JPH01252765A - 表面硬度の改良された芳香族ポリエステルフィルム - Google Patents
表面硬度の改良された芳香族ポリエステルフィルムInfo
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- JPH01252765A JPH01252765A JP8050088A JP8050088A JPH01252765A JP H01252765 A JPH01252765 A JP H01252765A JP 8050088 A JP8050088 A JP 8050088A JP 8050088 A JP8050088 A JP 8050088A JP H01252765 A JPH01252765 A JP H01252765A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は表面硬度の改良された芳香族ポリエステルフィ
ルムに関する。さらに詳しくは、表面に傷がつきに<<
、フィッシュアイ、ダイラインなどがなく、耐熱性およ
び透明性に優れた芳香族ポリエステルフィルムに関する
。
ルムに関する。さらに詳しくは、表面に傷がつきに<<
、フィッシュアイ、ダイラインなどがなく、耐熱性およ
び透明性に優れた芳香族ポリエステルフィルムに関する
。
[従来の技術・発明が解決しようとする課題]一般にポ
リエステルフィルム、とくに二軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフィルムは、機械的強度、透明性、耐薬品性
に優れ、広く用いられているが、延伸しているために複
屈折を有し、光学的に等方性でないという欠点を有して
いる。また耐熱性についても約150℃であり、加工時
の温度をこれ以上に上げることができない。
リエステルフィルム、とくに二軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフィルムは、機械的強度、透明性、耐薬品性
に優れ、広く用いられているが、延伸しているために複
屈折を有し、光学的に等方性でないという欠点を有して
いる。また耐熱性についても約150℃であり、加工時
の温度をこれ以上に上げることができない。
一方、溶液キャスティング法による芳香族ポリエステル
フィルムは、非晶質ポリエステルであり、Tgが200
℃以上であってTgまでの温度の加工に耐え、また無延
伸であるため光学的に等方性で、フィッシュアイ、ダイ
ラインなどがなく表面平滑性に優れているという特徴を
有している。しかし該フィルムをそのまま外部と接触す
るところに用いると、フィルムの表面に傷がつきやすく
、外観、光沢、透明性などが損なわれるという問題があ
る。
フィルムは、非晶質ポリエステルであり、Tgが200
℃以上であってTgまでの温度の加工に耐え、また無延
伸であるため光学的に等方性で、フィッシュアイ、ダイ
ラインなどがなく表面平滑性に優れているという特徴を
有している。しかし該フィルムをそのまま外部と接触す
るところに用いると、フィルムの表面に傷がつきやすく
、外観、光沢、透明性などが損なわれるという問題があ
る。
[課題を解決するための手段]
本発明者らはかかる問題を解決するべく鋭意検討を重ね
た結果、芳香族ポリエステルフィルム、とくに溶液キャ
スティング法によりえられる芳香族ポリエステルフィル
ムの表面に金属のチッ化物、酸化物またはチッ化物と酸
化物との混合物の薄膜を形成することにより、芳香族ポ
リエステルフィルムの前記特徴を損なうことなく、フィ
ルムの表面硬度を改良しうろことを見出し、本発明に到
達した。
た結果、芳香族ポリエステルフィルム、とくに溶液キャ
スティング法によりえられる芳香族ポリエステルフィル
ムの表面に金属のチッ化物、酸化物またはチッ化物と酸
化物との混合物の薄膜を形成することにより、芳香族ポ
リエステルフィルムの前記特徴を損なうことなく、フィ
ルムの表面硬度を改良しうろことを見出し、本発明に到
達した。
すなわち本発明は、芳香族ポリエステルフィルムの表面
に、金属のチッ化物、酸化物またはチッ化物と酸化物と
の混合物の薄膜が形成されてなる表面硬度の改良された
芳香族ポリエステルフィルムに関する。
に、金属のチッ化物、酸化物またはチッ化物と酸化物と
の混合物の薄膜が形成されてなる表面硬度の改良された
芳香族ポリエステルフィルムに関する。
[実施例]
本発明に用いる芳香族ポリエステルとは、芳香族ポリエ
ステルを構成する酸成分およびアルコール成分がいずれ
も実質的に2価の成分からなる。
ステルを構成する酸成分およびアルコール成分がいずれ
も実質的に2価の成分からなる。
前記酸成分の具体例としては、たとえばテレフタル酸、
イソフタル酸や、これらから誘導されたテレフタル酸ク
ロライドやイソフタル酸クロライドなどの酸ハライド、
エステルなどの芳香環を有する酸成分があげられる。こ
れらテレフタル酸、イソフタル酸や、これらから誘導さ
れた前記のごとき誘導体は、原料入手の容易さの点から
好ましい。なお、テレフタル酸を用いるとイソフタル酸
を用いるばあいと比較してTgが高くなるという特徴が
生じ、イソフタル酸を用いるとテレフタル酸を用いるば
あいと比較して溶融粘度が下がるという特徴が生じる。
イソフタル酸や、これらから誘導されたテレフタル酸ク
ロライドやイソフタル酸クロライドなどの酸ハライド、
エステルなどの芳香環を有する酸成分があげられる。こ
れらテレフタル酸、イソフタル酸や、これらから誘導さ
れた前記のごとき誘導体は、原料入手の容易さの点から
好ましい。なお、テレフタル酸を用いるとイソフタル酸
を用いるばあいと比較してTgが高くなるという特徴が
生じ、イソフタル酸を用いるとテレフタル酸を用いるば
あいと比較して溶融粘度が下がるという特徴が生じる。
前記のごとき酸成分のなかでも、テレフタル酸またはそ
の誘導体90〜50モル%ならびにイソフタル酸または
その誘導体10〜50モル%からなる酸成分を用いるの
が、えられる重合体の有機溶剤溶液の安定性がよく、溶
液キャスティング法によりえられるフィルムの光線透過
率が高くなることや濁度が低くなることなどの点がら好
ましい。
の誘導体90〜50モル%ならびにイソフタル酸または
その誘導体10〜50モル%からなる酸成分を用いるの
が、えられる重合体の有機溶剤溶液の安定性がよく、溶
液キャスティング法によりえられるフィルムの光線透過
率が高くなることや濁度が低くなることなどの点がら好
ましい。
アルコール成分として用いられる2価フェノール成分の
具体例としては、たとえば一般式(■):(式中、R1
およびR2はいずれも炭素数1〜4のアルキル基もしく
はアルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基で
あり、R1、R2が複数個あるとき、それらは同じであ
ってもよく、異なっていてもよい、pおよびqはいずれ
も1〜4の整数、Xは直接結合、炭素数1〜loのアル
キレン基、シクロアルキリデン基、−O−、−5−1−
8O−1−802−または−C−を示す)で表わされる
化合物、一般式(■): (式中、Xは前記に同じ)で表わされる化合物などがあ
げられる。
具体例としては、たとえば一般式(■):(式中、R1
およびR2はいずれも炭素数1〜4のアルキル基もしく
はアルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基で
あり、R1、R2が複数個あるとき、それらは同じであ
ってもよく、異なっていてもよい、pおよびqはいずれ
も1〜4の整数、Xは直接結合、炭素数1〜loのアル
キレン基、シクロアルキリデン基、−O−、−5−1−
8O−1−802−または−C−を示す)で表わされる
化合物、一般式(■): (式中、Xは前記に同じ)で表わされる化合物などがあ
げられる。
なお、一般式(I)で表わされる化合物を用いると一般
式(If)で表わされる化合物を用いるばあいと比較し
てTgが上がる、耐水性および耐アルカリ性が向上する
という特徴が生じ、一般式(]IIで表わされる化合物
を用いると一般式(I)で表わされる化合物と比較して
酸化劣化に強くなるという特徴が生じる。
式(If)で表わされる化合物を用いるばあいと比較し
てTgが上がる、耐水性および耐アルカリ性が向上する
という特徴が生じ、一般式(]IIで表わされる化合物
を用いると一般式(I)で表わされる化合物と比較して
酸化劣化に強くなるという特徴が生じる。
さらに一般式(I)で表わされる化合物が、一般式順
(式中、R3−R6はいずれも炭素数1〜4のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基
、Xは前記に同じ)で表わされる化合物や該化合物から
の誘導体であるのがTgの上昇、耐アルカリ性および耐
水性の点からさらに好ましい。
基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基
、Xは前記に同じ)で表わされる化合物や該化合物から
の誘導体であるのがTgの上昇、耐アルカリ性および耐
水性の点からさらに好ましい。
前記一般式+1)および[IIDにおけるR1−Reは
いずれも炭素数1〜4のアルキル基(たとえばメチル、
エチル、5eC−ブチル、tert−ブチルなど)、炭
素数1〜4のアルコキシ基(たとえばメトキシ、エトキ
シ、5ee−ブトキシ、tθ「t−ブトキシなど)、ア
リール基(たとえばフェニル基など)またはアリールオ
キシ基(たとえばフェニルオキシ基など)である。
いずれも炭素数1〜4のアルキル基(たとえばメチル、
エチル、5eC−ブチル、tert−ブチルなど)、炭
素数1〜4のアルコキシ基(たとえばメトキシ、エトキ
シ、5ee−ブトキシ、tθ「t−ブトキシなど)、ア
リール基(たとえばフェニル基など)またはアリールオ
キシ基(たとえばフェニルオキシ基など)である。
さらに前記一般式(1)、(II)および圓におけるX
は直接結合、炭素数1〜10のアルキレン基(たとえば
メチレン、エチレン、プロピレンなど)、シクロアルキ
リデン基(たとえばシクロへキシリデンなど> 、−o
−、−s−、−5o−1−802−または−C−である
。
は直接結合、炭素数1〜10のアルキレン基(たとえば
メチレン、エチレン、プロピレンなど)、シクロアルキ
リデン基(たとえばシクロへキシリデンなど> 、−o
−、−s−、−5o−1−802−または−C−である
。
前記一般式(1)で表わされる化合物の具体例としては
、たとえば2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス(3,5−ジ
ー513C−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3,5−ジーtert−ブチル −
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1.1−ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エタ
ン、■、1−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキサン、ビス(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(3,
5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スル
フィド、2.2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロ
キシフェニル)へキサフルオロプロパン、2,2−ビス
(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、ビス(3,5−ジメトキシー4−ヒドロキシフェ
ニル)メタン、2.2−ビス(3−メトキシ−4−ヒド
ロキシ−5−メチルフェニル)プロパン、ビス(3−メ
トキシ−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)メタン
、ビス(3,5−ジフェニル−4−ヒドロキシフェニル
)メタン、2.2−ビス(3,5−ジフェノキシ−4−
(ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−フェノキ
シ−4−ヒドロキシ−5−メチル)メタン、4,4−ジ
ヒドロキシ−3,3°、5,5°−テトラメチルビフェ
ニル、4.4°−ジヒドロキシ−3,3°、5,5°−
テトラエチルビフェニルなどがあげられる。
、たとえば2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス(3,5−ジ
ー513C−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3,5−ジーtert−ブチル −
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1.1−ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エタ
ン、■、1−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキサン、ビス(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(3,
5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スル
フィド、2.2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロ
キシフェニル)へキサフルオロプロパン、2,2−ビス
(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、ビス(3,5−ジメトキシー4−ヒドロキシフェ
ニル)メタン、2.2−ビス(3−メトキシ−4−ヒド
ロキシ−5−メチルフェニル)プロパン、ビス(3−メ
トキシ−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)メタン
、ビス(3,5−ジフェニル−4−ヒドロキシフェニル
)メタン、2.2−ビス(3,5−ジフェノキシ−4−
(ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−フェノキ
シ−4−ヒドロキシ−5−メチル)メタン、4,4−ジ
ヒドロキシ−3,3°、5,5°−テトラメチルビフェ
ニル、4.4°−ジヒドロキシ−3,3°、5,5°−
テトラエチルビフェニルなどがあげられる。
また前記一般式(I)で表わされる化合物の具体例とし
ては、たとえばビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン
、■、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2
,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)ケトン、4.4′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、4.4’−ジヒドロキシジフェニルス
ルフィドなどがあげられる。
ては、たとえばビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン
、■、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2
,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)ケトン、4.4′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、4.4’−ジヒドロキシジフェニルス
ルフィドなどがあげられる。
その他、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシアント
ラセンなどの縮合多環ビスフェノール類;アリザリン、
フェノールフタレイン、フルオレセイン、ナフトフタレ
イン、チモールフタレイン、オーリン、フェノールスル
ホフタレイン、ジブロモフェノールスルホフタレインな
どのビスフェノール性色素類;2,2°−ジヒドロキシ
−1,1゛−ジナフチルメタン、4,4゛−ジヒドロキ
シジナフチル−1,1°、2.2’−ジヒドロキシジナ
フチル−t、t’ 、1.1°−ビス(4−ヒドロキシ
ナフチル)−2,2,2−トリクロルエタン、2,2゛
−ジヒドロキシジナフチル−フェニル−メタンなどのジ
ナフチル化合物などが用いられる。
ラセンなどの縮合多環ビスフェノール類;アリザリン、
フェノールフタレイン、フルオレセイン、ナフトフタレ
イン、チモールフタレイン、オーリン、フェノールスル
ホフタレイン、ジブロモフェノールスルホフタレインな
どのビスフェノール性色素類;2,2°−ジヒドロキシ
−1,1゛−ジナフチルメタン、4,4゛−ジヒドロキ
シジナフチル−1,1°、2.2’−ジヒドロキシジナ
フチル−t、t’ 、1.1°−ビス(4−ヒドロキシ
ナフチル)−2,2,2−トリクロルエタン、2,2゛
−ジヒドロキシジナフチル−フェニル−メタンなどのジ
ナフチル化合物などが用いられる。
前記のごとき2価フェノール成分のなかでも、一般式(
T)で表わされる化合物および(または)その誘導体1
0〜90モル%ならびに一般式+1[)で表わされる化
合物および(または)その誘導体90〜10モル%から
なる2価フェノール成分を用いるのが、重合体の有機溶
剤溶液の安定性がよく、えられるフィルムの光線透過率
が高くなる、濁度が低くなるなどの点から好ましい。
T)で表わされる化合物および(または)その誘導体1
0〜90モル%ならびに一般式+1[)で表わされる化
合物および(または)その誘導体90〜10モル%から
なる2価フェノール成分を用いるのが、重合体の有機溶
剤溶液の安定性がよく、えられるフィルムの光線透過率
が高くなる、濁度が低くなるなどの点から好ましい。
2価フェノール成分のほかに、重合度を調整するなどの
ために芳香環を有する1価のフェノール成分を用いても
よい。該1価のフェノール成分の具体例としては、たと
えばフェノール、クレゾール、キシレノール、ノニルフ
ェノール、ブチルフェノール、メトキシフェノール、フ
ェニルフェノールなどがあげられる。これらは2価フェ
ノール成分に対して1〜lOモル%の範囲で用いるのが
好ましい。
ために芳香環を有する1価のフェノール成分を用いても
よい。該1価のフェノール成分の具体例としては、たと
えばフェノール、クレゾール、キシレノール、ノニルフ
ェノール、ブチルフェノール、メトキシフェノール、フ
ェニルフェノールなどがあげられる。これらは2価フェ
ノール成分に対して1〜lOモル%の範囲で用いるのが
好ましい。
前記のごとき酸成分、アルコール成分などを用いて本発
明に用いる芳香族ポリエステルが製造される。
明に用いる芳香族ポリエステルが製造される。
酸成分およびフェノール成分の使用割合、製造方法など
にもとくに限定はなく、−船釣な使用割合、製造方法な
どにより製造すればよいが、アルコール成分と酸成分の
使用割合はエステル化にあずかる官能基が当量になるよ
うに用い、酸成分としてテレフタル酸クロライドとイソ
フタル酸クロライドとをモル比9ノ1〜515の範囲で
用い、フェノール成分として前記一般式(1)で表わさ
れる化合物の少なくとも一種のアルカリ金属塩と前記一
般式(I[)で表わされる化合物の少なくとも一種のア
ルカリ金属塩とをモル比1/9〜9/lの範囲で用い、
相間移動触媒の存在下で反応させるのが好ましい。
にもとくに限定はなく、−船釣な使用割合、製造方法な
どにより製造すればよいが、アルコール成分と酸成分の
使用割合はエステル化にあずかる官能基が当量になるよ
うに用い、酸成分としてテレフタル酸クロライドとイソ
フタル酸クロライドとをモル比9ノ1〜515の範囲で
用い、フェノール成分として前記一般式(1)で表わさ
れる化合物の少なくとも一種のアルカリ金属塩と前記一
般式(I[)で表わされる化合物の少なくとも一種のア
ルカリ金属塩とをモル比1/9〜9/lの範囲で用い、
相間移動触媒の存在下で反応させるのが好ましい。
該相聞移動触媒としては、4級アンモニウム塩、ピリジ
ニウム塩、4級ホスホニウム塩、アルソニウム塩などが
使用できる。たとえばベンジルトリメチルアンモニウム
クロリド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、
ベンジルトリブチルアンモニウムクロリド、トリオクチ
ルメチルアンモニウムクロリド、テトラブチルフォスフ
オニウムプロミド、テトラブチルフォスフオニウムプロ
ミドなどがあげられる。
ニウム塩、4級ホスホニウム塩、アルソニウム塩などが
使用できる。たとえばベンジルトリメチルアンモニウム
クロリド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、
ベンジルトリブチルアンモニウムクロリド、トリオクチ
ルメチルアンモニウムクロリド、テトラブチルフォスフ
オニウムプロミド、テトラブチルフォスフオニウムプロ
ミドなどがあげられる。
重合度の調整は前記のごとく1価のフェノール成分を用
いたり、ベンゾイルクロライドのような1官能の酸ハロ
ゲン化物を酸成分に対して1〜10モル%の範囲で用い
ることにより可能である。
いたり、ベンゾイルクロライドのような1官能の酸ハロ
ゲン化物を酸成分に対して1〜10モル%の範囲で用い
ることにより可能である。
本発明に用いる芳香族ポリエステルの重合度は、η /
C(重合体0.32gをクロロホルムIp dllに溶解し、32℃で測定する)で表わしたばあい
、0.4〜2.0のものが好ましい。η /Cp が0.4より小さいばあい、えられるフィルムの強度が
低下し、また2、0をこえるとフィルムを作製するとき
の重合体のを機溶剤溶液の粘度が高くなりやすく、フィ
ルム化の作業性が低下する。
C(重合体0.32gをクロロホルムIp dllに溶解し、32℃で測定する)で表わしたばあい
、0.4〜2.0のものが好ましい。η /Cp が0.4より小さいばあい、えられるフィルムの強度が
低下し、また2、0をこえるとフィルムを作製するとき
の重合体のを機溶剤溶液の粘度が高くなりやすく、フィ
ルム化の作業性が低下する。
前記のごとき重合体(芳香族ポリエステル)を用いてフ
ィルムを形成する方法、フィルムの厚さなどは、フィル
ムの用途などにより適宜選択すればよいが、フィルムの
形成法としては、フィルム化時の異物混入、ダイライン
、フィッシュアイ、表面平滑性などの点で溶液キャステ
ィング法により形成するのが好ましく、また厚さは通常
1〜200遍の範囲である。
ィルムを形成する方法、フィルムの厚さなどは、フィル
ムの用途などにより適宜選択すればよいが、フィルムの
形成法としては、フィルム化時の異物混入、ダイライン
、フィッシュアイ、表面平滑性などの点で溶液キャステ
ィング法により形成するのが好ましく、また厚さは通常
1〜200遍の範囲である。
えられた芳香族ポリエステルフィルムは、全光線透過率
は85〜92%程度、TMA法によるガラス転移温度(
Tg)は210〜290℃程度、表面鉛筆硬度(JIS
K 5400の鉛筆引っかき試験による、以下同様)
B−H程度であり、フィッシュアイおよびダイラインが
なく表面平滑性に優れた(平均粗さRa−0,005ρ
)フィルムである。
は85〜92%程度、TMA法によるガラス転移温度(
Tg)は210〜290℃程度、表面鉛筆硬度(JIS
K 5400の鉛筆引っかき試験による、以下同様)
B−H程度であり、フィッシュアイおよびダイラインが
なく表面平滑性に優れた(平均粗さRa−0,005ρ
)フィルムである。
前記芳香族ポリエステルフィルムの表面に、金属のチッ
化物、酸化物またはチッ化物と酸化物との混合物の薄膜
を形成することにより、とくに透明性、耐熱性などに優
れ、かつ表面硬度の改良された本発明のポリエステルフ
ィルムかえられる。
化物、酸化物またはチッ化物と酸化物との混合物の薄膜
を形成することにより、とくに透明性、耐熱性などに優
れ、かつ表面硬度の改良された本発明のポリエステルフ
ィルムかえられる。
前記金属としては各種金属を用いうるが、芳香族ポリエ
ステルフィルムの表面硬度を高める効果が著しいという
点から、511Aj s B 1Beおよび2「から選
ばれた金属がとくに好ましい。これらの金属は単独で用
いてもよく、2種以上併用してもよい。
ステルフィルムの表面硬度を高める効果が著しいという
点から、511Aj s B 1Beおよび2「から選
ばれた金属がとくに好ましい。これらの金属は単独で用
いてもよく、2種以上併用してもよい。
金属の酸化物およびチッ化物とは、たとえばNのばあい
M2O3やAJNが考えられるが、これらの式で表わさ
れるものに限定されるものではない。他の金属について
も同様である。
M2O3やAJNが考えられるが、これらの式で表わさ
れるものに限定されるものではない。他の金属について
も同様である。
金属のチッ化物、酸化物またはチッ化物と酸化物との混
合物の薄膜を形成する方法としては、基体になる芳香族
ポリエステルフィルムが高耐熱性(高温時寸法安定性)
を有するため、種々の方法、たとえば真空蒸着、反応性
真空蒸着、DCスパッタリング、RFスパッタリング、
イオンビームスパッタリング、イオンブレーティングな
どの方法により形成することができる。これらの形成法
のなかでも、該薄膜と芳香族ポリエステルフィルムの密
着性の点からスパッタリングによる方法が好ましい。該
薄膜の厚みは、薄膜を表面に形成させた芳香族ポリエス
テルフィルムの透明性や可撓性の面から30〜3000
人が好ましく、さらに 100〜1ooo人が好ましい
。
合物の薄膜を形成する方法としては、基体になる芳香族
ポリエステルフィルムが高耐熱性(高温時寸法安定性)
を有するため、種々の方法、たとえば真空蒸着、反応性
真空蒸着、DCスパッタリング、RFスパッタリング、
イオンビームスパッタリング、イオンブレーティングな
どの方法により形成することができる。これらの形成法
のなかでも、該薄膜と芳香族ポリエステルフィルムの密
着性の点からスパッタリングによる方法が好ましい。該
薄膜の厚みは、薄膜を表面に形成させた芳香族ポリエス
テルフィルムの透明性や可撓性の面から30〜3000
人が好ましく、さらに 100〜1ooo人が好ましい
。
このようにしてえられる本発明のフィルムは、透明で、
ヘイズ(Haze)が小さく、表面硬化が高く、基体で
ある芳香族ポリエステルフィルムが有する透明性、可撓
性などがほとんど損われないものである。
ヘイズ(Haze)が小さく、表面硬化が高く、基体で
ある芳香族ポリエステルフィルムが有する透明性、可撓
性などがほとんど損われないものである。
すなわち、たとえばJIS K 5400の鉛筆引っか
き試験による表面硬度は、鉛筆硬度211以上程度、全
光線透過率は85%程度以上の優れた特性を有するフィ
ルムである。
き試験による表面硬度は、鉛筆硬度211以上程度、全
光線透過率は85%程度以上の優れた特性を有するフィ
ルムである。
本発明の芳香族ポリエステルフィルムはラベル、銘板、
遮光フィルム、デイスプレー用防眩フィルター、偏光フ
ィルム用保護カバー、デイスプレー用透明電極フィルム
、メンブレンスイッチ、Icカード用材料などに有用で
ある。
遮光フィルム、デイスプレー用防眩フィルター、偏光フ
ィルム用保護カバー、デイスプレー用透明電極フィルム
、メンブレンスイッチ、Icカード用材料などに有用で
ある。
つぎに実施例により本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない
。
、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない
。
合成例1(芳香族ポリエステルおよびそのフィルムの製
造) ビスフェノールA 20.11g、 3,3°、5,
5°−テトラメチルビスフェノールF 15.06g
、バラ−t−ブチルフェノール0.95 g、ハイド
ロサルファイドナトリウム0.26 g、 5N−Na
OH水溶液78,2mlおよび水17B、8mlをチッ
素雰囲気中、300 mlのナス型フラスコ中で混合し
、5℃に冷却して2価フェノール成分のアルカリ水溶液
を調製した。これとは別に300m1のナス型フラスコ
でチッ素雰囲気中、テレフタル酸クロライド21.32
gおよびイソフタル酸クロライド9.14gを塩化メチ
レン255 mlに溶解し、5℃に冷却した。
造) ビスフェノールA 20.11g、 3,3°、5,
5°−テトラメチルビスフェノールF 15.06g
、バラ−t−ブチルフェノール0.95 g、ハイド
ロサルファイドナトリウム0.26 g、 5N−Na
OH水溶液78,2mlおよび水17B、8mlをチッ
素雰囲気中、300 mlのナス型フラスコ中で混合し
、5℃に冷却して2価フェノール成分のアルカリ水溶液
を調製した。これとは別に300m1のナス型フラスコ
でチッ素雰囲気中、テレフタル酸クロライド21.32
gおよびイソフタル酸クロライド9.14gを塩化メチ
レン255 mlに溶解し、5℃に冷却した。
1flセパラブルフラスコにチッ素雰囲気中、水137
mlおよび触媒としてベンジルトリブチルアンモニウ
ムクロライド0.16 gを仕込み、5℃に冷却した。
mlおよび触媒としてベンジルトリブチルアンモニウ
ムクロライド0.16 gを仕込み、5℃に冷却した。
これを激しく攪拌しながら上記の2液を同時に10分間
にわたってポンプで連続的に添加した。添加終了後、さ
らに2時間激しく攪拌したのち、ベンゾイルクロライド
0.42gを塩化メチレン5 mlに溶解した溶液を添
加し、20分後に攪拌を停止した。
にわたってポンプで連続的に添加した。添加終了後、さ
らに2時間激しく攪拌したのち、ベンゾイルクロライド
0.42gを塩化メチレン5 mlに溶解した溶液を添
加し、20分後に攪拌を停止した。
水層をデカントしたのち、同量の水を加え攪拌しながら
少量の塩酸で中和した。デカントと水洗による脱塩を繰
返したのち、塩化メチレン300 mlを加えて希釈し
、この溶液を40〜50℃に加熱し、塩化メチレンとの
共沸脱水により重合体−塩化メチレン溶液中の水を除去
し、重合体の濃度が15重量%になるまで塩化メチレン
を留去した。
少量の塩酸で中和した。デカントと水洗による脱塩を繰
返したのち、塩化メチレン300 mlを加えて希釈し
、この溶液を40〜50℃に加熱し、塩化メチレンとの
共沸脱水により重合体−塩化メチレン溶液中の水を除去
し、重合体の濃度が15重量%になるまで塩化メチレン
を留去した。
えられた重合体の重合度はη /c(重合体p
0.32gをクロロホルム1dllに溶解し、32℃で
測定)で表わすと0,90であった。この溶液をガラス
板上に流延、乾燥したのち、剥離し、さらにオーブン中
で230℃にて乾燥し、厚さ 100J!mのフィルム
をえた。
測定)で表わすと0,90であった。この溶液をガラス
板上に流延、乾燥したのち、剥離し、さらにオーブン中
で230℃にて乾燥し、厚さ 100J!mのフィルム
をえた。
えられたフィルムはフィッシュアイ、ダイラインがなく
、平面平滑性に優れた良好な表面性、内部均一性を有し
、全光線透過率は90%、TMA法によるTgは220
℃、表面鉛筆硬度はBであった。
、平面平滑性に優れた良好な表面性、内部均一性を有し
、全光線透過率は90%、TMA法によるTgは220
℃、表面鉛筆硬度はBであった。
実施例1
合成例1でえられたフィルムを基板とし、直径6インチ
、厚み5 mmの812.5” 2.500.5N3.
5をターゲットとし、Ar圧1 ×10’ torrs
N2圧1 x 10’ torr、02圧5 X 10
−’ Iorr、 RP電力200W 、基板温度25
℃にて30分間スパッタリングを行ない、厚み4000
人の81とNのチッ化物と酸化物の混合物の薄膜を形成
した。
、厚み5 mmの812.5” 2.500.5N3.
5をターゲットとし、Ar圧1 ×10’ torrs
N2圧1 x 10’ torr、02圧5 X 10
−’ Iorr、 RP電力200W 、基板温度25
℃にて30分間スパッタリングを行ない、厚み4000
人の81とNのチッ化物と酸化物の混合物の薄膜を形成
した。
薄膜が形成された芳香族ポリエステルフィルムの鉛筆硬
度は9H1全光線透過率は90%であった。
度は9H1全光線透過率は90%であった。
実施例2
合成例1でえられたフィルムを基板とし、直径3インチ
、厚み5 +uの5102をターゲットとし、A「圧3
X 10’ torr、 02圧I X 10−’
torr、、RF電力100W、基板温度25℃にて3
0分間スパッタリングを行ない、厚み1000人の81
の酸化物の薄膜を形成した。
、厚み5 +uの5102をターゲットとし、A「圧3
X 10’ torr、 02圧I X 10−’
torr、、RF電力100W、基板温度25℃にて3
0分間スパッタリングを行ない、厚み1000人の81
の酸化物の薄膜を形成した。
薄膜が形成された芳香族ポリエステルフィルムの鉛筆硬
度は9H,全光線透過率は90%であった。
度は9H,全光線透過率は90%であった。
実施例3
合成例1でえられたフィルムを基板とし、直径3インチ
、厚み5關のNl 20 sをターゲットとし、A「圧
3 X 1O−3torr、02圧I X LO−’
torrSRP電力200W 、基板温度25℃にて3
0分間スパッタリングを行ない、厚み1500人のNの
酸化物の薄膜を形成した。
、厚み5關のNl 20 sをターゲットとし、A「圧
3 X 1O−3torr、02圧I X LO−’
torrSRP電力200W 、基板温度25℃にて3
0分間スパッタリングを行ない、厚み1500人のNの
酸化物の薄膜を形成した。
薄膜が形成された芳香族ポリエステルフィルムの鉛筆硬
度は9H,全光線透過率は90%であった。
度は9H,全光線透過率は90%であった。
実施例1〜3の結果から、本発明の芳香族ポリエステル
フィルムの透明性が高く、シかもフィルム表面の硬度が
極めて高いことがわかる。
フィルムの透明性が高く、シかもフィルム表面の硬度が
極めて高いことがわかる。
[発明の効果]
本発明の芳香族ポリエステルフィルムは、芳香族ポリエ
ステルフィルムが元来有する耐熱性、透明性などを保持
し、かつ表面硬度が改良された表面に傷がつきにくいフ
ィルムである。
ステルフィルムが元来有する耐熱性、透明性などを保持
し、かつ表面硬度が改良された表面に傷がつきにくいフ
ィルムである。
特許出願人 鐘淵化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 芳香族ポリエステルフィルムの表面に、金属のチッ
化物、酸化物またはチッ化物と酸化物との混合物の薄膜
が形成されてなる表面硬度の改良された芳香族ポリエス
テルフィルム 2 前記金属がSi、Al、B、Be、Zrおよび(ま
たは)Crである請求項1記載の芳香族ポリエステルフ
ィルム。 3 芳香族ポリエステルがテレフタル酸およびイソフタ
ル酸からなる芳香族ジカルボン酸と一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1およびR^2はいずれも炭素数1〜4の
アルキル基もしくはアルコキシ基、アリール基またはア
リールオキシ基であり、R^1、R^2が複数個あると
き、それらは同じであってもよく、異なっていてもよい
、pおよびqはいずれも1〜4の整数、Xは直接結合、
炭素数1〜10のアルキレン基、シクロアルキリデン基
、−O−、−S−、−SO−、−SO_2−または▲数
式、化学式、表等があります▼を示す) で表わされる化合物10〜90モル%および▲数式、化
学式、表等があります▼(II) (式中、Xは前記に同じ)で表わされる化合物90〜1
0モル%からなる2価フェノール系化合物とを重合して
えられる芳香族ポリエステルである請求項1記載の芳香
族ポリエステルフィルム。 4 一般式( I )で表わされる化合物が、一般式(II
I):▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R^3〜R^6はいずれも炭素数1〜4のアル
キル基もしくはアルコキシ基、アリール基またはアリー
ルオキシ基、Xは前記に同じ)で表わされる化合物であ
る請求項3記載の芳香族ポリエステルフィルム。 5 芳香族ポリエステルのη_s_p/C(重合体0.
32gをクロロホルム1dlに溶解し、32℃で測定す
る)で表わした重合度が0.4〜2.0の範囲である請
求項1記載の芳香族ポリエステルフィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8050088A JPH01252765A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 表面硬度の改良された芳香族ポリエステルフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8050088A JPH01252765A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 表面硬度の改良された芳香族ポリエステルフィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01252765A true JPH01252765A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13720031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8050088A Pending JPH01252765A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 表面硬度の改良された芳香族ポリエステルフィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01252765A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352273A (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Alkyl substituted aromatic polyester gas separation membranes |
| JPH11269357A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Dainippon Ink & Chem Inc | 耐熱透明フィルム状物 |
| JP2001026636A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Unitika Ltd | 被膜形成用樹脂及びそれから得られる塗工液 |
| DE102009052432A1 (de) * | 2009-11-10 | 2011-06-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Beschichtete Isolationsfolien für elektrische Maschinen und Herstellungsverfahren dazu |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5225327A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-25 | Wall Ltd Howard | Buckle for safety belt or harness |
| JPS6141539A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-02-27 | 鐘淵化学工業株式会社 | 金属を積層した芳香族ポリエステル成型物 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP8050088A patent/JPH01252765A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5225327A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-25 | Wall Ltd Howard | Buckle for safety belt or harness |
| JPS6141539A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-02-27 | 鐘淵化学工業株式会社 | 金属を積層した芳香族ポリエステル成型物 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352273A (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Alkyl substituted aromatic polyester gas separation membranes |
| JPH11269357A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Dainippon Ink & Chem Inc | 耐熱透明フィルム状物 |
| JP2001026636A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Unitika Ltd | 被膜形成用樹脂及びそれから得られる塗工液 |
| DE102009052432A1 (de) * | 2009-11-10 | 2011-06-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Beschichtete Isolationsfolien für elektrische Maschinen und Herstellungsverfahren dazu |
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