JPH05217211A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JPH05217211A JPH05217211A JP4017703A JP1770392A JPH05217211A JP H05217211 A JPH05217211 A JP H05217211A JP 4017703 A JP4017703 A JP 4017703A JP 1770392 A JP1770392 A JP 1770392A JP H05217211 A JPH05217211 A JP H05217211A
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- layer
- protective layer
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な記録、消去および繰り返し特性を有す
る相変化型光記録媒体を提供すること。 【構成】 基板１上に、少なくとも銀を含有する光記録
層４、保護層４および放熱層５を有する相変化型光記録
媒体であって、保護層４が２層からなり、光記録層４に
隣接した保護層２−２と４−２がＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ
Ｃ等であり、外側の保護層２−１、４−１がＺｎＳある
いはＺｎＳ・ＳｉＯ2である相変化型光記録媒体。
る相変化型光記録媒体を提供すること。 【構成】 基板１上に、少なくとも銀を含有する光記録
層４、保護層４および放熱層５を有する相変化型光記録
媒体であって、保護層４が２層からなり、光記録層４に
隣接した保護層２−２と４−２がＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ
Ｃ等であり、外側の保護層２−１、４−１がＺｎＳある
いはＺｎＳ・ＳｉＯ2である相変化型光記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書き換え可能な相変化
型光記録媒体に関するものである。
型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な光記録媒体には、相変化
型光記録媒体と光磁気型光記録媒体とがある。相変化型
光記録媒体の模式断面図を図２に示す。光記録層３はレ
ーザー照射により、溶融、半溶融状態を経て、アモルフ
ァス化し、反射率の違いにより情報の記録を行う。この
際、光記録層３の溶融、半溶融状態に伴う光記録層の蒸
発変形の防止、大気雰囲気等からの保護、あるいは、基
板への断熱の目的で保護層２、４により光記録層を挟む
ことが一般に行われている（特開昭６３−１０３４５３
（松下）ＺｎＳ・ＳｉＯ2その他の混合物より成る保護
層）。しかしながら、前記従来技術には、以下のような
問題点があった。
型光記録媒体と光磁気型光記録媒体とがある。相変化型
光記録媒体の模式断面図を図２に示す。光記録層３はレ
ーザー照射により、溶融、半溶融状態を経て、アモルフ
ァス化し、反射率の違いにより情報の記録を行う。この
際、光記録層３の溶融、半溶融状態に伴う光記録層の蒸
発変形の防止、大気雰囲気等からの保護、あるいは、基
板への断熱の目的で保護層２、４により光記録層を挟む
ことが一般に行われている（特開昭６３−１０３４５３
（松下）ＺｎＳ・ＳｉＯ2その他の混合物より成る保護
層）。しかしながら、前記従来技術には、以下のような
問題点があった。
【０００３】保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2等の“Ｓ”
を含む化合物を使用する場合、剥離、クラック等の欠陥
を生ずることなく、数千オングストロームの厚さまで成
膜することができ、さらに熱膨脹率が低く、しかも断熱
性に優れているが、化合物に含まれる“Ｓ”と、記録層
中のＡｇとの結合エネルギ−が大きいために、図２に示
す従来の層構成をとった場合、記録層組成が変化するた
め、光記録媒体の記録、消去および繰返し特性の劣化と
いう問題が発生する。
を含む化合物を使用する場合、剥離、クラック等の欠陥
を生ずることなく、数千オングストロームの厚さまで成
膜することができ、さらに熱膨脹率が低く、しかも断熱
性に優れているが、化合物に含まれる“Ｓ”と、記録層
中のＡｇとの結合エネルギ−が大きいために、図２に示
す従来の層構成をとった場合、記録層組成が変化するた
め、光記録媒体の記録、消去および繰返し特性の劣化と
いう問題が発生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける上記問題点を解消し、良好な記録、消去および繰
返し特性を有する相変化型光記録媒体を提供しようとす
るものである。
おける上記問題点を解消し、良好な記録、消去および繰
返し特性を有する相変化型光記録媒体を提供しようとす
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりの相
変化型光記録媒体である。
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりの相
変化型光記録媒体である。
【０００６】具体的に説明すると基板１上に第１の保護
層２，Ａｇを含む光記録層３，第２の保護層４および放
熱層５が順次形成され、前記光記録層３へのレーザー光
の照射によって生じる可逆的相変態を利用して情報の記
録、再生および消去を行う相変化型光記録媒体におい
て、前記第１および第２の保護層がＡｇを含む光記録層
３側に隣接したＳｉＮあるいは、ＡｌＮ、ＳｉＣ等のチ
ッ化物、炭化物層とＡｇを含む記録層と反対側のＺｎＳ
・ＳｉＯ2等のＳを含む化合物層からなることを特徴と
する相変化型光記録媒体である。
層２，Ａｇを含む光記録層３，第２の保護層４および放
熱層５が順次形成され、前記光記録層３へのレーザー光
の照射によって生じる可逆的相変態を利用して情報の記
録、再生および消去を行う相変化型光記録媒体におい
て、前記第１および第２の保護層がＡｇを含む光記録層
３側に隣接したＳｉＮあるいは、ＡｌＮ、ＳｉＣ等のチ
ッ化物、炭化物層とＡｇを含む記録層と反対側のＺｎＳ
・ＳｉＯ2等のＳを含む化合物層からなることを特徴と
する相変化型光記録媒体である。
【０００７】図１は、本発明による相変化型光記録媒体
の一構成例を示す断面図であり、透明基板上１に第１の
保護層２、光記録層３、第２の保護層４および放熱層５
からなり、さらに第１の保護層および第２の保護層は光
記録層に隣接する保護層２−１，４−１とＡｇを含む光
記録層と反対側に成膜される保護層２−２，４−２から
なる。
の一構成例を示す断面図であり、透明基板上１に第１の
保護層２、光記録層３、第２の保護層４および放熱層５
からなり、さらに第１の保護層および第２の保護層は光
記録層に隣接する保護層２−１，４−１とＡｇを含む光
記録層と反対側に成膜される保護層２−２，４−２から
なる。
【０００８】基板１には、光透過性に優れ、耐熱性や耐
候性、耐薬品性に優れた材質が好ましい。プラスチック
やガラスはこの要求を満たしており、プラスチックはト
ラッキング用の案内溝やピットが２Ｐ法又は射出成形で
簡単にしかも安価に形成でき、ガラスは密着露光法のド
ライエッチング等でトラッキング用の溝やピットを形成
できる。プラスチックを用いる場合、特にポリカーボネ
ートやアモルファスのポリオレフィン等の材質が好まし
く使用される。基板１上に設ける第１の保護層２は、本
発明の特徴となるものであり、保護層２−１および保護
層２−２からなり、外界の湿気などによるＡｇを含む光
記録層の腐食を防止するパッシベーション効果と、レー
ザー照射に伴う蒸発・変形の防止および基板への断熱を
目的としている。保護層２−１には数千オングストロ−
ムの厚さまで剥離、クラック等の欠陥の発生を有さず成
膜可能であり、しかも熱膨脹率が低く、断熱性にも優れ
ているＺｎＳ・ＳｉＯ2等が使用され、保護層２−２に
は、光記録層に含まれるＡｇとの結合エネルギ−が小さ
い元素のみを含むＳｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮ等が使用され
る。第１の保護層２の成膜にはスパッタ法、蒸着法が使
用され、保護層２−１、保護層２−２はそれぞれ１００
０〜３０００Å，５０〜５００Åの膜厚に形成される。
候性、耐薬品性に優れた材質が好ましい。プラスチック
やガラスはこの要求を満たしており、プラスチックはト
ラッキング用の案内溝やピットが２Ｐ法又は射出成形で
簡単にしかも安価に形成でき、ガラスは密着露光法のド
ライエッチング等でトラッキング用の溝やピットを形成
できる。プラスチックを用いる場合、特にポリカーボネ
ートやアモルファスのポリオレフィン等の材質が好まし
く使用される。基板１上に設ける第１の保護層２は、本
発明の特徴となるものであり、保護層２−１および保護
層２−２からなり、外界の湿気などによるＡｇを含む光
記録層の腐食を防止するパッシベーション効果と、レー
ザー照射に伴う蒸発・変形の防止および基板への断熱を
目的としている。保護層２−１には数千オングストロ−
ムの厚さまで剥離、クラック等の欠陥の発生を有さず成
膜可能であり、しかも熱膨脹率が低く、断熱性にも優れ
ているＺｎＳ・ＳｉＯ2等が使用され、保護層２−２に
は、光記録層に含まれるＡｇとの結合エネルギ−が小さ
い元素のみを含むＳｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮ等が使用され
る。第１の保護層２の成膜にはスパッタ法、蒸着法が使
用され、保護層２−１、保護層２−２はそれぞれ１００
０〜３０００Å，５０〜５００Åの膜厚に形成される。
【０００９】光記録層３にはＳｅ，Ｔｅ，等のカルコゲ
ン族元素を少なくとも１種類以上と、Ａｇを含む合金が
使用され、このような合金として例えばＡｇＩｎＴｅＳ
ｂなどがある。この光記録層３は、スパッタ法、蒸着法
により、２００〜２０００Åの膜厚が形成される。
ン族元素を少なくとも１種類以上と、Ａｇを含む合金が
使用され、このような合金として例えばＡｇＩｎＴｅＳ
ｂなどがある。この光記録層３は、スパッタ法、蒸着法
により、２００〜２０００Åの膜厚が形成される。
【００１０】第２の保護層４は、第１の保護層同様本発
明の特徴となるものであり、保護層４−１および保護層
４−２からなる。保護層４−１にはＺｎＳ・ＳｉＯ2等
が使用されまた保護層４−２にはＳｉＮ、ＳｉＣ、Ａｌ
Ｎ等が使用される。第２の保護層の成膜には、スパッタ
法、蒸着法が使用され、保護層４−１、保護層４−２は
それぞれ１０００〜３０００Å、５０〜５００Åの膜厚
に形成される。
明の特徴となるものであり、保護層４−１および保護層
４−２からなる。保護層４−１にはＺｎＳ・ＳｉＯ2等
が使用されまた保護層４−２にはＳｉＮ、ＳｉＣ、Ａｌ
Ｎ等が使用される。第２の保護層の成膜には、スパッタ
法、蒸着法が使用され、保護層４−１、保護層４−２は
それぞれ１０００〜３０００Å、５０〜５００Åの膜厚
に形成される。
【００１１】放熱層５は、熱伝導率の高いＡｌあるいは
Ａｌ合金が一般に使用される。放熱層５は、スパッタ
法、蒸着法等により２００Å〜２５００Åに成膜され
る。
Ａｌ合金が一般に使用される。放熱層５は、スパッタ
法、蒸着法等により２００Å〜２５００Åに成膜され
る。
【００１２】以上本発明による一構成例について述べて
きたが、本発明はこの構成例のみに限定されるものでは
なく、例えば、反射層５の上に有機カバ−層を設けた
り、接着層を介して媒体を貼り合せ両面記録型とするな
ど、種々の変形、変更が可能である。
きたが、本発明はこの構成例のみに限定されるものでは
なく、例えば、反射層５の上に有機カバ−層を設けた
り、接着層を介して媒体を貼り合せ両面記録型とするな
ど、種々の変形、変更が可能である。
【００１３】
【実施例】図１に示すように、ポリカーボネイト製基板
１上にＺｎＳ・ＳｉＯ2ターゲットを使用し、Ａｒ雰囲
気中にてＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる保護層２−１をスパ
ッタ成膜し、その上にＳｉターゲットを使用し、Ａｒと
Ｎ雰囲気中でＳｉＮからなる保護層２−２をスパッタ成
膜した。
１上にＺｎＳ・ＳｉＯ2ターゲットを使用し、Ａｒ雰囲
気中にてＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる保護層２−１をスパ
ッタ成膜し、その上にＳｉターゲットを使用し、Ａｒと
Ｎ雰囲気中でＳｉＮからなる保護層２−２をスパッタ成
膜した。
【００１４】光記録層３は、Ａｇ：Ｉｎ：Ｔｅ：Ｓｂの
原子比が１：１：２：４であるターゲットを使用し、Ａ
ｒ雰囲気中にて成膜した。
原子比が１：１：２：４であるターゲットを使用し、Ａ
ｒ雰囲気中にて成膜した。
【００１５】保護層４−１は保護層２−１と同様に、ま
た保護層４−２は保護層２−２と同様に成膜した。
た保護層４−２は保護層２−２と同様に成膜した。
【００１６】放熱層はＡｌ−７ｗｔ％Ｔｉターゲットを
使用し、Ａｒ雰囲気中で成膜した。それぞれの各膜厚
は、保護層２−１が２０００Å，保護層２−２が１００
Å，光記録層が１０００Å，保護層４−１が１０００
Å，保護層４−２が１００Å，反射放熱層５は５００Å
とした。
使用し、Ａｒ雰囲気中で成膜した。それぞれの各膜厚
は、保護層２−１が２０００Å，保護層２−２が１００
Å，光記録層が１０００Å，保護層４−１が１０００
Å，保護層４−２が１００Å，反射放熱層５は５００Å
とした。
【００１７】比較例として、図２に示される層構成を有
するデイスクを作製した。保護層２，保護層４はともに
ＺｎＳ・ＳｉＯ2であり、膜厚はそれぞれ２０００Å，
１０００Åとした。光記録３および放熱層５は実施例と
同様とした。
するデイスクを作製した。保護層２，保護層４はともに
ＺｎＳ・ＳｉＯ2であり、膜厚はそれぞれ２０００Å，
１０００Åとした。光記録３および放熱層５は実施例と
同様とした。
【００１８】以上本発明による一構成例について述べて
きたが、本発明はこの構成例のみに限定されるものでは
なく、例えば、反射層５の上に有機カバ−層を設けた
り、接着層を介して媒体を貼り合せ両面記録型とするな
ど、種々の変形、変更が可能である。
きたが、本発明はこの構成例のみに限定されるものでは
なく、例えば、反射層５の上に有機カバ−層を設けた
り、接着層を介して媒体を貼り合せ両面記録型とするな
ど、種々の変形、変更が可能である。
【００１９】各デイスクは、レ−ザ−照射により、１０
ｍｗで初期化を行った後、ライトパワ−１２ｍｗ，バイ
アス６ｍｗで記録、消去を繰り返し、記録特性が４５ｄ
Ｂ以上，消去比２５ｄＢ以上が保たれる繰り返し回数を
測定した。
ｍｗで初期化を行った後、ライトパワ−１２ｍｗ，バイ
アス６ｍｗで記録、消去を繰り返し、記録特性が４５ｄ
Ｂ以上，消去比２５ｄＢ以上が保たれる繰り返し回数を
測定した。
【００２０】その結果、実施例のデイスクは１０万回以
上の繰り返しが可能であったが、比較例のデイスクは１
万５千回程度の繰り返しにより記録特性，消去比ともに
それぞれ４５ｄＢ，２５ｄＢ以下に低下した。
上の繰り返しが可能であったが、比較例のデイスクは１
万５千回程度の繰り返しにより記録特性，消去比ともに
それぞれ４５ｄＢ，２５ｄＢ以下に低下した。
【００２１】また初期記録特性および消去比は実施例で
それぞれ５０ｄＢ，および４０ｄＢであったのに対し、
比較例では、それぞれ４９ｄＢ，３８ｄＢであった。
それぞれ５０ｄＢ，および４０ｄＢであったのに対し、
比較例では、それぞれ４９ｄＢ，３８ｄＢであった。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればＡ
ｇを含む光記録層をもつ相変化型光記録媒体において、
保護層を２層としＡｇを含む光記録層側をＳｉＮ，Ｓｉ
Ｃ，ＡｌＮ等のチツ化物，炭化物化合物とし、そのが外
側をＺｎＳあるいはＺｎＳを含む化合物とすることによ
り記録、消去特性、繰り返し特性を改善した。
ｇを含む光記録層をもつ相変化型光記録媒体において、
保護層を２層としＡｇを含む光記録層側をＳｉＮ，Ｓｉ
Ｃ，ＡｌＮ等のチツ化物，炭化物化合物とし、そのが外
側をＺｎＳあるいはＺｎＳを含む化合物とすることによ
り記録、消去特性、繰り返し特性を改善した。
【図１】本発明の光記録媒体の構成を示す断面の模式
図。
図。
【図２】従来の光記録媒体の構成を示す断面の模式図。
１ 基板 ２ 保護層 ２−１ 保護層 ２−２ 保護層 ３ 光記録層 ４ 保護層 ４−１ 保護層 ４−２ 保護層 ５ 放熱層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも、銀を含有する光
記録層、保護層および放熱層を備え、光記録層に光エネ
ルギーを照射することによって、情報の記録、再生、消
去を行う、相変化型光記録媒体において、保護層が２層
からなり、光記録層に隣接した保護層が窒化物または炭
化物であり、その外側の保護層が硫化亜鉛または硫化亜
鉛を含む複合化合物であることを特徴とする相変化型光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04017703A JP3129497B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04017703A JP3129497B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217211A true JPH05217211A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3129497B2 JP3129497B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=11951145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04017703A Expired - Fee Related JP3129497B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3129497B2 (ja) |
Cited By (23)
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-
1992
- 1992-02-03 JP JP04017703A patent/JP3129497B2/ja not_active Expired - Fee Related
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