JPH01265225A - 光半導体素子 - Google Patents
光半導体素子Info
- Publication number
- JPH01265225A JPH01265225A JP9380788A JP9380788A JPH01265225A JP H01265225 A JPH01265225 A JP H01265225A JP 9380788 A JP9380788 A JP 9380788A JP 9380788 A JP9380788 A JP 9380788A JP H01265225 A JPH01265225 A JP H01265225A
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- JP
- Japan
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- type semiconductor
- semiconductor layer
- well
- thickness
- superlattice
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ｎ形半導体層とｎ形半導体層の間に、障壁層と井戸層が
交互に積層されて量子井戸構造を形成する超格子を有し
てなり、該超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆
バイアスにより変化する光半導体素子に関し、 複数の量子井戸の間で上記波長の変化量が揃うようにす
るすることを目的とし、 複数の井戸層の間でその厚さが、ｎ形半導体層の側から
ｎ形半導体層の側に向かって次第に厚くなっているよう
に構成する。
交互に積層されて量子井戸構造を形成する超格子を有し
てなり、該超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆
バイアスにより変化する光半導体素子に関し、 複数の量子井戸の間で上記波長の変化量が揃うようにす
るすることを目的とし、 複数の井戸層の間でその厚さが、ｎ形半導体層の側から
ｎ形半導体層の側に向かって次第に厚くなっているよう
に構成する。
本発明は、ｎ形半導体層とｎ形半導体層の間に、障壁層
と井戸層が交互に積層されて量子井戸構造を形成する超
格子を有してなり、該超格子が吸収する光の吸収ピーク
の波長が逆バイアスにより変化する光半導体素子に関す
る。
と井戸層が交互に積層されて量子井戸構造を形成する超
格子を有してなり、該超格子が吸収する光の吸収ピーク
の波長が逆バイアスにより変化する光半導体素子に関す
る。
光通信システムの高速化の要請に伴い、半導体レーザか
ら連続的に発するレーザ光を電気信号により高速で変調
する外部光変調器が要求されている。
ら連続的に発するレーザ光を電気信号により高速で変調
する外部光変調器が要求されている。
上記光半導体素子は、レーザ光の波長に対して上記吸収
ピークの波長を合わせたり外したりすることにより上記
変調を行い得るものであり、変調対象の波長に対する光
吸収係数を大きく変化させ得る特徴を有している。
ピークの波長を合わせたり外したりすることにより上記
変調を行い得るものであり、変調対象の波長に対する光
吸収係数を大きく変化させ得る特徴を有している。
第５図は、上述した光半導体素子の従来例の要部側面図
である。
である。
同図において、１はｐ”−１ｎＰ（キャリア濃度−Ｉ
Ｘ １０ ” ／ ｃｏりのｐ形半導体層、２はｎ”−
１ｎＰ（キャリア濃度≠ｌ Ｘ ｔｏ ” ／ ｃ％）
のｎ形半導体層、３はｐ形半導体層ｌとｎ形半導体層２
の間の超格子である。
Ｘ １０ ” ／ ｃｏりのｐ形半導体層、２はｎ”−
１ｎＰ（キャリア濃度≠ｌ Ｘ ｔｏ ” ／ ｃ％）
のｎ形半導体層、３はｐ形半導体層ｌとｎ形半導体層２
の間の超格子である。
超格子３は、障壁層４と井戸層５が交互に積層されて、
第６図のエネルギ・ハント構造図の（ａ）に示されるよ
うな量子井戸構造を形成している。図中、Ｅｃは伝導帯
底、Ｅｖは価電子事項である。障壁層４は厚さ１００人
のｎ−１ｎＰ（キャリアン震度−１×１０”／ｃｆｆｌ
） 、井戸層５は厚さ１００人のｎ −１ｎＧａＡｓ
（キャリア濃度＃２×１０１５／Ｃボ）であり、積層の
周期数は５０〜１００程度である。ここで周期は１障壁
層とこれに接する１井戸層の組合せを指し、この場合の
周期は２００人である。
第６図のエネルギ・ハント構造図の（ａ）に示されるよ
うな量子井戸構造を形成している。図中、Ｅｃは伝導帯
底、Ｅｖは価電子事項である。障壁層４は厚さ１００人
のｎ−１ｎＰ（キャリアン震度−１×１０”／ｃｆｆｌ
） 、井戸層５は厚さ１００人のｎ −１ｎＧａＡｓ
（キャリア濃度＃２×１０１５／Ｃボ）であり、積層の
周期数は５０〜１００程度である。ここで周期は１障壁
層とこれに接する１井戸層の組合せを指し、この場合の
周期は２００人である。
この量子井戸構造において、井戸層５の厚さが１００人
程度板下であることから、量子井戸中の電子とポールは
、積層方向の運動が制限されてエネルギ準位が量子化さ
れる。そして量子井戸中に存在する励起子は、圧縮され
て強いクーロン引力を受けるために束縛エネルギが増加
し、室温においても安定に存在する。
程度板下であることから、量子井戸中の電子とポールは
、積層方向の運動が制限されてエネルギ準位が量子化さ
れる。そして量子井戸中に存在する励起子は、圧縮され
て強いクーロン引力を受けるために束縛エネルギが増加
し、室温においても安定に存在する。
そこで超格子３が吸収する光の吸収スペクトルは、例え
ば第７図の実線のようになる。このスペクトルでは明瞭
な吸収ピークＰ１、Ｐ２、Ｐ３が観察され、吸収ピーク
の波長が特定される。
ば第７図の実線のようになる。このスペクトルでは明瞭
な吸収ピークＰ１、Ｐ２、Ｐ３が観察され、吸収ピーク
の波長が特定される。
この素子に逆バイアスを加えると、エネルギ・バンド構
造図は、電界已によって第÷図の（ａｌから（ｂ）に変
わる。そして量子井戸の底に形成される三角形のポテン
シャルによって、量子化されたエネルギ準位は低下する
。電界Ｅは励起子を分離する方向に作用するが、ポテン
シャル障壁によって電子・ホール共に量子井戸内に閉じ
込められ、高電界においても励起子は存在する。
造図は、電界已によって第÷図の（ａｌから（ｂ）に変
わる。そして量子井戸の底に形成される三角形のポテン
シャルによって、量子化されたエネルギ準位は低下する
。電界Ｅは励起子を分離する方向に作用するが、ポテン
シャル障壁によって電子・ホール共に量子井戸内に閉じ
込められ、高電界においても励起子は存在する。
このことから、上記光吸収スペクトルにおけろ吸収ピー
クＰ１〜Ｐ３のエネルギは、電界Ｅの印加により低エネ
ルギ側にシフトして、光吸収スペクトルは第７図の実線
から破線のように変化し、吸収ピークＰ１〜Ｐ３の波長
は長波長側に変化する。
クＰ１〜Ｐ３のエネルギは、電界Ｅの印加により低エネ
ルギ側にシフトして、光吸収スペクトルは第７図の実線
から破線のように変化し、吸収ピークＰ１〜Ｐ３の波長
は長波長側に変化する。
第７図から判るように、破線の状態における吸収ピーク
Ｐ３を先に述べた変調対象の波長に合わせると、光吸収
係数は、実線の状態と破線の状態との間で大きく変化す
る。このことが、本素子を外部光変調器として使用し得
る所以である。
Ｐ３を先に述べた変調対象の波長に合わせると、光吸収
係数は、実線の状態と破線の状態との間で大きく変化す
る。このことが、本素子を外部光変調器として使用し得
る所以である。
〔発明が解決しようとする課題］
ところで、第７図で述べた光吸収スペクトルにおいて、
このスペクトルは量子井戸構造に存在する複数の量子井
戸の個々の作用の合成であることから、外部光変調器と
して良好な特性を示すように破線の状態における吸収ピ
ークＰ３の光吸収係数を大きくするためには、実線の状
態から破線の状態に変化する際の吸収ピークＰ３の波長
の変化量が複数の量子井戸の間で揃っているのが望まし
い。
このスペクトルは量子井戸構造に存在する複数の量子井
戸の個々の作用の合成であることから、外部光変調器と
して良好な特性を示すように破線の状態における吸収ピ
ークＰ３の光吸収係数を大きくするためには、実線の状
態から破線の状態に変化する際の吸収ピークＰ３の波長
の変化量が複数の量子井戸の間で揃っているのが望まし
い。
上述した従来例でそのようになるためには、個々の井戸
層５における電界強度が等しくなっているとか必要であ
る・ しかしながら、障壁層４及び井戸層５には先に述べたキ
ャリア濃度を有するため、超格子３における電界強度Ｅ
が例えば第８図の電界強度分布図に示すように分布して
、井戸層５における電界強度Ｅは、ｐ形半導体層１に最
も近い井戸層５で最も大きく、ｎ形半導体層２の側に向
かって次第に小さ（なっている。第８図は先に述べた積
層の周期数が１００の場合であり、図中、Ｚはｐ形半４
体層ｌと超格子３の界面を原点とした超格子３の積層方
向の距離、Ｕは素子に加える逆バイアス電圧、である。
層５における電界強度が等しくなっているとか必要であ
る・ しかしながら、障壁層４及び井戸層５には先に述べたキ
ャリア濃度を有するため、超格子３における電界強度Ｅ
が例えば第８図の電界強度分布図に示すように分布して
、井戸層５における電界強度Ｅは、ｐ形半導体層１に最
も近い井戸層５で最も大きく、ｎ形半導体層２の側に向
かって次第に小さ（なっている。第８図は先に述べた積
層の周期数が１００の場合であり、図中、Ｚはｐ形半４
体層ｌと超格子３の界面を原点とした超格子３の積層方
向の距離、Ｕは素子に加える逆バイアス電圧、である。
このため、上記吸収ピークＰ３の波長の変化量は、ｐ形
半導体層Ｉ側の量子井戸で大きくｎ形半導体層２例の量
子井戸で小さくなって、複数の量子井戸の間で不揃いと
なる。そしてその結果として、破線の状態における吸収
ピークＰ３の光吸収係数が低下する。
半導体層Ｉ側の量子井戸で大きくｎ形半導体層２例の量
子井戸で小さくなって、複数の量子井戸の間で不揃いと
なる。そしてその結果として、破線の状態における吸収
ピークＰ３の光吸収係数が低下する。
そこで本発明は、ｎ形半導体層とｎ形半導体Ｒ−ｊの間
に、障壁層と井戸層が交互に積層されて量子井戸構造を
形成する超格子を存してなり、該超格子が吸収する光の
吸収ピークの波長が逆バイアスにより変化する光半導体
素子において、複数の量子井戸の間で上記波長の変化量
が揃うようにするすることを目的とする。
に、障壁層と井戸層が交互に積層されて量子井戸構造を
形成する超格子を存してなり、該超格子が吸収する光の
吸収ピークの波長が逆バイアスにより変化する光半導体
素子において、複数の量子井戸の間で上記波長の変化量
が揃うようにするすることを目的とする。
上記目的は、複数の井戸層の間でその厚さが、ｎ形半導
体層の側からｎ形半導体層の側に向かって次第に厚くな
っている本発明の光半導体素子によって達成される。
体層の側からｎ形半導体層の側に向かって次第に厚くな
っている本発明の光半導体素子によって達成される。
個々の量子井戸における上記吸収ピークの波長の変化量
は、そこにおける電界強度が大きくなるにつれて増加し
、また、量子井戸の幅（即ち井戸層の厚さ）が大きくな
るにつれて増加する。
は、そこにおける電界強度が大きくなるにつれて増加し
、また、量子井戸の幅（即ち井戸層の厚さ）が大きくな
るにつれて増加する。
従って、井戸層の厚さを上記のようにすることにより、
複数の量子井戸の間で上記波長の変化量を揃えることが
可能になる。
複数の量子井戸の間で上記波長の変化量を揃えることが
可能になる。
以下本発明の実施例について第１図〜第４図を用いて説
明する。第１図は実施例の要部側面図（ａｌと部分拡大
図（ｂ）、第２図は実施例のエネルギ・バンド構造図、
第３図は実施例の電界強度分布図、第４図は量子井戸に
おける量子単位特性図、であり、全図を通じ同一符号は
同一対象物を示す。
明する。第１図は実施例の要部側面図（ａｌと部分拡大
図（ｂ）、第２図は実施例のエネルギ・バンド構造図、
第３図は実施例の電界強度分布図、第４図は量子井戸に
おける量子単位特性図、であり、全図を通じ同一符号は
同一対象物を示す。
第１図に示す実施例は、第５図で述べた従来例の超格子
３を超格子６に変えたものである。
３を超格子６に変えたものである。
超格子６は、従来例の超格子３と同様に、ｎ−ＩｎＰ（
キャリア濃度−Ｉ Ｘ １０ ” ／ ｃｍ）の障壁層
とｎ −１ｎＧａＡｓ （キャリア濃度＃２ Ｘ１０′
５／ ｃＪ）の井戸層を交互に積層してなり、積層の周
期数が５０である。そして第１図（ｂ）に示すように、
ｐ形半導体層ｌの側から８＃１〜８＃５０で示される５
０個の井戸層は、その厚さを８＃１から８＃５０に向か
って８０人から１１０人になるように次第にＩ￥くしで
あり、同じく７＃１〜７＃５０で示される５０個の障壁
層は、個々の周期が２００人になるようにその厚さを変
えてあり、最後の障壁層７＃５１は厚さ１００人である
。
キャリア濃度−Ｉ Ｘ １０ ” ／ ｃｍ）の障壁層
とｎ −１ｎＧａＡｓ （キャリア濃度＃２ Ｘ１０′
５／ ｃＪ）の井戸層を交互に積層してなり、積層の周
期数が５０である。そして第１図（ｂ）に示すように、
ｐ形半導体層ｌの側から８＃１〜８＃５０で示される５
０個の井戸層は、その厚さを８＃１から８＃５０に向か
って８０人から１１０人になるように次第にＩ￥くしで
あり、同じく７＃１〜７＃５０で示される５０個の障壁
層は、個々の周期が２００人になるようにその厚さを変
えてあり、最後の障壁層７＃５１は厚さ１００人である
。
このことから、この素子のエネルギ・ハンド構造図は第
２図のようになり、井戸層８＃１〜８＃５０の厚さの変
化に従って量子井戸の幅が変化している。
２図のようになり、井戸層８＃１〜８＃５０の厚さの変
化に従って量子井戸の幅が変化している。
ここで、井戸層８１１１〜８＃５０の厚さは、第３図及
び第４図を用い次のようにして定めである。
び第４図を用い次のようにして定めである。
即ち、素子に加える逆バイアス電圧Ｕを２０Ｖとすれば
、超格子６における電界強度Ｅは、第８図で説明した事
情により第３図のようになる。第３図によれば、井戸層
における電界強度Ｅは、その最大を示す井戸層８＃ｌに
おいてＥｍａｘ ＝ ２ Ｘｌ０５Ｖ／ｃｍ、最小を示
す井戸層８＃５０においてＥｍｉｎ ＝ｌ Ｘｌ０５Ｖ
／■、である。
、超格子６における電界強度Ｅは、第８図で説明した事
情により第３図のようになる。第３図によれば、井戸層
における電界強度Ｅは、その最大を示す井戸層８＃ｌに
おいてＥｍａｘ ＝ ２ Ｘｌ０５Ｖ／ｃｍ、最小を示
す井戸層８＃５０においてＥｍｉｎ ＝ｌ Ｘｌ０５Ｖ
／■、である。
また、第４図は、励起された電子の量子井戸における量
子準位Ｅ、 （伝導帯底Ｅｃとのエネルギ差）に対す
る電界強度Ｅの依存性を示し、量子井戸の幅（井戸層の
厚さＬ）がパラメータになっている、この量子準位Ｅ１
は、問題としている吸収ピークの波長の変化量に対応す
るものであり、個々の量子井戸における量子準位Ｅ１を
揃えることにより量子井戸の間で上記波長の変化量を揃
えることができる。第４図の特性は、井戸層の材料によ
って決まるものであり、その材料が実施例のｎ Ｉｎ
ＧａＡｓの場合である。
子準位Ｅ、 （伝導帯底Ｅｃとのエネルギ差）に対す
る電界強度Ｅの依存性を示し、量子井戸の幅（井戸層の
厚さＬ）がパラメータになっている、この量子準位Ｅ１
は、問題としている吸収ピークの波長の変化量に対応す
るものであり、個々の量子井戸における量子準位Ｅ１を
揃えることにより量子井戸の間で上記波長の変化量を揃
えることができる。第４図の特性は、井戸層の材料によ
って決まるものであり、その材料が実施例のｎ Ｉｎ
ＧａＡｓの場合である。
そして第４図において、井戸層８＃１の厚さを先に述べ
た８０人とすれば、井戸層８＃１における電界強度がＥ
＝Ｅｍａｘ ＝ ２ Ｘｌ０５Ｖ／ｃ＋ｎであることか
ら、井戸層８１１１が対応する量子井戸における量子準
位はＥ ＋ ＝ １８ｍｅνとなる。そこで、井戸層８
＃５０が対応する量子井戸における量子準位をＥ＋＝１
８ｍｅＶにしようとすれば、井戸層８１１５０における
電界強度がＥ＝Ｅｍｉｎ ＝ ｌ ｘｉｏｓ Ｖ／ａｍ
であることから、井戸層８＃５０の厚さとして先に述べ
た１１０人が求められる。
た８０人とすれば、井戸層８＃１における電界強度がＥ
＝Ｅｍａｘ ＝ ２ Ｘｌ０５Ｖ／ｃ＋ｎであることか
ら、井戸層８１１１が対応する量子井戸における量子準
位はＥ ＋ ＝ １８ｍｅνとなる。そこで、井戸層８
＃５０が対応する量子井戸における量子準位をＥ＋＝１
８ｍｅＶにしようとすれば、井戸層８１１５０における
電界強度がＥ＝Ｅｍｉｎ ＝ ｌ ｘｉｏｓ Ｖ／ａｍ
であることから、井戸層８＃５０の厚さとして先に述べ
た１１０人が求められる。
井戸層８＃２〜８＃４９に関しては、それぞれにおける
電界強度Ｅを第３図から求め得るので、井戸層８１１５
０の厚さを求めるのと同様にして、量子準位がＥ＋＝１
８ｍｅνとなるそれぞれの厚さを求めることができる。
電界強度Ｅを第３図から求め得るので、井戸層８１１５
０の厚さを求めるのと同様にして、量子準位がＥ＋＝１
８ｍｅνとなるそれぞれの厚さを求めることができる。
そしてその厚さは、８０〜１１０人の範囲内にあって井
戸層８＃１から井戸層８＃５０に向かって次第に厚くな
る。
戸層８＃１から井戸層８＃５０に向かって次第に厚くな
る。
かくして実施例は、複数の量子井戸の間で問題にしてい
る波長の変化量が揃うようになる。その結果、第７図で
述べた光吸収スペクトルにおける破線の状態の吸収ピー
クＰ３の光吸収係数が従来例の略２倍と太き（なり、外
部光変調器として良好な特性を示すようになる。
る波長の変化量が揃うようになる。その結果、第７図で
述べた光吸収スペクトルにおける破線の状態の吸収ピー
クＰ３の光吸収係数が従来例の略２倍と太き（なり、外
部光変調器として良好な特性を示すようになる。
なお実施例は本発明に係る光半導体素子の一例を示した
ものであり、本発明は、超格子における複数の井戸層の
間でその厚さが、例えば上述の第３図及び第４図により
求められて、ｐ形半導体層の側からｎ形半導体層の側に
向かって次第に厚くなっているならば、その細部、例え
ば使用する材料や超格子の周期及び周期数など、が実施
例に限定されるものではない。
ものであり、本発明は、超格子における複数の井戸層の
間でその厚さが、例えば上述の第３図及び第４図により
求められて、ｐ形半導体層の側からｎ形半導体層の側に
向かって次第に厚くなっているならば、その細部、例え
ば使用する材料や超格子の周期及び周期数など、が実施
例に限定されるものではない。
以上説明したように本発明の構成によれば、ｐ形半導体
層とｎ形半導体層の間に、障壁層と井戸層が交互に積層
されて量子井戸構造を形成する超格子を有してなり、該
超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆バイアスに
より変化する光半導体素子において、複数の量子井戸の
間で上記波長の変化量が揃うようにするすることができ
て、例えば外部光変調器としての特性の向上を可能にさ
せる効果がある。
層とｎ形半導体層の間に、障壁層と井戸層が交互に積層
されて量子井戸構造を形成する超格子を有してなり、該
超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆バイアスに
より変化する光半導体素子において、複数の量子井戸の
間で上記波長の変化量が揃うようにするすることができ
て、例えば外部光変調器としての特性の向上を可能にさ
せる効果がある。
第１図は実施例の要部側面図と部分拡大図、第２図は実
施例のエネルギ・バンド構造図、第３図は実施例の電界
強度分布図、 第４図は量子井戸における量子準位特性図、第５図は従
来例の要部側面図、 第６図は従来例のエネルギ・バンド構造図、第７図は光
吸収のスペクトル図、 第８図は従来例の電界強度分布図、 である。 図において、 ｌはｐ形半導体層、 ２はｎ形半導体層、 ３．６は超格子、 ４．７＃１〜７＃５０は障壁層、 ５．８１１１〜８＃５０は井戸層、 Ｅは電界または電界強度、 Ｅｌは量子準位、 Ｌは井戸層の厚さ、 Ｐ１〜Ｐ３は光吸収ピーク、 Ｕは逆バイアス電圧、 ＺＩ！超格子の積層方向の距離、 である。 實宅例の嬰舒穆・１面図と告ｐ介払人２第 １ 図 す胞倒／＋Ｌ享ルギ、パン１．−１１刀第２図 賞腋例ｎ霊界夕Ｕ扮諦図 第 ３ 図 」を−羊叶戸（二お（する量−５−ギイ立特イも間第
４ 図 叱方２ヨ子ミイクＪ ｄつＦンＰイ目・ｌｆｆ１うＣン
７第 ５ 図 狭釆分１＝ｎエネルギ・パンＦＡ造図 第６図
施例のエネルギ・バンド構造図、第３図は実施例の電界
強度分布図、 第４図は量子井戸における量子準位特性図、第５図は従
来例の要部側面図、 第６図は従来例のエネルギ・バンド構造図、第７図は光
吸収のスペクトル図、 第８図は従来例の電界強度分布図、 である。 図において、 ｌはｐ形半導体層、 ２はｎ形半導体層、 ３．６は超格子、 ４．７＃１〜７＃５０は障壁層、 ５．８１１１〜８＃５０は井戸層、 Ｅは電界または電界強度、 Ｅｌは量子準位、 Ｌは井戸層の厚さ、 Ｐ１〜Ｐ３は光吸収ピーク、 Ｕは逆バイアス電圧、 ＺＩ！超格子の積層方向の距離、 である。 實宅例の嬰舒穆・１面図と告ｐ介払人２第 １ 図 す胞倒／＋Ｌ享ルギ、パン１．−１１刀第２図 賞腋例ｎ霊界夕Ｕ扮諦図 第 ３ 図 」を−羊叶戸（二お（する量−５−ギイ立特イも間第
４ 図 叱方２ヨ子ミイクＪ ｄつＦンＰイ目・ｌｆｆ１うＣン
７第 ５ 図 狭釆分１＝ｎエネルギ・パンＦＡ造図 第６図
Claims (1)
- ｐ形半導体層とｎ形半導体層の間に、障壁層と井戸層が
交互に積層されて量子井戸構造を形成する超格子を有し
てなり、該超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆
バイアスにより変化する光半導体素子において、複数の
井戸層の間でその厚さが、ｐ形半導体層の側からｎ形半
導体層の側に向かって次第に厚くなっていることを特徴
とする光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9380788A JPH01265225A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9380788A JPH01265225A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265225A true JPH01265225A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14092676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9380788A Pending JPH01265225A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265225A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894267B2 (en) * | 2000-10-27 | 2005-05-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Photodetector device having stacked structure with improved response rate |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9380788A patent/JPH01265225A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894267B2 (en) * | 2000-10-27 | 2005-05-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Photodetector device having stacked structure with improved response rate |
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