JPH01252533A - 超電導セラミックス積層体およびその製造法 - Google Patents
超電導セラミックス積層体およびその製造法Info
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- JPH01252533A JPH01252533A JP63080020A JP8002088A JPH01252533A JP H01252533 A JPH01252533 A JP H01252533A JP 63080020 A JP63080020 A JP 63080020A JP 8002088 A JP8002088 A JP 8002088A JP H01252533 A JPH01252533 A JP H01252533A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ビスマス（Ｂｉ）、ストロンチウム（Ｓ
ｒ） 、カルシウム（ｃ ａ）および銅（Ｃｕ）より構
成された超電導セラミックス積層体に関し、より詳細に
は、配向した複合酸化物結晶の膜が形成されたＢ ｉ−
３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ系超電導セラミックス積層体積層体お
よびその製造法に関する。
ｒ） 、カルシウム（ｃ ａ）および銅（Ｃｕ）より構
成された超電導セラミックス積層体に関し、より詳細に
は、配向した複合酸化物結晶の膜が形成されたＢ ｉ−
３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ系超電導セラミックス積層体積層体お
よびその製造法に関する。
［従来の技術］
超電導材料は、臨界温度Ｔｃ、臨界磁場Ｈｃ。
臨界電流密度Ｊｃの臨界値以下の条件で、電気抵抗がゼ
ロになる性質（超電導状態）を示す材料である。
ロになる性質（超電導状態）を示す材料である。
９０に程度の温度で超電導性を示す酸化物セラミックス
として、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の複合酸化物セラミック
スが知られている。さらに、最近では、８０〜１００に
のＴｃを示す複合酸化物として、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ系超電導セラミックスが発見されている。このＢ１−
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ系は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系に比べて
安定性に優れ、水分などの外部環境に対しても強い耐性
を有する。
として、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の複合酸化物セラミック
スが知られている。さらに、最近では、８０〜１００に
のＴｃを示す複合酸化物として、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ系超電導セラミックスが発見されている。このＢ１−
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ系は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系に比べて
安定性に優れ、水分などの外部環境に対しても強い耐性
を有する。
通常、これらの複合酸化物セラミックスは、セラミック
ス原料粉末の成形物を、常圧焼結、加圧焼結、雰囲気焼
結などにより焼結して得られる。
ス原料粉末の成形物を、常圧焼結、加圧焼結、雰囲気焼
結などにより焼結して得られる。
線材化、テープ化およびコイル化されて従来から実用化
されている超電導材料としては、Ｎｂ−Ｔｉ合金やＮ
ｂ ａ Ｓ ｎ合金が知られているが、これらの材料で
は、液体ヘリウム温度まで冷却する必要があり、冷却の
ために多額の費用がかかる。
されている超電導材料としては、Ｎｂ−Ｔｉ合金やＮ
ｂ ａ Ｓ ｎ合金が知られているが、これらの材料で
は、液体ヘリウム温度まで冷却する必要があり、冷却の
ために多額の費用がかかる。
゛ 従って、臨界温度が高い複合酸化物からなる高温超
電導体を用いた線材、テープおよびコイルの実用化のた
めの種々の提案がなされている。
電導体を用いた線材、テープおよびコイルの実用化のた
めの種々の提案がなされている。
［発明が解決しようとする課題］
超電導体を実用化するためは、超電導体を線材化、テー
プ化およびコイル化すると共に、大きな臨界電流密度Ｊ
ｃを有する導体でなくてはならない。Ｂ ｉ−８ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ系超電導セラミックスの結晶構造は、確立され
ていないが、提案されているものの特徴は、結晶軸のう
ち著しくａ軸が長く、ａ軸やｂ軸の長さの５倍以上であ
り、各原子がａｂ而に層状に配列していることである。
プ化およびコイル化すると共に、大きな臨界電流密度Ｊ
ｃを有する導体でなくてはならない。Ｂ ｉ−８ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ系超電導セラミックスの結晶構造は、確立され
ていないが、提案されているものの特徴は、結晶軸のう
ち著しくａ軸が長く、ａ軸やｂ軸の長さの５倍以上であ
り、各原子がａｂ而に層状に配列していることである。
従って、超電導状態では、ａｂ面（ａ軸に垂直方向）に
添って電子が移動し、Ｃ軸方向に移動し難い結晶構造に
なっていると考えられる。
添って電子が移動し、Ｃ軸方向に移動し難い結晶構造に
なっていると考えられる。
従来の高温超電導セラミックスを用いた線材、テープお
よびコイルでは、このような結晶構造を考慮したものが
少なく、線材、テープおよびコイルの長手方向に大きな
電流を流す方策を講じていないものは、実用的に大きな
臨界電流密度が得られない。
よびコイルでは、このような結晶構造を考慮したものが
少なく、線材、テープおよびコイルの長手方向に大きな
電流を流す方策を講じていないものは、実用的に大きな
臨界電流密度が得られない。
線材、テープおよびコイルの長手方向に大きな電流を流
して実用的に大きな臨界電流密度を得るために、上述の
ように結晶を配向させる方法として、蒸着法、スパッタ
法、ＣＶＤ法などの気相法が提案されている。しかしな
がら、これらの方法は、膜の形成速度が小さく製造工程
が複雑でかつ製造コストが極めて高く、−殻内には線材
、テープなどへの長尺化が困難である。
して実用的に大きな臨界電流密度を得るために、上述の
ように結晶を配向させる方法として、蒸着法、スパッタ
法、ＣＶＤ法などの気相法が提案されている。しかしな
がら、これらの方法は、膜の形成速度が小さく製造工程
が複雑でかつ製造コストが極めて高く、−殻内には線材
、テープなどへの長尺化が困難である。
この発明は上述の背景に基づきなされたものであり、そ
の目的とするところは、線材、テープの長手方向に大き
な電流を流すことができ実用的に大きな臨界電流密度を
示す超電導セラミックス積層体並びに、良好な結晶配向
性を有する超電導セラミックス積層体を簡易にかつ廉価
に製造する方法を提供することである。
の目的とするところは、線材、テープの長手方向に大き
な電流を流すことができ実用的に大きな臨界電流密度を
示す超電導セラミックス積層体並びに、良好な結晶配向
性を有する超電導セラミックス積層体を簡易にかつ廉価
に製造する方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］
上記の課題は、この発明による超電導セラミックス積層
体およびその製造法により達成される。
体およびその製造法により達成される。
すなわち、この発明による超電導セラミックス積層体の
製造法は、ビスマス、ストロンチウム、カルシウムおよ
び銅より構成された複合酸化物の厚膜をテープ状などの
金属基材平面に形成し、形成された膜を熱処理して複合
酸化物結晶のＣ結晶軸が基材平面に実質的に垂直になる
ように配向結晶化させることを特徴とするものである。
製造法は、ビスマス、ストロンチウム、カルシウムおよ
び銅より構成された複合酸化物の厚膜をテープ状などの
金属基材平面に形成し、形成された膜を熱処理して複合
酸化物結晶のＣ結晶軸が基材平面に実質的に垂直になる
ように配向結晶化させることを特徴とするものである。
この発明の好ましい態様において、基材は、銀、銅、金
、白金、ニッケルからなるものとすることができる。
、白金、ニッケルからなるものとすることができる。
更に、この発明の好ましい態様において、膜の熱処理を
、８６０〜９００℃の温度に加熱して膜の一部または全
部を溶融し、その後に徐冷して行うことができる。
、８６０〜９００℃の温度に加熱して膜の一部または全
部を溶融し、その後に徐冷して行うことができる。
この発明の超電導セラミックス積層体は、ビスマス、ス
トロンチウム、カルシウムおよび銅より構成された複合
酸化物セラミックス膜がテープ状などの金属基材平面に
形成された積層体であって、膜内の複合酸化物結晶が配
向してＣ結晶軸が基材平面に実質的に垂直であることを
特徴とするものである。
トロンチウム、カルシウムおよび銅より構成された複合
酸化物セラミックス膜がテープ状などの金属基材平面に
形成された積層体であって、膜内の複合酸化物結晶が配
向してＣ結晶軸が基材平面に実質的に垂直であることを
特徴とするものである。
以下、この発明をより詳細に説明する。
複合酸化物膜の形成
複合酸化物厚膜の基材上への形成は、種々の方法で実施
することができ、例えば、スクリーン印刷法、ドクター
ブレード法、溶液塗布法などがあり、適宜選択できる。
することができ、例えば、スクリーン印刷法、ドクター
ブレード法、溶液塗布法などがあり、適宜選択できる。
複合酸化物膜の膜厚は、目的に応じて適宜変更できるが
、例えば、数μｍから数百μｍである。
、例えば、数μｍから数百μｍである。
セラミックス原料の化合物の種類などは、膜形成法など
により合目的的に選択することが望ましい。
により合目的的に選択することが望ましい。
通常、セラミックス原料粉末を得る方法には、例えば、
セラミックスの構成成分の各化合物粉末を混合しこれを
か焼する乾式法が、また、目的とするセラミックス構成
成分を含む混合液を調製し、これにシュウ酸や炭酸カリ
ウムなどの沈澱形成剤を一段階または多段階的に添加さ
せて共同沈澱物を得、これを乾燥・か焼する湿式法があ
る。
セラミックスの構成成分の各化合物粉末を混合しこれを
か焼する乾式法が、また、目的とするセラミックス構成
成分を含む混合液を調製し、これにシュウ酸や炭酸カリ
ウムなどの沈澱形成剤を一段階または多段階的に添加さ
せて共同沈澱物を得、これを乾燥・か焼する湿式法があ
る。
この発明において、複合酸化物厚膜は、金属基材平面に
形成される。金属基材の形状は、配向結晶化が可能な実
質的に平面を有するものであれば、いずれの形状でもよ
いが、長尺物が好ましく、例えば、テープ状、線状であ
り、特にテープ状が好ましい。
形成される。金属基材の形状は、配向結晶化が可能な実
質的に平面を有するものであれば、いずれの形状でもよ
いが、長尺物が好ましく、例えば、テープ状、線状であ
り、特にテープ状が好ましい。
この発明において用いられる基材は、銀、銅、金、白金
などの貴金属、ニッケルからなり、特に銀が好ましい。
などの貴金属、ニッケルからなり、特に銀が好ましい。
これは、銀が超電導セラミックス膜との反応性が小さく
超電導相を破壊することがなく、その膜との密性性が高
いからである。基材表面は、必要に応じて適宜前処理に
付される。
超電導相を破壊することがなく、その膜との密性性が高
いからである。基材表面は、必要に応じて適宜前処理に
付される。
膜形成法のうち、スクリーン印刷法で行う場合、複合酸
化物のペーストを調製して基材面に塗布する。
化物のペーストを調製して基材面に塗布する。
ここで、ペーストは、通常の手法で得た複合酸化物粉末
を、アクリル系樹脂などのバインダーと混練し、ペース
トの粘度を調整するために更に溶剤、可塑剤などを添加
して調製することができる。
を、アクリル系樹脂などのバインダーと混練し、ペース
トの粘度を調整するために更に溶剤、可塑剤などを添加
して調製することができる。
この発明における超電導酸化物セラミックス中に、その
焼結性や超電導性を制御するために、微量の成分を添加
することができる。そのような成分元素として、Ｔｉ、
ＳｎＳＭｎ５Ａｌ、Ｃｓ。
焼結性や超電導性を制御するために、微量の成分を添加
することができる。そのような成分元素として、Ｔｉ、
ＳｎＳＭｎ５Ａｌ、Ｃｓ。
Ｃｅ５Ｖ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎ ｉ＋ Ｉ ｒ ｓ
Ｒｈ ｓＧａがあり、添加するそれらの化合物として
は、その水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、炭酸水素塩
、オキシ硝酸塩、硫酸塩、亜硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、
ギ酸塩、シュウ酸塩、塩化物、およびフッ化物などがあ
る。この微量成分の添加は、原料中に含めて、または、
か焼した複合酸化物粉末中に含めて行うことができる。
Ｒｈ ｓＧａがあり、添加するそれらの化合物として
は、その水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、炭酸水素塩
、オキシ硝酸塩、硫酸塩、亜硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、
ギ酸塩、シュウ酸塩、塩化物、およびフッ化物などがあ
る。この微量成分の添加は、原料中に含めて、または、
か焼した複合酸化物粉末中に含めて行うことができる。
膜の熱処理
基材上へ形成された複合酸化物膜は、次いで、熱処理さ
れる。この発明において熱処理により、複合酸化物結晶
のＣ結晶軸が基材平面に実質的に垂直に配向する。
れる。この発明において熱処理により、複合酸化物結晶
のＣ結晶軸が基材平面に実質的に垂直に配向する。
膜の熱処理条件について、上記のＣ軸配向膜が形成され
るように、前処理、加熱速度、加熱温度、加熱雰囲気、
加熱時間、冷却速度などが選択される。
るように、前処理、加熱速度、加熱温度、加熱雰囲気、
加熱時間、冷却速度などが選択される。
ペーストとして形成された複合酸化物膜では、１００℃
前後で乾燥し、次いで樹脂などのバインダーを蒸発させ
るために、４００℃前後に１時間焼鈍して前処理を施す
ことが望ましい。
前後で乾燥し、次いで樹脂などのバインダーを蒸発させ
るために、４００℃前後に１時間焼鈍して前処理を施す
ことが望ましい。
加熱温度（焼成温度）は、複合酸化物の組成などに応じ
て適宜変更することができるが、例えば、８６０〜９５
０℃、好ましくは８７０〜９１０℃である。これは、８
６０℃未満では、複合酸化物膜が溶出することもなく、
結晶をＣ軸配向させることもできず、また、膜中のセラ
ミックス粒子の一部も溶融せず、膜の緻密化が進行しな
いからであり、他方、９５０℃を超すと、複合酸化物が
熱分解、または一部が蒸発する恐れがあるからである。
て適宜変更することができるが、例えば、８６０〜９５
０℃、好ましくは８７０〜９１０℃である。これは、８
６０℃未満では、複合酸化物膜が溶出することもなく、
結晶をＣ軸配向させることもできず、また、膜中のセラ
ミックス粒子の一部も溶融せず、膜の緻密化が進行しな
いからであり、他方、９５０℃を超すと、複合酸化物が
熱分解、または一部が蒸発する恐れがあるからである。
加熱の際の昇温速度については、その速度がセラミック
スの微構造および超電導特性を大きく左右するので、複
合酸化物の構成成分の扛類や含量に応じて適宜設定され
る。
スの微構造および超電導特性を大きく左右するので、複
合酸化物の構成成分の扛類や含量に応じて適宜設定され
る。
この発明において、加熱は、酸素雰囲気または非酸素雰
囲気で実施される。酸素以外に窒素ガス、ヘリウム、ア
ルゴンなどの不活性ガスを加えることもできる。
囲気で実施される。酸素以外に窒素ガス、ヘリウム、ア
ルゴンなどの不活性ガスを加えることもできる。
加熱後、Ｃ軸配向結晶化するように、徐冷する。
例えば、冷却速度として、５００〜ｂ
好ましくは２００〜ｂ
は、１００℃／時間前後を採用することができる。
複合酸化物セラミックス
この発明により得られる超電導セラミックス積層体は、
ビスマス、ストロンチウム、カルシウムおよび銅より構
成された複合酸化物セラミックス膜が、テープ状などの
金属基材平面に形成された積層体であって、膜内の複合
酸化物結晶がＣ軸配向し、その結晶軸のＣ軸が基材平面
に実質的に垂直であることを特徴とするものである。
ビスマス、ストロンチウム、カルシウムおよび銅より構
成された複合酸化物セラミックス膜が、テープ状などの
金属基材平面に形成された積層体であって、膜内の複合
酸化物結晶がＣ軸配向し、その結晶軸のＣ軸が基材平面
に実質的に垂直であることを特徴とするものである。
この発明において膜内の複合酸化物結晶の形状や寸法な
どは、Ｃ軸配向している限り、任意である。この発明の
積層体の概略図を第１図ＡおよびＢに示す。この態様で
は、テープ状金属基材１とその面に設けられた複合酸化
物セラミックス膜２とからなり、その膜内の結晶は、Ｃ
軸が基材平面に実質的に垂直になっている。この発明で
は、ａｂ軸方向が一致している態様、および一致してい
ない態様も含む。
どは、Ｃ軸配向している限り、任意である。この発明の
積層体の概略図を第１図ＡおよびＢに示す。この態様で
は、テープ状金属基材１とその面に設けられた複合酸化
物セラミックス膜２とからなり、その膜内の結晶は、Ｃ
軸が基材平面に実質的に垂直になっている。この発明で
は、ａｂ軸方向が一致している態様、および一致してい
ない態様も含む。
製造されたセラミックスは、超電導性を示すことができ
、種々の超電導材料として利用することができる。
、種々の超電導材料として利用することができる。
［作 用］
上記のように構成されたこの発明のセラミックスの製造
法のメカニズムを、この発明のより良い理解のために説
明する。従って、以下は、この発明の範囲を限定するも
のではない。
法のメカニズムを、この発明のより良い理解のために説
明する。従って、以下は、この発明の範囲を限定するも
のではない。
この発明の方法においては、処理前の複合酸化物膜では
、セラミックス粒子は、ランダムに配列し、また、非晶
質および品質が混在し、熱処理により、膜の酸化物の一
部または全部が溶融し、この溶融物を徐々に冷却するこ
とにより、Ｃ軸配向するように結晶化される。特に、基
材が、銀、銅、金、白金など貴金属、ニッケルからなる
場合、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ系セラミックスとの結晶
格子の整合性が良く、容易にＢｉ系セラミックスのＣ軸
配向膜を形成させることができる。
、セラミックス粒子は、ランダムに配列し、また、非晶
質および品質が混在し、熱処理により、膜の酸化物の一
部または全部が溶融し、この溶融物を徐々に冷却するこ
とにより、Ｃ軸配向するように結晶化される。特に、基
材が、銀、銅、金、白金など貴金属、ニッケルからなる
場合、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ系セラミックスとの結晶
格子の整合性が良く、容易にＢｉ系セラミックスのＣ軸
配向膜を形成させることができる。
［発明の効果］
この発明により次の効果を得ることができる。
（イ） この請求項１記載の製造法により、従来の複雑
高価な蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などを用いずに、
操作容易かつコストが易い熱処理工程を利用するので、
良好な結晶配向性を有する超電導セラミックス積層体を
、簡易にかつ廉価に製造することができる。
高価な蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などを用いずに、
操作容易かつコストが易い熱処理工程を利用するので、
良好な結晶配向性を有する超電導セラミックス積層体を
、簡易にかつ廉価に製造することができる。
（ロ） この請求項２記載の製造法では、基材がテープ
状良導電体であるめで、加工性の悪いセラミックスの弱
点をカバーし、この発明の積層体をフレキシブルなもの
とすることができる（ハ） この請求項３記載の製造法
では、基材がＡｇなどの良導電体であるので、使用中に
超電導状態が破れても、すなわちクエンチ状態になって
も、金属基材が電流のバイパスとなって安定化材の役割
をはたす。
状良導電体であるめで、加工性の悪いセラミックスの弱
点をカバーし、この発明の積層体をフレキシブルなもの
とすることができる（ハ） この請求項３記載の製造法
では、基材がＡｇなどの良導電体であるので、使用中に
超電導状態が破れても、すなわちクエンチ状態になって
も、金属基材が電流のバイパスとなって安定化材の役割
をはたす。
（ニ）ｍ求項４記載の製造法では、加熱条件がより特定
され、Ａｇなどの貴金属を基材としてｍｍいることによ
り、Ｃ軸配向化をより確実にして良好な超電導セラミッ
クス積層体を得ることができる。
され、Ａｇなどの貴金属を基材としてｍｍいることによ
り、Ｃ軸配向化をより確実にして良好な超電導セラミッ
クス積層体を得ることができる。
（ホ） 請求項５記載の積層体では、超電導セラミック
ス膜が配向されているので、線材、テープの長平方向に
大きな電流を流すことができ実用的に大きな臨界電流密
度を示す超電導セラミックス積層体を得ることができる
。
ス膜が配向されているので、線材、テープの長平方向に
大きな電流を流すことができ実用的に大きな臨界電流密
度を示す超電導セラミックス積層体を得ることができる
。
（へ） 請求項４記載の製造法では、加熱条件がより特
定され、この条件で、加熱時に膜が半溶融状態になり、
極めて緻密な膜を形成することができる。
定され、この条件で、加熱時に膜が半溶融状態になり、
極めて緻密な膜を形成することができる。
［実施例］
この発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１
ＢＬＯｏ、５モル、Ｓ ｒ ＣＯａ １モル、Ｃａ Ｃ
Ｏａ １モルおよびＣｕＯ２モルを乳鉢で乾式混合し、
８００℃で１０時間か焼した。このか焼粉末を乳鉢で粉
砕し２８０メシ二以下の粉末とした。次いで、アクリル
系樹脂３重量部をか焼物１０重量部に添加し３０分間混
練機で混合した。
Ｏａ １モルおよびＣｕＯ２モルを乳鉢で乾式混合し、
８００℃で１０時間か焼した。このか焼粉末を乳鉢で粉
砕し２８０メシ二以下の粉末とした。次いで、アクリル
系樹脂３重量部をか焼物１０重量部に添加し３０分間混
練機で混合した。
粘度を：Ａ整するために、溶剤としてパラピノール、可
塑剤としてジブチルフタレートを数滴添加してよく混合
した。
塑剤としてジブチルフタレートを数滴添加してよく混合
した。
得られたペーストを、スフ１−−ン印刷法によりＡｇテ
ープ（厚さ０．１ｍｍ、幅３ｍｒａｓ長さ５０■）上に
厚膜形成した。膜厚は焼成前で数十μｍから数百μｍで
あった。
ープ（厚さ０．１ｍｍ、幅３ｍｒａｓ長さ５０■）上に
厚膜形成した。膜厚は焼成前で数十μｍから数百μｍで
あった。
このテープを１００℃前後で乾燥し、４００℃で１時間
バインダーを蒸発させて前処理し、８８０℃で１０分間
熱処理した。その後に、１００℃／時間の割合で冷却し
、超電導セラミックス積層体テープを得た。得られた膜
厚は５〜１０μｍから数十μｍであった。
バインダーを蒸発させて前処理し、８８０℃で１０分間
熱処理した。その後に、１００℃／時間の割合で冷却し
、超電導セラミックス積層体テープを得た。得られた膜
厚は５〜１０μｍから数十μｍであった。
得られた超電導セラミックス積層体テープの超電導特性
を試験するために、Ａｇテープから一部を剥がし、通常
の４端子法で、温度と電気抵抗率との関係を調べた。そ
の結果を第２図に示す。この図から明らかなように、電
気抵抗の温度変化は、金属的であり、Ｔｃは７８Ｋが得
られた。また、超電導への遷移も極めてシャープであっ
た。
を試験するために、Ａｇテープから一部を剥がし、通常
の４端子法で、温度と電気抵抗率との関係を調べた。そ
の結果を第２図に示す。この図から明らかなように、電
気抵抗の温度変化は、金属的であり、Ｔｃは７８Ｋが得
られた。また、超電導への遷移も極めてシャープであっ
た。
結晶配向性を調べるために、粉末Ｘ線回折分析を行った
。その結果を示す第３図より、結晶構造は、（００ｎ）
面のピークが高くかつ強く、著しくｃ軸に配向している
ことが分かった。
。その結果を示す第３図より、結晶構造は、（００ｎ）
面のピークが高くかつ強く、著しくｃ軸に配向している
ことが分かった。
第１図は、この発明の積層体の概略説明図、第２図は、
実施例１で得られた複合酸化物セラミックスの温度と電
気抵抗率との関係を示すグラフ、第３図は、実施例１で
得られた複合酸化物セラミックスのＸ線分析を示すグラ
フである。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第２図
実施例１で得られた複合酸化物セラミックスの温度と電
気抵抗率との関係を示すグラフ、第３図は、実施例１で
得られた複合酸化物セラミックスのＸ線分析を示すグラ
フである。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ビスマス、ストロンチウム、カルシウムおよび銅よ
り構成された複合酸化物の厚膜を金属基材平面に形成し
、形成された膜を熱処理して複合酸化物結晶のｃ結晶軸
が基材平面に実質的に垂直になるように配向結晶化させ
ることを特徴とする超電導セラミックス積層体の製造法
。 ２、基材がテープ状良導電体である、請求項１記載の製
造法。 ３、基材が、銀、銅、金、白金またはニッケルからなる
、請求項１または２記載の製造法。 ４、膜の熱処理を、８６０〜９５０℃の温度に加熱して
膜の一部または全部を溶融し、その後に徐冷して行う、
請求項１、２または３記載の製造法。 ５、ビスマス、ストロンチウム、カルシウムおよび銅よ
り構成された複合酸化物セラミックス膜が、銀、銅、金
、白金またはニッケルからなる金属基材平面に形成され
た積層体であって、膜内の複合酸化物結晶が配向してｃ
結晶軸が基材平面に実質的に垂直であることと特徴とす
る超電導セラミックス積層体。 ６、基材がテープ状である、請求項６記載の超電導セラ
ミックス積層体。
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|---|---|---|---|
| JP63080020A JP2649242B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 超電導セラミックス積層体およびその製造法 |
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| EP89303174A EP0339801B1 (en) | 1988-03-31 | 1989-03-30 | Superconductive ceramics laminates and method for production thereof |
| US07/647,216 US5096878A (en) | 1988-03-31 | 1991-01-28 | Method for production of bi-containing superconducting ceramics laminates |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080020A JP2649242B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 超電導セラミックス積層体およびその製造法 |
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|---|---|
| JPH01252533A true JPH01252533A (ja) | 1989-10-09 |
| JP2649242B2 JP2649242B2 (ja) | 1997-09-03 |
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2649242B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01235103A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Toray Ind Inc | 超伝導材 |
| JPH03150209A (ja) * | 1989-11-04 | 1991-06-26 | Dowa Mining Co Ltd | 超伝導膜作製用ペースト |
| JPH0480026A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Ngk Insulators Ltd | ビスマス系超電導一貴金属積層体 |
| JPH06279126A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-04 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ビスマス系超電導セラミックス配向厚膜の形成方法 |
| JPH0887919A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Natl Res Inst For Metals | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472905A (en) * | 1987-06-12 | 1989-03-17 | American Telephone & Telegraph | Production of superconductor and device and system comprising same |
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| JPH01226735A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導材料の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63080020A patent/JP2649242B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH0887919A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Natl Res Inst For Metals | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2649242B2 (ja) | 1997-09-03 |
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