流を生じていた。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上
させ、かつまた、生産性の良好な電子部品及びその製造
方法を提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段と作用) 熱可塑性樹脂と、粉末状のシリカと、シリルパーオキシ
ドとを重量比でそれぞれ49 : 50 : 1乃至2
5 : 70 : 5含む樹脂を用いてリード部を封止
する樹脂部を射出成形し、リード部と樹脂部との密着性
を向上させるようにしたものである。
(実施例) 以下1本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
この実施例の電子部品の封正に用いられる樹脂は、熱可
塑性樹脂と、粉末状のシリカと、シラン系のカップリン
グ剤とからなっている。とれらの混合割合は1重量比で
それぞれ49 : 50 : 1から25: 70 :
 sである。しかして、熱可塑性樹脂としては、ポIJ
 フェニレンサルファイド(pps)、液晶ポリマー(
LOP)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)のう
ち少なくとも一種以上含まれてなるものである。また、
シリカは、溶融シリカ若しくは結晶シリカからなってい
る。そして、このシリカの平均粒径は、 10〜50μ
mである。このようなシリカは。
ジェットミル法若しくは振動ミル法で粉末化したもので
ある。一方、カップリング剤としては、シリルパーオキ
シド(R,n8i (00几′)nCnは1〜4の整数
〕)であって、Rとしては、メチル基、ビニル基、アリ
ル基などがある。また、几′とじては。
t−ブチル基、クルミ基、p−メンチル基などがある。
ところで、シリカの重量比を50〜70に限定したのは
、50%よシ少ないと線膨張係数が7 X 10−’c
rIL/cML・℃と大きくなυ、後述する電子部品の
リード線の線膨張係数が銅系だと1.OX 10  c
rrt/crIL・℃でらるために、この差によ多温度
サイクルが加わると、リード線の断線を生じる。また、
シリカが70チ以上だと、射出成形時に、樹脂の溶融粘
度が大きくなシ、リード線の断線を生じる。他方、シリ
ルパーオキシドの重量比を1〜5%と限定したのは、1
%以下だと密着性の効果がでないし、また。
5%以とだと金型表面との密着性が向上するために、成
形後の離型時に成形された電子部品の取出しが困難とな
る。このような構成を有する電子部品封止用樹脂は、カ
レンダーロール式混線機およびミキサー等を併用して混
合した後、射出成形機により所定の電子部品の形状に成
形される。
つぎに、上記実施例の電子部品封止用樹脂を用いたこの
実施例の電子部品である半導体装置について述べる。
第1図は、この実施例の半導体装置を示している。この
半導体装置は、所定のパターンの形成された半導体チッ
プ(1)がリードフレームのテップペッド(2)に取付
けられ、この半導体チック+1)およびそのパッドとリ
ード(3)・・・の基部とを接続する金ワイヤ(4)な
どを上述した組成を有する樹脂封止部(5)により封止
してなるものである。上記リード(3)・・・は、樹脂
封止部(5)から外側に突出し1、中途部から下方に折
曲されている。
このような半導体装置の製造は、第2図に示すように、
チップベツド(2)および複数本のリード(3)・・・
が連結部(6)・・・を介して一体に連結されたリード
フレーム(力を用い、そのチップベツド(2)に半導体
チップ(1)をパッドとリード(3)の基部とを金ワイ
ヤ(4)で接続したのち、これを後述するモールド金型
に取付けて射出成形により樹脂封止する。第2図中の破
線は、その樹脂封止部(5)の平面形状を示している。
しかるのち、樹脂封止部(5)の外側に延出しているリ
ート責3)・・・の基部を折曲することにより形成され
ている。
このような半導体装置は、リードフレーム(7)と樹脂
封止部(5)との密着性がすこぶる良好で、悪条件下で
も水分の侵入がない高い信頼性を有する。
しかも、樹脂封止部(5)は、熱可塑性樹脂の射出成形
により得られるので、パリ発生がないことによυバリ取
り工程の省略及びサイクルタイムの短縮をはかることが
できるとともに、樹脂の保管が容易となる。ちなみに、
第1表は、上述した半導体装置を気温85°C2かつ湿
度85チ中にて72時間放置したときの、水分の樹脂封
止部(5)内への水分の透過距離L(第3図参照)測定
結果を示すものである。この表が示すように、シリルパ
ーオキシドの添加量が、0%、2%、5%と各順に増加
するにつれ。
透過距離りは減少する。とぐに、シリルパーオキシドの
添加量が5俤のときは、水分の透過距離りは0となって
いる。このことは、シリルノく−オキシドが、リードフ
レーム(力と樹脂封止部(5)との密着性の向上に大き
く寄与していることを示す。このように密着性が向上す
るのは、■シリルノく一オキシドがマトリックス高分子
とフリーラジカル機構で結合する。■リードフレーム(
7)面への結合反応が熱分解により進行する。ことの2
点によると考えられる。これに対し、従来のシラン系カ
ップリング剤は、■マトリックス高分子とイオン結合に
より結合する。■リードフレーム(7)WJへの結合反
応が加水分解により進行する。ことにより、密着性が劣
ると考えられる。とくに、従来のカップリング剤は、上
記0項により、樹脂封止部(5)中に水分が侵入して反
応が生じる問題を生じる。
以下余白 なお、上記実施例において、粉末状のシリカを樹脂成分
として含有させているが、ガラス繊維でもよい。
さらに、電子部品としては、LSI、IC等の半導体装
置に限ることなく、コンデンサ、抵抗等、リードと樹脂
部を有するものであればいかなるものでもよい。
〔発明の効果〕
本発明は、電子部品のリード部と樹脂部との密着性が向
上し、水分の樹脂部内への侵入を防ぐことができるので
、′U1子部品としての信頼性が著しく向上する。また
、樹脂部の射出成形が可能となシ、パリ取シ工程の省略
、サイクルタイムの短縮などにより、生産性が向上する
。また、樹脂の再生が可能となシ歩留が改善するととも
に、樹脂の保管に冷蔵庫を必要しない利点を有している
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の電子部品の断面図。 第2図は第1図の電子部品の製造方法の説明図。 第3図は本発明の一実施例の電子部品封土用樹脂の効果
の説明に用いられる図である。 (3) :  リ   −   ド 。 (5):明所封止部。 (カニリードフレーム。 代理人 弁理士  則 近 憲 佑 同   松山光之 第1図 1′ 第 2 図 第 3 R

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属製のリード部及びこのリード部の一部を突出
    させて封止する樹脂部とを具備し、上記樹脂部は、熱可
    塑性樹脂と、粉末状のシリカと、シリルバーオキシドと
    が、それぞれ重量比で49:50:1乃至25:70:
    5の割合で含まれてなることを特徴とする電子部品。
  2. (2)金属製のリード部と、このリード部の一部を突出
    させて封止する樹脂部とからなり、上記樹脂部は、熱可
    塑性樹脂と、粉末状のシリカと、シリルバーオキシドと
    が、それぞれ重量比で49:50:1乃至25:70:
    5の割合で含まれてなる電子部品の製造方法において、
    上記樹脂部を射出成形により成形することを特徴とする
    電子部品の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000042108A1 (en) * 1999-01-14 2000-07-20 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Polyarylene sulfide resin composition
US6469091B2 (en) 1999-01-14 2002-10-22 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Polyarylene sulfide resin composition
US7690303B2 (en) * 2004-04-22 2010-04-06 Reynolds Systems, Inc. Plastic encapsulated energetic material initiation device
US8100043B1 (en) 2008-03-28 2012-01-24 Reynolds Systems, Inc. Detonator cartridge and methods of use
US8485097B1 (en) 2010-06-11 2013-07-16 Reynolds Systems, Inc. Energetic material initiation device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000042108A1 (en) * 1999-01-14 2000-07-20 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Polyarylene sulfide resin composition
US6469091B2 (en) 1999-01-14 2002-10-22 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Polyarylene sulfide resin composition
US7690303B2 (en) * 2004-04-22 2010-04-06 Reynolds Systems, Inc. Plastic encapsulated energetic material initiation device
US7748322B1 (en) 2004-04-22 2010-07-06 Reynolds Systems Inc. Plastic encapsulated energetic material initiation device
US7921774B1 (en) 2004-04-22 2011-04-12 Reynolds Systems, Inc. Plastic encapsulated energetic material initiation device
US8196512B1 (en) 2004-04-22 2012-06-12 Reynolds Systems, Inc. Plastic encapsulated energetic material initiation device
US8100043B1 (en) 2008-03-28 2012-01-24 Reynolds Systems, Inc. Detonator cartridge and methods of use
US8210083B1 (en) 2008-03-28 2012-07-03 Reynolds Systems, Inc. Detonator cartridge
US8485097B1 (en) 2010-06-11 2013-07-16 Reynolds Systems, Inc. Energetic material initiation device

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