JPH01264647A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPH01264647A JPH01264647A JP9142088A JP9142088A JPH01264647A JP H01264647 A JPH01264647 A JP H01264647A JP 9142088 A JP9142088 A JP 9142088A JP 9142088 A JP9142088 A JP 9142088A JP H01264647 A JPH01264647 A JP H01264647A
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- film
- recording
- metal
- optical disk
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスクに係り、特に光磁気ディスク
の長寿命化に好適な保護膜用の材料を保護膜に用いた光
磁気ディスクに関する。
の長寿命化に好適な保護膜用の材料を保護膜に用いた光
磁気ディスクに関する。
近年、高度情報化社会の進展に伴ない、高密度大容量の
ファイルメモリーへのニーズが高まっている。これにこ
たえるものとして光磁気ディスクをはじめとした光ディ
スクが注目されている６ところで、光磁気ディスクの記
録膜は大気中の水や酸素に対して活性で記録膜自身の耐
食性を向−トさせるとともに有効な保護膜で記録膜を覆
うことで対処している。ここで保護膜材料には、■）ピ
ンホ−ル等の欠陥が少ない、２）記録膜と反応しない、
３）光学的に透明かつ屈折率が２〜２．５ である、等
の特性が要求される。これを満たす材料として現在まで
に、種々の月料について検討されており、その例として
特開昭６１．−２２４５８＞、 ？特開昭６１−５４６
０号、特開昭６１−２２２０４６号公報等をあげること
ができる。
ファイルメモリーへのニーズが高まっている。これにこ
たえるものとして光磁気ディスクをはじめとした光ディ
スクが注目されている６ところで、光磁気ディスクの記
録膜は大気中の水や酸素に対して活性で記録膜自身の耐
食性を向−トさせるとともに有効な保護膜で記録膜を覆
うことで対処している。ここで保護膜材料には、■）ピ
ンホ−ル等の欠陥が少ない、２）記録膜と反応しない、
３）光学的に透明かつ屈折率が２〜２．５ である、等
の特性が要求される。これを満たす材料として現在まで
に、種々の月料について検討されており、その例として
特開昭６１．−２２４５８＞、 ？特開昭６１−５４６
０号、特開昭６１−２２２０４６号公報等をあげること
ができる。
上記従来技術では、レーザー光を照射したときの熱の効
果に対する配慮がなされておらず、特にディスクの記録
感度が低下するという問題があった。
果に対する配慮がなされておらず、特にディスクの記録
感度が低下するという問題があった。
本発明の目的は、水や酸素の拡散係数が小さく十分な保
護性能を有し、かつ熱伝導率の小さい材料を保護膜とし
て用いることにより、記録感度の高い光磁気ディスクを
提供することにある。
護性能を有し、かつ熱伝導率の小さい材料を保護膜とし
て用いることにより、記録感度の高い光磁気ディスクを
提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、光磁気記録膜を熱伝導が小さくかつ安定に
存在する金属カルコゲナイドで覆い、熱の拡散を小さく
することにより、達成される。
存在する金属カルコゲナイドで覆い、熱の拡散を小さく
することにより、達成される。
本発明の特徴は、レーザー光を用いて記録・再生・消去
を行う光磁気ディスクにおいて、光磁気記録膜の界面の
保護のための材料として金属とカルコゲナイドとからな
る化合物を用いた光磁気ディスクにある。
を行う光磁気ディスクにおいて、光磁気記録膜の界面の
保護のための材料として金属とカルコゲナイドとからな
る化合物を用いた光磁気ディスクにある。
ディスク基板の表面或いは光磁気記録膜のいずれか一方
の界面または両方の界面を保護することが望ましい。
の界面または両方の界面を保護することが望ましい。
保護のための材料に用いる金属としては、Ｂ］。
Ｃｄ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｂ。
ｓｂｔ Ｓｎ、Ｔａ、ｗまたはＡｓの内から選ばれる少
なくとも１種類の元素からなり、カルコゲナイドとして
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの内から選ばれる少なくとも１種類の元
素とからなる物質を用いると良い。
なくとも１種類の元素からなり、カルコゲナイドとして
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの内から選ばれる少なくとも１種類の元
素とからなる物質を用いると良い。
Ａｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｊ−、Ｇｏ、Ｃｒ、ＳｎまてはＺ
ｎの内から選ばれる少なくとも１種類の元素をさらに添
加して保護膜を形成することが望ましい。
ｎの内から選ばれる少なくとも１種類の元素をさらに添
加して保護膜を形成することが望ましい。
保護膜材として用いた金属カルコゲナイド薄膜の熱伝導
率は、酸化物系材料や窒化物系材料と比較して１桁〜２
桁小さく、保温性能が優れている。
率は、酸化物系材料や窒化物系材料と比較して１桁〜２
桁小さく、保温性能が優れている。
その結果熱拡散が抑制され、記録膜が容易にあたたまる
ので小さなレーザー出力にて記録或いは消去することが
できる。また、保護性能は酸化物系材料や窒化物系材料
と同程度以上で、かつ記録膜や基板材と反応しないので
、特に問題はない。
ので小さなレーザー出力にて記録或いは消去することが
できる。また、保護性能は酸化物系材料や窒化物系材料
と同程度以上で、かつ記録膜や基板材と反応しないので
、特に問題はない。
本発明を実施例１〜４を用いて詳細に説明する。
［実施例１］
本実施例は、保護膜材として金属硫化物を用いた場合で
ある。作製したディスクの断面構造を第１図に示す。デ
ィスクの作製手順は、スパッタ法により次のように行な
った。まず、ガラスまたはプラスチック基板（１）上に
金属硫化物の下地膜（２）を形成した。ターゲットとし
て、ＣｄＳ。
ある。作製したディスクの断面構造を第１図に示す。デ
ィスクの作製手順は、スパッタ法により次のように行な
った。まず、ガラスまたはプラスチック基板（１）上に
金属硫化物の下地膜（２）を形成した。ターゲットとし
て、ＣｄＳ。
Ｎｉｐ、Ｍａｒｘ、ＰｂＳまたはＣｕｚＳを用い、放電
ガスにＨｅを使用した。ＲＦ電力密度＝０．８Ｗ／ｄ、
放電ガス圧カニ５ｍＴｏｒｒにて厚さ５００人の膜を形
成した。ひきつづき光磁気記録膜（３）としてＴｂｘｃ
Ｆｅ５２Ｃｏヱ８ＮｂＢ （キュリー温度２００℃、補
償温度６０ ℃、 Ｋｅｒ回転角０．３２’ 。
ガスにＨｅを使用した。ＲＦ電力密度＝０．８Ｗ／ｄ、
放電ガス圧カニ５ｍＴｏｒｒにて厚さ５００人の膜を形
成した。ひきつづき光磁気記録膜（３）としてＴｂｘｃ
Ｆｅ５２Ｃｏヱ８ＮｂＢ （キュリー温度２００℃、補
償温度６０ ℃、 Ｋｅｒ回転角０．３２’ 。
保磁力８ ＫＯｃ）を１００人の厚さに形成した。
ターゲットには先の組成の合金ターゲットを用い放電ガ
スにＡｒを使用した。そしてＲＦ ｆｉｔ力密度： ４
．５Ｗ／ｄ、放電ガス圧力５ｍＴｏｒｒにて厚さ１００
０人の膜を作製した。そして最後に、再び金属硫化物の
保護膜（４）を形成した。条件及び使用ガスは下地膜の
形成の場合と同様とし、膜厚を２０００人とした。ここ
で、使用した下地膜の屈折率は材料の種類による差はな
く２．６であった。
スにＡｒを使用した。そしてＲＦ ｆｉｔ力密度： ４
．５Ｗ／ｄ、放電ガス圧力５ｍＴｏｒｒにて厚さ１００
０人の膜を作製した。そして最後に、再び金属硫化物の
保護膜（４）を形成した。条件及び使用ガスは下地膜の
形成の場合と同様とし、膜厚を２０００人とした。ここ
で、使用した下地膜の屈折率は材料の種類による差はな
く２．６であった。
比較のために、ＳｉＯ２を保護膜に用いたディスクを合
わせて作製した。
わせて作製した。
次に、作製したディスクの搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）を
測定した。その結果、再生出力のレーザー出力依存性を
第２図に示す。周波数１． Ｍ Ｈｚ。
測定した。その結果、再生出力のレーザー出力依存性を
第２図に示す。周波数１． Ｍ Ｈｚ。
パルス幅Ｌｉｏｎｓ、レンズの開口比（ＮＡ） ０ 、
５ 。
５ 。
ディスク回転数１８００ｒｐｍにて測定したところ、Ｃ
／Ｎ５７ｄ）３（再生レーザー出力８ ｍ Ｗ ）であ
つた。この値は、保護膜の材質に依存せず一定であった
。また、ＳｉＯを保護膜に用いた場合のＣ／Ｎは５５ｄ
Ｂ（第２図中の点線）とやや小さかった。これば、Ｓ１
０がエンハンス効果がやや小さいため及び感度が低いの
に基づく差である。−方、記録感度は、Ｓ ｉ Ｏを用
いた場合が４．６ｍＷであったのに対し、金属硫化物を
用いた場合が３．５ｍＷと１．１ｍＷも最小記録パワー
を下げることができた。さらにこのディスクを６００Ｃ
−９５％ＲＨ中に放置したときのエラーレイト（−定数
の情報を書き込んだときの記録誤りのヒツトの個数の割
合）の経時変化を測定した。ディスクは、貼り合わせる
ことなく単板のまま用いた。その結果を第３図に示す。
／Ｎ５７ｄ）３（再生レーザー出力８ ｍ Ｗ ）であ
つた。この値は、保護膜の材質に依存せず一定であった
。また、ＳｉＯを保護膜に用いた場合のＣ／Ｎは５５ｄ
Ｂ（第２図中の点線）とやや小さかった。これば、Ｓ１
０がエンハンス効果がやや小さいため及び感度が低いの
に基づく差である。−方、記録感度は、Ｓ ｉ Ｏを用
いた場合が４．６ｍＷであったのに対し、金属硫化物を
用いた場合が３．５ｍＷと１．１ｍＷも最小記録パワー
を下げることができた。さらにこのディスクを６００Ｃ
−９５％ＲＨ中に放置したときのエラーレイト（−定数
の情報を書き込んだときの記録誤りのヒツトの個数の割
合）の経時変化を測定した。ディスクは、貼り合わせる
ことなく単板のまま用いた。その結果を第３図に示す。
図の実線は本発明の保護膜材を、点線はＳ ｉ Ｏを保
護膜に用いた場合である。その結果、３０００時間放置
した場合でもエラーレイトの変化は小さく、かつ材料に
よる差もみられなかった。また、Ｃ／Ｎの経時変化もな
く作製初期と何ら違いはみられなかった。
護膜に用いた場合である。その結果、３０００時間放置
した場合でもエラーレイトの変化は小さく、かつ材料に
よる差もみられなかった。また、Ｃ／Ｎの経時変化もな
く作製初期と何ら違いはみられなかった。
さらに、先に用いた金属の他にＢｉ、Ｉｎ。
Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ等の硫化物を用いても同様
の効果が得られた。
の効果が得られた。
［実施例２コ
本発明は、保護１換材にセレン化物を用いた場合である
。作製した光磁気ディスクの断面構造は、実施例１と同
様で、第１図に示すとおりである。
。作製した光磁気ディスクの断面構造は、実施例１と同
様で、第１図に示すとおりである。
光磁気ディスクの作製は以下に述べる手順で行なった。
下地膜２及び保護膜４の形成には、電子ビーム蒸着法を
用いて行なった。蒸着のソース源は二つのボートを用い
、一方にＡｓ、Ｂｉ、Ｉｎまたはｓｂを設置し、もう一
方にＳｅを置き、二元同時蒸着を行なった。形成した石
地膜２の組成は、各々化合物組成（Ａ ｓ２． Ｓ ｅ
ｓ、 Ｂ ｉ ２Ｓ ｅｓ。
用いて行なった。蒸着のソース源は二つのボートを用い
、一方にＡｓ、Ｂｉ、Ｉｎまたはｓｂを設置し、もう一
方にＳｅを置き、二元同時蒸着を行なった。形成した石
地膜２の組成は、各々化合物組成（Ａ ｓ２． Ｓ ｅ
ｓ、 Ｂ ｉ ２Ｓ ｅｓ。
Ｉｎ５ｅ）を基にし、特に情報読み出し側は屈折率が重
要で、屈折率を制御するために金属とカルコゲナイドと
の比を変化させた。このようにして屈折率ｎ＝２．５．
膜厚は４． Ｏ０人とした。この上にひきつづき光
磁気記録膜を実施例１と同様の条件及び手法にて１００
０人の膜厚に形成した。
要で、屈折率を制御するために金属とカルコゲナイドと
の比を変化させた。このようにして屈折率ｎ＝２．５．
膜厚は４． Ｏ０人とした。この上にひきつづき光
磁気記録膜を実施例１と同様の条件及び手法にて１００
０人の膜厚に形成した。
そして最後に保護膜を２０００人形成した。組成は化合
物組成とした。
物組成とした。
次に作製したディスクの特性を評価し、結果を第４図に
示す。Ｃ／Ｎは本発明の材料を用いると材料の種類に依
存せず同じで実施例１と同様の条件での測定では５７ｄ
Ｂであった。また記録感度は、本発明を用いた場合が３
、６ ｍ Ｗ とＳｉＯのそれに比へて１ｍＷ低かっ
た。一方、保護性能を本発明のディスクと比較例との間
で、６０℃−９５％１り１（中に放置したときのエラー
レイトの経時変化で比較したところ、両者の間に差は認
められずほとんど変化がなかった。Ｃ／Ｈの経時変化に
ついては、記録／再生特性で調べたが、６０℃−９５％
ＲＩ−Ｉ中に３０００時間放置してもまったく変化はみ
られなかった。
示す。Ｃ／Ｎは本発明の材料を用いると材料の種類に依
存せず同じで実施例１と同様の条件での測定では５７ｄ
Ｂであった。また記録感度は、本発明を用いた場合が３
、６ ｍ Ｗ とＳｉＯのそれに比へて１ｍＷ低かっ
た。一方、保護性能を本発明のディスクと比較例との間
で、６０℃−９５％１り１（中に放置したときのエラー
レイトの経時変化で比較したところ、両者の間に差は認
められずほとんど変化がなかった。Ｃ／Ｈの経時変化に
ついては、記録／再生特性で調べたが、６０℃−９５％
ＲＩ−Ｉ中に３０００時間放置してもまったく変化はみ
られなかった。
この他、金属元素としてＣｕｔ Ｃｄ、Ｍｏ。
Ｎｄ、Ｎｔ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ等のセレン化物を用
いてもまったく同様の効果が得られた。
いてもまったく同様の効果が得られた。
［実施例３コ
本発明は、保護膜月としてテルル化物を用いた場合であ
る。作製した光磁気ディスクの断面構造は実施例１と同
様で第１図に示すとおりである。
る。作製した光磁気ディスクの断面構造は実施例１と同
様で第１図に示すとおりである。
光磁気ディスクの作製は、次に述べる手順にて行なった
。下地膜及び保護膜の形成には電子ビーム蒸着法を用い
て行なった。蒸着のソース源として二つのボードを用い
−ｈにＮｂ、Ｓｎ、ＴａまたはＷを設置し、もう一方に
はＴ ｃを置いた。膜形成は、二つのボートを同時に加
熱して同時蒸着を行った。下地膜２の形成に際して、屈
折率が重要で、これは金属とカルコゲナイドの比を変え
て行う。このようにして作製した膜の屈折率はｎ−２，
５、厚さは４００人であった。この上にひきつづき光磁
気記録膜を実施例１と同様の条件及び手法にて１．００
０人の膜厚に形成した。そして最後に保護膜を２０００
人形成した。組成は化合物組成とした。
。下地膜及び保護膜の形成には電子ビーム蒸着法を用い
て行なった。蒸着のソース源として二つのボードを用い
−ｈにＮｂ、Ｓｎ、ＴａまたはＷを設置し、もう一方に
はＴ ｃを置いた。膜形成は、二つのボートを同時に加
熱して同時蒸着を行った。下地膜２の形成に際して、屈
折率が重要で、これは金属とカルコゲナイドの比を変え
て行う。このようにして作製した膜の屈折率はｎ−２，
５、厚さは４００人であった。この上にひきつづき光磁
気記録膜を実施例１と同様の条件及び手法にて１．００
０人の膜厚に形成した。そして最後に保護膜を２０００
人形成した。組成は化合物組成とした。
次に作製したディスクの特性を評価し、結果を第５図に
示す。Ｃ／Ｎは本発明の旧料を用いると、材料の種類に
依存せず同じで、実施例１と同様の条件での測定では５
７ｄＢであった。また、記録感度（記録可能な最小レー
ザーパワー）は、不発明を用いた場合が３．６ ｍＷと
ＳｉＣのそれと比較して１ｍＷ感度が上ったことになる
。一方、保護性能を検討するために、本発明の材料を用
いて作製したディスクと比較のディスクを６０℃−９５
％ＲＨ中に放置したときのエラーレイトの経時変化につ
いて比較したところ、両者の間で顕著な差はみられなか
った。また、Ｃ／Ｎの経時変化についても調べたが、６
０℃−９５％ＲＨ中に３０００時間放置しても変化はほ
とんどみられなかった。
示す。Ｃ／Ｎは本発明の旧料を用いると、材料の種類に
依存せず同じで、実施例１と同様の条件での測定では５
７ｄＢであった。また、記録感度（記録可能な最小レー
ザーパワー）は、不発明を用いた場合が３．６ ｍＷと
ＳｉＣのそれと比較して１ｍＷ感度が上ったことになる
。一方、保護性能を検討するために、本発明の材料を用
いて作製したディスクと比較のディスクを６０℃−９５
％ＲＨ中に放置したときのエラーレイトの経時変化につ
いて比較したところ、両者の間で顕著な差はみられなか
った。また、Ｃ／Ｎの経時変化についても調べたが、６
０℃−９５％ＲＨ中に３０００時間放置しても変化はほ
とんどみられなかった。
［実施例４］
本実施例は、金属元素として２種類の材料を用い安定な
カルコゲン化物を形成する金属と水や酸素と容易に反応
する金属の二元術を用いた場合である。光磁気ディスク
の作製は、次に述べる手順にて行なった。下地膜（２）
及び保護膜（３）の形成にはマグネトロンスパッタ装置
を用いて行なった。
カルコゲン化物を形成する金属と水や酸素と容易に反応
する金属の二元術を用いた場合である。光磁気ディスク
の作製は、次に述べる手順にて行なった。下地膜（２）
及び保護膜（３）の形成にはマグネトロンスパッタ装置
を用いて行なった。
スパッタターゲットとして、ＩｎＳｅ、５ｎＴｅまたは
ＴａＳ２の焼結体の上に添加金属としてＡΩ、Ｚｎ、Ｍ
ｇまたは１゛ｉのチップを均一に配置したものを使用し
た。これを用いて、ガラスまたはプラスチック基板（１
）」二に下地膜（２）を形成した。スパッタの条件は、
実施例コにおける保護膜作製の場合と同様とした。ここ
で、下地膜（２）は、先の実施例のごとく屈折率を２．
５ となるよう制御した。つづいて、この上に光磁気記
録膜（ＴｂＦｅＣｏＮｂ）をスパッタ法により１０００
人の膜厚に形成した。その時の条件は実施例１と同様で
ある。最後に保護膜（４）として下地膜と同じ材料を用
いて１０００人の厚さに形成した。ここで比較例として
膜厚１０００人の保護膜を有し、かつ添加金属を含まな
いターゲットで膜を形成したディスクを作製した。
ＴａＳ２の焼結体の上に添加金属としてＡΩ、Ｚｎ、Ｍ
ｇまたは１゛ｉのチップを均一に配置したものを使用し
た。これを用いて、ガラスまたはプラスチック基板（１
）」二に下地膜（２）を形成した。スパッタの条件は、
実施例コにおける保護膜作製の場合と同様とした。ここ
で、下地膜（２）は、先の実施例のごとく屈折率を２．
５ となるよう制御した。つづいて、この上に光磁気記
録膜（ＴｂＦｅＣｏＮｂ）をスパッタ法により１０００
人の膜厚に形成した。その時の条件は実施例１と同様で
ある。最後に保護膜（４）として下地膜と同じ材料を用
いて１０００人の厚さに形成した。ここで比較例として
膜厚１０００人の保護膜を有し、かつ添加金属を含まな
いターゲットで膜を形成したディスクを作製した。
作製したディスクの特性について評価し、その結果を第
６図に示す。Ｃ／Ｎは本発明の材料を用い保護膜の膜厚
が１０００人の場合は５８ｄＢであり、比較例の保護膜
の場合も５８ｄＢ （記録レーザー出力８ｍＷ）で膜厚
を半分にすることにより１ｄＢＣ／Ｎ が向上した。ま
た、記録感度を最小記録レーザー出力で比較すると保護
膜厚が１０００人の場合が３．０ｍＷで、２０００人の
場合も３．５７７１Ｗ と、膜厚を薄くしたことにより
記録感度をさらに０ 、５ ｍ Ｗ向上させることがで
きた。しかし、添加金属の有無によるＣ／Ｎ、記録感度
に差はなかった。
６図に示す。Ｃ／Ｎは本発明の材料を用い保護膜の膜厚
が１０００人の場合は５８ｄＢであり、比較例の保護膜
の場合も５８ｄＢ （記録レーザー出力８ｍＷ）で膜厚
を半分にすることにより１ｄＢＣ／Ｎ が向上した。ま
た、記録感度を最小記録レーザー出力で比較すると保護
膜厚が１０００人の場合が３．０ｍＷで、２０００人の
場合も３．５７７１Ｗ と、膜厚を薄くしたことにより
記録感度をさらに０ 、５ ｍ Ｗ向上させることがで
きた。しかし、添加金属の有無によるＣ／Ｎ、記録感度
に差はなかった。
このディスクを６０°Ｃ−９５％ＲＨの高温高湿度環境
中に放置し、エラーレイトの経時変化を測定した。その
結果を第７図に示す。図中の実線は本発明の保護膜厚が
１０００人の場合、点線は比較例で添加金属を含まない
場合である。このように、本発明のようにＨ２Ｏや０２
に対し活性な金属を保護膜材中に添加することにより、
膜の保護性能を大きく向上させることができるので保護
膜厚を薄くでき、しかも記録感度を記録膜の磁気特性を
変えずに上げることができた。
中に放置し、エラーレイトの経時変化を測定した。その
結果を第７図に示す。図中の実線は本発明の保護膜厚が
１０００人の場合、点線は比較例で添加金属を含まない
場合である。このように、本発明のようにＨ２Ｏや０２
に対し活性な金属を保護膜材中に添加することにより、
膜の保護性能を大きく向上させることができるので保護
膜厚を薄くでき、しかも記録感度を記録膜の磁気特性を
変えずに上げることができた。
この他、添加する元素としてＳ Ｉ ＨＣｏ ｇ Ｃｒ
＋Ｓｎのいずれを用いても、先と同様強い保護効果が
得られ記録感度の向上に大きく寄与している。
＋Ｓｎのいずれを用いても、先と同様強い保護効果が
得られ記録感度の向上に大きく寄与している。
本発明によれば、金属カルコゲナイドを光磁気ディスク
の保護膜または下地膜に用いると材料の持つ熱伝導率が
小さいので、ディスクへの記録感度の向上に効果がある
。その結果、ディスクのＣ／Ｎも１〜３ｄＢ上昇させる
ことができる。この場合、保護膜としての性能は十分保
持しており、特に問題はない。また、金属カルコゲナイ
ドを用いているので、成膜速度も通常の金属の酸化物系
或いは窒化物系材料と比較して５〜１０倍高速となり、
プロセスの高速化にも有用である。さらにスパッタや蒸
着の制御を行うことにより、屈折率等の光学定数の制御
も可能で、光学的特性が要求されるような場合にも十分
対処できる。
の保護膜または下地膜に用いると材料の持つ熱伝導率が
小さいので、ディスクへの記録感度の向上に効果がある
。その結果、ディスクのＣ／Ｎも１〜３ｄＢ上昇させる
ことができる。この場合、保護膜としての性能は十分保
持しており、特に問題はない。また、金属カルコゲナイ
ドを用いているので、成膜速度も通常の金属の酸化物系
或いは窒化物系材料と比較して５〜１０倍高速となり、
プロセスの高速化にも有用である。さらにスパッタや蒸
着の制御を行うことにより、屈折率等の光学定数の制御
も可能で、光学的特性が要求されるような場合にも十分
対処できる。
第１図は光磁気ディスクの断面構造の模式図、第２図及
び第４図〜第６図は再生出力のレーザー出力依存性を示
す線図、第３図及び第７図はディスクを６０℃−９５％
ＲＨ中に放置したときのエラーレイトの経時変化を示す
線図である。 １・・・基板、２・・・下地膜、３・・・光磁気記録膜
、４・・・保護膜。 Ｙ ４図 ｂ−１′；２力（外Ｗ９ 葺 Ｓ図 Ｌ−す′”−、ｔｈ！汐 （ｘｙジ ？【 乙 Ｃｑ ムーｆ゛−出ノン （今一１Ｖジ 薔 ７ 尉 杖１ａ＋聞 くｋと）
び第４図〜第６図は再生出力のレーザー出力依存性を示
す線図、第３図及び第７図はディスクを６０℃−９５％
ＲＨ中に放置したときのエラーレイトの経時変化を示す
線図である。 １・・・基板、２・・・下地膜、３・・・光磁気記録膜
、４・・・保護膜。 Ｙ ４図 ｂ−１′；２力（外Ｗ９ 葺 Ｓ図 Ｌ−す′”−、ｔｈ！汐 （ｘｙジ ？【 乙 Ｃｑ ムーｆ゛−出ノン （今一１Ｖジ 薔 ７ 尉 杖１ａ＋聞 くｋと）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザ光を用いて記録・再生・消去を行う光磁気デ
ィスクにおいて、光磁気記録膜の界面の保護のための材
料として金属とカルコゲナイドとからなる化合物を用い
たことを特徴とする光磁気ディスク。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスクにおい
て、ディスク基板の表面或いは光磁気記録膜のいずれか
一方の界面または両方の界面を保護したことを特徴とす
る光磁気ディスク。 ３、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスクにおい
て、保護のための材料に用いる金属としてＢｉ、Ｃｄ、
Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、ＷまたはＡｓの内から選ばれる少なくとも１種類の
元素からなり、カルコゲナイドとしてＳ、Ｓｅ、Ｔｅの
内から選ばれる少なくとも１種類の元素とからなる物質
を用いたことを特徴とする光磁気ディスク。 ４、特許請求の範囲第３項記載の光磁気ディスクにおい
て、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｎまたは
Ｚｎの内から選ばれる少なくとも１種類の元素をさらに
添加して保護膜を形成したことを特徴とする光磁気ディ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9142088A JPH01264647A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9142088A JPH01264647A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264647A true JPH01264647A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14025878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9142088A Pending JPH01264647A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264647A (ja) |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9142088A patent/JPH01264647A/ja active Pending
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