JPH04119968A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導体の製造方法

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JPH04119968A
JPH04119968A JP2297937A JP29793790A JPH04119968A JP H04119968 A JPH04119968 A JP H04119968A JP 2297937 A JP2297937 A JP 2297937A JP 29793790 A JP29793790 A JP 29793790A JP H04119968 A JPH04119968 A JP H04119968A
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央二 小山
Hiroyuki Fujimoto
浩之 藤本
Toru Shiobara
融 塩原
Naoki Koshizuka
直己 腰塚
Shoji Tanaka
昭二 田中
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KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方
法に関し、特に、超電導相内部に微細なRE2BaCu
O5が均一に分散している酸化物超電導体の製造方法に
関するものである。
(従来の技術) 臨界温度(Tc)が90Kを越えるYBaCuO系酸化
物超電導体の発見によって液体窒素を冷却剤として使用
することが可能になった。この結果、全世界的に実用化
の研究が展開されてきている。
しかし、現在までのところ実用上最も重要な臨界電流密
度(J c)が低いために液体窒素雰囲気での実用化に
は至っていない。
ところが、最近になって溶融状態から超電導相を生成さ
せることによって、1テスラ(T)という高い磁場中に
おいてもl[)00(IA/cjを越える臨界基fi密
度が得られるようになってきており(M。
Murakasi  et al、、  Japane
se Journal  orAppliedPhys
ics、 vol、29.1989. pH89) 、
実用レベルに近い臨界電流密度が得られるようになって
きている。
この方法は、超電導相(Y B a 2 Cu 30 
x )がY2BaCuO5(以下211相と略す)と液
相との包晶反応によって生成することに着目し、211
相を微細かつ均一に液相中に分散させる工夫を行うこと
によって超電導相の成長を促すと共に、超電導相中にピ
ンニングセンターとなりうる211相を分散させること
にも成功している。211相の均一微細分散化のために
は、211相の生成核となるY2O,相を微細分散させ
るため1200℃以上の高温に急速加熱した後、急冷す
る処理を行っている。
しかしながら、上記従来の技術手段では、1200℃以
上に加熱した場合、Y2O,は凝集粗大化する傾向にあ
り、また液相よりも蚤いため沈むので、Y2O3の均一
分散化が難しいという問題があった。また、急冷した材
料の形状の制限から、任意の形状の成形体の製造が困難
であった。
(発明か解決しようとする課8) 本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
あって、目的とするところは、超電導相内部に微細なR
E2BaCuOsが均一に分散している酸化物超電導体
を製造する技術を提供することにある。
さらに、本発明は臨界電流密度が高く、かつむらがない
と共に、機械的特性や熱的安定性にすぐれた任意形状の
酸化物超電導体を製造することを目的とする。
(課題を解決するだめの手段) 前記目的を達成するために、本発明は、REBa−Cu
−0系酸化物超電導体(REはYを含む希土類元素)を
生成するための原料粉あるいは通常の焼結法で作製した
材料を、高温に加熱し、加熱された材料を凝固させるた
めに冷却し、凝固した材料を粉砕し、REBaCuO系
の原材料粉混合物を1050℃もしくはそれ以上に再加
熱したときにRE2O3あるいはRE2 B a Cu
 O%相が液相中に微細かつ均一に分散するようにこの
粉砕材混合物を所望の形状に成形し、前記粉砕材を十分
に撹拌混合し、そしてこの成形体に再加熱処理を施して
超電導相を成長させること、を特徴とする。
さらに、本発明は、RE−Ba −Cu −0系酸化物
超電導体の原料のみを加熱し、加熱された材料を冷却し
凝固し、凝固した材料を粉砕してその粉体を混合する段
階で銀もしくは酸化銀を添加し、このようにして銀もし
くは酸化銀の微細分散した前駆体を作製し、この混合物
(前駆体)を所定の形状に成形し、この成形体を再加熱
処理して超電導相を成長させること、を特徴とする。
(作  用) 第1図(擬二元系状態図)に示すように、超電導相は2
11相と液相(Bad、あるいはBaCuO2とCub
)の反応によって生成することが知られている(M、 
Murakami et at、。
Japanese Journal orApplie
d Physjcs、 vol、2g 。
1989、 l、399)。
超電導相を連続的に成長させるためには、211相と液
相が両方供給される必要がある。そこで、211相か微
細かつ均一に液相中に分散していることが必要である。
この均一分散化の一つの方法として、211相の生成の
核となるRE2O3を液相中に均一に分散させた組織を
冷却して固相に持ち来たらしめ、これを再加熱すること
によって211相を生成させることが考えられる。従来
の技術では、第1図のRE2O3と液相りの安定領域に
急速に加熱した後急冷凝固することによって、このよう
な組織を得ていた。しかし、前述したようにY2O,は
凝集粗大化しやすく、均一に分散した組織が得られにく
いという問題かあり、従来技術による製品は部分的には
均一であるが、全体としては不均一なものであった。
ところが、本発明者の研究により急冷状態で不均一な領
域を含んでいても、急冷したままの状態よりもRE2O
3かより均一に分散した状態を得ることか可能であるこ
とが判明した。
すなわち、RE20□が不均一に分散した急冷凝固体を
粉砕、混合してRE2O3を機械的に均一分散せしめる
と、この状態で211相が生成する温度領域(1050
〜1200℃)に再加熱することにより、より均一に発
達した超電導組織が得られることがわかった。また、部
分的に液相を呈する高温領域に加熱された材料の高温組
織を急冷してそのまま凝固させることは不必要であるこ
ともわかった。すなわち、たとえば、その固液共存状態
の加熱された材料を坩堝に入れて置いて大気中で放冷さ
れるのであっても、RE2O3の均一分散を目的とする
粉砕と機械的な混合を凝固後に行うかぎり、急冷凝固の
場合と同一の組織が得られうるのである。
そこて、RE2O3と液相の共存領域すなわち1200
℃以上の領域に加熱した後急冷あるいは放冷したものを
、粉砕して0.1μ〜50μの粒径とし、RE2O3が
微細かつ均一に分散するまで良く撹拌混合し、任意の形
状の成形体を作製した後、211相が生成する温度領域
すなわち1050〜1200℃の温度領域に再加熱する
と、粉砕しなかった場合に比べて、211相か液相中に
はるかに均一に分散した組織が得られる。この状態から
超電導相が生成する950〜1000℃の温度領域まで
徐冷すると、超電導相のよく発達した、かつその内部に
微細な211相が均一に分散した酸化物超電導体を作製
することができる。
また、第1図の211相と液相りの共存領域に加熱後冷
却した場合には、急冷もしくは空冷のままの組織は、R
E2O3相と液相の共存領域から冷却した場合よりは不
均一となるが、この場合もその後粉砕して機械的に混合
することにより211相が均一に分散した組織が得られ
る。この混合粉を再加熱して超電導相を成長させると、
超電導相がよく発達し、かつその内部に微細な211相
が均一に分散した酸化物超電導体を前述の方法と同様に
作製することができる。どちらの場合(RE203相利
用も口利用211相利用)でも、30000A/c−も
しくはそれ以上の極めて高い臨界電流密度(J c)を
得ることができる。
このように、本発明によると比較的簡単に211相の均
一に分散した前駆体か得られるうえ、いろいろな成形体
を二相領域法により作製することが可能となる。
次に、本発明に係る製造方法の手順について具体的に説
明する。
〔工程 ■〕
Y2O,、HO20,などのRE20hの原料粉とBa
CO3、CuOなどの原料粉からなるRE−Ba −C
u −0系超電導材料の原料粉を、1200℃以上15
00℃以下の温度範囲で1〜60分間保持してRE2O
3相と液相(Bad。
BaCuO2+CuOなどで構成されている)を生成せ
しめるか、または1050〜1200℃の温度範囲で1
5分〜60分間保持して211相と液相を生成せしめる
〔工程 ■〕
上記の固液共存領域の材料を、空冷、または空冷と同等
以上の冷却速度で冷却して凝固させる。
〔工程 ■〕
こうして得られた凝固材をそれぞれ粉砕して0.1〜5
01tmの粒径とし、再加熱後にRE2O3相または2
11相と液相の各成分が均一に分散するように、充分に
撹拌混合して微細混合粉を形成し、かかる粉体を所望の
形状に成形する。
〔工程 ■〕
ついで、上記成形体を211相が生成する1050〜1
200℃の温度範囲に加熱し、その温度に15〜60分
間保持し、その温度から1000℃/hrの、IO〜1
000℃/hrの冷却速度で冷却し、さらに950℃/
hrの、0.2〜b 〔工程 ■〕 その後、950℃より室温までは任意の冷却条件・方法
で冷却する。必要に応じて、材料への酸素導入付加のた
めに材料を、酸素富化雰囲気下において、600〜20
0℃の温度範囲で2〜200時間保持するか、もしくは
最高600℃、最低200℃の温度範囲を2〜200時
間をかけて実質的に徐冷して、その後は任意の冷却速度
で冷却するという熱処理をしてもよい。
超電導材料を実際に応用するには、多くの場合、臨界電
流密度だけでなく、機械的特性や安定性などが要求され
る。酸化物超電導体は本質的にはセラミックスと同様に
靭性が低いという特性を有しており、その単結晶などで
もへき開しやすいことが報告されている。液相中におけ
る211相の分散は、このようなりラックの発生を抑え
るという効果をも有しているが、やはり材料がセラミッ
クスの一種であるため、前記の効果には限界があり、材
料全体としてのクラック防止効果としては、はなはだ不
満足なものである。
一方、超電導材料ではよく熱的な安定性か問題となる。
すなわち、何らかの原因で超電導体の一部が常電導とな
って熱か発生した時、冷却剤によって速やかに熱が除去
されないと、常電導部が超電導体全体に拡大し、超電導
状態か破れてしまうのである。
従来の超電導線(金属系超電導体)では、熱伝導性に優
れた銅との複合体を作り込むことでこの問題を解決して
いる。
セラミックスだけではやはり熱的安定性の問題かあるの
で、酸化物超電導体においては、機械的特性および熱的
安定性の向上を行なうために、金属との複合体を作るこ
とか考えられている。例えば、銀シースの中に超電導粉
を詰めて線引き加工する方法が用いられているか、線径
が充分細ければ銀の強度で線としての形状を保つことが
できる。
また、銀は熱電導性に優れたいるため熱的な安定性を向
上させる効果をも有している。
これに対して酸化物超電導体内に、直接銀を添加するこ
とが、例えば溶解法による添加として、METALLL
IRGICAL TRANSACTION A  (v
ol、21A、 Jan。
1990.257〜260頁)に開示されており、また
、焼結法においても試みられたことの報告があるが、こ
れらの方法では、マトリックスに銀か粗大に偏析してお
り(前記文献に示されたPig、  5のミクロ写真で
は、はぼ50〜100 lIAの銀が偏析している。)
十分な超電導特性が得られない。
本発明者らは、銀かマトリックスの超電導特性を劣化さ
せないという利点を有し、熱電導性にも優れていること
に着眼し、銀をうまく超電導体内に分散できれば熱的安
定性の向上を図ることか可能になること、さらに、マト
リックス内へ微細分散すれば、分散した銀の変形によっ
て歪を緩和することができるため機械的特性をも向上さ
せることが可能となることを見出した。すなわち、本発
明者らは、前述の固相液相共存領域への加熱−冷却・凝
固−粉砕・混合−再加熱という工程の中で、液相中に2
11相の分散を維持したまま、銀をマトリックス中に微
細分散させることにより、酸化物超電導体の機械的特性
および熱的安定性を向上せしめることに成功したのであ
る。
次に、その工程を具体的に説明する。
REBaCuOの原料粉を適当な比で調製したのち、1
200℃以上に加熱し、冷却・凝固せしめ、その凝固し
た材料を粉砕し、この粉体にAg2OまたはAgを添加
して混合する。そして、この混合物を成形し、1050
〜1200℃に再加熱し、その温度から1000℃/h
rの冷却し、さらに、1000℃から950℃/hrの
徐冷するものである。
上記の方法によれば、第2図に示すように銀か超電導マ
トリックスの中に微細に分散したREBa−Cu−0系
酸化物超電導体を作製することが可能となり、しかも所
望の形状の成形体を作製することができる。
第2図(a)は光学顕微鏡組織であり、超電導相内に2
11相が微細に分散していることがわかる。
同図(b)も同様な顕微鏡組織であるが超電導相内に銀
が微細(平均粒径はほぼ5如)に分散していることを示
している。本発明の銀の分散は、従来の組織におけるそ
れが50〜100za+aである(従ってクラックの発
生を有効に阻止できない)のに比し、はるかに微細であ
ることがわかる。このような銀の微細分散化によりクラ
ックの生成か抑えられるうえ、超電導体の熱伝導性が向
上するため、熱的安定性の向上が得られる。また、微細
分散した銀が新たなピン止め点として働くという効果を
も付与することができる。
本発明者らはまた、RE2O3あるいは211相を、溶
融状態である液相(第1図)に後から添加することによ
って、超電導相を形成することか可能であるという知見
を得た。第3図よりBaCuO2とCub、の共晶を利
用すれば約900℃で液相が得られることかわかる。こ
の状態から超電導相が生成する温度領域(1000〜9
50℃)を徐冷すると超電導相がよく発達し、かつその
内部に211相が分散した酸化物超電導体を作製するこ
とかできる。
すなわち、BaCO3,CuO等の原材料粉を混合した
後、900℃前後で仮焼し、次いで950〜1200℃
の温度範囲に加熱して溶融せしめ、その溶融物にRE2
O3の粉体を添加して所定時間保持したのち冷却するも
ので、線材などの連続的長尺物を低温域で形成するのに
適している。この場合でも2000OA/cdという高
い臨界電流密度(J o)を得ることができる(実施例
5.6参照)。
あるいは、あらかしめREBaCuO系の原材料粉を混
合し、その混合体を予備焼結し、この焼結体を1050
〜1200℃の温度範囲に再加熱して211相を形成し
ておき、別途、BaCO3、CuOの原材料粉を混合し
仮焼し、1100℃前後の温度に加熱してこの混合物を
溶融し、得られた溶融体へ前記211相を添加し、所定
時間保持後に冷却するという手順も採用可能である(実
施例7参照)。
(実施例1) 本実施例1の酸化物超電導体は、第4図(プロセスの模
式図)に示す方法により作製された。すなわち、Y2O
,、BaCO3、CuOを原材料粉として陽イオンの比
がほぼ1:2:3となるように混合し、900℃で24
時間仮焼したのち、1400℃に10分間加熱し、銅製
のハンマーを用いて急冷した。急冷した材料を粉砕して
0,1μ〜50μの粒径とし、RE2O3が微細かつ均
一に分散するまで良く撹拌混合し、その後直径30m層
、高さ3011のベレットに成形し、再び1100℃に
30分間再加熱したのち、1000℃/hrの100℃
/時(hr)で冷却してから5℃/hrで950℃/h
rの徐冷したのち炉冷した。
さらに酸素を充分富化させるため、−気圧の酸素中で6
00℃で1時間保持した。
この試料は、ゼロ抵抗温度が93にであり、磁化#J定
によると、77に、  1テスラ(T)で30000A
 / cシの高い臨界電流密度を示した。これは、粉砕
混合せずに作製した場合の100OOA/c−よりもは
るかに高い臨界電流密度である。
(実施例2) 本実施例2の試料は、実施例1と同様に予備調製(原材
料粉を混合して仮焼)し、白金坩堝に入れ1300℃に
20分加熱し、炉から取り出してそのまま空気中で放冷
し、この冷却した塊を粉砕し、この粉体を充分に混合し
たのち直径10關のベレットに成形し、このベレットを
1150℃に再加熱し、1000℃/hrの50℃/h
rて冷却してから2℃/hrで950℃/hrの徐冷し
たのち炉冷して作製した。この試料はゼロ抵抗温度が9
3TCであり、磁化測定によると77に、ITで250
00A/cdの高い臨界電流密度を示した。
(実施例3) 本実施例3の酸化物超電導体は、第5図(プロセスの模
式図)に示す方法により作製された。すなわち、Ho2
0* 、BaCO3、CuOの粉体をHo:Ba:Cu
の比が1 :2:3となるように混合し、この混合体を
1150℃で1時間保持した後に空冷し、その誤、冷却
された材料をジェットミルにより粉砕し、混合したのち
等方圧力(CIP)装置により直径10!11+長さ5
0I+mの棒状の試料に成形し、1100℃に30分間
再加熱してから、1000℃/hrの50℃/hrで冷
却した後、20℃/cmの温度勾配のなかで1000℃
から950℃/hrの棒を移動させながら徐冷した。こ
れにより超電導相は一方向に成長した・この材料の臨界
電流密度CJ)6)をパルス電流電源をもちいて四端子
法により測定したところ77に、ITで33000A/
cシの値が得られた。
また、前記ジェットミルによる粉砕で得られた粉体を充
分に混合したのち、例えばゴム、銅、銀等の可撓管に充
填し、その可撓管を棒状、コイル状等の所定の形状に形
成して、それを等方圧力(CI P)装置により棒状、
コイル状等の所定の形状の試料に成形することかできた
なお、Hoサイトを他のランタナイド元素で置換しても
、従来の超電導体より高いJcの値が得られた。それら
の結果を第1表に示す。
第 表 以上の説明かられかるように、前記実施例1〜3によれ
ば、RE−Ba −Cu−0系酸化物超電導体(REは
Yを含む希土類元素)において、超電導相内部に微細な
RE2BaCuO1が均一に分散していることから臨界
電流密度が高い酸化物超電導体を得ることができる。
(実施例4) RE2O3,BaCO3,CuOの各粉体をRE:Ba
:Cuの比が1.4: 2 : 3となるように混合し
、950℃で24hr空気中で予備焼結を行なった。な
お、REとしては第2表に示すようなY、Ho、SIl
、Er、Eu、Gd、Dy、NdT+a、Ybの適当な
混合比を選んだ。予備焼結体はアルミするつぼで130
0℃で、20m1n加熱後銅製の板で挟んで急冷した。
次に、冷却された材料を粉砕し、重量比で0.1だけA
gを添加し、よく混合した。その後この混合体を108
0℃で30m1n加熱後1000℃/hrの80℃/h
rの速度で冷却したのち、950℃/hrのは2℃/h
rの速度で冷却して空中に取り出し放冷した。冷却され
た材料は、550℃で1hr酸素気流中で加熱し、その
後は炉冷した。
磁化測定によるといずれの試料も77に、ITで270
00 A/cd以上の臨界電流密度Jcを示した。
地上1mからの煉瓦上への落下試験をしたところ、いず
れの試料にも破損が認められなかった。また、液体窒素
浸漬による熱伝導を測定した。
液体窒素に浸すとバブリングが起きるが、浸漬からバブ
リングが停止する(バブリングは超電導体が液体窒素温
度に達すると停止する)までの時間を測定することによ
って、熱伝導の相対比較が可能となる。銀添加した試料
では、銀無添加の試料に比してこの時間3/4であり、
また、液体窒素温度から取り出して、磁石の上での浮上
時間を測定すると浸漬実験と同様に、銀添加した試料の
方が保持時間が3/4であって、いずれも熱伝導度か向
上したことを示している。
(実施例5) BaCO3とCuOを原材料粉として陽イオンの比かほ
ぼ2:3となるように準備し、BaCO3とCuOを混
合し、′900℃で12時間予備焼結した後、1100
℃に再加熱したところに、原材料としてのY2O,の粉
体を添加し、その混合物をその温度に20分保った後、
1000℃/hrの100℃/hrで冷却してから5℃
/hrて950℃/hrの徐冷したのち炉冷した。さら
に、材料に酸素を十分富化させるため、1気圧の酸素中
で600℃で1時間加熱後炉冷した。この試料はゼロ抵
抗温度が93にであり、磁化測定によると77に、IT
て220(t。
A / c−の臨界電流密度を示した。
(実施例6) B a CO3とCuOとを作成し、これらを原材料粉
として両者の質量比かほぼ3.8となるように混合し、
銀(Ag>テープの上にこの混合粉を載置し、950℃
で1時間加熱して該混合粉を溶融状態とし、その後95
0℃に保持しつつY2O,粉を前記溶融状態物中に添加
し、ついて50℃/hrで300℃/hrの除冷し、3
00℃からは放冷して、超電導相(YBa2CLI30
X )を生成せしめた。この銀テープの超電導体試料は
、4端子法による測定において、77に、ゼロ磁場の臨
界電流密度は2100OA/c−を示した。
(実施例7) Y203 、BaCO3とCuOを原材料粉として陽イ
オンの比かほぼ1:2:3となるように混合し、900
℃で24時間予備焼結した後、1050℃に急速加熱し
てから急冷して211相を準備し、次に、BaCO5と
CuOを原材料粉として比がほぼ3:5となるように混
合し900℃で12時間予備焼結した後、1100℃に
再加熱したところに準備された211相を添加し、20
分保った後、1000℃/hrの100’C/hrで冷
却してから5℃/hrで950℃/hrの冷却したのち
炉冷した。さらに酸素を十分富化させるため、1気圧の
酸素中で600℃で1時間加熱後炉冷した。
この試料は、ゼロ抵抗温度が93にであり、磁化測定に
よると、77に、ITで23000A/cdの臨界電流
密度を示した。
(効  果) 以上のように、本発明によれば、臨界電流密度の高い酸
化物超電導体、また、これに加えて機械的特性や熱的安
定性にも優れた酸化物超電導体を製造することが可能で
あり、産業の発達に多大の寄与をなすことか期待される
【図面の簡単な説明】
第1図は、RE −Ba −Cu −0系酸化物超電導
体(REはYを含む希土類元素)における擬二元系状態
図、 す顕微鏡写真、 第3図はB a O,Cu OX系の状態図、第4図は
、実施例1のY−Ba −Cu −0系酸化物超電導体
の製造プロセスを示す模式図、第5図は、実施例3のR
E−Ba −Cu −0系酸化物超電導体の製造プロセ
スを示す模式図である。 出 願 人 復代理人 新日本製鐵株式会社

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)RE−Ba−Cu−O系酸化物超電導体(REは
    Yを含む希土類元素)を形成するための原材料粉混合体
    を部分的に液相を呈する高温領域に加熱し、この加熱さ
    れた材料を冷却して凝固状態の材料を形成し、この凝固
    した材料を粉砕し混合して組織を均一に分散し、この混
    合粉を所定の形状に成形し、その成形体を部分的に液相
    を呈する高温領域に再加熱して超電導相を成長させるこ
    とを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
  2. (2)前記の原材料粉混合体を1200℃以上に加熱し
    てRE_2O_3相と液相とを形成し、しかる後に冷却
    することを特徴とする請求項1の酸化物超電導体の製造
    方法。
  3. (3)前記の原材料粉混合体を1050℃から1200
    ℃の温度領域に加熱してRE_2BaCuO_5相と液
    相とを形成し、しかる後に冷却することを特徴とする請
    求項1記載の酸化物超電導体の製造方法。
  4. (4)前記のRE_2O_3相と液相とからなる加熱さ
    れた材料を冷却して凝固した後、この凝固した材料を粉
    砕して混合し、この混合粉を所定の形状に成形し、この
    成形体を1050℃から1200℃の温度領域に再加熱
    してRE_2BaCuO_5相と液相とを形成し、この
    再加熱した材料を10〜1000℃/hrの冷却速度で
    1000℃まで冷却し、0.2〜20℃/hrの冷却速
    度で950℃まで冷却してしかる後に任意の冷却速度で
    室温まで冷却することを特徴とする請求項2記載の酸化
    物超電導体の製造方法。
  5. (5)前記のRE_2BaCuO_5相と液相とからな
    る加熱された材料を冷却して凝固した後、この凝固した
    材料を粉砕して混合し、この混合粉を所定の形状に成形
    し、この成形体を1050℃から1200℃の温度領域
    に再加熱してRE_2BaCuO_5相と液相とを再び
    形成し、この再加熱した材料を10〜1000℃/hr
    の冷却速度で1000℃まで冷却し、0.2〜20℃/
    hrの冷却速度で950℃まで冷却してしかる後に任意
    の冷却速度で室温まで冷却することを特徴とする請求項
    3記載の酸化物超電導体の製造方法。
  6. (6)前記のRE−Ba−Cu−O系の原材料粉混合体
    を予備仮焼の後に高温領域に加熱することを特徴とする
    請求項1記載の酸化物超電導体の製造方法。
  7. (7)室温まで冷却した後に、その製造物を酸素富化雰
    囲気下で600℃から200℃の温度領域で2時間から
    200時間保持することを特徴とする請求項4記載の酸
    化物超電導体の製造方法。
  8. (8)室温まで冷却した後に、その製造物を酸素富化雰
    囲気下で600℃から200℃の温度領域で2時間から
    200時間保持することを特徴とする請求項5記載の酸
    化物超電導体の製造方法。
  9. (9)前記のRE−Ba−Cu−O系の原材料粉はRE
    _2O_3,BaCO_3,CuOの粉体からなること
    を特徴とする請求項1記載の酸化物超電導体の製造方法
  10. (10)前記のRE−Ba−Cu−O系の原材料粉混合
    体は1050℃以上に加熱され、冷却・凝固され、粉砕
    され、酸化銀もしくは銀と混合され、成形され、しかる
    後に再加熱されることを特徴とする請求項記載1の酸化
    物超電導体の製造方法。
  11. (11)RE−Ba−Cu−O系の原材料粉のうちのB
    aCO_3とCuOの粉体を混合し、この混合物を約9
    00℃で仮焼し、この混合物を1000℃から1200
    ℃の温度範囲に加熱して溶融し、この溶融物にRE_2
    O_3もしくはRE_2BaCuO_5の粉体を添加し
    、この混合体を前記の温度で所定時間保持し、この材料
    を10〜1000℃/hrの冷却速度で1000℃まで
    冷却し、0.2〜20℃/hrの冷却速度で950℃ま
    で冷却してしかる後に任意の冷却速度で室温まで冷却す
    ることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
  12. (12)前記のRE_2BaCuO_5の粉体は、RE
    −Ba−Cu−O系の原材料粉を混合し、この混合体を
    予備焼結し、この焼結体を1050℃から1200℃の
    温度領域に再加熱して211相を形成し、この材料を冷
    却して凝固し、この凝固した材料を粉砕する方法によっ
    て作製することを特徴とする請求項11記載の酸化物超
    電導体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01264531A (ja) * 1988-04-14 1989-10-20 Toshiba Corp 距離継電器
US5413988A (en) * 1993-04-16 1995-05-09 International Superconductivity Technology Center Method for manufacturing an oxide superconductor thin film and a target for use in the method
US5849668A (en) * 1996-06-21 1998-12-15 Dowa Mining Co., Ltd. Oxide superconductor and method for manufacturing the same
US6172007B1 (en) 1996-06-21 2001-01-09 Dowa Mining Co., Ltd. Oxide superconductor

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