JPH01264531A - 距離継電器 - Google Patents
距離継電器Info
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- JPH01264531A JPH01264531A JP9020188A JP9020188A JPH01264531A JP H01264531 A JPH01264531 A JP H01264531A JP 9020188 A JP9020188 A JP 9020188A JP 9020188 A JP9020188 A JP 9020188A JP H01264531 A JPH01264531 A JP H01264531A
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- transformer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は距離継電器、特に電力系統に接続された変圧器
を事故から保護すると同時にその後備保護動作を安定に
行い得るようにした距離継電器に関するものである。
を事故から保護すると同時にその後備保護動作を安定に
行い得るようにした距離継電器に関するものである。
(従来の技術)
電力系統、特に変圧器を事故から保護する距離継電器と
しては、種々のものが用いられているが、変圧器保護に
おける信頼性を向上させるため、第16図(a)に示す
ような特性を有する距離継電器が変圧器保護継電装置と
して多く用いられている。
しては、種々のものが用いられているが、変圧器保護に
おける信頼性を向上させるため、第16図(a)に示す
ような特性を有する距離継電器が変圧器保護継電装置と
して多く用いられている。
よく知られているように、第1段は変圧器の事故を検出
し、変圧器2次側母線までの事故をも遮断するようにし
た第1段用限時遮断を、第2段、第3段はこれより更に
遠方の送電線の事故及び更に遠方のトランス事故の限時
遮断を行うことをその保護責務としている。そして第1
6図(b)に示す如く、第1段、第2段、第3段のいず
れかが動作した場合に限時時間を有して遮断器を引き外
すよう構成されている。このた場合、第1〜3段の限時
遮断時間を夫々T、、 T、、、 T3で表すと、T2
−T1+α ・・(1) T3=T□+β ・・■ となる。但し、α、βは協調時間、又T1〜T3はいず
れも数100m5ec程度の時間としているのが普通で
ある。
し、変圧器2次側母線までの事故をも遮断するようにし
た第1段用限時遮断を、第2段、第3段はこれより更に
遠方の送電線の事故及び更に遠方のトランス事故の限時
遮断を行うことをその保護責務としている。そして第1
6図(b)に示す如く、第1段、第2段、第3段のいず
れかが動作した場合に限時時間を有して遮断器を引き外
すよう構成されている。このた場合、第1〜3段の限時
遮断時間を夫々T、、 T、、、 T3で表すと、T2
−T1+α ・・(1) T3=T□+β ・・■ となる。但し、α、βは協調時間、又T1〜T3はいず
れも数100m5ec程度の時間としているのが普通で
ある。
第17図は第16図で示した特性を有する距離継電器D
Zを変圧器保護に適用した場合の系統構成例を示すもの
で、図はへ端子側(変圧器1次側)に適用した場合であ
る。図においてTr□は変圧器を表し、端子旦(変圧器
2次側)には送電線TLが接続され、更に他の変圧器T
r2 が接続されている。
Zを変圧器保護に適用した場合の系統構成例を示すもの
で、図はへ端子側(変圧器1次側)に適用した場合であ
る。図においてTr□は変圧器を表し、端子旦(変圧器
2次側)には送電線TLが接続され、更に他の変圧器T
r2 が接続されている。
CBTI、CBT2は夫々変圧器Tr1 に設けられた
A端子(変圧器Tr工1次側)長端子(変圧器Tr22
次側)の遮断器、C84、C84は夫々送電線TLに設
けられた基端子側、−g一端子側遮断器である。又CB
T5は他の変圧器Tr2側、長端子(変圧器Tr21次
側)の遮断器である。
A端子(変圧器Tr工1次側)長端子(変圧器Tr22
次側)の遮断器、C84、C84は夫々送電線TLに設
けられた基端子側、−g一端子側遮断器である。又CB
T5は他の変圧器Tr2側、長端子(変圧器Tr21次
側)の遮断器である。
(発明が解決しようとする課題)
このような系統において、遮断器CBT2が開放状態で
、遮断器CBTIが投入されると、無励磁状態にあった
変圧器Tr1が励磁され、その結果第18図に示すよう
な正負不揃いな励磁突入電流が生じることは良く知られ
ている。この励磁突入電流は、その大きさが大きくなる
と、上記距離継電器の第2段、第3段領域に入って来る
ことがあり、しかも変圧暴動励磁突入電流の減衰時定数
は、長いものでは数secに達するため、上記のような
時限T21T3が設定されていても、第2段、第3段は
この励磁突入電流の影響によって誤動作し、不必要な遮
断器引き外しを行うことが懸念され、抜本的な対策の出
現が強く要望されている。
、遮断器CBTIが投入されると、無励磁状態にあった
変圧器Tr1が励磁され、その結果第18図に示すよう
な正負不揃いな励磁突入電流が生じることは良く知られ
ている。この励磁突入電流は、その大きさが大きくなる
と、上記距離継電器の第2段、第3段領域に入って来る
ことがあり、しかも変圧暴動励磁突入電流の減衰時定数
は、長いものでは数secに達するため、上記のような
時限T21T3が設定されていても、第2段、第3段は
この励磁突入電流の影響によって誤動作し、不必要な遮
断器引き外しを行うことが懸念され、抜本的な対策の出
現が強く要望されている。
よって、本発明は上記問題点を解決することを目的とし
てなされたものであり、変圧器投入時発生する励磁突入
電流による距離継電器の不要応動を防止し、信頼性の高
い距離継電器を提供することを目的としている。
てなされたものであり、変圧器投入時発生する励磁突入
電流による距離継電器の不要応動を防止し、信頼性の高
い距離継電器を提供することを目的としている。
(課題を解決するための手段)
電力系統から取り入れた電圧及び電流を導入し、事故点
までの距離に応じて動作する距離継電器にであって、し
ゃ断器の制御信号またはしゃ断器の開閉状態に対応した
信号を用い、しゃ断器が投入された状態に変化した後、
所定の時間内のみ継電器の動作域を阻止する。
までの距離に応じて動作する距離継電器にであって、し
ゃ断器の制御信号またはしゃ断器の開閉状態に対応した
信号を用い、しゃ断器が投入された状態に変化した後、
所定の時間内のみ継電器の動作域を阻止する。
(作 用)
本発明の距離継電器はしゃ断器の投入指令が出たことを
条件に、しゃ断器の投指令で距離継電器出力をロックす
るものである。
条件に、しゃ断器の投指令で距離継電器出力をロックす
るものである。
(実施例)
以下図面を参照して本発明一実施例を説明する。
第1図は本発明一実施例のモー形距離継電器を示す図で
ある。第1図において、入力電圧!及び入力電流iは、
補助変”成器1及び補助変流器2に印加される。補助変
成器1の出力端は、メモリー回路3に接続し、その出力
に3Vは、方形波変換回路4に接続する。
ある。第1図において、入力電圧!及び入力電流iは、
補助変”成器1及び補助変流器2に印加される。補助変
成器1の出力端は、メモリー回路3に接続し、その出力
に3Vは、方形波変換回路4に接続する。
一方、補助変流器2の出力端は、その出力を送電線の線
路アングルψだけ進める移送回路5を介し、ベクトル合
成回路6に接続され、更にベクトル合成回路6には、前
記補助変成器1に接続した整定回路7の出力端も接続さ
れる。又前記ベクトル合成回路6の出力端は方形波変換
回路8に接続し、その出力はAN’D回路9に接続する
。AND回路9においては、前記方形波変換回路4の出
力も接続し、前記二つの交流信号に3VとKtI K
2Vとの位相関係を比較するオンデイレイ回路10を介
=4− し、オンデイレイ回路10の出端にあるインヒビット回
路11に印加する。以上第1図の破線部分101は公知
のモー形距離継電器判定部を示すものである。
路アングルψだけ進める移送回路5を介し、ベクトル合
成回路6に接続され、更にベクトル合成回路6には、前
記補助変成器1に接続した整定回路7の出力端も接続さ
れる。又前記ベクトル合成回路6の出力端は方形波変換
回路8に接続し、その出力はAN’D回路9に接続する
。AND回路9においては、前記方形波変換回路4の出
力も接続し、前記二つの交流信号に3VとKtI K
2Vとの位相関係を比較するオンデイレイ回路10を介
=4− し、オンデイレイ回路10の出端にあるインヒビット回
路11に印加する。以上第1図の破線部分101は公知
のモー形距離継電器判定部を示すものである。
本発明は、上記構成に加えてしゃ断器の投入指令により
応動する投入指令印加回路12を設け、前記インヒビッ
1〜回路11のインヒビット端子に入力する様に構成し
たものである。第2図は投入指令印加回路12の詳細を
示す図で第2図において13は各しゃ断器投入指令を入
力するOR回路で各しゃ断器投入指令のOR取り、その
出力端は変圧器突入電流の影響が懸念される時間より少
し長い時間から従来技術に示す第2段限時トリップ用タ
イマの時間を引いた時間に整定したオンデイレイ回路1
6の入力端に接続され、このオンデイレイ回路16の出
力端は次段のインヒビット回路17のインヒビット入力
端子に接続される。又インヒビット回路17の他の一方
の入力端子には、前記OR回路13出力端が接続され、
インヒビット回路17の投入指令印加回路12(第1図
参照)の出力とした構成としている。
応動する投入指令印加回路12を設け、前記インヒビッ
1〜回路11のインヒビット端子に入力する様に構成し
たものである。第2図は投入指令印加回路12の詳細を
示す図で第2図において13は各しゃ断器投入指令を入
力するOR回路で各しゃ断器投入指令のOR取り、その
出力端は変圧器突入電流の影響が懸念される時間より少
し長い時間から従来技術に示す第2段限時トリップ用タ
イマの時間を引いた時間に整定したオンデイレイ回路1
6の入力端に接続され、このオンデイレイ回路16の出
力端は次段のインヒビット回路17のインヒビット入力
端子に接続される。又インヒビット回路17の他の一方
の入力端子には、前記OR回路13出力端が接続され、
インヒビット回路17の投入指令印加回路12(第1図
参照)の出力とした構成としている。
以上のように構成されたモー形距離継電器の作用につい
て説明する。第1図に示すモー形距離継電器に印加され
た電圧Mは、補助変成器1を介して継電器内部に印加さ
れる。又電流tは、補助変流器2にて継電器内部に導入
する。継電器内部に導入された電圧信号はメモリー回路
3を経て電圧信号に3Qとし、方形波変換回路4の入力
とする。
て説明する。第1図に示すモー形距離継電器に印加され
た電圧Mは、補助変成器1を介して継電器内部に印加さ
れる。又電流tは、補助変流器2にて継電器内部に導入
する。継電器内部に導入された電圧信号はメモリー回路
3を経て電圧信号に3Qとし、方形波変換回路4の入力
とする。
一方電流信号は、補助変流器2を介し、移相回路5によ
り送電線の線路アングルψだけ進められた信号に11に
し、ベクトル合成回路6に印加する。
り送電線の線路アングルψだけ進められた信号に11に
し、ベクトル合成回路6に印加する。
ベクトル合成回路6においては、前記補助変成器1より
の電圧信号を整定回路7を介し、電圧信号に2Vとして
印加し、合成信号JI K2Vとして方形波変換回路
8に印加する。方形波変換回路4及び8の出力は、次段
のAND回路9を介してオンデイレイ回路10に印加す
る。そこでAND回路9の出力が、前記方形波変換回路
4及び8が共に「1」出力である時出力を生じ、前記オ
ンデイレイ回路10の時間(第4図の位相特性を得るに
はθ。
の電圧信号を整定回路7を介し、電圧信号に2Vとして
印加し、合成信号JI K2Vとして方形波変換回路
8に印加する。方形波変換回路4及び8の出力は、次段
のAND回路9を介してオンデイレイ回路10に印加す
る。そこでAND回路9の出力が、前記方形波変換回路
4及び8が共に「1」出力である時出力を生じ、前記オ
ンデイレイ回路10の時間(第4図の位相特性を得るに
はθ。
=90°の時間)以上前記出力「1」が接続すれば継電
器はインヒビッ1へ回路11の条件によりトリップ出力
を出す。
器はインヒビッ1へ回路11の条件によりトリップ出力
を出す。
以上のように動作する前記モー形距離継電器において変
圧器投入による変圧器の励磁突入電流Lus+で誤動作
しないようにしたものが第1図のブロック図で示す投入
指令印加回路Uとインヒビット回路11である。以下投
入指令印加回路Uの作用を述べる。
圧器投入による変圧器の励磁突入電流Lus+で誤動作
しないようにしたものが第1図のブロック図で示す投入
指令印加回路Uとインヒビット回路11である。以下投
入指令印加回路Uの作用を述べる。
しゃ断器投入指令が投入指令印加回路に印加された場合
、前記印加回路12のオンデイレイ回路16においては
、概念的に第3図に示す如く整定時間をしゃ断器が投入
(イ)された時から前記突入電流t RUSHの影響が
懸念される時間(イ)のTXより少し長い時間(ロ)の
T4から従来技術に示した第2段限時トリップ用タイマ
T2を引いた時間T。に整定するため、(ハ)に示す如
く時間T。で出力を出し、次段のインデイレイ回路17
のインヒビット端子に印加される。インヒビット回路1
7のもう一方の端子は各しゃ断器投入指令のOR出力用
OR回路13に接続されているため、出力は(ニ)に示
す如く前記オフデイレイ回路16の整定時間T。たけ出
ることになる。即ち、投入指令印加回路−Uの出力12
、記前突入電流I ytusoの影響が懸念される時間
より少し長い時間T4から第2段トリップ用タイマT2
を引いただけ出力を出すことになる。
、前記印加回路12のオンデイレイ回路16においては
、概念的に第3図に示す如く整定時間をしゃ断器が投入
(イ)された時から前記突入電流t RUSHの影響が
懸念される時間(イ)のTXより少し長い時間(ロ)の
T4から従来技術に示した第2段限時トリップ用タイマ
T2を引いた時間T。に整定するため、(ハ)に示す如
く時間T。で出力を出し、次段のインデイレイ回路17
のインヒビット端子に印加される。インヒビット回路1
7のもう一方の端子は各しゃ断器投入指令のOR出力用
OR回路13に接続されているため、出力は(ニ)に示
す如く前記オフデイレイ回路16の整定時間T。たけ出
ることになる。即ち、投入指令印加回路−Uの出力12
、記前突入電流I ytusoの影響が懸念される時間
より少し長い時間T4から第2段トリップ用タイマT2
を引いただけ出力を出すことになる。
この投入指令印加回路Uの出力をインヒビッ1〜回路1
1に印加することにより無電圧状態からの変圧器投入に
おいては、前記変圧器投入による励磁電流の影響が懸念
される時間より少し長い時間T4から第2段限時タイマ
時間T2を引いた時間T。たけ、前記第5図に示す動作
域はなくなり、第5図に示す如く、変圧器励磁突入電流
I RUSHでのインピーダンス軌跡Z□Ru5t((
h )は、破線の動作域(第5図に示す特性)がないた
め検出されず、更に第2段限時タイマ時間だけ1−リッ
プロックされるため、前記モー形距離継電器は、不要応
動することはない。以上詳細に説明したように、第1図
のような構成を有するモー形距離継電器により、無電圧
状態からの変圧器投入時の励磁突入電流による前記距離
継電器の不要動作は、確実に防止できる。以上の説明は
、モー形距離継電器の出力回路に設けたインヒビット回
路を作用させることにより継電器の動作域をなくす例を
記述した。しかし、本発明は、前記実施例に限定される
ものではない。
1に印加することにより無電圧状態からの変圧器投入に
おいては、前記変圧器投入による励磁電流の影響が懸念
される時間より少し長い時間T4から第2段限時タイマ
時間T2を引いた時間T。たけ、前記第5図に示す動作
域はなくなり、第5図に示す如く、変圧器励磁突入電流
I RUSHでのインピーダンス軌跡Z□Ru5t((
h )は、破線の動作域(第5図に示す特性)がないた
め検出されず、更に第2段限時タイマ時間だけ1−リッ
プロックされるため、前記モー形距離継電器は、不要応
動することはない。以上詳細に説明したように、第1図
のような構成を有するモー形距離継電器により、無電圧
状態からの変圧器投入時の励磁突入電流による前記距離
継電器の不要動作は、確実に防止できる。以上の説明は
、モー形距離継電器の出力回路に設けたインヒビット回
路を作用させることにより継電器の動作域をなくす例を
記述した。しかし、本発明は、前記実施例に限定される
ものではない。
例えば、継電器出力回路にバイパス回路を設けたオンデ
イレイ回路を設けてもよい。そのブロック図が第6図で
ある。第6図において第1図と同じ記号は、同様の構成
とし得ることを示している。
イレイ回路を設けてもよい。そのブロック図が第6図で
ある。第6図において第1図と同じ記号は、同様の構成
とし得ることを示している。
第6図に示すモー形距離継電器は、第1図に示す一実施
例とほぼ同一の構成であるが、第1図のインヒビッ1〜
回路11は、除去され新たに投入指令印加回路Hの出力
を反転回路19で反転した出力にて駆動され詳細を後述
するバイパス回路を設けたインデイレイ回路18(以下
バイパス形オンデイレイ回路と称す)が前記オンデイレ
イ回路10に接続した構成である。
例とほぼ同一の構成であるが、第1図のインヒビッ1〜
回路11は、除去され新たに投入指令印加回路Hの出力
を反転回路19で反転した出力にて駆動され詳細を後述
するバイパス回路を設けたインデイレイ回路18(以下
バイパス形オンデイレイ回路と称す)が前記オンデイレ
イ回路10に接続した構成である。
第7図は前記バイパス形オンデイレイ回路の詳細を示す
もので、トランジスタを数段カスケードに接続し、その
中にオンデイレイ時間を定める抵抗器及びコンデンサを
組み合わせた構成である。
もので、トランジスタを数段カスケードに接続し、その
中にオンデイレイ時間を定める抵抗器及びコンデンサを
組み合わせた構成である。
つまり第7図のR1−R13は抵抗器、Cはコンデンサ
、TR2〜TR6はスイッチング用1−ランジスタ、T
RIは、本発明一実施例で前述した電流検出要素耳の反
転出力で開路するFET等の電子スイッチである。以上
のように構成されたモー形距離継電器において、投入指
令印加回路用の出力の反転出力により第6図に示すオン
デイレイ回路18を駆動(第7図TRIを開路)すると
、前記オンデイレイ回路18の整定を変圧器投入よる励
磁突入電流が懸念される時間より少し長い時間T4から
第2段限時タイマ時間T2を引いた時間T。にしである
ため、時間T11の開維電器の動作域はなくなり、更に
第2段限時タイマでタイマ時間分だけトリップロックさ
れる。そのため変圧器突入電流による前記モー形距離継
電器の不要応動は防止でき、本発明一実施例と同一の作
用効果が得られることは言うまでもない。以上の説明は
、モー形距離継電器の出力端に投入指令印加にて駆動さ
れるインヒビット回路及びオンデイレイ回路を有し、距
離継電器の動作域をなくす例を記述した。
、TR2〜TR6はスイッチング用1−ランジスタ、T
RIは、本発明一実施例で前述した電流検出要素耳の反
転出力で開路するFET等の電子スイッチである。以上
のように構成されたモー形距離継電器において、投入指
令印加回路用の出力の反転出力により第6図に示すオン
デイレイ回路18を駆動(第7図TRIを開路)すると
、前記オンデイレイ回路18の整定を変圧器投入よる励
磁突入電流が懸念される時間より少し長い時間T4から
第2段限時タイマ時間T2を引いた時間T。にしである
ため、時間T11の開維電器の動作域はなくなり、更に
第2段限時タイマでタイマ時間分だけトリップロックさ
れる。そのため変圧器突入電流による前記モー形距離継
電器の不要応動は防止でき、本発明一実施例と同一の作
用効果が得られることは言うまでもない。以上の説明は
、モー形距離継電器の出力端に投入指令印加にて駆動さ
れるインヒビット回路及びオンデイレイ回路を有し、距
離継電器の動作域をなくす例を記述した。
しかし、本発明は、前記実施例に限定されるものではな
い。例えば従来技術に示す第2段限時タイマを、前記モ
ー形距離継電器内に設け、そのタイマを、本発明一実施
例で示したしゃ断器投入出力で制御し、タイマ時間を励
磁突入電流tRusoが流れている時間より少し長く制
御しても、前記突入電流tausHによるモー形距離継
電器の不要応動は防止でき、本発明一実施例と同一の作
用効果が得られることは、言うまでもない。
い。例えば従来技術に示す第2段限時タイマを、前記モ
ー形距離継電器内に設け、そのタイマを、本発明一実施
例で示したしゃ断器投入出力で制御し、タイマ時間を励
磁突入電流tRusoが流れている時間より少し長く制
御しても、前記突入電流tausHによるモー形距離継
電器の不要応動は防止でき、本発明一実施例と同一の作
用効果が得られることは、言うまでもない。
又、本発明は、他に後方オフセラ!・モー形距離継電器
、前方オフセラ1−モー形継電器、リアクタンス継電器
等の一般に電圧と電流を用いる距離継電器にも適用でき
ることは言うまでもない。
、前方オフセラ1−モー形継電器、リアクタンス継電器
等の一般に電圧と電流を用いる距離継電器にも適用でき
ることは言うまでもない。
以上、詳細に説明した本発明の技術を第12図に示す距
離継電器に適用した全体構成を第8図を用いて説明する
。
離継電器に適用した全体構成を第8図を用いて説明する
。
第8図において、前記第1図及び第2図に示す記号と同
一の記号は同一の作用をすることは言うまでもない。第
8図に示す如く、入力電圧ぐは補助変成器1で適当な電
圧に変換し、入力電流iは補助変流器2で適当な電□圧
に変換する。それらの電圧は、公知の第1段リアクタン
ス形距離継電器判定部103、前記モー形距離継電器判
定部101、公知の第3段前方オフセットモー形判定部
104及び電流検出部102へは電流iからの電圧のみ
を夫々印加する。前記第1段リアクタンス判定部103
の出力はO’R回路110を介し、直接トリップ信号と
する。第2段モー形距離継電器判定部101の出力は前
記インヒビッ斥回路17と、第2段限時タイマ101と
、前記OR回路110を介して1〜リップ信号とする。
一の記号は同一の作用をすることは言うまでもない。第
8図に示す如く、入力電圧ぐは補助変成器1で適当な電
圧に変換し、入力電流iは補助変流器2で適当な電□圧
に変換する。それらの電圧は、公知の第1段リアクタン
ス形距離継電器判定部103、前記モー形距離継電器判
定部101、公知の第3段前方オフセットモー形判定部
104及び電流検出部102へは電流iからの電圧のみ
を夫々印加する。前記第1段リアクタンス判定部103
の出力はO’R回路110を介し、直接トリップ信号と
する。第2段モー形距離継電器判定部101の出力は前
記インヒビッ斥回路17と、第2段限時タイマ101と
、前記OR回路110を介して1〜リップ信号とする。
インヒビット回路17のインヒビット端子には各しゃ断
器のOR出力のOR回路13に出力が生じた後一定時間
だけインヒビッ1〜信号が与えられる。即ち、OR回路
13の出力はインヒビタ1−回路17及びオンデイレイ
回路16に与えられ、16の出力はインヒビット回路1
7のインヒビット入力となる。インヒビット回路17の
出力がインヒビット回路11の入力となる。又、第3段
前方オフセラ1〜モー形距離継電器判定部104の出力
についても前記第2段判定部と同様の制御が行われる。
器のOR出力のOR回路13に出力が生じた後一定時間
だけインヒビッ1〜信号が与えられる。即ち、OR回路
13の出力はインヒビタ1−回路17及びオンデイレイ
回路16に与えられ、16の出力はインヒビット回路1
7のインヒビット入力となる。インヒビット回路17の
出力がインヒビット回路11の入力となる。又、第3段
前方オフセラ1〜モー形距離継電器判定部104の出力
についても前記第2段判定部と同様の制御が行われる。
オンデイレイ回路105、インヒビタ1−回路106及
び第3段前方オフセラ1〜モー形継電器判定部104の
出力を制御するインヒビタ1−回路107が設けられ、
第3段限時タイマ109を通し、OR回路110を介し
て1−リップ出力とした構成としている。以上のように
構成した距離継電器において、第]段リアクタンス形距
離継量器判蔽部103は、整定距離が短いため、変圧器
投入時の励磁″突入電流によるインピーダンス軌跡は継
電器動作域に入らず不動作である。そのため、出力は直
接トリップ出力としている。又、第2段モー形距離継電
器判定部101及び第3段前方オフセラ1〜モー形距離
継電器判定部104は変圧器投入時の励磁゛突入電流に
よるインピーダンス軌跡が、継電器動作域に入るため、
それらの出力を電流検出部102とオンデイレイ回路1
6.105.′インヒビット回路17.106、第2段
判定部101出力制御用インヒビノ1−回路11、第3
段判定104出力制御用インヒビノ1〜回路107で制
御し、継電器の不要動作を防止する。この時の第2段に
かかわるオンデイレイ回路16の整定時間は、変圧器突
入電流が懸念される時、時間TXから第2段限時タイマ
の時間T2を引いた時間(To)であり、第3段オンデ
イレイ回路105の整定は前記TXから第3段限時タイ
マ時間T、を引いた時間(Tz)である。そのため、第
2段、第3段各要素で必要な時間たけ別々に1−リップ
ロックできる。以上のようにすることにより、第12図
にした距離継電器の励磁突入電流による不要応動を確実
に防止できる。又、第1図に示す一実施例においては、
変圧器投入時のモー形距離継電器の出力ロックは、第2
段限時タイマの前に置いたインヒビッ1〜回路17で実
施しているが、第9図で示す如く、インヒビッ1〜回路
112を第2段限時タイマの後へ持ってきてもよい。そ
の時のオンデイレイ回路111 の整定は励磁突入電流
が懸念される時間Txと同一となる。以上のような構成
でも本発明一実施例と同一の作用効果があることは言う
までもない。
び第3段前方オフセラ1〜モー形継電器判定部104の
出力を制御するインヒビタ1−回路107が設けられ、
第3段限時タイマ109を通し、OR回路110を介し
て1−リップ出力とした構成としている。以上のように
構成した距離継電器において、第]段リアクタンス形距
離継量器判蔽部103は、整定距離が短いため、変圧器
投入時の励磁″突入電流によるインピーダンス軌跡は継
電器動作域に入らず不動作である。そのため、出力は直
接トリップ出力としている。又、第2段モー形距離継電
器判定部101及び第3段前方オフセラ1〜モー形距離
継電器判定部104は変圧器投入時の励磁゛突入電流に
よるインピーダンス軌跡が、継電器動作域に入るため、
それらの出力を電流検出部102とオンデイレイ回路1
6.105.′インヒビット回路17.106、第2段
判定部101出力制御用インヒビノ1−回路11、第3
段判定104出力制御用インヒビノ1〜回路107で制
御し、継電器の不要動作を防止する。この時の第2段に
かかわるオンデイレイ回路16の整定時間は、変圧器突
入電流が懸念される時、時間TXから第2段限時タイマ
の時間T2を引いた時間(To)であり、第3段オンデ
イレイ回路105の整定は前記TXから第3段限時タイ
マ時間T、を引いた時間(Tz)である。そのため、第
2段、第3段各要素で必要な時間たけ別々に1−リップ
ロックできる。以上のようにすることにより、第12図
にした距離継電器の励磁突入電流による不要応動を確実
に防止できる。又、第1図に示す一実施例においては、
変圧器投入時のモー形距離継電器の出力ロックは、第2
段限時タイマの前に置いたインヒビッ1〜回路17で実
施しているが、第9図で示す如く、インヒビッ1〜回路
112を第2段限時タイマの後へ持ってきてもよい。そ
の時のオンデイレイ回路111 の整定は励磁突入電流
が懸念される時間Txと同一となる。以上のような構成
でも本発明一実施例と同一の作用効果があることは言う
までもない。
さらに第10図は本発明による距離継電器の他の実施例
である。本実施例は測距用の電圧信号の増幅度を変化さ
せ、動作リーチを変化(減少)させるものである。図中
の符号は第1財に対応している。113は可変増幅回路
であって補助変成器1と整定回路8との間に接続され、
投入指令印加回路によって駆動するよう構成されている
。その他の構成は、第1図よりインヒビツト回路11を
削り除し、オンデイレイ回路10の出力をそのまま継電
器出力とした構成である。
である。本実施例は測距用の電圧信号の増幅度を変化さ
せ、動作リーチを変化(減少)させるものである。図中
の符号は第1財に対応している。113は可変増幅回路
であって補助変成器1と整定回路8との間に接続され、
投入指令印加回路によって駆動するよう構成されている
。その他の構成は、第1図よりインヒビツト回路11を
削り除し、オンデイレイ回路10の出力をそのまま継電
器出力とした構成である。
一方、第11図は可変増幅回路113の構成図であって
、反転増幅器を2段カスケードに接続しており、Leな
いしRanば抵抗、IC3,IC,は演算増幅器、TR
,、はFETスイッチであって投入指令印加回路12の
信号によって駆動される。
、反転増幅器を2段カスケードに接続しており、Leな
いしRanば抵抗、IC3,IC,は演算増幅器、TR
,、はFETスイッチであって投入指令印加回路12の
信号によって駆動される。
この場合も投入指令印加回路の信号によって前記変圧器
励磁突入電流の継続中は第11図々示可変増幅回路のF
ETスイッチをオンして抵抗Lc を側路し、その結果
、可変増幅回路18の増幅率は、となり、入力電圧ぐに
よる電圧に2りはnK7京となる。換鱈すればに2V一
定と考えると、電流iによる電圧に11が山スになるこ
とを意味し、動作り一チは第12図に示す如く十となる
。
励磁突入電流の継続中は第11図々示可変増幅回路のF
ETスイッチをオンして抵抗Lc を側路し、その結果
、可変増幅回路18の増幅率は、となり、入力電圧ぐに
よる電圧に2りはnK7京となる。換鱈すればに2V一
定と考えると、電流iによる電圧に11が山スになるこ
とを意味し、動作り一チは第12図に示す如く十となる
。
以上のような構成でも本発明一実施例と同一の作用効果
があることは、言うまでもない。
があることは、言うまでもない。
以」二本発明−実施例に於いては、しゃ断器投入信号を
用いているがしゃ断器のパレット信号を用いても同一作
用効果があることは言うまでもない。
用いているがしゃ断器のパレット信号を用いても同一作
用効果があることは言うまでもない。
この時の第2図に示すオンデイレイ回路16の時間は、
第1図に示す実施例の時間よりパレット信号送出分だけ
短いものとなる。
第1図に示す実施例の時間よりパレット信号送出分だけ
短いものとなる。
以上動作判定をアナログ演算にて行う距離継電器につい
て説明したが、系統の電圧及び電流をアナログ/デジタ
ル変換後、デジタル演算により動作判定を行うデジタル
モー形距離継電器においても、前記モー形距離継電器と
同様の適用が可能である。
て説明したが、系統の電圧及び電流をアナログ/デジタ
ル変換後、デジタル演算により動作判定を行うデジタル
モー形距離継電器においても、前記モー形距離継電器と
同様の適用が可能である。
第13図はデジタル形距離RYのブロック図で第14図
はその演算フローチャー1−である。第13図に示す如
く、入力変成器20及び入力変流器21にて適当な電圧
に変換された入力電圧立及び入力電流1−16= は次段のアナログ/デジタル変換回路22によりアナロ
グ/デジタル変換され、デジタル演算部23に導入する
。さらに各しゃ断器の投入指令もデジタル演算部に導入
する。デジタル演算部23においては、第14図フロー
チャートに示す如<、5teplにて入力電圧夏、入力
電流iを読み込み、5tep 2において前記電流iに
比例した電圧に、i及び前記入 。
はその演算フローチャー1−である。第13図に示す如
く、入力変成器20及び入力変流器21にて適当な電圧
に変換された入力電圧立及び入力電流1−16= は次段のアナログ/デジタル変換回路22によりアナロ
グ/デジタル変換され、デジタル演算部23に導入する
。さらに各しゃ断器の投入指令もデジタル演算部に導入
する。デジタル演算部23においては、第14図フロー
チャートに示す如<、5teplにて入力電圧夏、入力
電流iを読み込み、5tep 2において前記電流iに
比例した電圧に、i及び前記入 。
力電圧夏に比例した電圧に2 V 、に3 Vとから(
K、 t−に7.Q)とに3りの内積を求める。その後
5tep 3にて各しゃ断器の投入指令が出たと判断し
た場合、5tep41こで出力をロックするように演算
しても本発明一実施例と同一の作用効果が得られること
は言うまでもない。
K、 t−に7.Q)とに3りの内積を求める。その後
5tep 3にて各しゃ断器の投入指令が出たと判断し
た場合、5tep41こで出力をロックするように演算
しても本発明一実施例と同一の作用効果が得られること
は言うまでもない。
第15図はさらに他の実施例における演算処理を示すフ
ローチャー1−である。5tep 1ては電圧、電流の
読み込み処理が行なわれる。5tep 2においてはし
ゃ断器投入指令が出たかを確認する。もしなければ5t
ep 3 へ進み、電流iに比例した電圧に、i、入力
電圧Ωに比例した電圧に、?及びに3Vとから(KII
K2Ω)とに3Ωの内積を求める。この場合は通常
の距離特性が得られる。
ローチャー1−である。5tep 1ては電圧、電流の
読み込み処理が行なわれる。5tep 2においてはし
ゃ断器投入指令が出たかを確認する。もしなければ5t
ep 3 へ進み、電流iに比例した電圧に、i、入力
電圧Ωに比例した電圧に、?及びに3Vとから(KII
K2Ω)とに3Ωの内積を求める。この場合は通常
の距離特性が得られる。
一方、5tep 2においてしゃ断器投入指令が出たこ
とを確認した場合、5tep 5においてKzVをnK
2窒にし、前記したように動作域を狭めた距離特性とす
る。
とを確認した場合、5tep 5においてKzVをnK
2窒にし、前記したように動作域を狭めた距離特性とす
る。
このように演算しても本発明一実施例と同一の作用効果
が得られることは言うまでもない。
が得られることは言うまでもない。
以上説明した如く、本発明によれば変圧器励磁突入電流
による影響のある時間だけ継電器の保護範囲をなくすよ
う構成したので変圧器励磁突入電流における距離継電器
の不要応動が簡便かつ確実に防止でき、信頼性の高い距
離継電器を提供できる。
による影響のある時間だけ継電器の保護範囲をなくすよ
う構成したので変圧器励磁突入電流における距離継電器
の不要応動が簡便かつ確実に防止でき、信頼性の高い距
離継電器を提供できる。
第1図は本発明のモー形距離継電器の一実施例を示すブ
ロック図、第2図は、第1図における投入指令印加回路
を示す図、第3図(イ)〜(ニ)は第2図における作用
を示す図、第4図は、第1図における継電器特性を示す
図、第5図は1、第4図に示す継電器特性と変圧器突入
時のインピーダンス軌跡を示す図、第6図は、他の実施
例におけるモー形距離継電器を示す図、第7図は第6図
に示すバイパス形オフデイレイ回路を示す図、第8図は
、他の実施例における距離継電器のブロック図を示す図
、第9図は、更に他の実施例における距離継電器を示す
図、第10図は本発明による他の実施例のブロック構成
図、第11図は第10図に用いられる可変増幅回路図、
第12図は第10図の継電器特性図と変圧器投入時のイ
ンピーダンス軌跡を示す同第13図は、他の実施例にお
けるデジタルモー形距離−ト、第16図は、変圧器後備
保護に用いられる距離継電器の特性を示す図、第17図
は、第16図の距離継電器を適用した系統を示す図、第
18図は変圧器の励磁突入電流を示す波形図である。
1・・補助変成器 2・・・補助変流器3・
・・メモリ回路 4,8・・・方形波変換回路5
・・・移相回路 16・・・ベクトル合成回路=
19− 7・・・整定回路 10.16,18,105,108,109,111・
・・オンデイレイ回路101・・・モー形距離継電器判
定部 103・・・第1段リアクタンス形距離継電器判定部1
04・・・前方オフセットモー形距離継電器代理人 弁
理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 −20= ロ ぐ 11 ”Σ、−一一 ゝ(−一〜、−一一一′ αコ トト °) ゛1 第13図 第14図
ロック図、第2図は、第1図における投入指令印加回路
を示す図、第3図(イ)〜(ニ)は第2図における作用
を示す図、第4図は、第1図における継電器特性を示す
図、第5図は1、第4図に示す継電器特性と変圧器突入
時のインピーダンス軌跡を示す図、第6図は、他の実施
例におけるモー形距離継電器を示す図、第7図は第6図
に示すバイパス形オフデイレイ回路を示す図、第8図は
、他の実施例における距離継電器のブロック図を示す図
、第9図は、更に他の実施例における距離継電器を示す
図、第10図は本発明による他の実施例のブロック構成
図、第11図は第10図に用いられる可変増幅回路図、
第12図は第10図の継電器特性図と変圧器投入時のイ
ンピーダンス軌跡を示す同第13図は、他の実施例にお
けるデジタルモー形距離−ト、第16図は、変圧器後備
保護に用いられる距離継電器の特性を示す図、第17図
は、第16図の距離継電器を適用した系統を示す図、第
18図は変圧器の励磁突入電流を示す波形図である。
1・・補助変成器 2・・・補助変流器3・
・・メモリ回路 4,8・・・方形波変換回路5
・・・移相回路 16・・・ベクトル合成回路=
19− 7・・・整定回路 10.16,18,105,108,109,111・
・・オンデイレイ回路101・・・モー形距離継電器判
定部 103・・・第1段リアクタンス形距離継電器判定部1
04・・・前方オフセットモー形距離継電器代理人 弁
理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 −20= ロ ぐ 11 ”Σ、−一一 ゝ(−一〜、−一一一′ αコ トト °) ゛1 第13図 第14図
Claims (1)
- 電力系統から取り入れた電圧及び電流を導入し、事故
点までの距離に応じて動作する距離継電器において、し
や断器の制御信号またはしや断器の開閉状態に対応した
信号を用い、しや断器が投入された状態に変化した後、
所定の時間内のみ前記継電器の動作域を制御することを
特徴とする距離継電器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9020188A JPH01264531A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 距離継電器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9020188A JPH01264531A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 距離継電器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264531A true JPH01264531A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=13991874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9020188A Pending JPH01264531A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 距離継電器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264531A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04119968A (ja) * | 1989-11-02 | 1992-04-21 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH04214098A (ja) * | 1990-03-29 | 1992-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
| JPH06239695A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザー蒸着膜作製用ターゲット |
-
1988
- 1988-04-14 JP JP9020188A patent/JPH01264531A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04119968A (ja) * | 1989-11-02 | 1992-04-21 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH04214098A (ja) * | 1990-03-29 | 1992-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
| JPH06239695A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザー蒸着膜作製用ターゲット |
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