JPH01262649A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01262649A JPH01262649A JP63090265A JP9026588A JPH01262649A JP H01262649 A JPH01262649 A JP H01262649A JP 63090265 A JP63090265 A JP 63090265A JP 9026588 A JP9026588 A JP 9026588A JP H01262649 A JPH01262649 A JP H01262649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fins
- semiconductor device
- resin
- package
- sections
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置にかかり、特にフィンを備えた樹脂
モールド型の半導体装置に関する。
モールド型の半導体装置に関する。
（従来の技術）
半導体装置でフィンを有する樹脂モールド型のＩＣを第
３図に示す。
３図に示す。
第３図（ａ）に斜視図で、また（ｂ）に（ａ）のＡＡ線
に沿う断面図で示される１０１は平板状の樹脂モールド
外囲器で、その両側面から複数本のり−ド１０２が突出
し、樹脂モールド外囲器ｌｏｔに近い部位で下面側に向
は曲げ加工が施されており、さらに。
に沿う断面図で示される１０１は平板状の樹脂モールド
外囲器で、その両側面から複数本のり−ド１０２が突出
し、樹脂モールド外囲器ｌｏｔに近い部位で下面側に向
は曲げ加工が施されており、さらに。
上記リード群の中央にこのリードと同じ曲げ加工が施さ
れたフィン１０３が設けられている。叙上の如きＤＩＰ
型ＩＣは第４図に平面図で示されるリードフレーム１０
４によって形成される。すなわち、リードフレーム中央
部のチップベツド部１０３ａにチップ１０５（第３図（
ｂ））をチップボンディング、ワイヤボンディング等に
よって取着したのち、樹脂モールドを施して外囲器１０
１を形成する。ついで、リードカット、リード曲げ加工
（リードベンド）等を施してｉＣが得られるものである
。
れたフィン１０３が設けられている。叙上の如きＤＩＰ
型ＩＣは第４図に平面図で示されるリードフレーム１０
４によって形成される。すなわち、リードフレーム中央
部のチップベツド部１０３ａにチップ１０５（第３図（
ｂ））をチップボンディング、ワイヤボンディング等に
よって取着したのち、樹脂モールドを施して外囲器１０
１を形成する。ついで、リードカット、リード曲げ加工
（リードベンド）等を施してｉＣが得られるものである
。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来のＩＣにおいては、樹脂モールド封止後のリー
ド曲げ加工工程でリードとフィンの折曲げ部に応力がか
かる。特にフィンはリードに比し幅が広いために大きな
応力がかかる。このリードおよびフィンの折曲げ部を第
３図（ｂ）に破線円ＣＢ）で、また、該部の拡大図で第
３図（Ｃ）に示すように。
ド曲げ加工工程でリードとフィンの折曲げ部に応力がか
かる。特にフィンはリードに比し幅が広いために大きな
応力がかかる。このリードおよびフィンの折曲げ部を第
３図（ｂ）に破線円ＣＢ）で、また、該部の拡大図で第
３図（Ｃ）に示すように。
フィンの曲げ部には口開きを生ずる。１０６はフィンの
口開部を示す。
口開部を示す。
上記口開きはリードやフィンの板厚が厚いほど生じやす
く、また、外囲器に発生をみるクラックの原因ともなっ
ている。これにより、水、異物等が浸入しやすく、ＩＣ
の信頼性に悪影響を及ぼす。
く、また、外囲器に発生をみるクラックの原因ともなっ
ている。これにより、水、異物等が浸入しやすく、ＩＣ
の信頼性に悪影響を及ぼす。
この発明は叙上の課題を解決するためになされたもので
、樹脂モールド外囲器から板状のフィンを突出させた樹
脂封止型半導体装置の改良構造を提供することを目的と
する。
、樹脂モールド外囲器から板状のフィンを突出させた樹
脂封止型半導体装置の改良構造を提供することを目的と
する。
（課題を解決するための手段）
本発明にかかる半導体装置は、樹脂モールド外囲器から
板状のフィンを突出させた樹脂封止型半導体装置におい
て、フィンが外囲器からの突出部分にその板厚方向の透
孔を具備したことを特徴とするものである。
板状のフィンを突出させた樹脂封止型半導体装置におい
て、フィンが外囲器からの突出部分にその板厚方向の透
孔を具備したことを特徴とするものである。
（作 用）
本発明はフィンとリード、特にフィン部に曲げ加工によ
って生ずる応力が低下でき、口開きや樹脂外囲器のクラ
ックが防止できる。
って生ずる応力が低下でき、口開きや樹脂外囲器のクラ
ックが防止できる。
（実施例）
以下５本発明にかかる一実施例のフィン付きＩＣにつき
図面を参照して説明する。なお、説明において従来と変
わらない部分については、図面に従来と同じ符号をつけ
て示し、説明を省略する。
図面を参照して説明する。なお、説明において従来と変
わらない部分については、図面に従来と同じ符号をつけ
て示し、説明を省略する。
第１図（ａ）に斜視図で、また（ｂ）に（ａ）のＣＣ線
に沿う断面図で示されるように、樹脂モールド外囲器１
０１から突出したフィン１１に一例の長孔１１ａが設け
られている。この長孔１１ａの寸法はフィン１１の幅や
、板厚により設定されるが、フィンの熱伝導性、強度等
からしてフィンの幅の略１７２程度がよい。なお、第３
図（ｂ）におけるＩｌｂはチップ１０５がマウントされ
るチップベツド部である。
に沿う断面図で示されるように、樹脂モールド外囲器１
０１から突出したフィン１１に一例の長孔１１ａが設け
られている。この長孔１１ａの寸法はフィン１１の幅や
、板厚により設定されるが、フィンの熱伝導性、強度等
からしてフィンの幅の略１７２程度がよい。なお、第３
図（ｂ）におけるＩｌｂはチップ１０５がマウントされ
るチップベツド部である。
次に、第２図に叙上のＩＣの組立に用いられるリードフ
レーム■を平面図で示す、このリードフレームＵにおい
ては、フィン１１が樹脂モールド外囲器の側面から突出
する部位に、このリードフレームのプレス抜き加工と同
時に予め形成される。
レーム■を平面図で示す、このリードフレームＵにおい
ては、フィン１１が樹脂モールド外囲器の側面から突出
する部位に、このリードフレームのプレス抜き加工と同
時に予め形成される。
叙上の実施例はＤＩＰ型ＩＣの場合を例示したが。
これに限られるものでなく、外囲器の西側面からフィン
を突出させたもの等、広く適用できる。
を突出させたもの等、広く適用できる。
この発明によれば、フィンの樹脂封止部からの突出部に
長孔が設けられて曲げ加工による応力を低下させること
ができ、口開きや、外囲器に生ずるクラックが完全に防
止される。これにより、品質の安定と、向上に顕著な効
果がある。
長孔が設けられて曲げ加工による応力を低下させること
ができ、口開きや、外囲器に生ずるクラックが完全に防
止される。これにより、品質の安定と、向上に顕著な効
果がある。
第１図は本発明にかかる一実施例のＩＣの（ａ）は斜視
図、（ｂ）は（ａ）のＣＣ線に沿う断面図、第２図は本
発明の一実施例に用いられるリードフレームの正面図、
第３図は従来例のＩＣの（ａ）は斜視図。 （ｂ）は（ａ）のＡＡ線に沿う断面図、（Ｃ）は（ｂ）
のＢ部を拡大して示す断面図、第４図は従来例のＩＣに
用いられるリードフレームの正面図である。 １１−−−−フィン １１ａ−−−一長孔 １１ｂ−−−−チップベツド Ｕ−一一一リードフレーム １０１−−−一樹脂モールド外囲器 １０５−−−−チップ 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 ｌｌ： フ（ン ／／ａ ： 長子ムｔｔｎ
； テ、２プ公ッド 渠１図 ＠ ２ 図 ７０１ ７ 末灯月をモールドタト団名シ１ｏｚ ：
リード １０３ ： フィン１０３ａ：チップ
イッド部 １０ｓ：ナツツ。 第 ３ 図 （蔓のＩン （Ｃ） ／（Ｍｓ：Ｄ開部 第 ３ 図 （受Φ２） 第 ４ 図
図、（ｂ）は（ａ）のＣＣ線に沿う断面図、第２図は本
発明の一実施例に用いられるリードフレームの正面図、
第３図は従来例のＩＣの（ａ）は斜視図。 （ｂ）は（ａ）のＡＡ線に沿う断面図、（Ｃ）は（ｂ）
のＢ部を拡大して示す断面図、第４図は従来例のＩＣに
用いられるリードフレームの正面図である。 １１−−−−フィン １１ａ−−−一長孔 １１ｂ−−−−チップベツド Ｕ−一一一リードフレーム １０１−−−一樹脂モールド外囲器 １０５−−−−チップ 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 ｌｌ： フ（ン ／／ａ ： 長子ムｔｔｎ
； テ、２プ公ッド 渠１図 ＠ ２ 図 ７０１ ７ 末灯月をモールドタト団名シ１ｏｚ ：
リード １０３ ： フィン１０３ａ：チップ
イッド部 １０ｓ：ナツツ。 第 ３ 図 （蔓のＩン （Ｃ） ／（Ｍｓ：Ｄ開部 第 ３ 図 （受Φ２） 第 ４ 図
Claims (1)
- 樹脂モールド外囲器から板状のフィンを突出させた樹
脂封止型半導体装置において、フィンが外囲器からの突
出部分にその板厚方向の透孔を具備したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63090265A JPH01262649A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63090265A JPH01262649A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01262649A true JPH01262649A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=13993674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63090265A Pending JPH01262649A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01262649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165818A (en) * | 1997-05-21 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device with a pair of radiating terminals and a plurality of lead terminals formed from a single lead frame |
| KR20010087803A (ko) * | 2001-06-07 | 2001-09-26 | 김덕중 | 방열효과를 개선하는 반도체 에스. 오(ｓｏ) 패키지 |
-
1988
- 1988-04-14 JP JP63090265A patent/JPH01262649A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165818A (en) * | 1997-05-21 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device with a pair of radiating terminals and a plurality of lead terminals formed from a single lead frame |
| KR20010087803A (ko) * | 2001-06-07 | 2001-09-26 | 김덕중 | 방열효과를 개선하는 반도체 에스. 오(ｓｏ) 패키지 |
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