JPH01257301A - グレーズ抵抗体 - Google Patents
グレーズ抵抗体Info
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- JPH01257301A JPH01257301A JP63255167A JP25516788A JPH01257301A JP H01257301 A JPH01257301 A JP H01257301A JP 63255167 A JP63255167 A JP 63255167A JP 25516788 A JP25516788 A JP 25516788A JP H01257301 A JPH01257301 A JP H01257301A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、非酸化性雰囲気中での焼成で形成することの
できるグレーズ抵抗体に関するものである。このグレー
ズ抵抗体によれば、Ｃｕ配線導体等の卑金属配線導体と
厚膜抵抗体とを同一のセラミック基板上に形成すること
ができる０従来の技術 従来、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、配線導体にムｇ
、ムｇＰｅｌ 、ムｇＰｔ等のムｇ系の貴金属を、抵抗
体にＲｕＯ、系をそれぞれ用い、空気中焼成方法により
回路を形成していた。（例えば、「厚膜ＩＣｔ技術」日
本マイクロエレクトロニクス協会線、工業調査会刊行第
２６頁〜第３４頁） 発明が解決しようとする課題 最近、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、高密度回路、高
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来の五ｇ系配線導体では、マイグレーション、回路イン
ピーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすこと
ができない。そこで、Ｃｕ配線導体を用いた厚膜ハイブ
リッドＩＣが有望視されているが、Ｃｕ配線導体は空気
中で焼成すると酸化するため、Ｃｕ配線導体に用いる抵
抗体は非酸化性雰囲気中で焼成して形成しなければなら
ない。この条件を満たし、実用可能な特性を持つグレー
ズ抵抗体は、まだ開発されていない。
できるグレーズ抵抗体に関するものである。このグレー
ズ抵抗体によれば、Ｃｕ配線導体等の卑金属配線導体と
厚膜抵抗体とを同一のセラミック基板上に形成すること
ができる０従来の技術 従来、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、配線導体にムｇ
、ムｇＰｅｌ 、ムｇＰｔ等のムｇ系の貴金属を、抵抗
体にＲｕＯ、系をそれぞれ用い、空気中焼成方法により
回路を形成していた。（例えば、「厚膜ＩＣｔ技術」日
本マイクロエレクトロニクス協会線、工業調査会刊行第
２６頁〜第３４頁） 発明が解決しようとする課題 最近、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、高密度回路、高
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来の五ｇ系配線導体では、マイグレーション、回路イン
ピーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすこと
ができない。そこで、Ｃｕ配線導体を用いた厚膜ハイブ
リッドＩＣが有望視されているが、Ｃｕ配線導体は空気
中で焼成すると酸化するため、Ｃｕ配線導体に用いる抵
抗体は非酸化性雰囲気中で焼成して形成しなければなら
ない。この条件を満たし、実用可能な特性を持つグレー
ズ抵抗体は、まだ開発されていない。
従って、本発明の目的は、空気中のみならず、Ｃｕ配線
導体と組合せることができる非酸化性雰囲気中焼成で形
成可能なグレーズ抵抗体を提供することにある。
導体と組合せることができる非酸化性雰囲気中焼成で形
成可能なグレーズ抵抗体を提供することにある。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するための本発明のグレーズ抵抗体は、
金属珪化物と金属硼化物からなる導電成分が４．０〜７
０．０重量パーセント、ガラスが３０．０〜９６．０重
量パーセントからなり、金属硼化物の占める割合が１．
０〜６８．０重量パーセントにあるものである。金属珪
化物と金属硼化物からなる導電成分が７０．０重量パー
セントより多くなると抵抗体の焼結性が劣化し、４．０
重量パーセントよυ″少なくなると抵抗体に導電経路が
形成されず、十分な特性が得られない。また、金属硼化
物が６８．０重量パーセントより多くなると抵抗体の焼
結性が劣化し、１．０重量パーセントより少ないと添加
効果がなく、十分な特性が得られない０作用 上記組成のグレーズ抵抗体と、樹脂バインダーを溶剤に
溶かしたビークルとで抵抗ペーストをつくり、これをセ
ラミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気中で８５０〜
９５０″Ｃで焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗
体を得ることができる０従って、Ｃｕ等の卑金属導体を
形成しているセラミック基板上に厚膜抵抗体を形成する
ことができる０ 実施例 （実施例１） 次に、本発明の実施例に係るグレーズ抵抗体について述
べる。ガラスとしては、組成が酸化ホウ素（Ｂ２０．
） ３６．０重量パーセント、酸化バリウム（ＢａＯ）
３８．０重量パーセント、酸化ケイ素（ＳｉＯ□）９
．０重量パーセント、酸化アルミナ（ム１２０．）ｃｓ
、。
金属珪化物と金属硼化物からなる導電成分が４．０〜７
０．０重量パーセント、ガラスが３０．０〜９６．０重
量パーセントからなり、金属硼化物の占める割合が１．
０〜６８．０重量パーセントにあるものである。金属珪
化物と金属硼化物からなる導電成分が７０．０重量パー
セントより多くなると抵抗体の焼結性が劣化し、４．０
重量パーセントよυ″少なくなると抵抗体に導電経路が
形成されず、十分な特性が得られない。また、金属硼化
物が６８．０重量パーセントより多くなると抵抗体の焼
結性が劣化し、１．０重量パーセントより少ないと添加
効果がなく、十分な特性が得られない０作用 上記組成のグレーズ抵抗体と、樹脂バインダーを溶剤に
溶かしたビークルとで抵抗ペーストをつくり、これをセ
ラミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気中で８５０〜
９５０″Ｃで焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗
体を得ることができる０従って、Ｃｕ等の卑金属導体を
形成しているセラミック基板上に厚膜抵抗体を形成する
ことができる０ 実施例 （実施例１） 次に、本発明の実施例に係るグレーズ抵抗体について述
べる。ガラスとしては、組成が酸化ホウ素（Ｂ２０．
） ３６．０重量パーセント、酸化バリウム（ＢａＯ）
３８．０重量パーセント、酸化ケイ素（ＳｉＯ□）９
．０重量パーセント、酸化アルミナ（ム１２０．）ｃｓ
、。
重量パーセント、酸化チタン（Ｔｉｅ、） ４．０重量
パーセント、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２） ４．０重
量バーセント、酸化タンタル（Ｔａ２０５） ２．０
重量パーセント、酸化カルシウム（ＣａＯ）２．０重量
パーセント、酸化マグネシウム（ＭｇＯ） ２．０重量
パーセントから成り、軟化点が約６７０″Ｃのものを用
いる。
パーセント、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２） ４．０重
量バーセント、酸化タンタル（Ｔａ２０５） ２．０
重量パーセント、酸化カルシウム（ＣａＯ）２．０重量
パーセント、酸化マグネシウム（ＭｇＯ） ２．０重量
パーセントから成り、軟化点が約６７０″Ｃのものを用
いる。
上記ガラス、ＴａＳｉ２． ＴｉＢ、 を第１表に示
す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をタ
ーピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペースト
とした。この抵抗ペーストを、Ｃｕ厚膜導体を電極とし
た９６％アルミナ基板上に２５０メツシユのスクリーン
を用いて印刷し、１２０’Ｃの温度で乾燥させてから、
窒素ガスパージし、最高温度９００℃に加熱したトンネ
ル炉を通して焼成し、抵抗体を形成した。この抵抗体の
２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２６°Ｃと１２６℃の
温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に示す。負荷寿
命特性（１１５０ｍＷ／−の負荷電力を、周囲温度７０
’Ｃで、１．６時間印加、０．５時間除去を繰り返し１
０００時間経過した時の抵抗値変化率で評価）、耐湿特
性（周囲温度８５°Ｃ１相対湿度８６％中で１０００時
間経過した時の抵抗値変化率で評価）、熱衝撃特性（周
囲温度−６６°Ｃ中で３０分間放置、周囲温度１２６°
Ｃ中で３０分間放置を繰り返し、１０００時間経過した
時の抵抗値変化率で評価）は、いずれも抵抗値変化率が
±１％以内であった。
す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をタ
ーピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペースト
とした。この抵抗ペーストを、Ｃｕ厚膜導体を電極とし
た９６％アルミナ基板上に２５０メツシユのスクリーン
を用いて印刷し、１２０’Ｃの温度で乾燥させてから、
窒素ガスパージし、最高温度９００℃に加熱したトンネ
ル炉を通して焼成し、抵抗体を形成した。この抵抗体の
２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２６°Ｃと１２６℃の
温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に示す。負荷寿
命特性（１１５０ｍＷ／−の負荷電力を、周囲温度７０
’Ｃで、１．６時間印加、０．５時間除去を繰り返し１
０００時間経過した時の抵抗値変化率で評価）、耐湿特
性（周囲温度８５°Ｃ１相対湿度８６％中で１０００時
間経過した時の抵抗値変化率で評価）、熱衝撃特性（周
囲温度−６６°Ｃ中で３０分間放置、周囲温度１２６°
Ｃ中で３０分間放置を繰り返し、１０００時間経過した
時の抵抗値変化率で評価）は、いずれも抵抗値変化率が
±１％以内であった。
（以下 余 白）
（実施例２）
実施例１で示したものと同じガラス、Ｔａｘｉ ２、硼
化物ム（ＴｉＢ２． ＺｒＢ２を等量ずつ混合したもの
）を第２表に示す割合で配合したものをビークル（アク
リル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し
、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施例１と
同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した
。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２５°
Ｃと１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第２表
に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例
１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内
であった。
化物ム（ＴｉＢ２． ＺｒＢ２を等量ずつ混合したもの
）を第２表に示す割合で配合したものをビークル（アク
リル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し
、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施例１と
同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した
。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２５°
Ｃと１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第２表
に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例
１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内
であった。
（以下 余 白）
（実施例３）
実施例１で示したものと同じガラス、珪化物人（Ｔａｘ
ｉ２．ＷＳｉ２．ＭｏＳｉ２．ＮｂＳｉ２．ＴｉＳｉ２
． ＣｒＳｉ、、 。
ｉ２．ＷＳｉ２．ＭｏＳｉ２．ＮｂＳｉ２．ＴｉＳｉ２
． ＣｒＳｉ、、 。
ＺｒＳｉ２．ＷＳｉ２を等量ずつ混合したもの）、Ｔａ
Ｂ２を第３表に示す割合で配合したものをビークル（ア
クリル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練
し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施例１
と同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成し
た。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２６
°Ｃと１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第３
表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施
例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以
内であった。
Ｂ２を第３表に示す割合で配合したものをビークル（ア
クリル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練
し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施例１
と同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成し
た。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２６
°Ｃと１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第３
表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施
例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以
内であった。
（以下余 白）
（実施例４）
実施例１で示したものと同じガラス、珪化物ム（Ｔａｘ
ｉ ２ ｓ ＷＳｉ ２ ｅ ＭｏＳｉ ２ 、 Ｎｂ
Ｓｉ ２１ ＴｉＳｉ ２ ａ ＣｒＳｉ ２ ＊Ｚｒ
Ｓｉ ２． ｙＢｌ、を等量ずつ混合したもの）、硼化
物人（ＴｉＢ、 、 ＺｒＢ２を等量ずつ混合したもの
）を第４表に示す割合で配合したものをビークル（アク
リル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し
、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施例１と
同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した
。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２６°
Ｃと１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第４表
に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例
１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内
であった０ （以下 余 白） （実施例６） ガラスとしては、組成が酸化ホウ素（Ｂ２０．）３６．
０重量パーセント、酸化バリウム（Ｂａｄ）３６．０重
量パーセント、酸化ケイ素（Ｓｉｎ２） ９．０重量パ
ーセント、酸化アルミナ（ム１２０．）６．０重量パー
セント、酸化タンタル（Ｔ ２Ｌ ２０ ｓ ） ３．
０重量パーセント、酸化ニオブ（Ｗｂ２０５）３．０重
量パーセント、酸化バナジウム（ｖ２ｏ５） ｓ、ｏ重
量パーセント、酸化カルシウム（ＣａＯ）３．０重量パ
ーセント、酸化マグネシウム（ＭｇＯ） ２．０重量パ
ーセントから成シ、軟化点が約６４０℃のものを用いる
。
ｉ ２ ｓ ＷＳｉ ２ ｅ ＭｏＳｉ ２ 、 Ｎｂ
Ｓｉ ２１ ＴｉＳｉ ２ ａ ＣｒＳｉ ２ ＊Ｚｒ
Ｓｉ ２． ｙＢｌ、を等量ずつ混合したもの）、硼化
物人（ＴｉＢ、 、 ＺｒＢ２を等量ずつ混合したもの
）を第４表に示す割合で配合したものをビークル（アク
リル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し
、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施例１と
同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した
。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２６°
Ｃと１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第４表
に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例
１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内
であった０ （以下 余 白） （実施例６） ガラスとしては、組成が酸化ホウ素（Ｂ２０．）３６．
０重量パーセント、酸化バリウム（Ｂａｄ）３６．０重
量パーセント、酸化ケイ素（Ｓｉｎ２） ９．０重量パ
ーセント、酸化アルミナ（ム１２０．）６．０重量パー
セント、酸化タンタル（Ｔ ２Ｌ ２０ ｓ ） ３．
０重量パーセント、酸化ニオブ（Ｗｂ２０５）３．０重
量パーセント、酸化バナジウム（ｖ２ｏ５） ｓ、ｏ重
量パーセント、酸化カルシウム（ＣａＯ）３．０重量パ
ーセント、酸化マグネシウム（ＭｇＯ） ２．０重量パ
ーセントから成シ、軟化点が約６４０℃のものを用いる
。
上記ガラス、ＴｉＳｉ□、ＴａＢ２ を第５表に示す割
合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をターピ
ネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとし
た。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６％
アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２５
°Ｃにおける面積抵抗値と、２６℃と１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第６表に示す。負荷寿命特性
、耐湿特性。
合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をターピ
ネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとし
た。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６％
アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２５
°Ｃにおける面積抵抗値と、２６℃と１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第６表に示す。負荷寿命特性
、耐湿特性。
熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵抗値変化率は
いずれも±１％以内であった。
いずれも±１％以内であった。
（以下余白）
（実施例６）
実施例６で示したものと同じガラス、ＴａＳｉ ２、硼
化物Ｂ （ＴａＢ、 、ＮｂＢ２．ＶＢ２．ＷＢ 、Ｍ
ｏｌ 、 ＯｒＢを等量ずつ混合したもの）を第６表に
示す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂を
ターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペース
トとした。この抵抗ベース（を実施例１と同様にして、
９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。
化物Ｂ （ＴａＢ、 、ＮｂＢ２．ＶＢ２．ＷＢ 、Ｍ
ｏｌ 、 ＯｒＢを等量ずつ混合したもの）を第６表に
示す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂を
ターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペース
トとした。この抵抗ベース（を実施例１と同様にして、
９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。
この抵抗体２６℃における面積抵抗値と、２５°Ｃと１
２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第６表に示す
。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同
様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であっ
た。
２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第６表に示す
。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同
様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であっ
た。
（以下余白）
（実施例７）
実施例１で示したものと同じガラス、珪化物Ｂ（ＴｉＳ
ｉ２． ＣｒＳｉ２． ＺｒＳｉ２． ＶＳｉ２ を
等量ずつ混合したもの）、ＴａＢ２を第７表に示す割合
で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネ
オールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした
。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６％ア
ルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２６°
Ｃにおける面積抵抗値と、２６°Ｃと１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第７表に示す。負荷寿命特性
、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵
抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
ｉ２． ＣｒＳｉ２． ＺｒＳｉ２． ＶＳｉ２ を
等量ずつ混合したもの）、ＴａＢ２を第７表に示す割合
で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネ
オールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした
。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６％ア
ルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２６°
Ｃにおける面積抵抗値と、２６°Ｃと１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第７表に示す。負荷寿命特性
、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵
抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
（以下余 白）
（実施例８）
実施例１で示したものと同じガラス、珪化物Ｂ（ＴｉＳ
ｉ２．０ｒＳ１２． ＺｒＳｉ、 、 ＶＳｉ２を等量
ずつ混合したもの）、硼化物Ｂ （ＴａＢ２． ＮｂＢ
２． ＶＢ２． ＷＢ 。
ｉ２．０ｒＳ１２． ＺｒＳｉ、 、 ＶＳｉ２を等量
ずつ混合したもの）、硼化物Ｂ （ＴａＢ２． ＮｂＢ
２． ＶＢ２． ＷＢ 。
ＭｏＢ 、 ＣｒＢを等量ずつ混合したもの）を第８表
に示す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂
をターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ベー
スｔとした。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして
、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗
体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２６°Ｃと１２５
℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第８表に示す。負
荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に
測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
に示す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂
をターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ベー
スｔとした。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして
、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗
体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、２６°Ｃと１２５
℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第８表に示す。負
荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に
測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
（以下余白）
（実施例９）
実施例１で示したものと同じガラス、ＴｉＳｉ□、硼化
物Ｂ （ＴａＢ ２ ＊ ＮｂＢ ２ 、 ＶＢ ２１
ＷＢ 、 ＭｏＢ ＊ ＣｒＢを等量ずつ混合したも
の）、Ｔａ、０５を第９表に示す割合で配合したものを
ビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かした
もの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペース
トを実施例１と同様にして、９６％アルミナ基板上に抵
抗体を形成した。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵
抗値と、２６℃と１２６℃の温度間で測定した抵抗温度
係数を第９表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃
特性は実施例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれ
も±１％以内であった。
物Ｂ （ＴａＢ ２ ＊ ＮｂＢ ２ 、 ＶＢ ２１
ＷＢ 、 ＭｏＢ ＊ ＣｒＢを等量ずつ混合したも
の）、Ｔａ、０５を第９表に示す割合で配合したものを
ビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かした
もの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペース
トを実施例１と同様にして、９６％アルミナ基板上に抵
抗体を形成した。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵
抗値と、２６℃と１２６℃の温度間で測定した抵抗温度
係数を第９表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃
特性は実施例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれ
も±１％以内であった。
（以下余白）
（実施例１０）
実施例１で示したものと同じガラス、Ｔａ５ｉｚ Ｉ硼
化物ム（ＴｉＢ２． ＺｒＢ、を等量ずつ混合したもの
）、添加物ム（Ｔａ２０５． Ｗｂ、０５． Ｖ２Ｏ，
、ＭｏＯ２，Ｎｏ、 。
化物ム（ＴｉＢ２． ＺｒＢ、を等量ずつ混合したもの
）、添加物ム（Ｔａ２０５． Ｗｂ、０５． Ｖ２Ｏ，
、ＭｏＯ２，Ｎｏ、 。
ＺｒＯ，、Ｔｉｅ、 、 ０ｒ２０．を等量ずつ混合し
たもの）を第１０表に示す割合で配合したものをビーク
ル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）
と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実
施例１と同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を
形成した。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と
、２６℃と１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を
第１０表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性
は実施例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±
１％以内であった。
たもの）を第１０表に示す割合で配合したものをビーク
ル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）
と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実
施例１と同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を
形成した。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と
、２６℃と１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を
第１０表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性
は実施例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±
１％以内であった。
（以下余 白）
（実施例１１）
実施例１で示したものと同じガラス、珪化物ム（ＴａＳ
ｉ２．ＷＳｉ２．ＭｏＳｉ２．ＮｂＳｉ２．ＴｉＳｉ、
、ＣｒＳｉ２゜ＺｒＳｉ２． ＷＳｉ２ を等量ずつ
混合したも）） 、ＴＩＬＢ２１Ｓｉを第１１表に示す
割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をター
ピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペースＦと
した。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６
％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２
５°Ｃにおける面積抵抗値と、２６°Ｃと１２６℃の温
度間で測定した抵抗温度係数を第１１表に示す。負荷寿
命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定
し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
ｉ２．ＷＳｉ２．ＭｏＳｉ２．ＮｂＳｉ２．ＴｉＳｉ、
、ＣｒＳｉ２゜ＺｒＳｉ２． ＷＳｉ２ を等量ずつ
混合したも）） 、ＴＩＬＢ２１Ｓｉを第１１表に示す
割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をター
ピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペースＦと
した。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６
％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２
５°Ｃにおける面積抵抗値と、２６°Ｃと１２６℃の温
度間で測定した抵抗温度係数を第１１表に示す。負荷寿
命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定
し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
（以下金 白）
（実施例１２）
実施例１で示したものと同じガラス、珪化物Ｂ（ＴｉＳ
ｉ２． ＣｒＳｉ、 、 ＺｒＳｉ２． ＷＳｉ２を等
量ずつ混合したもの）、ＺｒＢ２、添加物Ｂ （Ｓｉ
、Ｓｉ、Ｎ４．ＳｉＣ。
ｉ２． ＣｒＳｉ、 、 ＺｒＳｉ２． ＷＳｉ２を等
量ずつ混合したもの）、ＺｒＢ２、添加物Ｂ （Ｓｉ
、Ｓｉ、Ｎ４．ＳｉＣ。
ムｌＮ 、 ＢＮ 、 ８１０２ を等量ずつ混合した
もの）を第１２表に示す割合で配合したものをビークル
（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と
混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施
例１と同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形
成した。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、
２６°Ｃと１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を
第１２表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性
は実施例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±
１％以内であった。
もの）を第１２表に示す割合で配合したものをビークル
（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と
混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施
例１と同様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形
成した。この抵抗体の２６°Ｃにおける面積抵抗値と、
２６°Ｃと１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を
第１２表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性
は実施例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±
１％以内であった。
（以 下金 白）
第１図〜第３図はそれぞれ本発明によるグレーズ抵抗体
を用いた実施例を示す図で、第１図は混成集積回路装置
に用いた例、第２図はチップ抵抗器に用いた例、第３図
は抵抗ネットワークに用いた例を示すものである。
を用いた実施例を示す図で、第１図は混成集積回路装置
に用いた例、第２図はチップ抵抗器に用いた例、第３図
は抵抗ネットワークに用いた例を示すものである。
第１図において、１は抵抗体、２はセラミック基板、３
は電極、４は半導体素子、６はチップ部品、６はオーバ
ーコートである。この第１図に示す例では、セラミック
基板２０両面に電極３を所定の配線パターンで形成し、
そしてその電極３間に配設されるように印刷により厚膜
の抵抗体１を形成すると共に、半導体素子４．チップ部
品６を実装したものである。
は電極、４は半導体素子、６はチップ部品、６はオーバ
ーコートである。この第１図に示す例では、セラミック
基板２０両面に電極３を所定の配線パターンで形成し、
そしてその電極３間に配設されるように印刷により厚膜
の抵抗体１を形成すると共に、半導体素子４．チップ部
品６を実装したものである。
また、第２図において、１１は抵抗体、１２はセラミッ
ク基板、１３は電極、１４はＮ１メツキ層、１６は８ｎ
−ｐｂ、７＋、キ層、１６はオーバーコーＦである。こ
の第２図に示す例では、セラミック基板１２の上面に抵
抗体１１を形成し、かつその抵抗体１１の両端に接続さ
れる電極１３をセラミツク基板１２０両端部の上面、側
面及び底面に亘って形成し、さらにその電極１３上にＮ
１メツキ層１ａ 、 ５ｎ−Ｐｂメツキ層１６を形成し
たものである。
ク基板、１３は電極、１４はＮ１メツキ層、１６は８ｎ
−ｐｂ、７＋、キ層、１６はオーバーコーＦである。こ
の第２図に示す例では、セラミック基板１２の上面に抵
抗体１１を形成し、かつその抵抗体１１の両端に接続さ
れる電極１３をセラミツク基板１２０両端部の上面、側
面及び底面に亘って形成し、さらにその電極１３上にＮ
１メツキ層１ａ 、 ５ｎ−Ｐｂメツキ層１６を形成し
たものである。
さらに、第３図において、２１は抵抗体、２２はセラミ
ック基板、２３は電極、２４はリード端子、３ｏはコー
テイング材である。この第３図に示す例では、セラミッ
ク基板２１上に所定の配線パターンで電極２３を設け、
そしてその電極２３によシ配線されるように抵抗体２１
を設けたものである。
ック基板、２３は電極、２４はリード端子、３ｏはコー
テイング材である。この第３図に示す例では、セラミッ
ク基板２１上に所定の配線パターンで電極２３を設け、
そしてその電極２３によシ配線されるように抵抗体２１
を設けたものである。
発明の効果
以上のように、本発明に係わるグレーズ抵抗体は、非酸
化性雰囲気中の焼成により形成することが可能であるた
め、Ｃｕ等の卑金属配線導体と共に回路を形成すること
ができる。従って、本発明によればＣｕ配線厚膜ハイブ
リッドＩＣを実現することができ、厚膜ハイブリッドＩ
Ｃの高密度化。
化性雰囲気中の焼成により形成することが可能であるた
め、Ｃｕ等の卑金属配線導体と共に回路を形成すること
ができる。従って、本発明によればＣｕ配線厚膜ハイブ
リッドＩＣを実現することができ、厚膜ハイブリッドＩ
Ｃの高密度化。
高速ディジタル化に寄与することができる。
第１図は本発明のグレーズ抵抗体を形成して構成した混
成集積回路装置の実施例の断面図、第２図は同じくチッ
プ抵抗器の実施例の断面図、第３図は同じく抵抗ネット
ワークの実施例の斜視図である。 １．１１．２１・・・・・・抵抗体、２，１２．２２・
・・・・・セラミック基板、３，１３．２３・・・・・
・電極、４・・・・・・半導体素子、５・・・・・・チ
ップ部品、６．１６・・・・・・オーバーコート、１４
・・・・・・Ｎ１メツキ層、１６・・・・・・５ｎ−Ｐ
ｂメツキ層、２４・・・・・・リード端子、２６・・・
・・・コーテイング材。
成集積回路装置の実施例の断面図、第２図は同じくチッ
プ抵抗器の実施例の断面図、第３図は同じく抵抗ネット
ワークの実施例の斜視図である。 １．１１．２１・・・・・・抵抗体、２，１２．２２・
・・・・・セラミック基板、３，１３．２３・・・・・
・電極、４・・・・・・半導体素子、５・・・・・・チ
ップ部品、６．１６・・・・・・オーバーコート、１４
・・・・・・Ｎ１メツキ層、１６・・・・・・５ｎ−Ｐ
ｂメツキ層、２４・・・・・・リード端子、２６・・・
・・・コーテイング材。
Claims (8)
- （１）金属珪化物と金属硼化物からなる導電成分が４．
０〜７．００重量パーセント、ガラスが３０．０〜９６
．０重量パーセントからなるグレーズ抵抗材料であって
、金属硼化物の占める割合が１．０〜６８．０重量パー
セントにあることを特徴とするグレーズ抵抗体。 - （２）前記ガラスは、非酸化性雰囲気で焼成する際に金
属化されにくい金属酸化物からなるものであり、軟化点
が５００℃〜８００℃の範囲のものである請求項１記載
のグレーズ抵抗体。 - （３）金属珪化物は、珪化タンタル，珪化タングステン
，珪化モリブデン，珪化ニオブ，珪化チタン，珪化クロ
ム，珪化ジルコニウム，珪化バナジウムの内の少なくと
も１種以上であって、珪化タンタル，珪化タングステン
，珪化モリブデン，珪化ニオブ，珪化チタン，珪化クロ
ム，珪化ジルコニウム，珪化バナジウムはそれぞれ、Ｔ
ａＳｉ＿２，ＷＳｉ＿２，ＭｏＳｉ＿２，ＮｂＳｉ＿２
，ＴｉＳｉ＿２，ＣｒＳｉ＿２，ＺｒＳｉ＿２，ＶＳｉ
＿２が９０．０重量パーセント以上である請求項１記載
のグレーズ抵抗体。 - （４）金属硼化物は、硼化タンタル，硼化ニオブ，硼化
バナジウム，硼化タングステン，硼化モリブデン，硼化
クロムの内の少なくとも１種である請求項１記載のグレ
ーズ抵抗体。 - （５）金属硼化物は、硼化チタン，硼化ジルコニウムの
いずれか、または両者の混合物であって、硼化チタン，
硼化ジルコニウムはそれぞれ ＴｉＢ＿２，ＺｒＢ＿２が９０．０重量パーセント以上
である請求項１記載のグレーズ抵抗体。 - （６）Ｔａ＿２Ｏ＿５，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｖ＿２Ｏ＿５
，ＭｏＯ＿５，ＷＯ＿５，ＺｒＯ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｃ
ｒ＿２Ｏ＿５およびこれらの低次酸化物の内、少なくと
も１種を添加した請求項１記載のグレーズ抵抗体。 - （７）Ｓｉ，Ｓｉ＿５Ｎ＿４，ＳｉＣ，ＡｌＮ，ＢＮ，
ＳｉＯ＿２の内、少なくとも１種を添加した請求項１記
載のグレーズ抵抗体。 - （８）基板上に、請求項１記載のグレーズ抵抗体を形成
して構成した混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255167A JP2723555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-10-11 | グレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-315899 | 1987-12-14 | ||
| JP31589987 | 1987-12-14 | ||
| JP63255167A JP2723555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-10-11 | グレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257301A true JPH01257301A (ja) | 1989-10-13 |
| JP2723555B2 JP2723555B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=26542056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63255167A Expired - Fee Related JP2723555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-10-11 | グレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723555B2 (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246499A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resistance composition |
| JPS57147806A (en) * | 1981-02-02 | 1982-09-11 | Du Pont | Conductor composition |
| JPS61166101A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-26 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 抵抗体組成物 |
| JPS61296701A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニ− | 六硼化物抵抗体組成物、抵抗体エレメントを製造する方法および抵抗体 |
| JPS62232901A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | 旭硝子株式会社 | 抵抗体組成物 |
| JPS63202001A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | 株式会社日立製作所 | 厚膜抵抗組成物、厚膜抵抗体、並びに厚膜ハイブリッドｉｃ |
| JPS63213312A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | 松下電器産業株式会社 | グレ−ズ抵抗材料 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63255167A patent/JP2723555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246499A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resistance composition |
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| JPS61296701A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニ− | 六硼化物抵抗体組成物、抵抗体エレメントを製造する方法および抵抗体 |
| JPS62232901A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | 旭硝子株式会社 | 抵抗体組成物 |
| JPS63202001A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | 株式会社日立製作所 | 厚膜抵抗組成物、厚膜抵抗体、並びに厚膜ハイブリッドｉｃ |
| JPS63213312A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | 松下電器産業株式会社 | グレ−ズ抵抗材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2723555B2 (ja) | 1998-03-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |