JPH01256189A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
- Publication number
- JPH01256189A JPH01256189A JP63084730A JP8473088A JPH01256189A JP H01256189 A JPH01256189 A JP H01256189A JP 63084730 A JP63084730 A JP 63084730A JP 8473088 A JP8473088 A JP 8473088A JP H01256189 A JPH01256189 A JP H01256189A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor laser
- light
- pin diode
- emitted
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- Pending
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- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本本発明は、コンパクトディスクＣＤ、レーザーディス
クＬＤ、追記型光ディスク、消去可能光ディスク等の光
ディスクの分野を始め、通信分野、レーザープリンター
等の分野で使用される半導体レーザーに関するものであ
る。
クＬＤ、追記型光ディスク、消去可能光ディスク等の光
ディスクの分野を始め、通信分野、レーザープリンター
等の分野で使用される半導体レーザーに関するものであ
る。
従来の技術
近年、半導体レーザーを利用する分野が広がってきてお
シ、ＣＤ、ＬＤ、追記型光ディスク、消去可能光ディス
ク等の光ディスクの分野を始め、通信の分野、レーザー
プリンターの分野等に使用されている。また、追記型や
、消去可能型では高出力の半導体レーザーが必要になっ
てきている。
シ、ＣＤ、ＬＤ、追記型光ディスク、消去可能光ディス
ク等の光ディスクの分野を始め、通信の分野、レーザー
プリンターの分野等に使用されている。また、追記型や
、消去可能型では高出力の半導体レーザーが必要になっ
てきている。
従来の半導体レーザーは第３図に示す様にベース１にボ
スト２が取シ付けられ、ポスト２の先端部にはレーザー
チップ３が固定されている。レーザーチップ３の前側端
面から出射した拡散光は窓６を透過し、出力する。窓５
はキャップ４に固定され、レーザーチップ３は密封され
る。レーザーチップ３の後側端面から出射した光の当た
る位置に配置されたＰＩＮダイオード６がレーザーチッ
プ３から出射した光のパワーを検出し、レーザーに不帰
還をかけることによシ、前側端面からの出射光を制御す
る。
スト２が取シ付けられ、ポスト２の先端部にはレーザー
チップ３が固定されている。レーザーチップ３の前側端
面から出射した拡散光は窓６を透過し、出力する。窓５
はキャップ４に固定され、レーザーチップ３は密封され
る。レーザーチップ３の後側端面から出射した光の当た
る位置に配置されたＰＩＮダイオード６がレーザーチッ
プ３から出射した光のパワーを検出し、レーザーに不帰
還をかけることによシ、前側端面からの出射光を制御す
る。
第４図に前側端面からの出射光の制御方法を示す。半導
体レーザー８の後側出射光１１をＰＩＮダイオード９で
受光し、電流に変換後、増幅器１２に入力する。また、
半導体レーザー８の特性と必要出射パワーから求められ
る基準電圧１３をレーザー駆動力回路１４に与え、レー
ザーを駆動する。
体レーザー８の後側出射光１１をＰＩＮダイオード９で
受光し、電流に変換後、増幅器１２に入力する。また、
半導体レーザー８の特性と必要出射パワーから求められ
る基準電圧１３をレーザー駆動力回路１４に与え、レー
ザーを駆動する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の半導体レーザーでは、■ レーザ
ー自身が持っている非点隔差を低減できない。
ー自身が持っている非点隔差を低減できない。
■ レーザーの出射光を後側端面からの出射光で制御し
ているため、前側端面からの出射光と後側端面からの出
射光は位相が異なる。
ているため、前側端面からの出射光と後側端面からの出
射光は位相が異なる。
■ ＰＩＮダイオードを配置するため、レーザーチップ
の位置がベースから離れており、放熱係数が低い。
の位置がベースから離れており、放熱係数が低い。
という問題を有していた。
■の問題では光路中に設けられた別のレンズにより収束
したビームに非点収差が発生する。■の問題では最適な
出力制御ができない。■の問題ではレーザーの高出力化
に不利である。
したビームに非点収差が発生する。■の問題では最適な
出力制御ができない。■の問題ではレーザーの高出力化
に不利である。
本発明は、上記問題点を低減または解決する半導体レー
ザーを提供するものである。
ザーを提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために本発明の半導体レーザーは
、ビーム出射窓をレーザーの光軸に対して斜めに配置し
、レーザーからの出射光を該ビーム出射窓で反射させ、
反射した上記ビームをレーザーチップの横位置に配置し
たＰＩＮダイオードで受光し、受光した光量によりレー
ザーへの供給電流を制御することにより、レーザーから
の出射光量を安定化させるという構成を備えたものであ
る。
、ビーム出射窓をレーザーの光軸に対して斜めに配置し
、レーザーからの出射光を該ビーム出射窓で反射させ、
反射した上記ビームをレーザーチップの横位置に配置し
たＰＩＮダイオードで受光し、受光した光量によりレー
ザーへの供給電流を制御することにより、レーザーから
の出射光量を安定化させるという構成を備えたものであ
る。
作 用
本発明は上記した構成によって、上述した■〜■の問題
点を低減、または解決するものである。
点を低減、または解決するものである。
■の問題を解決する方法としてビーム出射窓をビームの
光軸に対して斜めに配置する方法はレーザーの持つ非点
隔差を低減できる。
光軸に対して斜めに配置する方法はレーザーの持つ非点
隔差を低減できる。
■の問題を解決する方法として実際に利用する前側端面
からの出射光を用いるためレーザーの出射光の最適な制
御が行える。
からの出射光を用いるためレーザーの出射光の最適な制
御が行える。
■の問題を解決する方法としてレーザーチップの下部に
ＰＩＮダイオードが無いため、レーザーチップの位置を
できるだけベースに近い位置に配置できるため放熱係数
が大きく、レーザーの高出力化が容易になる。
ＰＩＮダイオードが無いため、レーザーチップの位置を
できるだけベースに近い位置に配置できるため放熱係数
が大きく、レーザーの高出力化が容易になる。
実施例
以下本発明の一実施例の半導体レーザーについて、図面
を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施例にお
ける半導体レーザーの構成を示したものである。
を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施例にお
ける半導体レーザーの構成を示したものである。
ベース１上にあるポスト２にレーザーチップ３が固定さ
れ、レーザーチップ３の上部端面から前側出射光１ｏを
出射する。出射窓２１は光軸に対して斜めに配置されて
おり、その角度は出射窓２１の厚みとレーザーの非点隔
差によって決められる出射窓２１はキャップ２０に設け
られ、キャップ２ｏがベースに固定されることにより、
レーザー千ツブ３は密封される。
れ、レーザーチップ３の上部端面から前側出射光１ｏを
出射する。出射窓２１は光軸に対して斜めに配置されて
おり、その角度は出射窓２１の厚みとレーザーの非点隔
差によって決められる出射窓２１はキャップ２０に設け
られ、キャップ２ｏがベースに固定されることにより、
レーザー千ツブ３は密封される。
出射窓２１で反射したビームは側部のＰＩＮダイオード
用ポスト２２に固定されたＰＩＮダイオ−６に入射する
。ＰＩＮダイオード６の角度を入射光軸に対し斜めにし
たことにより、ＰＩＮダイオード６の表面で反射したビ
ームがレーザーチップ３に戻り、ノイズを増加させると
いう問題は低減される。
用ポスト２２に固定されたＰＩＮダイオ−６に入射する
。ＰＩＮダイオード６の角度を入射光軸に対し斜めにし
たことにより、ＰＩＮダイオード６の表面で反射したビ
ームがレーザーチップ３に戻り、ノイズを増加させると
いう問題は低減される。
第２図に出射光の制御方法を示す。レーザー８からの前
側出射光１ｏの一部をＰＩＮダイオード６で受光した光
を電流に変換し、増幅器１２で増幅しレーザー駆動回路
１４に入力する。また、半導体レーザー８の特性と必要
出射パワーから求められる基準電圧１３をレーザー駆動
力回路１４に与え、レーザーを駆動する。
側出射光１ｏの一部をＰＩＮダイオード６で受光した光
を電流に変換し、増幅器１２で増幅しレーザー駆動回路
１４に入力する。また、半導体レーザー８の特性と必要
出射パワーから求められる基準電圧１３をレーザー駆動
力回路１４に与え、レーザーを駆動する。
発明の効果
以上のように本発明は、レーザービームの出射窓を斜め
にし、その出射窓での反射光を側部に配置したＰＩＮダ
イオードでの受光量に応じてレーザーの出射パワーを制
御するため、レーザー自身が持っている非点隔差を低減
でき、レーザーの前側出射光を利用しているため、出射
光の最適な出力制御ができ、レーザーチップの下部にＰ
ＩＮダイオードがないため、レーザーチップとベースの
距離が短くなって放熱効果が良くなり、レーザーの高出
力化が可能になる。更に別の効果としてＰＩＮダイオー
ドの受光面が光軸に対して平行の方向にあるため外部か
らの迷光を受けにくく、精度の高いレーザーの出射パワ
ーの制御をすることができるという特徴、及びレーザー
チップの後側端面の反射率を１００％にできるため発光
効率を向上することができるという特徴をも有する。
にし、その出射窓での反射光を側部に配置したＰＩＮダ
イオードでの受光量に応じてレーザーの出射パワーを制
御するため、レーザー自身が持っている非点隔差を低減
でき、レーザーの前側出射光を利用しているため、出射
光の最適な出力制御ができ、レーザーチップの下部にＰ
ＩＮダイオードがないため、レーザーチップとベースの
距離が短くなって放熱効果が良くなり、レーザーの高出
力化が可能になる。更に別の効果としてＰＩＮダイオー
ドの受光面が光軸に対して平行の方向にあるため外部か
らの迷光を受けにくく、精度の高いレーザーの出射パワ
ーの制御をすることができるという特徴、及びレーザー
チップの後側端面の反射率を１００％にできるため発光
効率を向上することができるという特徴をも有する。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザーを示
す断面図、第２図は同半導体レーザーの出射光の制御方
法を示すブロック図、第３図は従来の半導体レーザーを
示す断面図、第４図は従来の半導体レーザーの出射光の
制御方法を示すブロック図である。 １・・・・・・ベース、３・・・・・・レーザーチッ７
’、 ４．２０・・・・・・キャップ、５，２１・・・
・・・出射窓、６・・・・・・ＰＩＮダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
（−ス ２−ｆｆ、’７ト ５−ｚ桁爲 ６−−ザｌＮダイχ−Ｙ ７−鵡手
す断面図、第２図は同半導体レーザーの出射光の制御方
法を示すブロック図、第３図は従来の半導体レーザーを
示す断面図、第４図は従来の半導体レーザーの出射光の
制御方法を示すブロック図である。 １・・・・・・ベース、３・・・・・・レーザーチッ７
’、 ４．２０・・・・・・キャップ、５，２１・・・
・・・出射窓、６・・・・・・ＰＩＮダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
（−ス ２−ｆｆ、’７ト ５−ｚ桁爲 ６−−ザｌＮダイχ−Ｙ ７−鵡手
Claims (2)
- （１）半導体レーザーチップを密封する半導体レーザー
ケースのビーム出射窓を平行平板で構成し、この平行平
板を光軸に対して斜めに配置し、半導体レーザーチップ
からの出射光が上記平行平板で反射する位置に光検出器
を配置したことを特徴とする半導体レーザー。 - （２）光検出器の受光面を光検出器の光軸に対して斜め
に配置したことを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63084730A JPH01256189A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63084730A JPH01256189A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256189A true JPH01256189A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13838810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63084730A Pending JPH01256189A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01256189A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065990A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ用パッケージ |
| US5675597A (en) * | 1994-11-16 | 1997-10-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| EP0786838A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-08 | Hewlett Packard Co | Laser light source with diffraction, scattering or light transmitting element |
| JPH1031838A (ja) * | 1996-04-18 | 1998-02-03 | Samsung Electron Co Ltd | 光出力モニタリング機能を有するレーザーダイオードパッケージ |
| US5761229A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-02 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| US5771254A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-23 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| JP2007121920A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | 光モジュール、光通信モジュール及び光通信装置 |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP63084730A patent/JPH01256189A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065990A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ用パッケージ |
| US5675597A (en) * | 1994-11-16 | 1997-10-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| EP0786838A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-08 | Hewlett Packard Co | Laser light source with diffraction, scattering or light transmitting element |
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| US5809050A (en) * | 1996-01-25 | 1998-09-15 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source using diffraction, scattering and transmission |
| JPH1031838A (ja) * | 1996-04-18 | 1998-02-03 | Samsung Electron Co Ltd | 光出力モニタリング機能を有するレーザーダイオードパッケージ |
| US5920585A (en) * | 1996-04-18 | 1999-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode package having an optical power monitoring function |
| CN1088885C (zh) * | 1996-04-18 | 2002-08-07 | 三星电子株式会社 | 具有光输出监测功能的激光二极管组件 |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| JP2007121920A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | 光モジュール、光通信モジュール及び光通信装置 |
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