JPH01258426A - 光アツシヤー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ウェーハ等のレジスト除去に係り、特にウェ
ーハの裏面の有機物付着物を同時に除去するに好適な光
アッシャ−に関する。

〔従来の技術〕

従来の装置は、特開昭６２−１６５９２３号のように、
ウェーハの表面のみのレジストを除去するものであった
。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術では、ウェーハの裏面に対して反応ガスを
供給する点について配慮がされておらず。

ウェーハ裏面の付着有機物が次工程に送られるという問
題があった。

本発明の目的は、裏面のアッシングの工程中の後段階に
おいて、ウェーハ裏面に反応ガスを供給して、裏面に付
着した有機物を除去をすることにある。

【課題を解決するための手段〕

上記目的は、ウェーハ表面のアッシング工程の後段階に
おいて、ウェーハをステージより若干浮かし、ウェーハ
裏面とステージの間に反応ガスを供給することによって
達成される。

ウェーハ裏面に付着している有機物の量はを比較的少量
であるために、表面側のように光と反応ガスと熱の全て
がそろわなくとも、すなわち反応ガスと熱のみであって
も十分除去できる。

〔作用〕

ウェーハ表面上のレジストは、紫外光と反応ガス、たと
えばオゾンが紫外光および熱によってラジカル酸素に変
わり、該ラジカル酸素と有機物構成原子と反応して、Ｃ
Ｏ、Ｇ　ｏ！、　Ｈｚ○等に変わり、ガス化され、揮発
除去される。このように主体的に除去するウェーハ表面
上の処理の工程の後段階で、ウェーハをステージ表面よ
り若干浮かし、ステージ側に設けた反応ガス供給口より
ウェーハ裏面に反応ガスを供給することにより、熱によ
る反応ガスのラジカル化によって、ウェーハ裏面に付着
している微量な有機物を灰化除去することができる。こ
のとき、表面も同時に灰化除去過程が進行しているので
１表裏間時に、同一装置で灰化除去が可能である。

Ｃ実施例〕 以下本発明の一実施例を第１，２図によって説明する。

ランプハウス１内には、たとえば低圧水銀ランプ等より
なる紫外光源２があり、該紫外光源２とウェーハ４との
間には合成石英よりなる仕切板３があり該仕切板３には
１反応ガス８を供給する複数のノズル９が付設されてい
る。ウェーハ４は、回転可能なステージ５に載せである
。まず第１図の状態で、ウェーハ４の表面側のレジスト
を光と熱と反応ガスによって灰化除去する。途中で第２
図に示す示うにステージ５が降下し、３〜４本のウェー
ハ支持棒１２，１３でステージ５上のウェーハ４を持ち
上げ、ステージ５内に形成した供給口を通して反応ガス
８′をウェーハ４の裏面側にも当たるようにする。

本発明によれば、ウェーハ表面のレジストを除去しなが
ら、その工程の後半の適宜の段階で裏面に付着した有機
物を同時に除去できる。

上述のように、ウェーハをアッシング工程の途中でステ
ージから浮かせる手段としては、ウェーハを、ステージ
上にロードアンロードするアームを使用することによっ
ても可能であり、その効果は前記実施例と同じであるこ
とは言うまでもない。

また、ステージ上に横移動のないようにガイドを設けて
、ステージ内から供給する反応ガス８′の流出量と、石
英仕切板に設けたノズル９からの反応ガス８の流出量と
の圧力調整によって空間に浮かせる方法でも同様な効果
が得られる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ウェーハの表裏両面を−っの処理室内
で同一の工程においてアッシングできるので、装置が簡
単でかつ搬送時間のロスも少なくアッシングレートを向
上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の実施例になるアッシャ−の要
部縦断面図である。 ２・・・紫外光源、３・・・石英仕切板、４・・・ウェ
ーハ、５・・・回転ステージ、６・・・ヒータ、１２，
１３゜１４・・・ウェーハ持ち上げ支柱、８，８′・・
・反応ガ第　ｌ　囚 ご 弗　２　日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、紫外光源と反応ガスと熱によつて、有機物を灰化除
   去する光アツシヤーにおいて、被処理物表面のアッシン
   グ処理工程の後段階で、被処理物と上記被処理物を載置
   するステージとの間に間隔をもたせ、ウェーハ裏面にも
   反応ガスを供給し、上記裏面のクリーニング処理を行な
   う手段を設けたことを特徴とした光アツシヤー。