JPH01251729A - インナーリードボンディング装置及びインナーリードボンディング方法 - Google Patents

インナーリードボンディング装置及びインナーリードボンディング方法

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JPH01251729A
JPH01251729A JP63078744A JP7874488A JPH01251729A JP H01251729 A JPH01251729 A JP H01251729A JP 63078744 A JP63078744 A JP 63078744A JP 7874488 A JP7874488 A JP 7874488A JP H01251729 A JPH01251729 A JP H01251729A
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之宏 池谷
Keitaro Okano
岡野 恵太郎
Noriyasu Kashima
規安 加島
Koichiro Atsumi
幸一郎 渥美
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、半導体素子をリードにボンディングするイ
ンナーリードボンディング装置に関する。
(従来の技術) ボンディングには、インナーリードボンディング装置を
用いて、半導体素子に形成された電極用バンプ(電極)
を、リードフレームのインナーリードにボンディングす
るようにしたものがある。
こうしたインナーボンディング装置には、既に本出願人
が出願した特願昭62−64307号などに示されるよ
うに、モータを使ってボンディングツールを昇降させる
ものがある。
すなわち、第4図に示されるようにワーク保持部1の上
方に、ツール保持部2ならびに圧縮ばね3で昇降自在に
支持されたボンディングツール4を設ける。またワーク
保持部2を支持したX−Y駆動部5の上方の基台6上に
、出力軸に円板状のカム7が取着されたACモータ8を
設置し、このカム7と上記ボンディングツール4とを運
動変換機構9を介して連結した構造にしている。具体的
には、運動変換機構9は、ACモータ8の出力軸側に隣
接して、カム7と組合うカムフォロア10が取着された
第1の揺動レバー11を設けるとともに、その第1の揺
動レバー11の作用点側にクランク形状の第2の揺動レ
バー12を回動自在に枢支する。この第2の揺動レバー
12の作用点側を、ボンディングツール4に連ねて上下
方向に昇降自在に設けた押圧棒13の上部端に回動自在
に枢支する。そして、第2の揺動レバー12の力点側と
第1の揺動レバー11の力点側との間に、ツール移動量
調整用のダンパー手段となるエアーシリンダ14を介装
した構造となっていて、カム7がACモータ8の作動に
追従して回転すれば、その運動が第1および第2の揺動
レバー11.12で上下の方向に沿う直線運動に変換さ
れ、押圧棒13を介してボンディングツール4を下降さ
せて、先端の抑圧部4aで半導体素子をリードフレーム
15に押圧していく。この抑圧で、半導体素子の電極用
バンプをリードフレーム15のインナーリードに圧着さ
せていくようしている。そして、半導体素子の厚みが変
ると、その分、エアーシリンダ14のロッドの沈み込ん
で、第2の揺動レバー12の揺動量を変えていく。
なお、13aは押圧棒13を昇降自在に支持する案内体
、11aは第1の揺動レバー11を支持する支柱である
(発明が解決しようとする課題) ところで、こうしたインナーボンディング装置のボンデ
ィングツール4は、カム高さが不変で有るので、半導体
素子の厚み(高さ)寸法によって半導体素子に加わる時
間(ボンディング時間)Tがボンディングツール4によ
る加圧で変化する難点がある。しかも、それと共に作動
するエアーシリンダ14の沈み込み量の変化で、加圧力
Fも変化してしまう難点をもっている。
具体的には、加圧時間Tについて述べれば、第5図に示
されるようにボンディングツール4のツールストローク
Hにおいて、ワーク保持部1の上面に半導体素子がない
ときをrAJとすると、厚さHl、Hl (H,<Hl
)の半導体素子を置いたときには、ツールストロークH
はその分、rBJ、rcJと変化していく。ところが、
ここで、そのツールストロークHが変化するにしたがっ
て、カム7の特性上、抑圧始めの時期と抑圧終了の時期
も変化していくので、厚み寸法が厚くなるにしたがって
半導体素子に加わる時間Tが、当初の設定時間Toより
もrTtJ、rTzJに示される如く長くなってしまう
。むろん、これはツールストロークの傾きで表わされる
ボンディングツール4の下降速度を変えても同様である
また加圧力Fについて述べれば、ダンパー手段の特性、
すなわちエアーシリンダ14の特性を見ると、第6図に
示されるようにエアーシリンダストロークSと加圧力F
との間には、「Sl」までロッドがストロークした以降
で、所定の加圧力が得られる関係がある。つまり、「S
l」以降までエアーシリンダ14をストロークさせない
と、所定の加圧力が得られず、逆に半導体素子の厚みが
薄く、「Sl」なるロッドストロークよりも小さい場合
、所定の加圧力に到達しない結果をもたらす。具体的に
は、第5図の「T2」のときでrcJなる所定の加圧力
に到達するとすれば、rToJ。
「T1」のときはそれより以下のrag、rbJに示さ
れるように所定の加圧力が得られない。
このため、厚さの異なる半導体素子をボンディングする
と、加圧時間(ボンディング時間)および加圧力の変化
から、接合状態が変ってしまう不都合があった。
そこで、半導体素子の厚さが変る場合、その都度、ワー
ク保持部1の高さを変えて、ツールストロークが一定と
なるよう調整することが考えられるが、調整は微妙であ
るために、かなり難しく、かつまた時間もかなり費やす
もので、改善が要望されている。
この発明はこのような事情に着目してなされたもので、
困難な調整作業を要せず、かつ加圧時間および加圧力が
変化することなしに、厚さの異なる半導体素子をボンデ
ィングすることができるインナーリードボンディング装
置を提供することを目的とする。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、ボンディングツールが半導
体素子に当接したときを検出するセンサーを設け、この
センサーの検出信号を受けてボンディングツールを駆動
するモータの回転速度を制御し、ボンディングツールが
前記半導体素子に当接した時点から一定の時間経過後に
ボンディングツールによる抑圧工程を終了させる制御手
段を設けた。
(作用) ボンディングツールが半導体素子に触れたことが検出さ
れると、その瞬間から一定の時間に所定の抑圧工程を終
了させるべくボンディングツールを動かしていく。そし
て、これにより、半導体素子の厚みの違いに関係なく一
定時間で所期のボンディングを終わる。と同時に所期の
ボンディングが常に一定時間に行なわれることでダンパ
ー手段を一定な加圧力が得られるレベルにしていく。
(実施例) 以下、この発明を第1図ないし第3図に示す一実施例に
もとづいて説明する。但し、図面において、先の「従来
の技術」の項で述べた構成部品と同じものには同一符号
を附してその説明を省略し、この項では発明の要部とな
る異なる部位について説明することにする。
すなわち、本実施例はボンディングツール4の駆動系を
制御した点で異なっている。具体的には、ACモータに
変えて位置速度制御機能をもったサーボモータ20が用
いられ、このサーボモータ20の出力軸にカム7が設け
られている。さらに、第1の揺動レバー11の作用点側
には、該第1の揺動レバ一部分とそれに対向する直上の
第2の揺動レバ一部分との間のギ、ヤップを検出するギ
ャップセンサ23(この発明のセンサに相当)が設けら
れている。そして、このギャップセンサー23が、第2
図に示されるような外部の制御回路22(制御手段に相
当)に接続され、サーボモータ20を制御する構造にし
ている。
ホールド25を介してウィンドコンパレータ26を接続
する。またウィンドコンパレータ26の残る人力部にア
ンプ24の出力部を直接接続する。
そして、ウィンドコンパレータ26に制御部27を接続
した構造となっている。そして、サンプルホールド25
は、制御部27からのサンプルホールド信号に従って、
ボンディングツール4が半導体素子に当接する前の状態
のセンサー出力をサンプルホールドし、このサンプルホ
ールド出力を基準値としてウィンドコンパレータ26に
供給するようにしている。またウィンドコンパレータ2
6には、上記基準値を中心値として所定幅の非検出レベ
ル領域を演算処理によって設定する構成となっていて、
その非検出レベル領域とギャップセンサ23からの出力
とのレベル比較から、検出出力が非検出レベル領域を外
れたときに検出信号を発生させることができるようにし
ている。そして、第1の揺動レバー11と第2の揺動レ
バー12の間のギャップが小さくなるにしたがい検出出
力が非検出レベル領域を外れることで、制御部27にお
いてボンディングツール4の先端が半導体素子の上面に
確実に当接したものと判断するようにしている。また制
御部27には、半導体素子に当接したと認識すると、そ
の位置からrToJなる一定時間に抑圧に必要な工程が
終わるようカム7の回転速度を変化させる設定がなされ
、この設定にもとづきサーボモータ20の回転速度を制
御させる構造にしている。さらに制御部27では、ボン
ディングツール4の下降当初は高速で、その後、ボンデ
ィングツール4が半導体素子に当たるまでは低速となる
、高速移動領域Xと低速移動領域Yとを組合わせた制御
をサーボモータ20に課してもいる。
しかして、こうしたインナーリードボンディング装置は
、サーボモータ20が回転すると、これに追従してカム
7が回転していく。これにより、第1の揺動レバー11
はカムフォロア10を介して下降側に揺動を始めていき
、押圧棒13が第2の揺動レバー12を介して下降して
いく。こうした下降当初の移動は、かなりの速度で行な
われ、その後、途中から低速となっていく。そして、こ
の押圧棒13の下降に伴い、ボンディングツール4が圧
縮ばね3の弾性力に抗して下降していき、ボンディング
ツール4の先端が半導体素子の上面に当接していく。
一方、こうしたボンディングツール4の下降中、サンプ
ルホールド25ではギャップセンサ23からの出力をサ
ンプルホールドし、そのサンプルホールド出力を基準値
としてウィンドコンパレータ26に出力している。そし
て、第1の揺動レバー11と第2の揺動レバー12との
ギャップが小さくなって、ギャップセンサ23からの出
力がウィンドコンパレータ26で演算された非検出レベ
ル領域を超えると、制御部27ではボンディングツール
4の先端が半導体素子の上面に確実に当接したと認識し
、その瞬間から一定時間に抑圧に要する一定量のストロ
ークだけ動いていく。
すなわち、第3図に示されるように例えばワーク保持部
1の上面に半導体素子がない状態をrAJとしたとき、
「従来の技術」のときと同様にrTo Jなる加圧時間
が設定されているものとすれば、異なる厚さ「Hl」の
半導体素子をワーク保持部1に置いたときは、半導体素
子の上面にボンディングツール4が当接したことが検出
されると、従来において費やしていた加圧時間r”r、
 −ToJ分、サーボモータ20の回転速度を速める制
御がなされ、カム7による抑圧工程を「To」で終了さ
せていく。
また異なる厚さ「H2」の半導体素子をワーク保持部1
に置いたときは、半導体素子の上面にボンディングツー
ル4が当接したことが検出されると、従来において費や
していた加圧時間rT2−ToJ分、サーボモータ20
の回転速度を速める制御がなされ、カム7による押圧工
程をrToJで終了させていく。
むろん、こうして半導体素子の厚さに関わらずに、常に
「To」なる加圧時間に設定されることは、第3図の各
rag、rbJ、rcJの線図でも明らかなようにシリ
ンダ14の移動時間も、シリンダ14のロッドの沈み込
み量も常に一定となる。
そして、こうした抑圧工程により、半導体素子の電極用
バンプがリードフレームのインナーリードに圧着され、
ボンディングされていく。
かくして、半導体素子の厚さが変っても、加圧時間、加
圧力とも変化させることなく、ボンディングを行なうこ
とができる。むろん、半導体素子にボンディングツール
4に当接した後、一定時間に一定量のストロークを動か
すだけなので、たとえボンディングツール4の下降速度
が変っても、加圧時間、加圧力は変化することはない。
したがって、厚みが変っても接合状態が変化するような
ことはなくなる。またボンディングツール4を下降当初
は高速で、途中から低速で下降させた構造の採用により
、ボンディングツール4が半導体素子に衝突するときの
ダメージを最小にしつつ、ボンディングツール4が半導
体素子に当接するまでの時間(タクトタイム)を短縮す
ることができる。特に、当接する直前にボンディングツ
ール4の下降速度を遅くすることこができることによる
しかも、「従来の技術」の項で述べたような困難な調整
作業はほとんどなくなる。
なお、一実施例では2つの揺動レバーを用いて構成され
た運動変換機構をもつインナーリードボンディング装置
にこの発明を適用したが、それ以外の運動変換機構をも
つインナーリードボンディング装置にも適用してもよい
[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、加圧時間および
加圧力が変化することなしに、厚さの異なる半導体素子
をボンディングすることがてき、接合状態の変化を防い
で、接合不良をなくすことができる。しかも、困難な調
整作業はほとんど必要としない。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図はこの発明の一実施例を示し、第1
図はインナーリードボンディング装置を示す側面図、第
2図はその制御回路を示すブロック図、第3図はボンデ
ィング時のボンディングツールの動きを、エアーシリン
ダの動きと共に示した線図、第4図は従来のインナーリ
ードボンディング装置を示す側面図、第5図はそのボン
ディング時のボンディングツールの動きを、エアーシリ
ンダの動きと共に示した線図、第6図はエアーシリンダ
で構成されたダンパー手段の特性を示す線図である。 4・・・ボンディングツール、9・・・運動変換機構、
14・・・エアーシリンダ(ダンパー手段)、20・・
・サーボモータ、22・・・制御回路(171)御手段
)、23・・・ギャップセンサ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  出力軸にカムが設けられたモータの前記カムと昇降自
    在なボンディングツールとを、前記カムと組合うカムフ
    ォロアを備えて構成された運動変換機構を介して連結し
    、かつ該運動変換機構の駆動力伝達経路の途中にツール
    移動量調整用のダンパー手段を介装し、前記カムによる
    ボンディングツールの上下動で半導体素子を押圧してイ
    ンナリードにボンディングさせるインナーリードボンデ
    ィング装置において、前記ボンディングツールが半導体
    素子に当接したときを検出するセンサーを設け、このセ
    ンサーの検出信号を受けて前記モータの回転速度を制御
    し、前記ボンディングツールが前記半導体素子に当接し
    た時点から一定の時間経過後に前記ボンディングツール
    による押圧工程を終了させる制御手段を設けたことを特
    徴とするインナーリードボンディング装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279536A (ja) * 1996-03-15 1996-10-22 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0964071A (ja) * 1995-08-21 1997-03-07 Mitsubishi Electric Corp ボンディング装置及び半導体icの製造方法
JP2007042935A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Shibaura Mechatronics Corp 電子部品の圧着装置及び圧着方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58139A (ja) * 1981-06-25 1983-01-05 Nec Corp 半導体装置の製造方法

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