JPS58139A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58139A JPS58139A JP56098526A JP9852681A JPS58139A JP S58139 A JPS58139 A JP S58139A JP 56098526 A JP56098526 A JP 56098526A JP 9852681 A JP9852681 A JP 9852681A JP S58139 A JPS58139 A JP S58139A
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- semiconductor element
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
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- H—ELECTRICITY
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- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係シ、特にフィルムキ
ャリヤ方式による同時ボンディング方法に関する。
ャリヤ方式による同時ボンディング方法に関する。
通常、半導体を接続するフィルムキャリヤは、例えば３
５■幅で数ピツチのパー７オレーシ舊ン毎に半導体搭載
用の穴をあけた帯状の可撓性絶縁フィルムに銅箔を接着
し、写真蝕刻法により箔状のリードフレームが形成され
ている。このフィルムキャリヤに接続される半導体素子
は、ウェハ形態のワックス等による固着保持もしくは、
良品の半導体素子をボンディングステージに供給しこれ
を真空吸着保持する方法等によシ供給される。
５■幅で数ピツチのパー７オレーシ舊ン毎に半導体搭載
用の穴をあけた帯状の可撓性絶縁フィルムに銅箔を接着
し、写真蝕刻法により箔状のリードフレームが形成され
ている。このフィルムキャリヤに接続される半導体素子
は、ウェハ形態のワックス等による固着保持もしくは、
良品の半導体素子をボンディングステージに供給しこれ
を真空吸着保持する方法等によシ供給される。
第１図はこのフィルムキャリヤと半導体素子のボンディ
ング方法を説明する丸めの概略図であシ、第１図（ａ）
は半導体素子をワックス等で固着保持したもの、！１１
１図伽）は真空吸着保持したものである。
ング方法を説明する丸めの概略図であシ、第１図（ａ）
は半導体素子をワックス等で固着保持したもの、！１１
１図伽）は真空吸着保持したものである。
図に於て％１は半導体素子、２ａ、２ｂは半導体素子１
の保持基板であ）、３は保持基板２ａ、２ｂを真空吸着
保持しているポンディングステージであシ、半導体素子
１はそれぞれ保持基板２１に於てはワックス４によシ固
着保持され２ｂに於ては真空口５により真空吸着保持さ
れている。６は半導体素子１の電極パッドに漸威され九
突起電極（バンプ）、７は中央部に半導体素子ｌよシ少
し大きめの孔８が形成された絶縁体フィルム、９は絶縁
体フィルムに形成されたリードフレーム、１０けインナ
ーリード、１１はインナーリード１０とバンプ６とを押
えつけ熱圧着、共晶反応等によりボンディングするボン
ディングツール、１２はフィルムキャリヤガイドである
。
の保持基板であ）、３は保持基板２ａ、２ｂを真空吸着
保持しているポンディングステージであシ、半導体素子
１はそれぞれ保持基板２１に於てはワックス４によシ固
着保持され２ｂに於ては真空口５により真空吸着保持さ
れている。６は半導体素子１の電極パッドに漸威され九
突起電極（バンプ）、７は中央部に半導体素子ｌよシ少
し大きめの孔８が形成された絶縁体フィルム、９は絶縁
体フィルムに形成されたリードフレーム、１０けインナ
ーリード、１１はインナーリード１０とバンプ６とを押
えつけ熱圧着、共晶反応等によりボンディングするボン
ディングツール、１２はフィルムキャリヤガイドである
。
以上の様な配置に於て、フィルムキャリヤ方式のボンデ
ィングはボンディングツール１１４Ｄ先端部、インナー
リード１Ｇ、及び半導体素子１のバンプ６の三者を位置
合せられた後、ボンディングツール１１が下降しインナ
ーリード１０とバング６とを押えつけ各リードとバンプ
は同時ボンディングが行なわれる。更に第１図（ａ）に
於てはこのボンディングの際の熱により半導体素子１を
固着保持しているワックス４が軟化するのでボンディン
グ完了と同時に、保持基板２ａを真空吸着保持したまま
ボンディングステージ３の下方に移動する動作により、
ボンディングされた半導体素子１は保持基板２ａから分
離される。それから、ボンディングツール１１が上昇し
、フィルムキャリヤ７は１フレ一ム分矢印１３の方向に
送られるとともに、次Ｏボンディング対象の半導体素子
がボンディングステージ３の移１１１１によ）ｌンディ
ング位置に移される。また第１図Φ）に於てはボンディ
ング完了と同時にボンディングツール１１が上昇し保持
基板２ｂＯ真空口５によ〉真空吸着保持されている半導
体素子ｌの真空吸着保持が解かれ、フィルムキャリヤ７
は１フレ一ム分矢印１３０方向に送られるとともに１次
のボンディング対象の半導体素子がボンディングステー
ジに供給される。
ィングはボンディングツール１１４Ｄ先端部、インナー
リード１Ｇ、及び半導体素子１のバンプ６の三者を位置
合せられた後、ボンディングツール１１が下降しインナ
ーリード１０とバング６とを押えつけ各リードとバンプ
は同時ボンディングが行なわれる。更に第１図（ａ）に
於てはこのボンディングの際の熱により半導体素子１を
固着保持しているワックス４が軟化するのでボンディン
グ完了と同時に、保持基板２ａを真空吸着保持したまま
ボンディングステージ３の下方に移動する動作により、
ボンディングされた半導体素子１は保持基板２ａから分
離される。それから、ボンディングツール１１が上昇し
、フィルムキャリヤ７は１フレ一ム分矢印１３の方向に
送られるとともに、次Ｏボンディング対象の半導体素子
がボンディングステージ３の移１１１１によ）ｌンディ
ング位置に移される。また第１図Φ）に於てはボンディ
ング完了と同時にボンディングツール１１が上昇し保持
基板２ｂＯ真空口５によ〉真空吸着保持されている半導
体素子ｌの真空吸着保持が解かれ、フィルムキャリヤ７
は１フレ一ム分矢印１３０方向に送られるとともに１次
のボンディング対象の半導体素子がボンディングステー
ジに供給される。
このようなポンディング動作に於てボンディング条件の
設定は、温度、荷重、ボンディング時間によシ行表われ
ボンディング構造、つまりバンプ及びインナーリードの
金属構成、形状、ボンディング部の面積等によりボンデ
ィング形態である熱圧着、共晶反応に最適な条件を選び
これを設定するものである。そしてこれらボンディング
条件の設定によシボンディング形状、ポンディ／グ強度
等のボンディング性に微妙な影響を及ぼしている。
設定は、温度、荷重、ボンディング時間によシ行表われ
ボンディング構造、つまりバンプ及びインナーリードの
金属構成、形状、ボンディング部の面積等によりボンデ
ィング形態である熱圧着、共晶反応に最適な条件を選び
これを設定するものである。そしてこれらボンディング
条件の設定によシボンディング形状、ポンディ／グ強度
等のボンディング性に微妙な影響を及ぼしている。
すなわち、荷重の設定に於ては高すぎるとせん断力によ
るインナーリード０ネ、り切れ、つぶれ変形異状による
周囲パターン等への接触というエツジタッチ、その他リ
ード変形等を起こしている。
るインナーリード０ネ、り切れ、つぶれ変形異状による
周囲パターン等への接触というエツジタッチ、その他リ
ード変形等を起こしている。
また１反対に低すぎるとポンディ／ダハガレ勢につなが
り、各種ポンディフグ形状不良等の発生をひき起こして
いる。同じく温度設定に於ても適性温度でないと温度衝
撃によるクラックの発生及び荷重設定の時と同じように
つぶれ変形量のちがいとして不良発生の原因となってく
る。この為ボンディング性の安定化という点から最適な
ボンディング条件の設定ということが重要視されてくる
。
り、各種ポンディフグ形状不良等の発生をひき起こして
いる。同じく温度設定に於ても適性温度でないと温度衝
撃によるクラックの発生及び荷重設定の時と同じように
つぶれ変形量のちがいとして不良発生の原因となってく
る。この為ボンディング性の安定化という点から最適な
ボンディング条件の設定ということが重要視されてくる
。
しかしいくら最適な条件を設定してもボンディング性に
於て多少のバラツキを発生させている。これはボンディ
ングに於ける位置決めズレによるボンディング面積０変
化による適性荷重の変化、インナーリード形成に於ける
精度及び金属構成等のバラツキ、ボンディングクールの
ツール面の摩耗及びツール面の温度分布のバラツキ等の
不確定要素によシボンディング形状、ボンディング強度
等に微妙な影響を与えボンディング性の安定化という点
から重大な問題点を含んでいる。そしてこれは多くの場
合ボンディング条件設定に於けるボンディングサイクル
の制御方法は＃Ｉｚ図に示すようにボンディングスター
ト、ボンディング動作、ボンディング終了まで、ボンデ
ィング条件設定の温度、荷重、ボンディング時間に対し
てタイムアツプ信号のみによってボンディング完了の命
令信号としておシ、あくまでも平均的かつ経験的なもの
から得られた条件設定によるものであり前記不確定要素
等によシ多少のバラツキを生じさせてしまう原因釦なっ
ている。
於て多少のバラツキを発生させている。これはボンディ
ングに於ける位置決めズレによるボンディング面積０変
化による適性荷重の変化、インナーリード形成に於ける
精度及び金属構成等のバラツキ、ボンディングクールの
ツール面の摩耗及びツール面の温度分布のバラツキ等の
不確定要素によシボンディング形状、ボンディング強度
等に微妙な影響を与えボンディング性の安定化という点
から重大な問題点を含んでいる。そしてこれは多くの場
合ボンディング条件設定に於けるボンディングサイクル
の制御方法は＃Ｉｚ図に示すようにボンディングスター
ト、ボンディング動作、ボンディング終了まで、ボンデ
ィング条件設定の温度、荷重、ボンディング時間に対し
てタイムアツプ信号のみによってボンディング完了の命
令信号としておシ、あくまでも平均的かつ経験的なもの
から得られた条件設定によるものであり前記不確定要素
等によシ多少のバラツキを生じさせてしまう原因釦なっ
ている。
本発明の目的は、ボンディングサイクル制御につぶれ変
形量の検出を加えるととＫよシこれまでの問題点を解決
する半導体装置の製造方法を提供するものである。
形量の検出を加えるととＫよシこれまでの問題点を解決
する半導体装置の製造方法を提供するものである。
本発明の半導体装置の製造方法線１例えば、ボンデ（ン
グサイクル制御の方法が従来の温度、荷重、ボンディン
グ時間設定に於るタイムアツプ信号のみＫよるものと異
なシ、ボンディング動作時に於てつぶれ変形量の検出を
行なわせる手段を有することを％徴とする。
グサイクル制御の方法が従来の温度、荷重、ボンディン
グ時間設定に於るタイムアツプ信号のみＫよるものと異
なシ、ボンディング動作時に於てつぶれ変形量の検出を
行なわせる手段を有することを％徴とする。
次に図面を用いて本発明の一実施例について詳述する。
第３図、第４図、第５図は本発明の説明図であり、第３
図に於て、１４はボンディングスタート信号、１５ｂは
ボンディング条件、１６はボンディング動作、１８はつ
ぶれ量検出信号、１９はボンディング終了を示すもので
ある。＠４図に於て、２０はボンディングへ、ド部、２
１はボンディングツールを含む加圧部、２２はつぶれ検
出器である。第５図に於て、２３．２４Ｆｉつぶれ検出
器２２よりの出力電位を示すものである。本発明の方法
は、先ず第３図１５ｂに示すボンディング条件すなわち
従来のボンディング時間の設定にかえてつぶれ変形量の
設定が行なわれる。ボンディング動作１６はボンディン
グツール１１の先端部、インナーリード１０、及び半導
体素子１のバンプ６の三者が位置合せられた後ボンディ
ングスタート信号１４によシ開始される。そしてその動
作は第４図（ａ）に示すボンディングヘッド２０が下降
しけじめ、途中（ｂ）に示すようなボンディングツール
先端がインナーリード１０に接触する状態になる。この
時ボンディングヘッド部２０に取付けられ九つぶれ検出
器２２例えばマグネットセンサー等による出力は、原点
を示している。そして更にボンディングへ、ド部２０が
下降すると、（Ｃ）Ｋ示すようにボンディングへ、ド部
２０の加圧部２１はインナーリードｌＯとの接触によ）
下降せずボンディングへ、ド部２０の本体だけが下降し
はじめ、つぶれ検出器２２に於て、第５図２３に示すよ
うな出力電位を生じていき、ある設定電位に達した時そ
の信号で加熱が開始され熱圧着ボンディングが行なわれ
ていく。そして熱圧着ボンディングにより（ｄ）の様な
ボンディング部すなわちインナーリード１０及びバンプ
６に変形が起υ、今度はボンディングヘッド部２０の加
圧部２１だけが下降した状態になシつぶれ検出器２２に
於て出力電位の変動が起る。すなわちこの電位差がつぶ
れ変形量に相当しつぶれ変形量としてボンディング条件
に於て設定したある設定電位に違した時つぶれ検出信号
１８として出力しこれによってボンディング終了命令と
し、ボンディングヘッド２０を上昇させボンディング終
了１９とさせるものである。
図に於て、１４はボンディングスタート信号、１５ｂは
ボンディング条件、１６はボンディング動作、１８はつ
ぶれ量検出信号、１９はボンディング終了を示すもので
ある。＠４図に於て、２０はボンディングへ、ド部、２
１はボンディングツールを含む加圧部、２２はつぶれ検
出器である。第５図に於て、２３．２４Ｆｉつぶれ検出
器２２よりの出力電位を示すものである。本発明の方法
は、先ず第３図１５ｂに示すボンディング条件すなわち
従来のボンディング時間の設定にかえてつぶれ変形量の
設定が行なわれる。ボンディング動作１６はボンディン
グツール１１の先端部、インナーリード１０、及び半導
体素子１のバンプ６の三者が位置合せられた後ボンディ
ングスタート信号１４によシ開始される。そしてその動
作は第４図（ａ）に示すボンディングヘッド２０が下降
しけじめ、途中（ｂ）に示すようなボンディングツール
先端がインナーリード１０に接触する状態になる。この
時ボンディングヘッド部２０に取付けられ九つぶれ検出
器２２例えばマグネットセンサー等による出力は、原点
を示している。そして更にボンディングへ、ド部２０が
下降すると、（Ｃ）Ｋ示すようにボンディングへ、ド部
２０の加圧部２１はインナーリードｌＯとの接触によ）
下降せずボンディングへ、ド部２０の本体だけが下降し
はじめ、つぶれ検出器２２に於て、第５図２３に示すよ
うな出力電位を生じていき、ある設定電位に達した時そ
の信号で加熱が開始され熱圧着ボンディングが行なわれ
ていく。そして熱圧着ボンディングにより（ｄ）の様な
ボンディング部すなわちインナーリード１０及びバンプ
６に変形が起υ、今度はボンディングヘッド部２０の加
圧部２１だけが下降した状態になシつぶれ検出器２２に
於て出力電位の変動が起る。すなわちこの電位差がつぶ
れ変形量に相当しつぶれ変形量としてボンディング条件
に於て設定したある設定電位に違した時つぶれ検出信号
１８として出力しこれによってボンディング終了命令と
し、ボンディングヘッド２０を上昇させボンディング終
了１９とさせるものである。
即ち、本発明の半導体装置の製造方法によるとボンディ
ング完了の信号をボンディング時にっぶれ変形量の検出
を行なわせることにょ勺安定したホ７７’インク形状を
提供し、しいてはボンディング強度の安定化にもつなが
シ最適ボンディング性に効果を示すことになる。
ング完了の信号をボンディング時にっぶれ変形量の検出
を行なわせることにょ勺安定したホ７７’インク形状を
提供し、しいてはボンディング強度の安定化にもつなが
シ最適ボンディング性に効果を示すことになる。
第１図はフィルムキャリヤ方式のボンディング方法を説
明する概略図、第２図は従来の半導体装置の製造方法に
於るボンディングサイクルの説明図、第３図は本発明の
実施例のボンディングサイクルの説明図、第４図は本発
明の実施例のボンディング動作図、第５図はつぶれ検出
器の出力信号図である。 図に於て、１・−・−半導体素子、２ａ、２ｂ・・・・
・・保持基板、３・−・・・・ボンディングステージ、
４・・・・・・ワックス、５・・・・・・真空口、６・
・・・−バンプ、７・−・・・・絶縁体フィルム、８・
・・・・・絶縁体フィルム孔、９０．。 ・・・リードフレーム、１０・・・・−・インナーリー
ド、１１・・・・・・ボンディングツール、１２・・・
・・−フィルムキャリヤガイド、１３・・・・・・テー
プ送）方向、１４°°゛°°゛ボンデイングスタ一ト信
号、１５ａ、１５ｂ・・・°・・ボンディング条件、１
６−・・・・・ボンディング動作、１７・・・・−・タ
イムアツプ信号、１８・−・−・つぶれ検出信号、１９
・・・・・・ボンディング終了、２０°°°°゛°ボン
デイングヘツド、 ２１−−−−−・加圧部、２２−・
・・・・つぶれ検出器、２３．２４・・・・・・つぶれ
検出器の出力電位である。 七）１シ２ ノ ”し？コ １５久 ７′６ （（１） ＜ｂ） （Ｃ） （ｄ ）番 ４
凹 ／ｌｆ 蓼Ｓ図
明する概略図、第２図は従来の半導体装置の製造方法に
於るボンディングサイクルの説明図、第３図は本発明の
実施例のボンディングサイクルの説明図、第４図は本発
明の実施例のボンディング動作図、第５図はつぶれ検出
器の出力信号図である。 図に於て、１・−・−半導体素子、２ａ、２ｂ・・・・
・・保持基板、３・−・・・・ボンディングステージ、
４・・・・・・ワックス、５・・・・・・真空口、６・
・・・−バンプ、７・−・・・・絶縁体フィルム、８・
・・・・・絶縁体フィルム孔、９０．。 ・・・リードフレーム、１０・・・・−・インナーリー
ド、１１・・・・・・ボンディングツール、１２・・・
・・−フィルムキャリヤガイド、１３・・・・・・テー
プ送）方向、１４°°゛°°゛ボンデイングスタ一ト信
号、１５ａ、１５ｂ・・・°・・ボンディング条件、１
６−・・・・・ボンディング動作、１７・・・・−・タ
イムアツプ信号、１８・−・−・つぶれ検出信号、１９
・・・・・・ボンディング終了、２０°°°°゛°ボン
デイングヘツド、 ２１−−−−−・加圧部、２２−・
・・・・つぶれ検出器、２３．２４・・・・・・つぶれ
検出器の出力電位である。 七）１シ２ ノ ”し？コ １５久 ７′６ （（１） ＜ｂ） （Ｃ） （ｄ ）番 ４
凹 ／ｌｆ 蓼Ｓ図
Claims (1)
- リードフレームの豪数個のインナーリードと半導体素子
の豪数個Ｏ電極とを同時Ｋかつ連続的に接続する半導体
装置の製造方法に於いて、ボンディング動作時にボンデ
ィング部のつぶれ変形量を検出しボンディング動作を制
御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098526A JPS58139A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098526A JPS58139A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139A true JPS58139A (ja) | 1983-01-05 |
| JPH0126174B2 JPH0126174B2 (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=14222107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098526A Granted JPS58139A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230240A (ja) * | 1987-06-10 | 1989-09-13 | Hitachi Ltd | ボンディング方法及び装置 |
| JPH01251729A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | インナーリードボンディング装置及びインナーリードボンディング方法 |
| JPH0344041A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-25 | Shinkawa Ltd | ボンディング方法及びその装置 |
| JPH0388344A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Seiko Epson Corp | インナーリードのボンディング方法 |
| JPH0397239A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Nec Corp | ボンディング方法及びその装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51146350A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Hitachi Ltd | Ultrasonic wire bonding device |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56098526A patent/JPS58139A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51146350A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Hitachi Ltd | Ultrasonic wire bonding device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230240A (ja) * | 1987-06-10 | 1989-09-13 | Hitachi Ltd | ボンディング方法及び装置 |
| JPH01251729A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | インナーリードボンディング装置及びインナーリードボンディング方法 |
| JPH0344041A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-25 | Shinkawa Ltd | ボンディング方法及びその装置 |
| JPH0388344A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Seiko Epson Corp | インナーリードのボンディング方法 |
| JPH0397239A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Nec Corp | ボンディング方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0126174B2 (ja) | 1989-05-22 |
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