JPH01256801A - マイクロトリップ線路の接続方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 例えば、複数のＭＩＣ（マイクロ波ハイブリッド集積回
路−）化されたマイクロ波回路を接続して。

ある機能を持った部分を製作する際に使用されるマイク
ロ波ストリップ線路の接続方法に関し、周囲温度が変化
しても接続部分が破断、又は亀裂が生じない様にすると
共に、マイクロ波特性インピーダンスの不連続の補償が
容易に行える様にすること、を目的とし、 誘電体基板の裏面に形成された接地導体と９表面に形成
され−たマイクロストリップ導体とで構成されるマイク
ロストリップ線路を隙間を設けて相互に接続する際に、
撓みのある接続導体で該マイクロストリップ線路を接続
すると共に、該マイクロストリップ線路の接続側先端部
分に等価的な集中定数容量を付加する様にする。

〔産業上の利用分野〕

例えば、複数のＭＩＣ化されたマイクロ波回路を接続し
て、ある機能を持った部分を製作する際に使用されるマ
イクロ波ストリップ線路の接続方法に関するものである
。

マイクロ波ストリップ線路は並行平板形導波管の変形で
あり、接地導体とストリップ導体とを設け、この２導体
間に電界を加えて電磁波を伝播させる。この線路は平面
構造をしていて、小形、軽量、経済的な回路を作るのに
適しており、半導体部品との適合性もよいのでＭＩＣ用
の基本線路として多用されている。

例えば、マイクロ波帯発振器、マイクロ波増幅器などの
ＭＩＣ化されたマイクロ波回路を金属ケースに入れて送
信部を構成する場合、これら回路内のマイクロストリッ
プ線路どうしを接続しなければならないが１周囲塩度が
変化しても接続部分が破断、又は亀裂が生じない様にす
ると共に、マイクロ波特性インピーダンスの不連続の補
償が容易に行える様にすることが必要である。

〔従来の技術〕

第７図は従来例の構成図、第８図は第７図のＡ−Ａ“断
面図を示す。以下、第８図を参照して第７図の構成を説
明する。

他方の面に接地導体１３が形成された誘電体基板１１の
一方の面に形成されたマイクロストリップ導体１２を有
するマイクロストリップ線路１８と、他方の面に接地導
体１３“が形成された誘電体基板１１゜の一方の面に形
成さ机たマイクロストリップ導体１２“を有するマイク
ロストリップ線路１８′とが。

例えば０．０１〜Ｑ、１ｍｍ位の隙間１４を設けて金属
ケース１７の上に配置されているとする。

今、２つのマイクロストリップ線路１８．１８’を導体
リボン、例えば厚さ約２０μｍの金リボン１６で接続す
るが、隙間１４の誘電率が誘電体基板１１゜１１°の誘
電率よりも低くなっているので、この部分でマイクロ波
特性インピーダンスが不連続になる。そこで、これを補
償するために誘電体片１５を金リボン１６の上に乗せて
接着する。

〔発明が解決しようとする課題〕

ここで、金属ケース１７と誘電体基板１１．１１″との
熱膨張係数が異なる為に周囲温度の変化により隙間１４
の大きさが変化する。しかし、２つのマイクロストリッ
プ線路１８．１８’を接続する導体リボン１６は誘電体
片１５を乗せる為に平坦にしなければならず、伸縮に余
裕を持たせることができない。

そこで、隙間の大きさが変化した時に導体リボンが破断
、又は亀裂を生じたりする問題がある。

本発明は周囲温度が変化しても接続部分が破断。

又は亀裂が生じない様にすると共に、マイクロ波特性イ
ンピーダンスの不連続の補償が容易に行える様にするこ
とを目的とする。

〔課題を解決する為の手段〕

第１図は本発明の原理ブロック図を示す。

図中、２１．２１’は誘電体基板で、２３．２３’は接
地導体であり、２２．２２’はマンクロストリップ導体
である。

又、２８．２８’はマイクロストリップ線路で、２６は
撓みのある接続導体であり、ＣＩｌ　Ｃ２は該マイクロ
ストリップ線路の接続側先端部分に付加された等価的な
集中定数容量である。

〔作用〕

本発明は導体リボン２６に撓みを持たせる様にすると共
に、マイクロストリップ線路２８．２８’の接続側先端
部分に等価的な集中定数容量Ｃ，，Ｃ２を付加する様に
した。

即ち、温度変化により隙間の大きさが変化しても導体リ
ボンに撓みがあるので、この導体リボンに加わる応力が
緩和され破断や亀裂を防止することができる。

又、マイクロストリップ線路２８．２８°の接続側先端
部分に等価的な集中定数容量をＣ，、Ｃ２を付加するこ
とにより後述する様に隙間２４によって生ずるマイクロ
波特性インピーダンスの不連続を容易に補償することが
できる。

〔実施例〕

第２図は実施例の構成図、第３図は第２図のＢ−Ｂ’断
面図、第４図は第２図の等価的回路図を示す。ここで、
容量性スタブ２５は第１図のＣ３の構成部分、容量スタ
ブ性２５′は第１図のＣ２の構成部分を示す。以下、第
３図を参照して第２図の構成を説明する。

先ず、第２図、第３図に示す様に他方の面に接地導体２
３が形成された誘電体基板２１の一方の面に形成された
マイクロストリップ導体２２及び容量性スタブ２５を有
するマイクロストリップ線路２８と、他方の面に接地導
体２３°が形成された誘電体基板２１′の一方の面に形
成されたマイクロストリップ導体２２１及び容量性スタ
ブ２５１を有するマイクロストリップ線路２８ｇとが隙
間２４を設けて金属ケース２９上に配置されている。

そして、マイクロストリップ線路２８と２８°とは撓み
を持った導体リボン２６で接続されているので、温度変
化による隙間の大きさの変化が生じても。

破断や亀裂を生ずることが防止される。

次に、第４図は接続部分の等価的回路図で、ｚｏはマイ
クロストリップ線路２８．２８’のマイクロ波特性イン
ピーダンスを示し、Ｃ１及びＣ２はそれぞれ容量性スタ
ブ２５．２５“の容量を示し、Ｌは導体リボン２６のイ
ンダクタンスを示している。

ここで、隙間２４は空気などで満たされているので、そ
の誘電率は誘電体基板２Ｌ　２１°の誘電率よりも小さ
く、導体リボン２６と隙間２４からなる伝送路のマイク
ロ波特性インピーダンスは、マイクロストリップ線路２
８．２８’のマイクロ波特性インピーダンスＺ０よりも
大きくなり、しかも長さが短いので位相変化が小さく１
等価的にインダクタンスして示すことができる。又、容
量性スタブ２５．２５′はＣ，、Ｃ，で示される。

今、マイクロ波角周波数をωで示した時、Ｃ８＃Ｃ２＝
Ｃ、ω＝　（Ｌ−Ｃ）−””、　ＺＯ＝（Ｌ／Ｃ）−”
”　　の３つの式を満足する様に容量性スタブ２５．２
５°の長さを設定すれば、隙間２４によって生ずるマイ
クロ波特性インピーダンスの不連続を補償することがで
きる。

第５図は別の実施例の構成図を示す。図に示す様に導体
リボン２６の他に、撓みを持つ導体線２６１゜２６２で
容量性スタブ２５．２５’間を接続する。これにより、
第４図のインダクタンスＬの値を変化させることができ
るのでマイクロ波特性インピーダンスの補償を微細に行
うことができる。

第６図は更に別の実施例の構成図で、接続端に容量性ス
タブを有するマイクロストリップ導体２７゜２７“の接
続端を誘電体基板２１．２１°より短くなる様に形成し
、この接続端付近から誘電体基板を通る膨らんだ電気力
線によって生ずる浮遊容量、即ち先端容量を用いれば容
量性スタブを小さくすることができ、小型化が可能とな
る。

即ち、撓みを持った接続導体で該マイクロストリップ線
路を接続すると共に、該マイクロストリップ線路の接続
側先端部分に等価的な集中定数容量を設けることにより
周囲温度が変化しても接続部分が破断、又は亀裂が生じ
なくなり、マイクロ波特性インピーダンスの不連続の補
償が容易に行える。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明した様に本発明によれば周囲温度が変化
しても接続部分が破断、又は亀裂が生じなくなり、又マ
イクロ波特性インピーダンスの不連続の補のが容易に行
えると云う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理ブロック図、 第２図は実施例の構成図、 第３図は第２図のＢ−Ｂ　’断面図、 第４図は第２図の等価的回路図、 第５図は別の実施例の構成図、 第６図は更に別の実施例の構成図、 第７図は従来例の構成図、 第８図は第７図のＡ−Ａ“断面図を示す。 図において、 ２１、２１°は誘電体基板、 ２２．２２”はマイクロストリップ導体、２４は隙間、 ２８．２８’はマイクロストリップ線路、自ｒ　Ｃ１は
等価的な集中定数容量を示す。 ト発明の原理プロ・・７７園 単１図 Ｒ′ 草４日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 誘電体基板（２１，２１’）の裏面に形成された接地導
   体（２３，２３’）と，表面に形成されたマイクロスト
   リップ導体（２２，２２’）とで構成されるマイクロス
   トリップ線路（２８，２８’）を隙間（２４）を設けて
   相互に接続する際に、 撓みのある接続導体（２６）で該マイクロストリップ線
   路を接続すると共に，該マイクロストリップ線路の接続
   側先端部分に等価的な集中定数容量（Ｃ＿１，Ｃ＿２）
   を付加する様にしたことを特徴とするマイクロストリッ
   プ線路の接続方法。