JPH01253494A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH01253494A JPH01253494A JP63081644A JP8164488A JPH01253494A JP H01253494 A JPH01253494 A JP H01253494A JP 63081644 A JP63081644 A JP 63081644A JP 8164488 A JP8164488 A JP 8164488A JP H01253494 A JPH01253494 A JP H01253494A
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- resin
- semiconductor device
- transmitting member
- light
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置、特にＣＰＲＯ邑 （Ｅｒａｓａ
ｂｌｅａｎｄ ［”ｒｏｇｒａｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ
０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等のように窓材を有し、ＩＣ
カードのように薄型のパッケージを必要とする半導体装
置およびその製造方法に関するものである。
ｂｌｅａｎｄ ［”ｒｏｇｒａｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ
０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等のように窓材を有し、ＩＣ
カードのように薄型のパッケージを必要とする半導体装
置およびその製造方法に関するものである。
近年、マイクロコンピュータ、メモリ等のＩＣをプラス
チックカードに搭載したＩＣカードが実用に供されてい
る。このＩＣカードのうちで書換えを必要とする用途に
用いられるものには、紫外線でメモリが消却できるＥＰ
ＲＯＭが搭載されている。
チックカードに搭載したＩＣカードが実用に供されてい
る。このＩＣカードのうちで書換えを必要とする用途に
用いられるものには、紫外線でメモリが消却できるＥＰ
ＲＯＭが搭載されている。
このようなＩＣカードでは、紫外線をＥＰＲＯＭチップ
のメモリ部に照射するための窓が必要となる。
のメモリ部に照射するための窓が必要となる。
ＩＣカードの構造は、例えば特開昭６０−１５７８６号
公報に開示されている。第４図はＩＣカードの断面構造
を示すもので、カード本体はポリ塩化ビニールのシート
ｌａ、ｌｂ、ｌｃを貼合わせて一体化して構成されてい
る。２はＩＣモジュルで、例えば、ポリイミドなどの絶
縁フィルム、接着剤。
公報に開示されている。第４図はＩＣカードの断面構造
を示すもので、カード本体はポリ塩化ビニールのシート
ｌａ、ｌｂ、ｌｃを貼合わせて一体化して構成されてい
る。２はＩＣモジュルで、例えば、ポリイミドなどの絶
縁フィルム、接着剤。
Ｃｕ箔などの導電体からなる多層フィルムよりなるリー
ドフレーム３、リードフレーム３の導電リード３ａにボ
ンディングされているＩＣチップ４、ＩＣチップ４の封
止樹脂５、封止樹脂５とシート１ｃとの接着剤６．リー
ドフレーム３に形成された外部接続端子３ｂ等から構成
されている。リードフレーム３はその導電リード３ａを
ＩＣチップ４のバンプ７に位置合わせして、加熱、加圧
によりギヤングボンディングされている。
ドフレーム３、リードフレーム３の導電リード３ａにボ
ンディングされているＩＣチップ４、ＩＣチップ４の封
止樹脂５、封止樹脂５とシート１ｃとの接着剤６．リー
ドフレーム３に形成された外部接続端子３ｂ等から構成
されている。リードフレーム３はその導電リード３ａを
ＩＣチップ４のバンプ７に位置合わせして、加熱、加圧
によりギヤングボンディングされている。
第５図はｌＥＰＲＯＭチップを搭載しているＩＣカード
の断面構造を示すもので、第４図と同一部分は同一符号
で示してあり、４′はＥＩ’ＲＯＭチップ、８は紫外線
透過用窓を形成する透光部材で、この紫外線透過用窓は
一定量の透明樹脂をＥＦＲＯＭチップ４′表面に滴下し
、その上に石英ガラスなどよりなる透光部材８を設置し
透明樹脂を加熱硬化して封止樹脂層９を形成して構成さ
れる。
の断面構造を示すもので、第４図と同一部分は同一符号
で示してあり、４′はＥＩ’ＲＯＭチップ、８は紫外線
透過用窓を形成する透光部材で、この紫外線透過用窓は
一定量の透明樹脂をＥＦＲＯＭチップ４′表面に滴下し
、その上に石英ガラスなどよりなる透光部材８を設置し
透明樹脂を加熱硬化して封止樹脂層９を形成して構成さ
れる。
このようなＥｒ’ＲＯＭ装置は、外部から紫外線照射を
受けることができるように、サファイア、アルミナまた
は石英ガラス等の透光材料が取りつけられたセラミック
パッケージにより半導体が封止されている。ところが、
このような構造では封止材料が高価であり、他の半導体
装置で行なわれている樹脂モールドに比べて高価となる
。これを解決するために、特開昭５９−１６７０３７号
公報に開示されているように、プラスチック材料を用い
て封止する構造が知られている。
受けることができるように、サファイア、アルミナまた
は石英ガラス等の透光材料が取りつけられたセラミック
パッケージにより半導体が封止されている。ところが、
このような構造では封止材料が高価であり、他の半導体
装置で行なわれている樹脂モールドに比べて高価となる
。これを解決するために、特開昭５９−１６７０３７号
公報に開示されているように、プラスチック材料を用い
て封止する構造が知られている。
第６図は開示されている半導体装置の断面図で、第４図
及び第５図と同一部分には同一符号が付してあり、１０
はリードフレーム、１０ａはリードフレームのアイラン
ド、１１はＥＰＲＯＭチップ４′のアイランドｌｏａへ
のマウント部材、４’ ａはＥＰＲＯＭチップ４′の
アルミパッド部、１２はボンディング線、１３は封止樹
脂を示している。この半導体装置では、ＥＰＲＯＭチッ
プ４′はマウント部材１１を介してリードフレーム１０
のアイランド１０ａに装着されており、ＥＰＲＯＭチッ
プ４′上には透明樹脂よりなる封止樹脂ＷＪ９によって
透光部材８が接着されている。
及び第５図と同一部分には同一符号が付してあり、１０
はリードフレーム、１０ａはリードフレームのアイラン
ド、１１はＥＰＲＯＭチップ４′のアイランドｌｏａへ
のマウント部材、４’ ａはＥＰＲＯＭチップ４′の
アルミパッド部、１２はボンディング線、１３は封止樹
脂を示している。この半導体装置では、ＥＰＲＯＭチッ
プ４′はマウント部材１１を介してリードフレーム１０
のアイランド１０ａに装着されており、ＥＰＲＯＭチッ
プ４′上には透明樹脂よりなる封止樹脂ＷＪ９によって
透光部材８が接着されている。
そして、透光部材８の一表面と、リードフレーム１０の
外部リートＬＯｂとが露出するように、封止樹脂３によ
り全体が封止されている。リードフレーム１０の内部リ
ード部１０ｃとＥＰＲＯＭチップ４′のアルミパッド部
４ａ’はボンディング線１２で結合されている。
外部リートＬＯｂとが露出するように、封止樹脂３によ
り全体が封止されている。リードフレーム１０の内部リ
ード部１０ｃとＥＰＲＯＭチップ４′のアルミパッド部
４ａ’はボンディング線１２で結合されている。
しかし、特開昭６０−１５７８６号公報に開示されてい
るものは、窓材を必要としないＩＣを搭載しているＩＣ
カードに比べて窓材を形成する工程が必要となり、高価
となり、また特開昭５９−１６７０３７号公報に開示さ
れているものは、セラミックパッケージに比へてはかな
り安価になってはいるが、窓材を半導体素子に固定する
ため、接着剤の塗布、硬化などという工程が必要であり
、他のプラスチックパッケージに比べ高価となる。
るものは、窓材を必要としないＩＣを搭載しているＩＣ
カードに比べて窓材を形成する工程が必要となり、高価
となり、また特開昭５９−１６７０３７号公報に開示さ
れているものは、セラミックパッケージに比へてはかな
り安価になってはいるが、窓材を半導体素子に固定する
ため、接着剤の塗布、硬化などという工程が必要であり
、他のプラスチックパッケージに比べ高価となる。
本発明は、ＥＰＲＯＭ業のように窓材を有しＩＣカード
のように薄型のパッケージを必要とする半導体装置を簡
略化された工程で作成可能とすることを目的とするもの
である。
のように薄型のパッケージを必要とする半導体装置を簡
略化された工程で作成可能とすることを目的とするもの
である。
上述の課題を解決するためにとられた本発明の半導体装
置の一つは、半導体素子と、該半導体素子の表面に設け
られている透光部材と、前記半導体素子のパッドに電気
的に接続する導電リードとを有し、前記透光部材の前記
半導体素子と反対側の面を露出した状態で前記半導体素
子を被覆してなる半導体装置において、前記パッドと導
電リードとが前記透光部材又は該透光部材を前記半導体
素子に接着する透明樹脂によって接着、固定されている
ことを特徴とし、本発明の半導体装置の製造方法の一つ
は、半導体素子と、該半導体素子の表面に設けられてい
る透光部材と、前記半導体素子のパッドに電気的に接続
する導体リードとを有し、前記透光部材の前記半導体素
子と反対側の面を露出した状態で前記半導体素子を被覆
してなる半導体装置の製造方法において、前記パッドと
前記導電リードとを接着、固定する工程と、該パッドと
該導電リードとの接着部を含む前記半導体素子の表面に
樹脂よりなる前記透光部材を形成し、かつ前記半導体素
子のバンプと前記導電リードとを電気的に接続する工程
と、該導電リードに接続する外部突起電極の露出した状
態で樹脂よりなる封止剤で封止する工程とを有している
ことを特徴とし、他の発明は前記パッドと前記導電リー
ドとを接着、固定する工程と、該パッドと該導電リード
との接着部を含む前記半導体素子の表面に前記透光部材
を構成する樹脂層を形成する工程と、前記導電リードを
構成する鋼層とポリイミド樹脂層からなる２層テープを
、前記導電リードが前記半導体素子の前記パッドの位置
に合致するように位置合せする工程と、加圧状態で前記
樹脂層を加熱硬化させる工程と、前記２層テープを切断
してパッケージを形成する工程と、該パッケージをシー
トは設置し接着剤で固定する工程とよりなることを特徴
とし、さらに、他の発明は、半導体素子と、該半導体素
子の表面に設けられている固体の透光部材と、前記半導
体素子のパッドに電気的に接続する導電リードとを有し
、前記透光部材の前記半導体素子と反対側の面を露出し
た状態で前記半導体装Ｔを被覆してなる半導体装置の製
造方法において、前記半導体装子・の前記透光部材対向
面の全面に透明樹脂を塗布する工程と、該透明樹脂塗布
面上に前記透光部材を固定し、かつ前記パッドと前記導
電リードとを接続、固定する工程と、前記透明樹脂を加
熱硬化して前記半導体素子のバンプと前記導電リードと
を電気的に接続する工程と、前記透光部材の前記半導体
素子と反対側の面と前記導電リードに接続する外部接続
端子とが露出した状態で樹脂よりなる封止部材で封止す
る工程とを有していることを特徴とするものである。
置の一つは、半導体素子と、該半導体素子の表面に設け
られている透光部材と、前記半導体素子のパッドに電気
的に接続する導電リードとを有し、前記透光部材の前記
半導体素子と反対側の面を露出した状態で前記半導体素
子を被覆してなる半導体装置において、前記パッドと導
電リードとが前記透光部材又は該透光部材を前記半導体
素子に接着する透明樹脂によって接着、固定されている
ことを特徴とし、本発明の半導体装置の製造方法の一つ
は、半導体素子と、該半導体素子の表面に設けられてい
る透光部材と、前記半導体素子のパッドに電気的に接続
する導体リードとを有し、前記透光部材の前記半導体素
子と反対側の面を露出した状態で前記半導体素子を被覆
してなる半導体装置の製造方法において、前記パッドと
前記導電リードとを接着、固定する工程と、該パッドと
該導電リードとの接着部を含む前記半導体素子の表面に
樹脂よりなる前記透光部材を形成し、かつ前記半導体素
子のバンプと前記導電リードとを電気的に接続する工程
と、該導電リードに接続する外部突起電極の露出した状
態で樹脂よりなる封止剤で封止する工程とを有している
ことを特徴とし、他の発明は前記パッドと前記導電リー
ドとを接着、固定する工程と、該パッドと該導電リード
との接着部を含む前記半導体素子の表面に前記透光部材
を構成する樹脂層を形成する工程と、前記導電リードを
構成する鋼層とポリイミド樹脂層からなる２層テープを
、前記導電リードが前記半導体素子の前記パッドの位置
に合致するように位置合せする工程と、加圧状態で前記
樹脂層を加熱硬化させる工程と、前記２層テープを切断
してパッケージを形成する工程と、該パッケージをシー
トは設置し接着剤で固定する工程とよりなることを特徴
とし、さらに、他の発明は、半導体素子と、該半導体素
子の表面に設けられている固体の透光部材と、前記半導
体素子のパッドに電気的に接続する導電リードとを有し
、前記透光部材の前記半導体素子と反対側の面を露出し
た状態で前記半導体装Ｔを被覆してなる半導体装置の製
造方法において、前記半導体装子・の前記透光部材対向
面の全面に透明樹脂を塗布する工程と、該透明樹脂塗布
面上に前記透光部材を固定し、かつ前記パッドと前記導
電リードとを接続、固定する工程と、前記透明樹脂を加
熱硬化して前記半導体素子のバンプと前記導電リードと
を電気的に接続する工程と、前記透光部材の前記半導体
素子と反対側の面と前記導電リードに接続する外部接続
端子とが露出した状態で樹脂よりなる封止部材で封止す
る工程とを有していることを特徴とするものである。
本発明の半導体装置およびその製造方法では、半導体素
子とリードフレームとの電気的な接続にボンディング線
を用いず、リードフレームの導電リードと半導体素子の
パッド部を直接接触させ、接着剤で固定してなるもので
、しかも接着剤として、透光部材を構成する透明樹脂を
用いるか、封止部材を用いている。従って透光部材を用
いる場合には、導電リードと半導体素子のパッドとの接
着、固定と、透光部材の形成を一工程で行うことができ
、封止部材を用いる場合には、導電リードと半導体素子
のパッドとの接着、固定と、固体の透光部材の取り付け
を一工程で行うことができる。
子とリードフレームとの電気的な接続にボンディング線
を用いず、リードフレームの導電リードと半導体素子の
パッド部を直接接触させ、接着剤で固定してなるもので
、しかも接着剤として、透光部材を構成する透明樹脂を
用いるか、封止部材を用いている。従って透光部材を用
いる場合には、導電リードと半導体素子のパッドとの接
着、固定と、透光部材の形成を一工程で行うことができ
、封止部材を用いる場合には、導電リードと半導体素子
のパッドとの接着、固定と、固体の透光部材の取り付け
を一工程で行うことができる。
以下、実施例について説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は一実施例のＥＦＲＯＭチップを
用いる半導体装置の製造工程を示す断面図で、第４図、
第５図と同一部分には同一符号が付してあり、１４は紫
外線透過用窓を構成するシリコーン樹脂よりなる透光部
材を示している。
用いる半導体装置の製造工程を示す断面図で、第４図、
第５図と同一部分には同一符号が付してあり、１４は紫
外線透過用窓を構成するシリコーン樹脂よりなる透光部
材を示している。
リードフレーｌｓ ３は、Ｃｕよりなる導電リード３ａ
と外部突起電極３ｂとを有しており、ホトレジストコー
ティング、パターン焼付け、現像、エツチング、レジス
ト除去工程を経て作成される。
と外部突起電極３ｂとを有しており、ホトレジストコー
ティング、パターン焼付け、現像、エツチング、レジス
ト除去工程を経て作成される。
ｌＥ１’ＲＯＭＥＰＲＯＭチップ４′なるバンプ７が形
成されている。 ＥＰＲＯＭチップ４′のバンプ７を有
する表面に、側鎖にメチル基を有するポリシロキサン骨
格の付加型シリコーン樹脂を滴下し、導電リード３ｂを
バンプ７に位置合わせしてリードフレーム３を設置する
。導電リード３ｂとバンプ７との電気的接続が得られる
ように、固定治具を用い加圧状態で１５０℃１０ｍ１ｎ
加熱硬化する。この固定治具により、シリコーン樹脂を
適当な形状にした紫外線透過用窓を構成する透光部材１
４が得られる（第１図（ａ）参照） 、 Ｕ！、ｒ’Ｒ
ＯＭチップ４′をボンディングしたリードフレーム３を
金型に入れ、５ｉＣ）ｚなどの無機充てん剤を含むエポ
キシ樹脂よりなる封止樹脂５でトラフファモールドによ
り成型し、ＥＰＲＯＭパッケージを得る。
成されている。 ＥＰＲＯＭチップ４′のバンプ７を有
する表面に、側鎖にメチル基を有するポリシロキサン骨
格の付加型シリコーン樹脂を滴下し、導電リード３ｂを
バンプ７に位置合わせしてリードフレーム３を設置する
。導電リード３ｂとバンプ７との電気的接続が得られる
ように、固定治具を用い加圧状態で１５０℃１０ｍ１ｎ
加熱硬化する。この固定治具により、シリコーン樹脂を
適当な形状にした紫外線透過用窓を構成する透光部材１
４が得られる（第１図（ａ）参照） 、 Ｕ！、ｒ’Ｒ
ＯＭチップ４′をボンディングしたリードフレーム３を
金型に入れ、５ｉＣ）ｚなどの無機充てん剤を含むエポ
キシ樹脂よりなる封止樹脂５でトラフファモールドによ
り成型し、ＥＰＲＯＭパッケージを得る。
このｌＥＰＲＯＭパッケージをポリ塩化ビニールからな
るＩＣカードのシートｌａ、ｌｂ、ｌｃに設置し、エポ
キシ樹脂の接着剤６で固定し、ＩＣカードを得る（第１
図（ｂ）参照）。
るＩＣカードのシートｌａ、ｌｂ、ｌｃに設置し、エポ
キシ樹脂の接着剤６で固定し、ＩＣカードを得る（第１
図（ｂ）参照）。
第２図は、他の実施例の断面図で、第１図と同一部分に
は同一符号が付してあり、１５は導電リード５ａと外部
接続端７−１５ ｂとを構成するＣｕ層、１６はポリイ
ミド樹脂層で、このポリイミド樹脂層１６はＣｕ層１５
とともに２層テープを構成している。
は同一符号が付してあり、１５は導電リード５ａと外部
接続端７−１５ ｂとを構成するＣｕ層、１６はポリイ
ミド樹脂層で、このポリイミド樹脂層１６はＣｕ層１５
とともに２層テープを構成している。
次に、この実施例の半導体装置を形成する工程について
説明する。Ｃｕよりなるバンプ７を有するＵＰＲＯＭチ
ップ４′表面の透光部材１４に対向する面の全面に、側
鎖にメチル基を有するポリシロキサン骨格の付加型シリ
コーン樹脂４０重量部を１．１．２−トリクロロ１，１
．２−トリフロロエタン６０重量部に溶かした溶液を滴
下する。室温放置３０ｍｊ、ｎで１．１．２−トリクロ
ロ１，１．２−トリフロロエタンを蒸発し、紫外線透過
窓を構成するシリコーン樹脂層よりなる透光部材１４を
形成する。このシリコーン樹脂の上に、導電り−ド３ａ
がパッド７と合致するように位置合わせを行いＣｕ層１
５とポリイミド樹脂層１６からなる２層テープを設置す
る。バンプ７と導電リード１５ａの直接接触で電気的接
続が得られるように、加圧状態にして１５０℃で加熱硬
化して接着する。
説明する。Ｃｕよりなるバンプ７を有するＵＰＲＯＭチ
ップ４′表面の透光部材１４に対向する面の全面に、側
鎖にメチル基を有するポリシロキサン骨格の付加型シリ
コーン樹脂４０重量部を１．１．２−トリクロロ１，１
．２−トリフロロエタン６０重量部に溶かした溶液を滴
下する。室温放置３０ｍｊ、ｎで１．１．２−トリクロ
ロ１，１．２−トリフロロエタンを蒸発し、紫外線透過
窓を構成するシリコーン樹脂層よりなる透光部材１４を
形成する。このシリコーン樹脂の上に、導電り−ド３ａ
がパッド７と合致するように位置合わせを行いＣｕ層１
５とポリイミド樹脂層１６からなる２層テープを設置す
る。バンプ７と導電リード１５ａの直接接触で電気的接
続が得られるように、加圧状態にして１５０℃で加熱硬
化して接着する。
硬化した後、適当な形状に２層テープを切断しｌＥＰＲ
ＯＭパッケージが形成される。この［ＥＰＲＯＭパッケ
ージをシートｌａ、ｌｂ、ｌｃに設置し、接着剤で固定
する。
ＯＭパッケージが形成される。この［ＥＰＲＯＭパッケ
ージをシートｌａ、ｌｂ、ｌｃに設置し、接着剤で固定
する。
この実施例では、Ｈ１’ｌ’ｌＯＭチップのバンプと導
電リードとの電気的接続を、加圧、加熱状態でギヤング
ボンディングし合金を形成する方法によらず、バンプと
導電リードを直接接触させ透明樹脂で固定することによ
り得ている。この電気的接続方法により、紫外線透過窓
の形成用樹脂を用いて、窓形成、およびＩＣチップと導
電リードとの電気的接続工程を同時に行うことができる
。
電リードとの電気的接続を、加圧、加熱状態でギヤング
ボンディングし合金を形成する方法によらず、バンプと
導電リードを直接接触させ透明樹脂で固定することによ
り得ている。この電気的接続方法により、紫外線透過窓
の形成用樹脂を用いて、窓形成、およびＩＣチップと導
電リードとの電気的接続工程を同時に行うことができる
。
紫外線透過用窓を形成する透明樹脂としては、シリコー
ン系樹脂、エポキシ系樹脂が用いられるが、特に側鎖が
メチル基を主体とした、ポリシロキサン骨格を持つ付加
型シリコーンゴムが好ましい。
ン系樹脂、エポキシ系樹脂が用いられるが、特に側鎖が
メチル基を主体とした、ポリシロキサン骨格を持つ付加
型シリコーンゴムが好ましい。
また、透明樹脂をトルエン、キシレン、１，１゜２−ト
リクロロ−１，２，２−１−リフルオロエタンなどのハ
ロゲン化炭化水素類に溶かし、粘度を低下させて用いて
もよい。
リクロロ−１，２，２−１−リフルオロエタンなどのハ
ロゲン化炭化水素類に溶かし、粘度を低下させて用いて
もよい。
ＩＣチップの封止部材として用いる樹脂としては、シリ
コーン系樹脂、エポキシ系樹脂が用いられ、特に無機充
てん剤を含むエポキシ系樹脂が好ましい。
コーン系樹脂、エポキシ系樹脂が用いられ、特に無機充
てん剤を含むエポキシ系樹脂が好ましい。
第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は他の実施例の製造工程
を示す断面図で、第６図及び第１図と同一部分には同一
符号が符しである。
を示す断面図で、第６図及び第１図と同一部分には同一
符号が符しである。
以下、その製造工程について説明する。
ＥＦＲＯＭチップ４′上に側鎖にメチル基を有するポリ
シロキサン骨格の付加型シリコーンゴム２０重量部を１
．１．２−トリクロロ１，１．２−トリフロロエタン８
０重量部に溶かした溶液を滴下する。室温放置３０ｍ１
ｎで１．１．２−トリクロロ１，１．２−トリフロロエ
タンを蒸発、除去し、［！ＦＲＯＭチップ４′のパット
７を含む表面に厚さ約２００μｍのシリコーンゴム層９
′を形成する（第３図（ａ）参照）。シリコーンゴムＭ
！９′の上に、透光部材８、リードフレーム１０の内部
リードフレーム１０ｃを位置合せして設置する。内部リ
ードフレーム１０ｃとパッド７が電気的に接続するよう
に加圧した状態で１５０℃で１時間加熱しシリコーンゴ
ム層９′を硬化させ、封止樹脂層９が形成される（第３
図（ｂ）参照）。このようにして得られた構造物を金型
に設置し、無機充てん剤を含むエポキシ樹脂よりなる封
止部材１３を注入、加熱硬化し、金型から取出し、リー
ドフレーム１０を切断し曲げて半導体装置が形成される
。
シロキサン骨格の付加型シリコーンゴム２０重量部を１
．１．２−トリクロロ１，１．２−トリフロロエタン８
０重量部に溶かした溶液を滴下する。室温放置３０ｍ１
ｎで１．１．２−トリクロロ１，１．２−トリフロロエ
タンを蒸発、除去し、［！ＦＲＯＭチップ４′のパット
７を含む表面に厚さ約２００μｍのシリコーンゴム層９
′を形成する（第３図（ａ）参照）。シリコーンゴムＭ
！９′の上に、透光部材８、リードフレーム１０の内部
リードフレーム１０ｃを位置合せして設置する。内部リ
ードフレーム１０ｃとパッド７が電気的に接続するよう
に加圧した状態で１５０℃で１時間加熱しシリコーンゴ
ム層９′を硬化させ、封止樹脂層９が形成される（第３
図（ｂ）参照）。このようにして得られた構造物を金型
に設置し、無機充てん剤を含むエポキシ樹脂よりなる封
止部材１３を注入、加熱硬化し、金型から取出し、リー
ドフレーム１０を切断し曲げて半導体装置が形成される
。
この実施例においては、ｌＥＰＲＯＭチップ４′とリー
ドフレーム１０との電気的な接続をボンディング線を用
いず、リードフレームの１０内部リード部１０ｃとＥＰ
ＲＯＭチップ４′のパッド７を直接接触させ、接着剤で
固定することにより行っている。
ドフレーム１０との電気的な接続をボンディング線を用
いず、リードフレームの１０内部リード部１０ｃとＥＰ
ＲＯＭチップ４′のパッド７を直接接触させ、接着剤で
固定することにより行っている。
この電気的接続方法により、一種類の透明樹脂を用いて
、ＥＰＲＯＭチップ４′と透光部材９との固定およびＥ
ＰＲＯＭチップ４′のパッド７と内部リード１０ｃとの
電気的接続を一工程で行うことができ ノる。
、ＥＰＲＯＭチップ４′と透光部材９との固定およびＥ
ＰＲＯＭチップ４′のパッド７と内部リード１０ｃとの
電気的接続を一工程で行うことができ ノる。
封止樹脂層用に用いる透明樹脂には第一の実施例と同様
の樹脂が用いられ、封止部材として用いる樹脂として無
機充てん剤を含むエポキシ系樹脂。
の樹脂が用いられ、封止部材として用いる樹脂として無
機充てん剤を含むエポキシ系樹脂。
ボリフエニレンサルファイジ系樹脂が用いられ。
特にエポキシ系樹脂が好ましい。
なお、上述の実施例においては、半導体素子としてＥＰ
ＲＯＭチップを用いたものについて説明したが、固体撮
像素子、その他の半導体素子を用いる場合にも用いるこ
とができ、同様の効果を得ることができる。
ＲＯＭチップを用いたものについて説明したが、固体撮
像素子、その他の半導体素子を用いる場合にも用いるこ
とができ、同様の効果を得ることができる。
以上の如く、簡略化された工程によって樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。
体装置を得ることができる。
本発明の半導体装置およびその製造方法はＥＦＲＯＭ等
のように窓材を有しＩＣカードのように薄型のパッケー
ジを必要とする半導体装口を簡略化された工程で作成可
能とするもので、産業上の効果の大なるものである。
のように窓材を有しＩＣカードのように薄型のパッケー
ジを必要とする半導体装口を簡略化された工程で作成可
能とするもので、産業上の効果の大なるものである。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例のそれぞれ異なる製造工程における断面図
、第２図は、本発明の半導体装置の他の実施例の断面図
、第３図（ａ）、（ｂ）。 （ｃ）は本発明の半導体製造装置の他の実施例のそれぞ
れ異なる製造工程における断面図、第４図。 第５図及び第６図はそれぞれ異なる従来の半導体装置の
断面図である。 １ ａ 、 １ ｂ 、 １ ｃ−シート、２−Ｉ Ｃ
モジュール、３・・・リードフレーム、３ａ・・・４７
１１リード、３ｂ・・・外部接続端子、４・・・ＩＣチ
ップ、４′・・・ＥＰＲＯＭチップ、５・・・封止樹脂
、６・・・接着剤、７・・・バンプ、８・・・透光部材
、９・・・封止樹脂層、１０・・・リードフレーム、１
３・・・封止部材、１４・・・（紫外線透過用有１０ 第２図 宅３図 （ＯＬ）
法の一実施例のそれぞれ異なる製造工程における断面図
、第２図は、本発明の半導体装置の他の実施例の断面図
、第３図（ａ）、（ｂ）。 （ｃ）は本発明の半導体製造装置の他の実施例のそれぞ
れ異なる製造工程における断面図、第４図。 第５図及び第６図はそれぞれ異なる従来の半導体装置の
断面図である。 １ ａ 、 １ ｂ 、 １ ｃ−シート、２−Ｉ Ｃ
モジュール、３・・・リードフレーム、３ａ・・・４７
１１リード、３ｂ・・・外部接続端子、４・・・ＩＣチ
ップ、４′・・・ＥＰＲＯＭチップ、５・・・封止樹脂
、６・・・接着剤、７・・・バンプ、８・・・透光部材
、９・・・封止樹脂層、１０・・・リードフレーム、１
３・・・封止部材、１４・・・（紫外線透過用有１０ 第２図 宅３図 （ＯＬ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と、該半導体素子の表面に設けられてい
る透光部材と、前記半導体素子のパッドに電気的に接続
する導電リードとを有し、前記透光部材の前記半導体素
子と反対側の面を露出した状態で前記半導体素子を被覆
してなる半導体装置において、前記パッドと導電リード
とが前記透光部材又は該透光部材を前記半導体素子に接
続する透明樹脂によって接着、固定されていることを特
徴とする半導体装置。 ２、前記半導体素子が、ＥＰＲＯＭ素子又は団体撮像素
子である特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、半導体素子と、該半導体素子の表面に設けられてい
る透光部材と、前記半導体素子のパッドに電気的に接続
する導電リードとを有し、前記透光部材の前記半導体素
子と反対側の面を露出した状態で、前記半導体素子を被
覆してなる半導体装置の製造方法において、前記パッド
と前記導電リードとを接着、固定する工程と、該パッド
と該導電型リードとの接着部を含む前記半導体素子の表
面に樹脂よりなる前記透光部材を形成し、かつ前記半導
体素子のバンプと前記導電リードとを電気的に接続する
工程と、該導電リードに接続する外部突起電極の露出し
た状態で樹脂よりなる封止部材で封止する工程とを有し
ていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 ４、半導体素子と、該半導体素子の表面に設けられてい
る透光部材と、前記半導体素子のパッドに電気的に接続
する導電リードとを有し、前記透光部材の前記半導体素
子と反対側の面を露出した状態で前記半導体素子を被覆
してなる半導体装置の製造方法において、前記パッドと
前記導電リードとを接着、固定する工程と、該パッドと
該導電リードとの接着部を含む前記半導体素子の表面に
前記透光部材を構成する樹脂層を形成する工程と、前記
導電リードを構成する銅層とポリイミド樹脂層からなる
２層テープを、前記導電リードが前記半導体素子の前記
パッドの位置に合致するように位置合せする工程と、加
圧状態で前記樹脂層を加熱硬化させる工程と、前記２層
テープを切断してパッケージを形成する工程と、該パッ
ケージをシートに設置し接着剤で固定する工程とよりな
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 ５、半導体素子と、該半導体素子の表面に設けられてい
る固体の透光部材と、前記半導体素子のパッドに電気的
に接続する導電リードとを有し、前記透光部材の前記半
導体素子と反対側の面を露出した状態で前記半導体素子
を被覆してなる半導体装置の製造方法において、前記半
導体素子の前記透光部材対向面の全面に透明樹脂を塗布
する工程と、該透明樹脂塗布面上に前記透光部材を固定
し、かつ前記パッドと前記導電リードとを接着、固定す
る工程と、前記透明樹脂を加熱硬化して前記半導体素子
のバンプと前記導電リードとを電気的に接続する工程と
、前記透光部材の前記半導体素子と反対側の面と前記導
電リードに接続する外部接続端子が露出した状態で樹脂
よりなる封止部材で封止する工程とを有していることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 ６、前記透明樹脂がシリコーン樹脂で、前記封止部材が
エポキシ樹脂である特許請求の範囲第５項記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081644A JPH01253494A (ja) | 1988-04-02 | 1988-04-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081644A JPH01253494A (ja) | 1988-04-02 | 1988-04-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253494A true JPH01253494A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13752048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63081644A Pending JPH01253494A (ja) | 1988-04-02 | 1988-04-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253494A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115478U (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-14 |
-
1988
- 1988-04-02 JP JP63081644A patent/JPH01253494A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115478U (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-14 |
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