JPH01248619A - 薄膜塗布装置 - Google Patents
薄膜塗布装置Info
- Publication number
- JPH01248619A JPH01248619A JP63077699A JP7769988A JPH01248619A JP H01248619 A JPH01248619 A JP H01248619A JP 63077699 A JP63077699 A JP 63077699A JP 7769988 A JP7769988 A JP 7769988A JP H01248619 A JPH01248619 A JP H01248619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- case
- holes
- liquid
- plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体製造工程においてウェハ表面にフォトレ
ジスト膜等の薄膜を塗布形成するための薄膜塗布装置に
関する。
ジスト膜等の薄膜を塗布形成するための薄膜塗布装置に
関する。
[従来の技術]
従来、この種の薄膜塗布装置は、例えば、第3図に示す
ように、ウェハ保持台21の上面にウェハ22が載置さ
れ、真空ポンプ(図示せず)により吸引されてウェハ2
2が保持台21に吸着保持される。また、ウェハ保持台
21は駆動モータ(図示せず)により駆動され、ウェハ
22を垂直軸の周りに回転させる。ケース26がウェハ
保持台21を囲むように配設されており、ウェハ保持台
21上のウェハ22の周縁とケース26の内壁面との間
には遮液板24が配設されている。この遮液板24は、
ウェハ22の表面から飛散された塗布液の粒子をケ7ス
26の底壁面方向に反射させるもので、略円錐環状をな
す。そして、ウェハ22の表面中央部には塗布液を滴下
させる滴下ノズル23が配設されており、ケース26の
底壁面には落下した塗布液の粒子を排出させるための排
出口25が設けられている。
ように、ウェハ保持台21の上面にウェハ22が載置さ
れ、真空ポンプ(図示せず)により吸引されてウェハ2
2が保持台21に吸着保持される。また、ウェハ保持台
21は駆動モータ(図示せず)により駆動され、ウェハ
22を垂直軸の周りに回転させる。ケース26がウェハ
保持台21を囲むように配設されており、ウェハ保持台
21上のウェハ22の周縁とケース26の内壁面との間
には遮液板24が配設されている。この遮液板24は、
ウェハ22の表面から飛散された塗布液の粒子をケ7ス
26の底壁面方向に反射させるもので、略円錐環状をな
す。そして、ウェハ22の表面中央部には塗布液を滴下
させる滴下ノズル23が配設されており、ケース26の
底壁面には落下した塗布液の粒子を排出させるための排
出口25が設けられている。
この薄膜塗布装置においては、ウェハ保持台21上にウ
ェハ22が保持されると、滴下ノズル23から塗布液が
ウェハ22上に滴下されると共に、ウェハ保持台21が
回転し、これにより塗布液は遠心力によりウェハ22全
面に拡がり、塗布膜が形成される。その後、所要のr4
膜を得るために、更に、回転させて余分な塗布液を破線
で示すように外周方向に飛び散らせる。この飛び散った
塗布液は微小な粒子となり、遮液板24に衝突して落下
し、その後排出口25から排出される。
ェハ22が保持されると、滴下ノズル23から塗布液が
ウェハ22上に滴下されると共に、ウェハ保持台21が
回転し、これにより塗布液は遠心力によりウェハ22全
面に拡がり、塗布膜が形成される。その後、所要のr4
膜を得るために、更に、回転させて余分な塗布液を破線
で示すように外周方向に飛び散らせる。この飛び散った
塗布液は微小な粒子となり、遮液板24に衝突して落下
し、その後排出口25から排出される。
[発明が解決しようとする課題]
上述のように従来の薄膜塗布装置においては、遮液板2
4によりウェハ22上から飛散した塗布液の粒子を反射
させ排出口25に導くようにしているが、この構造では
長時間使用すると次のような問題点があった。即ち、使
用当初は前述したように、塗布液の飛散粒子は遮液板2
4により確実に下方向に反射されるが、使用時間が増す
につれて当該飛散粒子が第4図に示すように、遮液板2
4の表面に徐々に付着し硬化することにより表面状態が
不均一な膜27が形成される。このため、塗布液の飛散
粒子の遮液板24での反射方向が不規則になり、その結
果ウェハ22の表面及び裏面に飛散粒子が付着される。
4によりウェハ22上から飛散した塗布液の粒子を反射
させ排出口25に導くようにしているが、この構造では
長時間使用すると次のような問題点があった。即ち、使
用当初は前述したように、塗布液の飛散粒子は遮液板2
4により確実に下方向に反射されるが、使用時間が増す
につれて当該飛散粒子が第4図に示すように、遮液板2
4の表面に徐々に付着し硬化することにより表面状態が
不均一な膜27が形成される。このため、塗布液の飛散
粒子の遮液板24での反射方向が不規則になり、その結
果ウェハ22の表面及び裏面に飛散粒子が付着される。
このようにウェハ22の表面及び裏面に飛散粒子が付着
されると、半導体素子のマスクパターン形成工程にあっ
ては、パターン形成不良が発生することになり、製造歩
留りが低下する原因となる。
されると、半導体素子のマスクパターン形成工程にあっ
ては、パターン形成不良が発生することになり、製造歩
留りが低下する原因となる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
ウェハ表面から飛散した粒子がウェハの表面及び裏面に
再付着することがなく、半導体装置の製造歩留りを向上
させることができる薄膜塗布装置を提供することを目的
とする。
ウェハ表面から飛散した粒子がウェハの表面及び裏面に
再付着することがなく、半導体装置の製造歩留りを向上
させることができる薄膜塗布装置を提供することを目的
とする。
[課題を解決するための手段]
本発明の薄膜塗布装置は、ウェハを保持する保持部材と
、この保持部材をその上のウェハの表面に実質的に直交
する軸の周りに回転駆動する駆動手段と、前記ウェハの
表面に塗布液を滴下させる滴下手段と、前記保持部材上
のウェハを囲むように配設されたケースと、前記保持部
材上のウェハの周縁とケースの内壁面との間に配設され
複数個の孔を有すると共に、相互間に適長間隔をおいて
配置された複数個の遮液板と、を有することを特徴とす
る。
、この保持部材をその上のウェハの表面に実質的に直交
する軸の周りに回転駆動する駆動手段と、前記ウェハの
表面に塗布液を滴下させる滴下手段と、前記保持部材上
のウェハを囲むように配設されたケースと、前記保持部
材上のウェハの周縁とケースの内壁面との間に配設され
複数個の孔を有すると共に、相互間に適長間隔をおいて
配置された複数個の遮液板と、を有することを特徴とす
る。
[作用]
上記構成の本発明に係る薄膜塗布装置においては、保持
部材上に保持されたウェハが回転されると共に、その表
面に塗布液が滴下され、この滴下液が周縁部まで拡がる
ことにより、ウェハの表面に均一な薄膜が形成される。
部材上に保持されたウェハが回転されると共に、その表
面に塗布液が滴下され、この滴下液が周縁部まで拡がる
ことにより、ウェハの表面に均一な薄膜が形成される。
同時に薄膜形成上不要な塗布液が周辺に飛散され、微小
な粒子となって多層構造の遮液板に達する。この塗布液
粒子はその一部がこれらの遮液板に設けられた孔を通過
した後、ケースの内壁面又は池の遮液板に衝突して落下
する。
な粒子となって多層構造の遮液板に達する。この塗布液
粒子はその一部がこれらの遮液板に設けられた孔を通過
した後、ケースの内壁面又は池の遮液板に衝突して落下
する。
−・方、遮液板の孔を通過しなかった飛散粒子も当該遮
液板の下層に配設された遮液板に反射され、この遮液板
の孔を通過して順次ケースの底壁面方向に導かれる。
液板の下層に配設された遮液板に反射され、この遮液板
の孔を通過して順次ケースの底壁面方向に導かれる。
このようにして、ウェハに戻ってくる飛散粒子の量が極
めて低減される。
めて低減される。
[実施例] ′
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について具
体的に説明する。
体的に説明する。
第1図は本発明の実施例に係る薄膜塗布装置に使用され
る遮液板及びケースの構造を一部断面して示す斜視図、
第2図はこの薄膜塗布装置の作用を説明するための縦断
面図である。図中、1は上面にウェハ2が載置されると
共に、このウェハ2を真空ポンプ(図示せず)により吸
引して吸着固定するウェハ保持台である。このウェハ保
持台1は軸部1aを中心、に回転駆動され、吸着保持し
たウェハ2を垂直方向の中心軸の周りに回転させるよう
になっている。ウェハ保持台1の周囲にはウェハ保持台
1上に保持されたウェハ2を囲むようにケース3が配設
されている。このケース3の上方には、ウェハ保持台1
上に載置されたウェハ2の中央部に対してレジスト液等
の塗布液を滴下させる滴下ノズル4が配設されている。
る遮液板及びケースの構造を一部断面して示す斜視図、
第2図はこの薄膜塗布装置の作用を説明するための縦断
面図である。図中、1は上面にウェハ2が載置されると
共に、このウェハ2を真空ポンプ(図示せず)により吸
引して吸着固定するウェハ保持台である。このウェハ保
持台1は軸部1aを中心、に回転駆動され、吸着保持し
たウェハ2を垂直方向の中心軸の周りに回転させるよう
になっている。ウェハ保持台1の周囲にはウェハ保持台
1上に保持されたウェハ2を囲むようにケース3が配設
されている。このケース3の上方には、ウェハ保持台1
上に載置されたウェハ2の中央部に対してレジスト液等
の塗布液を滴下させる滴下ノズル4が配設されている。
ケース3には、上面中央部に滴下ノズル4から滴下され
た塗布液を内部に導くための開口部5が設けられると共
に、下面中央部にはウェハ保持台1の軸部1aを貫通さ
せるための開口部6が設けられている。
た塗布液を内部に導くための開口部5が設けられると共
に、下面中央部にはウェハ保持台1の軸部1aを貫通さ
せるための開口部6が設けられている。
上記ウェハ保持台1上に載置されたウェハ2の周縁とケ
ース3の内壁面との間には比較的緩やかな傾斜をもつ略
円錐環状の31!液板7が多層、例えば、5層に配設さ
れている。各遮液板7の間には所定の間隔で複数のスペ
ーサ8が介装されており、各遮液板7が互いに平行にな
るように保持されている。
ース3の内壁面との間には比較的緩やかな傾斜をもつ略
円錐環状の31!液板7が多層、例えば、5層に配設さ
れている。各遮液板7の間には所定の間隔で複数のスペ
ーサ8が介装されており、各遮液板7が互いに平行にな
るように保持されている。
遮液板7には夫々複数の孔7aが形成されており、これ
らの孔7aにより塗布液の飛散粒子を当該遮液板7から
上又は下方向に通過させるようになっている。遮液板7
の下方のケース3の底壁面には飛散し落下した粒子を排
出するための排出口9が設けられている。
らの孔7aにより塗布液の飛散粒子を当該遮液板7から
上又は下方向に通過させるようになっている。遮液板7
の下方のケース3の底壁面には飛散し落下した粒子を排
出するための排出口9が設けられている。
次に、上記構成の薄膜塗布装置の動作について説明する
。先ず、ウェハ2をウェハ保持台1の上面に載置し、真
空ポンプ(図示せず)を作動さぜることによりウェハ2
を吸着保持する。続いて、駆動モータ(図示せず)によ
りウェハ保持台1を回転させながら、滴下ノズル4から
塗布液をウェハ2の表面中央部に滴下させる。ウェハ2
の中央部に滴下された塗布液は遠心力により周縁部まで
徐々に拡がり、これによりウェハ2の表面に均一な薄膜
が形成される。而して、薄膜形成に不要な塗布液を飛散
させるために、ウェハ保持台1を更に回転させると、余
分な塗布液は周辺に飛散して微小な粒子となる。この飛
散粒子は第2図に破線で示すように、多層構造の遮液板
7に達し、その一部がこれらの遮液板7に設けられた孔
7aを通過することによりケース3の内壁面に衝突して
落下し、その後、排出口9から排出される。また、孔7
aを通過することなく、遮液板7で反射した粒子も当該
遮液板7とその下の遮液板7との間で反射を繰り返した
後、孔7aから順次下方に導かれ最後にはケース3の底
壁面に落下して排出口9から排出される。
。先ず、ウェハ2をウェハ保持台1の上面に載置し、真
空ポンプ(図示せず)を作動さぜることによりウェハ2
を吸着保持する。続いて、駆動モータ(図示せず)によ
りウェハ保持台1を回転させながら、滴下ノズル4から
塗布液をウェハ2の表面中央部に滴下させる。ウェハ2
の中央部に滴下された塗布液は遠心力により周縁部まで
徐々に拡がり、これによりウェハ2の表面に均一な薄膜
が形成される。而して、薄膜形成に不要な塗布液を飛散
させるために、ウェハ保持台1を更に回転させると、余
分な塗布液は周辺に飛散して微小な粒子となる。この飛
散粒子は第2図に破線で示すように、多層構造の遮液板
7に達し、その一部がこれらの遮液板7に設けられた孔
7aを通過することによりケース3の内壁面に衝突して
落下し、その後、排出口9から排出される。また、孔7
aを通過することなく、遮液板7で反射した粒子も当該
遮液板7とその下の遮液板7との間で反射を繰り返した
後、孔7aから順次下方に導かれ最後にはケース3の底
壁面に落下して排出口9から排出される。
このようにウェハ2の表面から周辺に飛散した粒子は、
多層構造の遮液板7によりケース3の底壁面方向に効果
的に導かれ、排出口8から排出される。従って、飛散粒
子が遮液板7からウェハ2方向に跳ね返ってその表面又
は裏面に再付着する ゛ようなことがなくなる。
多層構造の遮液板7によりケース3の底壁面方向に効果
的に導かれ、排出口8から排出される。従って、飛散粒
子が遮液板7からウェハ2方向に跳ね返ってその表面又
は裏面に再付着する ゛ようなことがなくなる。
[発明の効果]
以上のように本発明の薄膜塗布装置によれば、保持部材
上に保持されたウェハの周縁とケースの内壁面との間に
、夫々複数個の孔を設けた遮液板を多層構造に配設させ
るようにしたので、ウェハの表面から飛散した粒子のウ
ェハ方向への跳ね返りを著しく低減でき、従ってウェハ
の表面及び裏面への再付着を防止することができ、半導
体装置の製造歩留りを向上させることができるという効
用を奏する。
上に保持されたウェハの周縁とケースの内壁面との間に
、夫々複数個の孔を設けた遮液板を多層構造に配設させ
るようにしたので、ウェハの表面から飛散した粒子のウ
ェハ方向への跳ね返りを著しく低減でき、従ってウェハ
の表面及び裏面への再付着を防止することができ、半導
体装置の製造歩留りを向上させることができるという効
用を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に1系る薄膜塗布装置の要部を
一部断面して示す斜視図、第2図は第1図の装置の動作
を説明するための縦断面図、第3図は従来の薄膜塗布装
置の縦断面図、第4図は第3図の要部を拡大して示す縦
断面図である。
一部断面して示す斜視図、第2図は第1図の装置の動作
を説明するための縦断面図、第3図は従来の薄膜塗布装
置の縦断面図、第4図は第3図の要部を拡大して示す縦
断面図である。
Claims (1)
- (1)ウェハを保持する保持部材と、この保持部材をそ
の上のウェハの表面に実質的に直交する軸の周りに回転
駆動する駆動手段と、前記ウェハの表面に塗布液を滴下
させる滴下手段と、前記保持部材上のウェハを囲むよう
に配設されたケースと、前記保持部材上のウェハの周縁
とケースの内壁面との間に配設され複数個の孔を有する
と共に相互間に適長間隔をおいて配置された複数個の遮
液板と、を有することを特徴とする薄膜塗布装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077699A JPH01248619A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 薄膜塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077699A JPH01248619A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 薄膜塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248619A true JPH01248619A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13641143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63077699A Pending JPH01248619A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 薄膜塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248619A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6899919B2 (en) | 2003-01-21 | 2005-05-31 | Jack Chen | Method of making a high surface area electrode |
| JP2018075553A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | トヨタ自動車株式会社 | エアブロー式洗浄装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176120A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Nec Corp | フオトレジストの現像装置 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63077699A patent/JPH01248619A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176120A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Nec Corp | フオトレジストの現像装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6899919B2 (en) | 2003-01-21 | 2005-05-31 | Jack Chen | Method of making a high surface area electrode |
| JP2018075553A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | トヨタ自動車株式会社 | エアブロー式洗浄装置 |
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