JPH0125388B2 - - Google Patents
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- JPH0125388B2 JPH0125388B2 JP1873587A JP1873587A JPH0125388B2 JP H0125388 B2 JPH0125388 B2 JP H0125388B2 JP 1873587 A JP1873587 A JP 1873587A JP 1873587 A JP1873587 A JP 1873587A JP H0125388 B2 JPH0125388 B2 JP H0125388B2
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- copper foil
- copper
- electrolytic plating
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- electrolytic
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は回路形成用の銅箔を製造する方法に関
する。 （従来の技術） 回路形成に使用される銅箔は、基板との密着性
を高める目的でその一側表面に粗面化処理が施さ
れていることが一般的である。 即ち、かかる銅箔を製造する場合、陰極として
の導電性材料よりなる基体と陽極とを対向させ、
両極間の間隙に電解液を流しつつ行う電解メツキ
法により前記基体表面に銅を析出させる方法が知
られている。この方法によると、第３図に示すよ
うに、銅箔１の一側表面に、表面粒子１ａが形成
する凹凸によりある程度の粗面が形成される。し
かし、基板との高い密着性が要求される場合はこ
の粗面では充分とは言えない。 そこで、従来、第４図に示すように電解メツキ
法により形成された銅箔１の表面粒子１ａに、更
に電解メツキ法を使用して粗面化処理（粗面化電
解メツキ）を施して密着性を向上させていた。こ
の粗面化電解メツキによれば、最初の電解メツキ
により形成された銅箔の表面粒子１ａ上に、銅の
微小な突起状析出物２が付着形成されるため、銅
箔１の実質的な表面積が増大して基板との密着性
が高められる。 （発明が解決しようとする問題点） ところが、上記した従来の銅箔の製造方法によ
ると、確かに当初は基板との密着性が向上するも
のの、例えば、はんだ付け工程などの高温工程を
経るに従い、密着性の熱劣化が生じるという問題
点がある。 本発明はかかる従来の問題を解決するためにな
されたもので、基板との密着性に優れるととも
に、該密着性の熱劣化が防止された銅箔の製造方
法を提供することを目的とする。 （問題点を解決するための手段および利用） 本発明は、上記したような問題は、従来の銅箔
の製造条件では銅箔の粗面の表面粒子の平均粒子
の平均粒径が大きく、その結果、該表面粒子に付
着形成される突起状析出物の粒子径も粗大化して
しまうために発生することを突き止めた。そし
て、最初の電解メツキ工程において、電流密度と
電解液の流速とを所定の条件にすることにより、
生成した銅層の表面粒子を極めて微細にすること
ができ、その結果、続く粗面化電解メツキ工程に
おいて形成される突起状析出物も極めて微細なも
のとすることができるとの知見に基づいてなされ
たものである。 即ち、上記目的を達成するために本発明によれ
ば、導電性材料よりなる基体表面に、銅イオンを
含有する電解液を用いて電流密度0.15〜3A／cm2、
電解液流速４〜20ｍ／秒の条件で電解メツキを施
して銅を析出させ、粗面化表面を有する銅箔層を
形成する第１の工程と、前記銅箔層の粗面に、銅
イオンを含有する電解液を用いて電流密度0.3〜
1A／cm2、電解液流速0.08〜１ｍ／秒及び電極間
距離５〜50mmの条件で粗面化電解メツキを施すこ
とにより、前記粗面に銅の微小な突起状析出物を
形成する第２の工程とを有する構成としたもので
ある。 以下に、本発明に係る銅箔の製造工程を順に説
明する。 先ず、第１の工程即ち銅箔層を形成する電解メ
ツキ工程は、上記したように陰極となる導電性基
体と陽極とを対向させて配設し、これら陰極と陽
極との間の間隙に電解液を流すことにより行う。
この電解液としては、硫酸銅メツキ液、ピロリン
酸銅液など通常のメツキ液を使用すればよい。こ
の時の電解条件は、電流密度が0.15〜3A／cm2、
電解液の流速が４〜20ｍ／秒となるように夫々設
定する。上記電流密度及び電解液の流速の何れか
１つでも上記範囲を外れると、基体上に析出・形
成される銅箔層の表面粒子が微細にならず、その
結果、後段の粗面化メツキ工程において前記銅箔
層表面に形成される突起状析出物が粗大化してし
まい、得られた銅箔の実質的な表面積が小さくな
つてしまうという不都合が生じる。 かかる第１の工程により形成された銅箔層１０
は第１図に示したように、その表面粒子１０ａが
従来のものに比べてはるかに小さくなる。この表
面粒子１０ａの平均粒径Ｄは3.0〜7.5μｍとなる。 続く第２の工程、即ち上記により得られた銅箔
層１０の表面を粗面化するための粗面化電解メツ
キ工程は次のようにして実施される。即ち、前記
銅箔層１０を陰極とし、例えば図示しない銅陽極
を前記陰極と５〜50mm離隔させて対向・配設して
電解メツキを行う。この電極間距離が５mm未満で
あるか、もしくは50mmを超えると、メツキ液流速
のコントロールが困難になり、その結果突起状析
出物の堆積径にバラツキが発生する場合がある。 更に、この粗面化電解メツキ工程における電解
条件は、電流密度が0.3〜1A／cm2、電解液の流速
が0.08〜１ｍ／秒となるように夫々設定する。上
記電流密度及び電解液の流速の何れか１つでも上
記範囲を外れると、銅箔の粗面上に形成される突
起状析出物の粒径が大きくなつてしまい、銅箔の
実質的な表面積が小さくなる。 なお、この粗面化電解メツキ工程において使用
する電解液は特に限定されるものではないが、例
えば硫酸銅（CuSO4・5H2O）：80〜150ｇ／、
硫酸（H2SO4）：40〜80ｇ／、及び硝酸カリウ
ム（KNO3）：25〜50ｇ／よりなる混合溶液な
どを使用することができる。 第２の工程終了後に、銅箔１０の粗面上には第
２図に示すように突起状析出物１１が付着形成さ
れる。この突起状析出物１１の平均粒径ｄは１〜
5μｍとなる。 なお、第１の工程である銅箔を得るためのメツ
キ工程において、陰極を兼ねる基体としては、平
板状のものも、ドラム状のものも使用することが
できる。また、第２の工程である粗面化メツキ工
程は前記基体上に銅箔が形成された状態のまま行
つても、一旦該銅箔を基体から剥離した後行つて
もよい。 更に、上記第２の工程終了後に、銅箔の表面に
クロメート処理を施すと、該銅箔の機械的強度を
高める上でより効果的である。このクロメート処
理は、具体的には、0.7〜12ｇ／濃度の重クロ
ム酸カリウム溶液に常温で５〜45秒間浸漬する
か、市販の電解クロメート処理条件により加工す
る。 （実施例） 電解液として硫酸銅を使用し、電流密度
1.0A／cm2、電解液流速５ｍ／秒の各条件で電解
メツキを行い。第１図に示すような銅箔層１０を
図示しない基体上に析出形成した。この銅箔層１
０の表面粒子１０ａの平均粒径Ｄは約5.5μｍであ
つた。 次いで、かかる銅箔１０の表面に以下の各条件
で粗面化電解メツキを施した。 メツキ液組成 CuSO4・5H2O：120ｇ／ H2SO4：60ｇ／ KNO3：24ｇ／ 電流密度 0.8A／cm2 電解液流速 0.10ｍ／秒 電極間距離 20mm 処理時間 0.4分間 この粗面化電解メツキ終了後、銅箔層１０の表
面粒子１０ａには突起状析出物１１が付着形成さ
れた。突起状析出物１１を１個の粒子としてみた
場合の平均粒径ｄは約2μｍであつた。 以上のようにして得られた銅箔層を基体から剥
離したのち、この銅箔について次の評価試験を行
つて、その密着性を評価した。 即ち、上記工程により作製された銅箔をエポキ
シ系プリプレグに積層し、1.6mm厚さの銅張積層
板を製造した。この積層板の銅表面に電解銅を純
膜厚3.5〜5.0μｍとなるように電気メツキを施し、
その後前記銅箔を10mm幅に切断してピーリング
（引き剥がし）テスト用試験片を作製した。引き
剥がし試験は、引張速度50mm／分で引き剥がした
時の引張力を測定することとし、製造直後或いは
第１表に示した様々な処理条件後に行つて、結果
を表中に示した。なお、第１表には、従来法によ
り製造された銅箔に対して上記と同様な評価試験
を行つた結果も併せて示した。 第１表からも明らかなように、本発明の製造方
法により得られた銅箔は、その密着強度の初期値
並びに薬品浸漬後の値は従来法により得られたも
のと略同等であるが、熱処理後、特に長時間の熱
処理後にも密着強度が殆ど劣化せず、従来のもの
に比べて密着強度の熱劣化性が極めて小さいこと
が確認された。
する。 （従来の技術） 回路形成に使用される銅箔は、基板との密着性
を高める目的でその一側表面に粗面化処理が施さ
れていることが一般的である。 即ち、かかる銅箔を製造する場合、陰極として
の導電性材料よりなる基体と陽極とを対向させ、
両極間の間隙に電解液を流しつつ行う電解メツキ
法により前記基体表面に銅を析出させる方法が知
られている。この方法によると、第３図に示すよ
うに、銅箔１の一側表面に、表面粒子１ａが形成
する凹凸によりある程度の粗面が形成される。し
かし、基板との高い密着性が要求される場合はこ
の粗面では充分とは言えない。 そこで、従来、第４図に示すように電解メツキ
法により形成された銅箔１の表面粒子１ａに、更
に電解メツキ法を使用して粗面化処理（粗面化電
解メツキ）を施して密着性を向上させていた。こ
の粗面化電解メツキによれば、最初の電解メツキ
により形成された銅箔の表面粒子１ａ上に、銅の
微小な突起状析出物２が付着形成されるため、銅
箔１の実質的な表面積が増大して基板との密着性
が高められる。 （発明が解決しようとする問題点） ところが、上記した従来の銅箔の製造方法によ
ると、確かに当初は基板との密着性が向上するも
のの、例えば、はんだ付け工程などの高温工程を
経るに従い、密着性の熱劣化が生じるという問題
点がある。 本発明はかかる従来の問題を解決するためにな
されたもので、基板との密着性に優れるととも
に、該密着性の熱劣化が防止された銅箔の製造方
法を提供することを目的とする。 （問題点を解決するための手段および利用） 本発明は、上記したような問題は、従来の銅箔
の製造条件では銅箔の粗面の表面粒子の平均粒子
の平均粒径が大きく、その結果、該表面粒子に付
着形成される突起状析出物の粒子径も粗大化して
しまうために発生することを突き止めた。そし
て、最初の電解メツキ工程において、電流密度と
電解液の流速とを所定の条件にすることにより、
生成した銅層の表面粒子を極めて微細にすること
ができ、その結果、続く粗面化電解メツキ工程に
おいて形成される突起状析出物も極めて微細なも
のとすることができるとの知見に基づいてなされ
たものである。 即ち、上記目的を達成するために本発明によれ
ば、導電性材料よりなる基体表面に、銅イオンを
含有する電解液を用いて電流密度0.15〜3A／cm2、
電解液流速４〜20ｍ／秒の条件で電解メツキを施
して銅を析出させ、粗面化表面を有する銅箔層を
形成する第１の工程と、前記銅箔層の粗面に、銅
イオンを含有する電解液を用いて電流密度0.3〜
1A／cm2、電解液流速0.08〜１ｍ／秒及び電極間
距離５〜50mmの条件で粗面化電解メツキを施すこ
とにより、前記粗面に銅の微小な突起状析出物を
形成する第２の工程とを有する構成としたもので
ある。 以下に、本発明に係る銅箔の製造工程を順に説
明する。 先ず、第１の工程即ち銅箔層を形成する電解メ
ツキ工程は、上記したように陰極となる導電性基
体と陽極とを対向させて配設し、これら陰極と陽
極との間の間隙に電解液を流すことにより行う。
この電解液としては、硫酸銅メツキ液、ピロリン
酸銅液など通常のメツキ液を使用すればよい。こ
の時の電解条件は、電流密度が0.15〜3A／cm2、
電解液の流速が４〜20ｍ／秒となるように夫々設
定する。上記電流密度及び電解液の流速の何れか
１つでも上記範囲を外れると、基体上に析出・形
成される銅箔層の表面粒子が微細にならず、その
結果、後段の粗面化メツキ工程において前記銅箔
層表面に形成される突起状析出物が粗大化してし
まい、得られた銅箔の実質的な表面積が小さくな
つてしまうという不都合が生じる。 かかる第１の工程により形成された銅箔層１０
は第１図に示したように、その表面粒子１０ａが
従来のものに比べてはるかに小さくなる。この表
面粒子１０ａの平均粒径Ｄは3.0〜7.5μｍとなる。 続く第２の工程、即ち上記により得られた銅箔
層１０の表面を粗面化するための粗面化電解メツ
キ工程は次のようにして実施される。即ち、前記
銅箔層１０を陰極とし、例えば図示しない銅陽極
を前記陰極と５〜50mm離隔させて対向・配設して
電解メツキを行う。この電極間距離が５mm未満で
あるか、もしくは50mmを超えると、メツキ液流速
のコントロールが困難になり、その結果突起状析
出物の堆積径にバラツキが発生する場合がある。 更に、この粗面化電解メツキ工程における電解
条件は、電流密度が0.3〜1A／cm2、電解液の流速
が0.08〜１ｍ／秒となるように夫々設定する。上
記電流密度及び電解液の流速の何れか１つでも上
記範囲を外れると、銅箔の粗面上に形成される突
起状析出物の粒径が大きくなつてしまい、銅箔の
実質的な表面積が小さくなる。 なお、この粗面化電解メツキ工程において使用
する電解液は特に限定されるものではないが、例
えば硫酸銅（CuSO4・5H2O）：80〜150ｇ／、
硫酸（H2SO4）：40〜80ｇ／、及び硝酸カリウ
ム（KNO3）：25〜50ｇ／よりなる混合溶液な
どを使用することができる。 第２の工程終了後に、銅箔１０の粗面上には第
２図に示すように突起状析出物１１が付着形成さ
れる。この突起状析出物１１の平均粒径ｄは１〜
5μｍとなる。 なお、第１の工程である銅箔を得るためのメツ
キ工程において、陰極を兼ねる基体としては、平
板状のものも、ドラム状のものも使用することが
できる。また、第２の工程である粗面化メツキ工
程は前記基体上に銅箔が形成された状態のまま行
つても、一旦該銅箔を基体から剥離した後行つて
もよい。 更に、上記第２の工程終了後に、銅箔の表面に
クロメート処理を施すと、該銅箔の機械的強度を
高める上でより効果的である。このクロメート処
理は、具体的には、0.7〜12ｇ／濃度の重クロ
ム酸カリウム溶液に常温で５〜45秒間浸漬する
か、市販の電解クロメート処理条件により加工す
る。 （実施例） 電解液として硫酸銅を使用し、電流密度
1.0A／cm2、電解液流速５ｍ／秒の各条件で電解
メツキを行い。第１図に示すような銅箔層１０を
図示しない基体上に析出形成した。この銅箔層１
０の表面粒子１０ａの平均粒径Ｄは約5.5μｍであ
つた。 次いで、かかる銅箔１０の表面に以下の各条件
で粗面化電解メツキを施した。 メツキ液組成 CuSO4・5H2O：120ｇ／ H2SO4：60ｇ／ KNO3：24ｇ／ 電流密度 0.8A／cm2 電解液流速 0.10ｍ／秒 電極間距離 20mm 処理時間 0.4分間 この粗面化電解メツキ終了後、銅箔層１０の表
面粒子１０ａには突起状析出物１１が付着形成さ
れた。突起状析出物１１を１個の粒子としてみた
場合の平均粒径ｄは約2μｍであつた。 以上のようにして得られた銅箔層を基体から剥
離したのち、この銅箔について次の評価試験を行
つて、その密着性を評価した。 即ち、上記工程により作製された銅箔をエポキ
シ系プリプレグに積層し、1.6mm厚さの銅張積層
板を製造した。この積層板の銅表面に電解銅を純
膜厚3.5〜5.0μｍとなるように電気メツキを施し、
その後前記銅箔を10mm幅に切断してピーリング
（引き剥がし）テスト用試験片を作製した。引き
剥がし試験は、引張速度50mm／分で引き剥がした
時の引張力を測定することとし、製造直後或いは
第１表に示した様々な処理条件後に行つて、結果
を表中に示した。なお、第１表には、従来法によ
り製造された銅箔に対して上記と同様な評価試験
を行つた結果も併せて示した。 第１表からも明らかなように、本発明の製造方
法により得られた銅箔は、その密着強度の初期値
並びに薬品浸漬後の値は従来法により得られたも
のと略同等であるが、熱処理後、特に長時間の熱
処理後にも密着強度が殆ど劣化せず、従来のもの
に比べて密着強度の熱劣化性が極めて小さいこと
が確認された。
【表】
（発明の効果）
以上説明したように本発明の銅箔の製造方法に
よれば、導電性材料よりなる基体表面に、銅イオ
ンを含有する電解液を用いて電流密度0.15〜
3A／cm2、電解液流速４〜20ｍ／秒の条件で電解
メツキを施して銅を析出させ、粗面化表面を有す
る銅箔層を形成する第１の工程と、前記銅箔層の
粗面に、銅イオンを含有する電解液を用いて電流
密度0.3〜1A／cm2、電解液流速0.08〜１ｍ／秒及
び電極間距離５〜50mmの条件で粗面化電解メツキ
を施すことにより、前記粗面に銅の微小な突起状
析出物を形成する第２の工程を有することとした
ので、基板上に回路として形成した時に、基板と
の密着性に優れるとともに、この密着性が熱劣化
することが防止された銅箔を提供できるという利
点を有する。
よれば、導電性材料よりなる基体表面に、銅イオ
ンを含有する電解液を用いて電流密度0.15〜
3A／cm2、電解液流速４〜20ｍ／秒の条件で電解
メツキを施して銅を析出させ、粗面化表面を有す
る銅箔層を形成する第１の工程と、前記銅箔層の
粗面に、銅イオンを含有する電解液を用いて電流
密度0.3〜1A／cm2、電解液流速0.08〜１ｍ／秒及
び電極間距離５〜50mmの条件で粗面化電解メツキ
を施すことにより、前記粗面に銅の微小な突起状
析出物を形成する第２の工程を有することとした
ので、基板上に回路として形成した時に、基板と
の密着性に優れるとともに、この密着性が熱劣化
することが防止された銅箔を提供できるという利
点を有する。
第１図及び第２図は本発明の銅箔の製造方法の
一実施例を示す製造工程説明図、第３図及び第４
図は従来の銅箔の製造方法を示す製造工程説明図
である。 １０……銅箔層、１０ａ……表面粒子、１１…
…突起状析出物。
一実施例を示す製造工程説明図、第３図及び第４
図は従来の銅箔の製造方法を示す製造工程説明図
である。 １０……銅箔層、１０ａ……表面粒子、１１…
…突起状析出物。
Claims (1)
- １ 導電性材料よりなる基体表面に、銅イオンを
含有する電解液を用いて電流密度0.15〜3A／cm2、
電解液流速４〜20ｍ／秒の条件で電解メツキを施
して銅を析出させ、粗面化表面を有する銅箔層を
形成する第１の工程と、前記銅箔層の粗面に、銅
イオンを含有する電解液を用いて電流密度0.3〜
1A／cm2、電解液流速0.08〜１ｍ／秒及び電極間
距離５〜50mmの条件で粗面化電解メツキを施すこ
とにより、前記粗面に銅の微小な突起状析出物を
形成する第２の工程を有することを特徴とする銅
箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1873587A JPS63186888A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 銅箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1873587A JPS63186888A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 銅箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186888A JPS63186888A (ja) | 1988-08-02 |
| JPH0125388B2 true JPH0125388B2 (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=11979926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1873587A Granted JPS63186888A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 銅箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63186888A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3262558B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2002-03-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 多孔質銅箔およびその用途ならびにその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100974373B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2010-08-05 | 엘에스엠트론 주식회사 | 인쇄회로용 동박의 표면처리 방법과 그 동박 및 도금장치 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP1873587A patent/JPS63186888A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3262558B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2002-03-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 多孔質銅箔およびその用途ならびにその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63186888A (ja) | 1988-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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