JPH01260721A - 電気接点 - Google Patents

電気接点

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JPH01260721A
JPH01260721A JP8760888A JP8760888A JPH01260721A JP H01260721 A JPH01260721 A JP H01260721A JP 8760888 A JP8760888 A JP 8760888A JP 8760888 A JP8760888 A JP 8760888A JP H01260721 A JPH01260721 A JP H01260721A
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JP
Japan
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contact
layer
palladium
nickel
electrical
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Pending
Application number
JP8760888A
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English (en)
Inventor
Koichi Kondo
幸一 近藤
Eizo Takemae
栄三 竹前
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00Contacts
    • H01H1/02Contacts characterised by the material thereof
    • H01H1/021Composite material
    • H01H1/023Composite material having a noble metal as the basic material

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 コネクタや各種スイッチ等に用いられる電気接点の構成
に関し、 長寿命かつ安価にすることを目的とし、導電性母材の上
に、ニッケルを20〜504%含むパラジウム−ニッケ
ル合金にてなる下地層を被着し、該下地層の上にニッケ
ルを5〜20訂%含むパラジウム−ニッケル合金にてな
る接点層を被着してなることを特徴とし、 並びに、導電性母材の上に、ニッケルを20〜50Wt
%含むパラジウム−ニッケル合金にてなる第1の下地層
を被着し、該第1の下地層の上にニッケルを5〜20W
t%含むパラジウム−ニッケル合金にてなる第2の下地
層を被着し、該第2の下地層の上に接点層を被着してな
ることを特徴とし構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コネクタや各種スイッチ等に用いられる電気
接点を安価にする構成に関する。
従来、コネクタや各種スイッチ等に用いられる電気接点
材料としては、金(Au)がその優れた耐食性、電気的
特性によって、広く一般に用いられているが、装飾品等
に需要の大きい金は高価である。そのため、各種の方法
を用いて金の使用量を少なくするまたは、金に替えて他
の材料を利用した各種電気接点が提案されている。
〔従来の技術〕
第5図(() 、 (D) 、 (11)は従来構成に
よる各種電気接点の模式構成図である。
第5図(イ)は金を使用した電気接点の基本構成を示す
ものであり、めっきによる金の接点N(合接点)3は、
密着層(Ni層)2を介して接点母材1に被着してなる
。かかる合接点3は、ピンホールが形成されない厚さで
ある。
第5図(0)は金の使用量を節約した電気接点の構成を
示すものであり、金の接点層(合接点)4は密着層(N
i層)2を介して接点母材1に被着してなる。このよう
な合接点4は、合接点3の厚さをtとしたとき、例えば
%を程度に薄いものであり、合接点3より安価である反
面、合接点4を貫通するピンホールが発生し、寿命およ
び電気的特性の損なわれる恐れがある。
第5図(ハ)は金の使用量を節約するためパラジウム−
ニッケル合金の下地層を設けたものであり、密着層(N
i層)2の上に被着された電気接点は、例えばニッケル
を50−t%含むパラジウム−ニッケル合金の下地層5
の上に、金の接点層6を被着してなる。このような電気
接点は、接点層6を合接点4と同程度の厚さにするも下
地層5が密着層2を保護するため、接点N6は合接点4
と同程度に薄くしてピンホールが発生するも、寿命およ
び電気的特性が損なわれないようになる。
なお、金より安価であるパラジウムは、電気的特性に優
れるも触媒作用があり大気中の二酸化炭素と反応し汚染
物質を生成し易く、また、水素吸蔵性が高く水素脆性や
水素ガスの放出による表面状態が悪化させるおよび、内
部応力の大きいことが知られている。そして、かかる欠
点はニッケルとの合金にすることによって、電気特性は
やや低下するも、著しく緩和されるようになる。そのた
め、パラジウム−ニッケル合金はそれ自体を接点層に使
用したり、金接点層の下地層に利用されているが、従来
のそれは一定のニッケルを含む単一組成層で構成されて
いた。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上説明したように、電気接点は金の使用量を減らすま
たは、金の接点層に替えてパラジウム−ニッケル合金を
使用することで製造コストを低減しており、接点層およ
びその下地層はめっき手段により被着している。
しかし、パラジウム−ニッケル合金はニッケルの含有量
によって物性および機械的加工性が異なり、単一組成の
パラジウム−ニッケル合金層にてなるまたは、該合金層
を下地層とした電気接点は、電気的特性および寿命に対
し、該合金を効果的に利用していないという問題点があ
った。
本発明は前記問題点を除去し、パラジウム−ニッケル合
金を効果的に利用し安価な電気接点の提供を目的とする
〔課題を解決するための手段〕
本発明は第1図によれば、導電性母材1の上に、ニッケ
ルを20〜50−t%含むパラジウム−ニッケル合金に
てなる下地層12を被着し、下地層12の上にニッケル
を5〜20−t%含むパラジウム−ニッケル合金にてな
る接点層13を被着してなることを特徴とする並びに、 導電性母材1の上に、ニッケルを20〜50Wt%含む
パラジウム−ニッケル合金にてなる第1の下地層22を
被着し、第1の下地層22の上にニッケルを5〜20W
t%含むパラジウム−ニッケル合金にてなる第2の下地
Ji23を被着し、第2の下地層23の上に接点層24
を被着してなることを特徴とする電気接点である。
〔作用〕 組成が異なる2層のパラジウム−ニッケル合金層、即ち
パラジウムの触媒性、加工性の改善を主とし電気的特性
がやや犠牲となる合金層と、パラジウムの水素吸着性の
改善に問題が残るが電気的特性に優れる合金層とを積層
して利用し、電気接点を構成した本発明は、各種用途に
適し安価な電気接点を提供することになる。
〔実施例〕
以下に、図面を用いて本発明の実施例による電気接点を
説明する。
第1図(() 、 ([T)はそれぞれに本発明の実施
例による電気接点の模式構成図である。
第1図(イ)において、密着N2を介して接点母材1に
被着した電気接点11は、ニッケルを20〜soWt%
含むパラジウム−ニッケル合金の下地層12、例えばニ
ッケルをsoWt%含むパラジウム−ニッケル合金の下
地層12に、ニッケルを5〜20Wt%含むパラジウム
−ニッケル合金の接点層13、例えばニッケルを20W
t%含むパラジウム−ニッケル合金の接点層13を被着
してなる。
第1図(ET)において、密着N2を介して接点母材1
に被着した電気接点21は、ニッケルを20〜50Wt
%含むパラジウム−ニッケル合金の第1の下地層22、
例えばニッケルを50Wt%含むパラジウム−ニッケル
合金の下地層22に、ニッケルを5〜20Wt%含むパ
ラジウム−ニッケル合金の下地層23、例えばニッケル
を20Wt%含むパラジウム−ニッケル合金の下地1i
23を被着し、その上に標準の合接点3より薄い金の接
点N24を被着してなる。
第2図は本発明による電気接点の接触抵抗特性と従来の
電気接点の接触抵抗特性との比較図、第3図は本発明に
よる電気接点の摩擦係数特性と従来の電気接点の摩擦係
数特性との比較図、第4図は本発明による電気接点の耐
食特性と従来の電気接点の耐食特性との比較図である。
ただし、本発明による電気接点試料Aは第1図(U)に
示す構成の電気接点21、従来の電気接点試料Bは第5
図(ハ)に示すように下地層5の上に金接点層6を被着
した構成の電気接点、従来の電気接点試料Cはパラジウ
ムにてなる下地層の上に金の接点層6を被着したもので
ある。そして、試料Aは密着層2の厚さ1.5μm下地
層22の厚さ0.3μm、下地層23の厚さ0.3μm
、接点層24の厚さ0.1μm、試料Bは密着層2の厚
さ1.5μm、下地層5の厚さ0.6μm、接点層6の
厚さ0.1μm、試料Cは密着層2の厚さ1.5μ鋼、
パラジウムにてなる下地層の厚さ0.6μm、接点層6
の厚さ0.1μ−である。
第2図において、縦軸は接触抵抗値(mΩ)、横軸は動
作回数(回)であり、試料AとCは試料Bより優れ、特
に動作回数が多くなると試料Aは試料BおよびCより優
れる、 第3図において、縦軸は摩擦係数、横軸は動作回数(回
)であり、試料AとCはほぼ同等であり試料Bより優れ
る。
硫化水素ガスに各試料を暴露させた結果を示す第4図に
おいて、縦軸は接触抵抗値(mΩ)、横軸は硫化水素ガ
スに暴露した時間(h)であり、試料AとCはほぼ同等
であり試料Bより優れる。
なお、本発明に係わるパラジウム−ニッケル合金は、そ
の組成および厚さを適当に選択し組み合わせることによ
って、各種用途に適した電気接点を安価に提供できる。
下記の表は、大きく分けた用途別の前記組成と厚さを示
すものであり、このように組成が異なるパラジウム−ニ
ッケル合金の2層構成は、めっき時の電流密度によって
合金の析出組成が異なることを利用し、2層が同一めっ
き槽で連続的に生成できる。
〔発明の効果〕
組成が異なる2層のパラジウム−ニッケル合金層、即ち
パラジウムの触媒性、加工 性の改善を主とし電気的特
性がやや犠牲となる合金層と、パラジウムの水素吸蔵性
の改善に問題が残るが電気的特性に優れる合金層とを積
層して利用し、電気接点を構成した本発明は、各種用途
に適し安価な電気接点を提供できた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による電気接点の模式第2図は
電気接点の接触抵抗特性図、 第3図は電気接点の摩擦係数特性図、 第4図は電気接点の耐食特性図、 第5図は従来構成による各N電気接点の模式構成図、 である。 図中において、 1は母材、     2は密着層、 11.21は電気接点、12,22.23は下地層、−
m−111、, 13,24は接点層、 を示す。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − (イ)                      
  (ロン庄qト明0¥)色4列による蒔ダO塾た0漆
受鵡拭°口家?1.得1弘Iニア)楼社噛撤脣性■累 
2 口 電れ傅酊木料、改分1を口 算 3 の に4外点の面丁金持性日 j% 4 図 (ロノ (ハ) 剃蒲縮;Xる冬猪官免捲恵0躊式氏゛図$ 5 口

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性母材(1)の上に、ニッケルを20〜50
    Wt%含むパラジウム−ニッケル合金にてなる下地層(
    12)を被着し、該下地層(12)の上にニッケルを5
    〜20Wt%含むパラジウム−ニッケル合金にてなる接
    点層(13)を被着してなることを特徴とする電気接点
  2. (2)導電性母材(1)の上に、ニッケルを20〜50
    Wt%含むパラジウム−ニッケル合金にてなる第1の下
    地層(22)を被着し、該第1の下地層(22)の上に
    ニッケルを5〜20Wt%含むパラジウム−ニッケル合
    金にてなる第2の下地層(23)を被着し、該第2の下
    地層(23)の上に接点層(24)を被着してなること
    を特徴とする電気接点。
JP8760888A 1988-04-08 1988-04-08 電気接点 Pending JPH01260721A (ja)

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JP8760888A JPH01260721A (ja) 1988-04-08 1988-04-08 電気接点

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JP8760888A JPH01260721A (ja) 1988-04-08 1988-04-08 電気接点

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JP8760888A Pending JPH01260721A (ja) 1988-04-08 1988-04-08 電気接点

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JP (1) JPH01260721A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5438175A (en) * 1992-12-22 1995-08-01 W. C. Heraeus Gmbh Electric outlet element having double flash
JPH07207185A (ja) * 1994-01-21 1995-08-08 Kawazumi Gijutsu Kenkyusho:Kk 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5438175A (en) * 1992-12-22 1995-08-01 W. C. Heraeus Gmbh Electric outlet element having double flash
JPH07207185A (ja) * 1994-01-21 1995-08-08 Kawazumi Gijutsu Kenkyusho:Kk 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト

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