JPH01253603A - 面位置検出装置 - Google Patents
面位置検出装置Info
- Publication number
- JPH01253603A JPH01253603A JP8103488A JP8103488A JPH01253603A JP H01253603 A JPH01253603 A JP H01253603A JP 8103488 A JP8103488 A JP 8103488A JP 8103488 A JP8103488 A JP 8103488A JP H01253603 A JPH01253603 A JP H01253603A
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- JP
- Japan
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- plane
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- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に装填されるウェハやマスク
等の試料の面の高さ及び傾きを光学的に検出する面位置
検出装置に関する。
等の試料の面の高さ及び傾きを光学的に検出する面位置
検出装置に関する。
最近のＬＳＩ素子高密度実装の趨勢によって、ＬＳＩ等
の半導体の製造装置に装填されるマスクやウェハ等の試
料は年々高い位置決必精度を要求されるようになってき
た。例えば、マイクロリングラフィ用縮小投影露光装置
において、投影露光レンズの高ＮＡ化に伴いレンズの焦
点深度が浅くなるため、装填試料であるウェハの面の高
さ位置検出にはより高精度が要求されるようになる。
の半導体の製造装置に装填されるマスクやウェハ等の試
料は年々高い位置決必精度を要求されるようになってき
た。例えば、マイクロリングラフィ用縮小投影露光装置
において、投影露光レンズの高ＮＡ化に伴いレンズの焦
点深度が浅くなるため、装填試料であるウェハの面の高
さ位置検出にはより高精度が要求されるようになる。
特に、ステップアンドリピート方式の縮小投影露光装置
の場合、ウェハ面に投影露光されたマスクの微細パター
ンが露光の各ステップ毎に露光領域の全面に亘って解像
しないことがある。これはウェハ面の高さや傾きが露光
の各ステップ毎にウェハの反りや他の要因により、ウェ
ハ面の露光領域内で投影露光レンズの焦点深度の範囲を
超えて変動するためである。それ故、露光の各ステップ
毎にウェハ面の露光領域内での高さ及び傾きを検出する
ことによってこれらの量が許容範囲内にあるように補正
し、微細パターンが露光領域の全面に戸って解像するよ
うにしなければならない。
の場合、ウェハ面に投影露光されたマスクの微細パター
ンが露光の各ステップ毎に露光領域の全面に亘って解像
しないことがある。これはウェハ面の高さや傾きが露光
の各ステップ毎にウェハの反りや他の要因により、ウェ
ハ面の露光領域内で投影露光レンズの焦点深度の範囲を
超えて変動するためである。それ故、露光の各ステップ
毎にウェハ面の露光領域内での高さ及び傾きを検出する
ことによってこれらの量が許容範囲内にあるように補正
し、微細パターンが露光領域の全面に戸って解像するよ
うにしなければならない。
ウェハ面露光領域内の高さ検出は、光学的テコ方式を利
用して行われることが多い。しかし、この従来方式では
露光領域の中心付近の部位を露光の各ステップ毎に検出
し、その結果に基つき該部位の高さの補正を行っている
に過ぎない。そのため、各ステップで露光される中心部
位以外におけるウェハの高さ、つまりウェハの傾きは補
正されない。従って、ＮＡが高く焦点深度の浅い縮小投
影ｌ／ンズを使用した場合、微細パターンを露光の各ス
テップ毎に露光領域の全面に亘って解像する、二とがで
きないという欠点があった。
用して行われることが多い。しかし、この従来方式では
露光領域の中心付近の部位を露光の各ステップ毎に検出
し、その結果に基つき該部位の高さの補正を行っている
に過ぎない。そのため、各ステップで露光される中心部
位以外におけるウェハの高さ、つまりウェハの傾きは補
正されない。従って、ＮＡが高く焦点深度の浅い縮小投
影ｌ／ンズを使用した場合、微細パターンを露光の各ス
テップ毎に露光領域の全面に亘って解像する、二とがで
きないという欠点があった。
本発明の課題は、例えば、ステップアントリピート方式
の縮小投影露光装置の装填試料であるウェハ面」二に微
細パターンを投影する場合、焦点深度の浅い投影露光装
置を使用したとしても、微細バクーンが露光の各ステッ
プ毎に露光領域の全面に亘って解像するようにウェハ面
の高さ及び傾きを検出し、その結果に基つきそれらの補
正を行うことのできる面位置検出装置を提供することに
ある。
の縮小投影露光装置の装填試料であるウェハ面」二に微
細パターンを投影する場合、焦点深度の浅い投影露光装
置を使用したとしても、微細バクーンが露光の各ステッ
プ毎に露光領域の全面に亘って解像するようにウェハ面
の高さ及び傾きを検出し、その結果に基つきそれらの補
正を行うことのできる面位置検出装置を提供することに
ある。
本発明の面位置検出装置は、被検出面に斜め方向から少
なくとも３つの光束を入射させ、各入射光束を被検出面
上の一直線上にない少なくとも３つの位置に集光させ、
被検出面からの各反射光束を別々の検出器に集光させて
面の位置を検出する装置において、 上記各入射光束を被検出面上の上記少なくとも３つの位
置に集光させるた約に共通の投影レンズ系を使用し、し
かも投影レンズ系の主平面と、各光束の光源を含む面と
、被検出面とがシャインプルーフの条件を満足すること
を特徴として構成される。
なくとも３つの光束を入射させ、各入射光束を被検出面
上の一直線上にない少なくとも３つの位置に集光させ、
被検出面からの各反射光束を別々の検出器に集光させて
面の位置を検出する装置において、 上記各入射光束を被検出面上の上記少なくとも３つの位
置に集光させるた約に共通の投影レンズ系を使用し、し
かも投影レンズ系の主平面と、各光束の光源を含む面と
、被検出面とがシャインプルーフの条件を満足すること
を特徴として構成される。
以下、本発明の実施例の面位置検出装置を図に基ついて
説明する。第１図に示すように、ウェハの表面等である
被検出面ａ′が縮小投影露光レンズ２８に対向して配置
される。露光レンズ２８の一方の側には、面検出用の指
標像１′、２′、３′を形成するための光源部３０、指
標像１′、２′、：３′を投影するだめの第１投影系４
０が形成され、また露光レンズ２８の他の側には、検出
系５０、及び検出系５０に指標像１′、２′、３′の像
を形成するための第２投影系６０が形成されている。
説明する。第１図に示すように、ウェハの表面等である
被検出面ａ′が縮小投影露光レンズ２８に対向して配置
される。露光レンズ２８の一方の側には、面検出用の指
標像１′、２′、３′を形成するための光源部３０、指
標像１′、２′、：３′を投影するだめの第１投影系４
０が形成され、また露光レンズ２８の他の側には、検出
系５０、及び検出系５０に指標像１′、２′、３′の像
を形成するための第２投影系６０が形成されている。
光源部３０は、３つのＬＥＤ光源３ａ、３ｂ、８Ｃ１こ
れらの光源からの光束をそれぞれスリット１．２．３上
に導くためのリレーレンズ９．１０．１１からなる。光
源８ａ、リレーレンズ９及びスリット１の光軸Δ、光源
８ｂ、リレーレンズ１０及びスリット２の光軸Ｂ１さら
に光源３ｃ。
れらの光源からの光束をそれぞれスリット１．２．３上
に導くためのリレーレンズ９．１０．１１からなる。光
源８ａ、リレーレンズ９及びスリット１の光軸Δ、光源
８ｂ、リレーレンズ１０及びスリット２の光軸Ｂ１さら
に光源３ｃ。
リレーレンズ１１及びスリット３光軸Ｃは、後述の走査
ミラー１２の同軸中心を通過するように位置決めされて
いる。スリット１．２．３は実質上指標として作用する
。
ミラー１２の同軸中心を通過するように位置決めされて
いる。スリット１．２．３は実質上指標として作用する
。
第１投影系４０は、走査ミラー１２、第１ミラー１６、
第１投影レンズ４、第２ミラー１７、第２投影レンズ５
を有する。そして、走査ミラー１２と第１ミラー１６と
の間には補正系４２が設けられている。
第１投影レンズ４、第２ミラー１７、第２投影レンズ５
を有する。そして、走査ミラー１２と第１ミラー１６と
の間には補正系４２が設けられている。
スリット１．２．３を含む光源面ａと被検出面ａ′とは
、第２図に示すように、第１投影レンズ４及び第２投影
レンズ５に関しシャインプルーフの条件を満足するよう
に配置されている。また、第１投影レンズ４と第２投影
レンズ５は、テレセントリック系を形成している。すな
わち。第１投影レンズ４はこのテレセントリック系の入
射瞳として機能し、第２投影レンズ５の物体側焦点面に
位置している。従って、スリット１．２．３から射出さ
れた光束はテレセントリック系の入射瞳である第１投影
レンズ４を通過後、第２対物レンズ５により光軸に平行
な光束となって像空間を進み、被検出面ａ′上に指標像
１′、２′、３′を形成する。
、第２図に示すように、第１投影レンズ４及び第２投影
レンズ５に関しシャインプルーフの条件を満足するよう
に配置されている。また、第１投影レンズ４と第２投影
レンズ５は、テレセントリック系を形成している。すな
わち。第１投影レンズ４はこのテレセントリック系の入
射瞳として機能し、第２投影レンズ５の物体側焦点面に
位置している。従って、スリット１．２．３から射出さ
れた光束はテレセントリック系の入射瞳である第１投影
レンズ４を通過後、第２対物レンズ５により光軸に平行
な光束となって像空間を進み、被検出面ａ′上に指標像
１′、２′、３′を形成する。
補正系４２は、第１図に示すように、走査ミラー１２で
反射された走査光軸Ａ′、Ｂ′、Ｃ′を考えると、光軸
Δ′、Ｂ′上には、単に光軸を折り曲げさせるための第
３ミラー１４及び第４ミラー１５がそれぞれ配置される
。光軸Ｃ′上には凸レンズ６、平行プリズム１３、凹レ
ンズ７が配置される。凸レンズ６及び凹レンズ７は、逆
望遠鏡系を形成する。すなわち、第１投影レンズ４及び
第２投影レンズ５の光軸Ｏに対し傾斜している光源面ａ
は、第３図に示すように、凸レンズ６及び凹レンズ７を
挿入することによりスリット３が光学的に第１投影レン
ズ４から離れるようになり、光源面ａを光軸Ｏに対し垂
直にする。
反射された走査光軸Ａ′、Ｂ′、Ｃ′を考えると、光軸
Δ′、Ｂ′上には、単に光軸を折り曲げさせるための第
３ミラー１４及び第４ミラー１５がそれぞれ配置される
。光軸Ｃ′上には凸レンズ６、平行プリズム１３、凹レ
ンズ７が配置される。凸レンズ６及び凹レンズ７は、逆
望遠鏡系を形成する。すなわち、第１投影レンズ４及び
第２投影レンズ５の光軸Ｏに対し傾斜している光源面ａ
は、第３図に示すように、凸レンズ６及び凹レンズ７を
挿入することによりスリット３が光学的に第１投影レン
ズ４から離れるようになり、光源面ａを光軸Ｏに対し垂
直にする。
補正系は、第１図及び第４図に示すように、光軸Ｃ′上
に平行プリズム１３を有し、これによって光軸Ｃ′を平
行移動させて、光軸Ａ′、Ｂ′、Ｃ′のいずれもが走査
ミラー１２の回転中心を通過するようにする。
に平行プリズム１３を有し、これによって光軸Ｃ′を平
行移動させて、光軸Ａ′、Ｂ′、Ｃ′のいずれもが走査
ミラー１２の回転中心を通過するようにする。
第２投影系６０は、第１図に示すように、実質上光軸Ｏ
の被検出面ａ′による反射光軸である光軸Ｏ′上に、第
３投影レンズ１８、第５ミラー１９、第４投影レンズ２
０、第６ミラー２１を設けてなる。第３投影レンズ１８
及び第４投影レンズ２０はそれぞれ第２投影レンズ５及
び第１投影レンズ４に対応し、逆向きのテレセントリッ
ク光学系を形成し、また、被検出面ａ′と、後述の半導
体装置検出器（ＰＳＤ）等の光検出器２５．２６．２７
を含む検出面ａ Ｎは共役になるように配置される。
の被検出面ａ′による反射光軸である光軸Ｏ′上に、第
３投影レンズ１８、第５ミラー１９、第４投影レンズ２
０、第６ミラー２１を設けてなる。第３投影レンズ１８
及び第４投影レンズ２０はそれぞれ第２投影レンズ５及
び第１投影レンズ４に対応し、逆向きのテレセントリッ
ク光学系を形成し、また、被検出面ａ′と、後述の半導
体装置検出器（ＰＳＤ）等の光検出器２５．２６．２７
を含む検出面ａ Ｎは共役になるように配置される。
検出系５０は、第１図に示すように、指標像１′、２′
からの光束を反射し、指標像３′からの光束を通過させ
る孔あきミラー５２、指標像３′からの光束を反射する
ための第７ミラー５４を有する。検出系５０はさらに、
指標像１′、２′、３′からのそれぞれの光束を導いて
受光するためのリレーレンズ２２．２３．２４及び光検
出器２５．２６．２７が設けられている。
からの光束を反射し、指標像３′からの光束を通過させ
る孔あきミラー５２、指標像３′からの光束を反射する
ための第７ミラー５４を有する。検出系５０はさらに、
指標像１′、２′、３′からのそれぞれの光束を導いて
受光するためのリレーレンズ２２．２３．２４及び光検
出器２５．２６．２７が設けられている。
上記光学系において、スリット１．２．３から出た光束
はそれぞれ同一倍率でかつ垂直に光検出器２５．２６．
２７に入射するから、それぞれの光束は均等な条件で検
出されることになる。
はそれぞれ同一倍率でかつ垂直に光検出器２５．２６．
２７に入射するから、それぞれの光束は均等な条件で検
出されることになる。
なお、被検出面ａ′上に結像された各指標像１′、２′
、３′は、第５図に示すように、正三角形の頂点にあり
、指標像１′、２′、３′の座標をそれぞれ（Ｘ、 、
、Ｙ 、、 Ｚ 、）、＜ Ｘ ２． ｙ ２． 、ｚ
２）、（Ｘ３． Ｙ３． Ｚ３）とすると、被検出面
ａ′の露光される領域の中心は、上記正三角形の中心と
一致する。上記各スリット像の位置を表示するため、第
５図に示すように、上記正三角形の中心を原点とし、上
記ウェハ面上にχ、Ｙ軸が横たわり、該中心においてウ
ェハ面に立てた法線方向にＺ軸があるような直交座標系
を考える。直交座標系のＸ軸を指標像３′を通る直線に
選べば、Ｙ軸は指標像１′、２′を結ぶ線分に平行にな
る。
、３′は、第５図に示すように、正三角形の頂点にあり
、指標像１′、２′、３′の座標をそれぞれ（Ｘ、 、
、Ｙ 、、 Ｚ 、）、＜ Ｘ ２． ｙ ２． 、ｚ
２）、（Ｘ３． Ｙ３． Ｚ３）とすると、被検出面
ａ′の露光される領域の中心は、上記正三角形の中心と
一致する。上記各スリット像の位置を表示するため、第
５図に示すように、上記正三角形の中心を原点とし、上
記ウェハ面上にχ、Ｙ軸が横たわり、該中心においてウ
ェハ面に立てた法線方向にＺ軸があるような直交座標系
を考える。直交座標系のＸ軸を指標像３′を通る直線に
選べば、Ｙ軸は指標像１′、２′を結ぶ線分に平行にな
る。
次に、制御回路７０及び検出系５０で検出された検出信
号を処理する検出回路８０を説明する。
号を処理する検出回路８０を説明する。
第６図に示すように、走査ミラー１２には駆動回路２９
及び駆動装置３２が接続され、また光源８ａ、３ｂ、３
ｃのそれぞれには電源回路３４ａ１３４ｂ、３４Ｃが接
続されている（一系統のみ図示する）。これらの回路の
作動により、被検出面ａ′に指標像１′、２′、３′が
順次形成される。
及び駆動装置３２が接続され、また光源８ａ、３ｂ、３
ｃのそれぞれには電源回路３４ａ１３４ｂ、３４Ｃが接
続されている（一系統のみ図示する）。これらの回路の
作動により、被検出面ａ′に指標像１′、２′、３′が
順次形成される。
検出系５０においては、走査ミラー１２を回動させて指
標像１′、２′、３′をＸ方向に走査させると、光検出
器２５．２６．２７」−においても指標像ＩＭ、２″、
３Ｍはこれに対応した同一方向に走査する。また、被検
出面ａ′のＸ方向の変位も指標像１″′、２″′、３″
′の変位として現われ、この変位は光検出器２５．２６
．２７のアンバランス信号として検出される。
標像１′、２′、３′をＸ方向に走査させると、光検出
器２５．２６．２７」−においても指標像ＩＭ、２″、
３Ｍはこれに対応した同一方向に走査する。また、被検
出面ａ′のＸ方向の変位も指標像１″′、２″′、３″
′の変位として現われ、この変位は光検出器２５．２６
．２７のアンバランス信号として検出される。
検出回路８０は、第６図に示すように、光検出器２５に
接続された加算回路８１、減算回路８２、これら加算回
路８１及び減算回路８２の出力に接続された除算器８３
を有し、除算器８３は平均化回路８４を介して位置検出
回路８５に接続される（１系統のみ図示する）。
接続された加算回路８１、減算回路８２、これら加算回
路８１及び減算回路８２の出力に接続された除算器８３
を有し、除算器８３は平均化回路８４を介して位置検出
回路８５に接続される（１系統のみ図示する）。
」−記回路において、光検出器８５で検出されたアンバ
ランス信号はそれぞれ加算回路８１で加算され、減算回
路８２で減算される。これらの出力は除算回路８３で除
算されて両者の比が算出され、位置検出回路８５によっ
て演算処理されてＸ方向の高さが求められる。
ランス信号はそれぞれ加算回路８１で加算され、減算回
路８２で減算される。これらの出力は除算回路８３で除
算されて両者の比が算出され、位置検出回路８５によっ
て演算処理されてＸ方向の高さが求められる。
同様にして、検出点２′および３′の位置の高さＺ２
およびＺ３ も夫々に位置検出信号として算出される
。各位置検出信号Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は演算回路８６
に導かれ、この演算回路はウェハの高さの平均（ＺＩ
＋Ｚ２ ＋ Ｚ３） ／ ３及びＸ方向の傾き成分（
（２１＋２２）／２−２３ ）、およびＹ方向の傾き成
分（Ｚ、−２２）を演算し、ウェハ面ａ′の高さ及び傾
きを算出する。
およびＺ３ も夫々に位置検出信号として算出される
。各位置検出信号Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は演算回路８６
に導かれ、この演算回路はウェハの高さの平均（ＺＩ
＋Ｚ２ ＋ Ｚ３） ／ ３及びＸ方向の傾き成分（
（２１＋２２）／２−２３ ）、およびＹ方向の傾き成
分（Ｚ、−２２）を演算し、ウェハ面ａ′の高さ及び傾
きを算出する。
以上説明した実施例−′は、被検出面上に選んだ３つの
検出点を例にとっていたが、より多くの複数点を選び、
これらの選ばれた点のデータを基にして被検出面の平均
的な高さ及び傾きの成分の演算回路により算出すること
も可能である。
検出点を例にとっていたが、より多くの複数点を選び、
これらの選ばれた点のデータを基にして被検出面の平均
的な高さ及び傾きの成分の演算回路により算出すること
も可能である。
本発明は、以上説明したように、複数の指標像が被検出
面に同一倍率で同一の角度をもって入射され、また被検
出面で反射されたそれぞれの指標像の反則光は元栓７Ｊ
ｆ器に同一倍率で垂直に入射ず１す るから、面位置すなわち面の高さ位置、傾斜等を高精度
に検出することができる利点を有する。
面に同一倍率で同一の角度をもって入射され、また被検
出面で反射されたそれぞれの指標像の反則光は元栓７Ｊ
ｆ器に同一倍率で垂直に入射ず１す るから、面位置すなわち面の高さ位置、傾斜等を高精度
に検出することができる利点を有する。
第１図は本発明の実施例の面位置検出装置の光学斜視図
、第２図ないし第４図は指標面と被検出面の関係を示す
光学説明図、第５図は被検出面の座標説明図、第６図は
検出及び制御回路図である。 ａ・・・・・・光源面 ａ′・・・被検出面ａ′
・・・・・・検出面 １，２．３・・・・・スリッ
ト６・・ 凸レンズ ７・・・・凹レンズ１２・・
・・・走査ミラー １３ ・・・・平行ミラー３０・・
・・・・光源部 ４０ ・・・・第１投影系４２・
・・・・・補正系 ５０・ 被検出系６０・・・・
・・第２投影系
、第２図ないし第４図は指標面と被検出面の関係を示す
光学説明図、第５図は被検出面の座標説明図、第６図は
検出及び制御回路図である。 ａ・・・・・・光源面 ａ′・・・被検出面ａ′
・・・・・・検出面 １，２．３・・・・・スリッ
ト６・・ 凸レンズ ７・・・・凹レンズ１２・・
・・・走査ミラー １３ ・・・・平行ミラー３０・・
・・・・光源部 ４０ ・・・・第１投影系４２・
・・・・・補正系 ５０・ 被検出系６０・・・・
・・第２投影系
Claims (3)
- （１）被検出面に斜め方向から少なくとも３つの光束を
入射させ、各入射光束を被検出面上の一直線上にない少
なくとも３つの位置に集光させ、被検出面からの各反射
光束を別々の検出器に集光させて面の位置を検出する装
置において、上記各入射光束を被検出面上の上記少なく
とも３つの位置に集光させるために共通の投影レンズ系
を使用し、しかも投影レンズ系の主平面と、各光束の光
源を含む面と、被検出面とがシャインプルーフの条件を
満足することを特徴とする面位置検出装置。 - （２）上記投影レンズ系が各主光線をテレセントリック
とするように構成され、上記各光束の夫々の光源を含む
面が投影レンズ系の光軸に垂直になるように補正光学系
を挿入した請求項（１）項記載の面位置検出装置。 - （３）上記各光束の光源は等倍で被検出面上に投影され
、かつ各光束は共通の振動ミラーによって振動させられ
るように構成された請求項（１）項記載の面位置検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081034A JP2681649B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 面位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081034A JP2681649B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 面位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253603A true JPH01253603A (ja) | 1989-10-09 |
| JP2681649B2 JP2681649B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=13735173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63081034A Expired - Fee Related JP2681649B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 面位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681649B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5633721A (en) * | 1991-10-30 | 1997-05-27 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus |
| US6088110A (en) * | 1998-03-16 | 2000-07-11 | Cyberoptics Corporation | Digital range sensor system |
| WO2007040254A1 (ja) | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法 |
| US7433050B2 (en) | 2005-10-05 | 2008-10-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
| JP2011192990A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8351024B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a level sensor having a detection grating including three or more segments |
| US8488107B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-07-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a level sensor having multiple projection units and detection units |
| US8675210B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor, lithographic apparatus, and substrate surface positioning method |
| US8767172B2 (en) | 2004-09-30 | 2014-07-01 | Nikon Corporation | Projection optical device and exposure apparatus |
| US8842293B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor arrangement for lithographic apparatus and device manufacturing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57189005A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | Detector for angle of inclination of plane |
| JPS6120808A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Canon Inc | 測距装置 |
| JPS61102510A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 非接触プロ−ブ |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63081034A patent/JP2681649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57189005A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | Detector for angle of inclination of plane |
| JPS6120808A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Canon Inc | 測距装置 |
| JPS61102510A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 非接触プロ−ブ |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5633721A (en) * | 1991-10-30 | 1997-05-27 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus |
| US6088110A (en) * | 1998-03-16 | 2000-07-11 | Cyberoptics Corporation | Digital range sensor system |
| US6288786B1 (en) | 1998-03-16 | 2001-09-11 | Cyberoptics Corporation | Digital range sensor system |
| US6353478B1 (en) | 1998-03-16 | 2002-03-05 | Cyberoptics Corporation | Digital range sensor system |
| US8767172B2 (en) | 2004-09-30 | 2014-07-01 | Nikon Corporation | Projection optical device and exposure apparatus |
| WO2007040254A1 (ja) | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法 |
| US7433050B2 (en) | 2005-10-05 | 2008-10-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
| US8064067B2 (en) | 2005-10-05 | 2011-11-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
| US8488107B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-07-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a level sensor having multiple projection units and detection units |
| US8351024B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a level sensor having a detection grating including three or more segments |
| US8675210B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor, lithographic apparatus, and substrate surface positioning method |
| US8842293B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor arrangement for lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8619235B2 (en) | 2010-03-12 | 2013-12-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2011192990A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681649B2 (ja) | 1997-11-26 |
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