JPH01262523A - 光半導体素子 - Google Patents
光半導体素子Info
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- JPH01262523A JPH01262523A JP63092509A JP9250988A JPH01262523A JP H01262523 A JPH01262523 A JP H01262523A JP 63092509 A JP63092509 A JP 63092509A JP 9250988 A JP9250988 A JP 9250988A JP H01262523 A JPH01262523 A JP H01262523A
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- Japan
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- type semiconductor
- well
- recessed part
- layer
- semiconductor layer
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01725—Non-rectangular quantum well structures, e.g. graded or stepped quantum wells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に、障壁層と井戸層が
交互に積層されて量子井戸構造を形成する超格子を有し
てなり、該超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆
バイアスにより変化する光半導体素子に関し、 逆バイアス電圧が小さくとも上記波長の変化が大きくな
るようにすることを目的とし、井戸層の伝導帯底がｎ型
半導体層の側で部分的により低くなる凹部、及び井戸層
の価電子帯頂がｐ型半導体層の側で部分的により高くな
る凹部、の少な（とも何れか一方の凹部を有するように
構成する。
交互に積層されて量子井戸構造を形成する超格子を有し
てなり、該超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆
バイアスにより変化する光半導体素子に関し、 逆バイアス電圧が小さくとも上記波長の変化が大きくな
るようにすることを目的とし、井戸層の伝導帯底がｎ型
半導体層の側で部分的により低くなる凹部、及び井戸層
の価電子帯頂がｐ型半導体層の側で部分的により高くな
る凹部、の少な（とも何れか一方の凹部を有するように
構成する。
本発明は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に、障壁層
と井戸層が交互に積層されて量子井戸構造を形成する超
格子を有してなり、該超格子が吸収する光の吸収ピーク
の波長が逆バイアスにより変化する光半導体素子に関す
る。
と井戸層が交互に積層されて量子井戸構造を形成する超
格子を有してなり、該超格子が吸収する光の吸収ピーク
の波長が逆バイアスにより変化する光半導体素子に関す
る。
光通信システムの高速化の要請に伴い、半導体レーザか
ら連続的に発するレーザ光を電気信号により高速で変調
する外部光変調器が要求されている。
ら連続的に発するレーザ光を電気信号により高速で変調
する外部光変調器が要求されている。
上記光半導体素子は、レーザ光の波長に対して上記吸収
ピークの波長を合わせたり外したりすることにより上記
変調を行い得るものであり、変調対象の波長に対する光
吸収係数を大きく変化させ得る特徴を有している。
ピークの波長を合わせたり外したりすることにより上記
変調を行い得るものであり、変調対象の波長に対する光
吸収係数を大きく変化させ得る特徴を有している。
第４図は、上述した光半導体素子の従来例の要部側面図
である。
である。
同図において、１はｎ−１ｎＰのｎ形半導体層、２はｐ
−ＴｎＰのｐ形半導体層、３はｎ形半４体層ｌ及びｐ形
半導体層２の間の超格子である。
−ＴｎＰのｐ形半導体層、３はｎ形半４体層ｌ及びｐ形
半導体層２の間の超格子である。
超格子３は、障壁層４と井戸層５が交互に積層されて、
第５図のエネルギ・バンド構造図の（ａｌに示されるよ
うな量子井戸構造を形成している。障壁層４は厚さ１０
０人のｎ−１ｎＰ、井戸層５は厚さ１００人のｎ −１
ｎＧａＡｓ （またはｎ −１ｎＧａＡｓ Ｐ ）であ
り、積層数は２００人を周期にして５０〜１００周期程
度である。
第５図のエネルギ・バンド構造図の（ａｌに示されるよ
うな量子井戸構造を形成している。障壁層４は厚さ１０
０人のｎ−１ｎＰ、井戸層５は厚さ１００人のｎ −１
ｎＧａＡｓ （またはｎ −１ｎＧａＡｓ Ｐ ）であ
り、積層数は２００人を周期にして５０〜１００周期程
度である。
この量子井戸構造において、井戸層５の厚さが１００人
程変態下であることから、井戸中の電子とホールは、積
層方向の運動が制限されてエネルギ準位が量子化される
。そして井戸中に存在する励起子は、圧縮されて強いク
ーロン引力を受けるために束縛エネルギが増加し、室温
においても安定に存在する。
程変態下であることから、井戸中の電子とホールは、積
層方向の運動が制限されてエネルギ準位が量子化される
。そして井戸中に存在する励起子は、圧縮されて強いク
ーロン引力を受けるために束縛エネルギが増加し、室温
においても安定に存在する。
そこで超格子３が吸収する光の吸収スペクトルは、例え
ば第６図の実線のようになる。このスペクトルでは明瞭
な吸収ピークＰ１、Ｐ２、Ｐ３が観察され、吸収ピーク
の波長が特定される。
ば第６図の実線のようになる。このスペクトルでは明瞭
な吸収ピークＰ１、Ｐ２、Ｐ３が観察され、吸収ピーク
の波長が特定される。
この素子に逆バイアスを加えると、エネルギ・バンド構
造図は、電界已によって第５図の（ａ）から（ｂ）に変
わる。そして井戸の底に形成される三角形のポテンシャ
ルによって、量子化されたエネルギ準位は低下する。電
界Ｅは励起子を分離する方向に作用するが、ポテンシャ
ル障壁によって電子・ホール共に井戸内に閉じ込められ
、高電界においても励起子は存在する。
造図は、電界已によって第５図の（ａ）から（ｂ）に変
わる。そして井戸の底に形成される三角形のポテンシャ
ルによって、量子化されたエネルギ準位は低下する。電
界Ｅは励起子を分離する方向に作用するが、ポテンシャ
ル障壁によって電子・ホール共に井戸内に閉じ込められ
、高電界においても励起子は存在する。
このことから、上記光吸収スペクトルにおける吸収ピー
クＰ１〜Ｐ３のエネルギは、電界Ｅの印加により低エネ
ルギ側にシフトして、光吸収スペクトルは第６図の実線
から破線のように変化し、吸収ピークＰ１〜Ｐ３の波長
は長波長側に移動する。このエネルギ・シフトは、主と
して、三角形のポテンシャルの形成による実効的なバン
ド・ギャップの縮小度合と、電子またはホールの波動関
数の分布が所定のポテンシャル障壁側に引き寄せられる
度合によって決り、それぞれの度合が大きくなるに従い
大きくなる。
クＰ１〜Ｐ３のエネルギは、電界Ｅの印加により低エネ
ルギ側にシフトして、光吸収スペクトルは第６図の実線
から破線のように変化し、吸収ピークＰ１〜Ｐ３の波長
は長波長側に移動する。このエネルギ・シフトは、主と
して、三角形のポテンシャルの形成による実効的なバン
ド・ギャップの縮小度合と、電子またはホールの波動関
数の分布が所定のポテンシャル障壁側に引き寄せられる
度合によって決り、それぞれの度合が大きくなるに従い
大きくなる。
第６図から判るように、破線の状態における吸収ピーク
Ｐ３を先に述べた変調対象の波長に合わせると、光吸収
係数は、実線の状態と破線の状態との間で太き（変化す
る。このことが、本素子を外部光変調器として使用し得
る所以である。
Ｐ３を先に述べた変調対象の波長に合わせると、光吸収
係数は、実線の状態と破線の状態との間で太き（変化す
る。このことが、本素子を外部光変調器として使用し得
る所以である。
本素子を外部光変調器として使用する場合には、実線の
状態から破線の状態に変わる際の吸収ピークＰ３の波長
の変化Ａは、大きい方が好都合である。
状態から破線の状態に変わる際の吸収ピークＰ３の波長
の変化Ａは、大きい方が好都合である。
この波長の変化Ａが小さすぎると、実線の状態における
光吸収係数の低下が不充分となり良好な特性が得られな
くなる。
光吸収係数の低下が不充分となり良好な特性が得られな
くなる。
第７図は、障壁層がＩｎＰ、井戸層がＩｎＧａＡｓで、
周Ｍ（障壁層の厚さ十井戸層の厚さ）を２００人にして
積層数を５０周期にした場合のエネルギ・シフト特性図
であり、横軸は井戸層の厚さ、パラメータは逆バイアス
の電圧である。エネルギ・シフＩ−は、井戸層の厚さが
太き（なる程大きくなり、また、逆バイアス電圧が大き
くなる程大きくなっている。
周Ｍ（障壁層の厚さ十井戸層の厚さ）を２００人にして
積層数を５０周期にした場合のエネルギ・シフト特性図
であり、横軸は井戸層の厚さ、パラメータは逆バイアス
の電圧である。エネルギ・シフＩ−は、井戸層の厚さが
太き（なる程大きくなり、また、逆バイアス電圧が大き
くなる程大きくなっている。
然し、井戸層の厚さは、それを大きくし過ぎると励起子
が電界によって分離されてしまい光吸収係数が著しく低
下するので、１００人程変調制限される。上記従来例の
素子で井戸層５の厚さを１００人にしたのはこのことに
基づいている。
が電界によって分離されてしまい光吸収係数が著しく低
下するので、１００人程変調制限される。上記従来例の
素子で井戸層５の厚さを１００人にしたのはこのことに
基づいている。
そしてそのようにしても、実用上必要な波長の変化Ａに
対応するエネルギ・シフトがｌＯｍｅＶ程度以上である
ことから、逆バイアス電圧は、少なくともＩＯＶ程度以
上にする必要がある。
対応するエネルギ・シフトがｌＯｍｅＶ程度以上である
ことから、逆バイアス電圧は、少なくともＩＯＶ程度以
上にする必要がある。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、１０ Ｇ Ｈｚ以上の高速で動作する外
部光変調器として用いる場合、印加できる逆バイアス電
圧は駆動回路の性能によって制約され、最大で約３ｖ程
度である。このためＩＯＶ程度以上を必要とする従来例
は、上記のような高速に使用国費である欠点がある。
部光変調器として用いる場合、印加できる逆バイアス電
圧は駆動回路の性能によって制約され、最大で約３ｖ程
度である。このためＩＯＶ程度以上を必要とする従来例
は、上記のような高速に使用国費である欠点がある。
そこで本発明は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に、
障壁層と井戸層が交互に積層されて量子井戸構造を形成
する超格子を有してなり、該超格子が吸収する光の吸収
ピークの波長が逆バイアスにより変化する光半導体素子
において、逆バイアス電圧が小さくとも上記波長の変化
（第６図における波長の変化Ａ）が大きくなるようにす
ることを目的とする。
障壁層と井戸層が交互に積層されて量子井戸構造を形成
する超格子を有してなり、該超格子が吸収する光の吸収
ピークの波長が逆バイアスにより変化する光半導体素子
において、逆バイアス電圧が小さくとも上記波長の変化
（第６図における波長の変化Ａ）が大きくなるようにす
ることを目的とする。
第１図は本発明の原理を示すエネルギ・バンド構造図で
あり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ先に説明した第５図
の（ａｌ及び＜ｂｉに対応する。図中、第４図及び第５
図に示される符号と同一符号は同一対象物を示し、６は
超格子３に相当する超格子、７は井戸層５に相当する井
戸層、である。
あり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ先に説明した第５図
の（ａｌ及び＜ｂｉに対応する。図中、第４図及び第５
図に示される符号と同一符号は同一対象物を示し、６は
超格子３に相当する超格子、７は井戸層５に相当する井
戸層、である。
上記目的は、井戸層７の伝導帯底Ｅｃがｎ型半導体層１
の側で部分的により低（なる凹部８、及び井戸層７の価
電子帯頂εＶがｐ型半導体層２の側で部分的により高く
なる凹部９、の少なくとも何れか一方の凹部を有する本
発明の光半導体素子によって達成される。
の側で部分的により低（なる凹部８、及び井戸層７の価
電子帯頂εＶがｐ型半導体層２の側で部分的により高く
なる凹部９、の少なくとも何れか一方の凹部を有する本
発明の光半導体素子によって達成される。
逆バイアスにより電界Ｅが印加された状態を示す第１図
（ｂ）において、上記凹部８を有する場合には、光吸収
によって量子井戸の伝立帯に生成された電子の波動関数
の分布は、凹部８の存在によってｎ形半導体１１例のポ
テンシャル障壁の方に引き寄せられる度合が大きくなる
。従って、凹部８を有しない場合より先に述べたポテン
シャル・シフトが大きくなり、凹部を有しない場合には
不足であると見られる逆バイアス電圧を印加した際にも
、第６図における波長の変化Ａの必要量を確保すること
が可能になる。
（ｂ）において、上記凹部８を有する場合には、光吸収
によって量子井戸の伝立帯に生成された電子の波動関数
の分布は、凹部８の存在によってｎ形半導体１１例のポ
テンシャル障壁の方に引き寄せられる度合が大きくなる
。従って、凹部８を有しない場合より先に述べたポテン
シャル・シフトが大きくなり、凹部を有しない場合には
不足であると見られる逆バイアス電圧を印加した際にも
、第６図における波長の変化Ａの必要量を確保すること
が可能になる。
また上記凹部９を有する場合には、同じく価電子帯に生
成されたホールの波動関数の分布は、凹部９の存在によ
ってｐ形半導体層２側のポテンシャル障壁の方に引き寄
せられる度合が大きくなる。
成されたホールの波動関数の分布は、凹部９の存在によ
ってｐ形半導体層２側のポテンシャル障壁の方に引き寄
せられる度合が大きくなる。
従って、この場合も上記と同様になる。
更に、四部８及び９を有する場合には、上記二つの場合
のそれぞれの作用が重畳されて一層有利になる。
のそれぞれの作用が重畳されて一層有利になる。
以下本発明の実施例について第２図及び第３図を用いて
説明する。第２図は実施例の要部側面図、第３図は実施
例のエネルギ・バンド構造図（ａｌ （ｂｉ、であり、
全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
説明する。第２図は実施例の要部側面図、第３図は実施
例のエネルギ・バンド構造図（ａｌ （ｂｉ、であり、
全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
第２図に示す実施例は、第４図で述べた従来例の超格子
３を超格子６に変えたものである。
３を超格子６に変えたものである。
超格子６は、障壁層４と井戸層７が交互に積層されて、
第３図のエネルギ・バンド構造図の（ａ）に示されるよ
うな量子井戸構造を形成している。従来例の超格子３と
比較すると、井戸層７のみが異なっている。
第３図のエネルギ・バンド構造図の（ａ）に示されるよ
うな量子井戸構造を形成している。従来例の超格子３と
比較すると、井戸層７のみが異なっている。
即ち、第３図の（ａｌの部分拡大である（ｂ）に示すよ
うに、障壁層４は従来例と同じく厚さ１００人のｎ−Ｉ
ｎＰであり、井戸層７は、厚さが従来例と同じ＜１００
人であるが、厚さ７０人のＩｎ ｘＧａＩ−ｘＡＳ ｙ
Ｐ １−ｙ（ｘ＝０．２８、ｙ ＝０．６）の主井戸
層７ａと、厚さ３０人のＩｎｘＧａ、、（＾ｓ （ｘ
＝０．５３）の副井戸層７ｂからなる２層構成をなし、
副井戸層７ｂがｎ形半専体筋１の側になっている。
うに、障壁層４は従来例と同じく厚さ１００人のｎ−Ｉ
ｎＰであり、井戸層７は、厚さが従来例と同じ＜１００
人であるが、厚さ７０人のＩｎ ｘＧａＩ−ｘＡＳ ｙ
Ｐ １−ｙ（ｘ＝０．２８、ｙ ＝０．６）の主井戸
層７ａと、厚さ３０人のＩｎｘＧａ、、（＾ｓ （ｘ
＝０．５３）の副井戸層７ｂからなる２層構成をなし、
副井戸層７ｂがｎ形半専体筋１の側になっている。
そして、同図には伝導帯底Ｅｃ及び価電子帯頂Ｅνにお
ける各層間のエネルギ差が示されるが、井戸層７の伝導
帯底Ｅｃには副井戸層７ｂにより深さ０．０８ｅＶの凹
部８が形成されている。
ける各層間のエネルギ差が示されるが、井戸層７の伝導
帯底Ｅｃには副井戸層７ｂにより深さ０．０８ｅＶの凹
部８が形成されている。
この実施例に従来例の場合と同様に逆バイアスを加える
と、第３図（ｂｌの伝導帯底Ｅｃは第１図（ｂｌの伝導
帯底Ｅｃのようになり、先に述べた作用により先に述べ
たポテンシャル・シフトは従来例の場合より大きくなる
。その際、価電子帯頂Ｅｖには副井戸開７ｂにより形成
される凹部９ａを有するが、逆バイアスにより主井戸層
７ａとｐ形半導体層２側の障壁層４が三角形のポテンシ
ャルを形成して、ホールが主井戸層７ａ内に分布するの
で、凹部９ａの影ツは極めて少ない。
と、第３図（ｂｌの伝導帯底Ｅｃは第１図（ｂｌの伝導
帯底Ｅｃのようになり、先に述べた作用により先に述べ
たポテンシャル・シフトは従来例の場合より大きくなる
。その際、価電子帯頂Ｅｖには副井戸開７ｂにより形成
される凹部９ａを有するが、逆バイアスにより主井戸層
７ａとｐ形半導体層２側の障壁層４が三角形のポテンシ
ャルを形成して、ホールが主井戸層７ａ内に分布するの
で、凹部９ａの影ツは極めて少ない。
本発明者は、上記実施例に３■の逆バイアスを印加した
際のエネルギ・シフトが、従来例に同じ逆バイアスを印
加した際のエネルギ・シフトより約１ｏ１１ｅν大きく
なることを確認した。このことは、本実施例が１０ Ｇ
Ｈｚ以上の高速で動作する外部変調器として使用し得
ることを意味する。
際のエネルギ・シフトが、従来例に同じ逆バイアスを印
加した際のエネルギ・シフトより約１ｏ１１ｅν大きく
なることを確認した。このことは、本実施例が１０ Ｇ
Ｈｚ以上の高速で動作する外部変調器として使用し得
ることを意味する。
なお、上記実施例で、主井戸層７ａと副弁戸開７ｂとの
配置を入れ換えて、井戸層７の価電子帯頂Ｅνに第１図
に示される凹部９が形成されるようにしても同様な結果
が得られ、更に、井戸層を３層構成にして第１図に示す
凹部８及び９の両方を設けるようにすれば、−ｉ良好な
結果が得られることは容易に類推されよう。
配置を入れ換えて、井戸層７の価電子帯頂Ｅνに第１図
に示される凹部９が形成されるようにしても同様な結果
が得られ、更に、井戸層を３層構成にして第１図に示す
凹部８及び９の両方を設けるようにすれば、−ｉ良好な
結果が得られることは容易に類推されよう。
また、実施例は、障壁層４にＩｎＰを、井戸層７にＩｎ
ＧａＡｓ Ｐ及びＩｎＧａＡｓを用い、それぞれの厚さ
を特定しであるが、上述の説明から明らかなように本発
明の原理はエネルギ・バンド構造の形態によるものであ
ることから、本発明は、使用する半轟体及びその厚さが
実施例に限定されるものではない。
ＧａＡｓ Ｐ及びＩｎＧａＡｓを用い、それぞれの厚さ
を特定しであるが、上述の説明から明らかなように本発
明の原理はエネルギ・バンド構造の形態によるものであ
ることから、本発明は、使用する半轟体及びその厚さが
実施例に限定されるものではない。
以上説明したように本発明の構成によれば、ｎ型半導体
層とｐ型半導体層の間に、障壁層と井戸層が交互に積層
されて量子井戸構造を形成する超格子を有してなり、該
超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆バイアスに
より変化する°光半導体素子において、逆バイアス電圧
が小さくとも上記波長の変化が大きくなるようにするこ
とができて、当該素子を例えば１０ Ｇ Ｈｚ以上の高
速で動作する外部変調器として使用可能にさせる効果が
ある。
層とｐ型半導体層の間に、障壁層と井戸層が交互に積層
されて量子井戸構造を形成する超格子を有してなり、該
超格子が吸収する光の吸収ピークの波長が逆バイアスに
より変化する°光半導体素子において、逆バイアス電圧
が小さくとも上記波長の変化が大きくなるようにするこ
とができて、当該素子を例えば１０ Ｇ Ｈｚ以上の高
速で動作する外部変調器として使用可能にさせる効果が
ある。
第１図は本発明の原理を示すエネルギ・バンド構造図、
第２図は実施例の要部側面図、
第３図は実施例のエネルギ・バンド構造図、第４図は従
来例の要部側面図、 第５図は従来例のエネルギ・バンド構造図、第６図は光
吸収のスペクトル図、 第７図は一従来例のエネルギ・シフト特性図、である。 図において、 １はｎ形半導体層、 ２はｐ形半導体層、 ３．６は超格子、 ４は障壁層、 ５．７は井戸層、 ７ａは主井戸層、 ７ｂは副弁戸開、 Ｅは電界、 Ｐ１〜Ｐ３は光吸収ピーク、 ＡはＰ３の波長の変化、 である。
来例の要部側面図、 第５図は従来例のエネルギ・バンド構造図、第６図は光
吸収のスペクトル図、 第７図は一従来例のエネルギ・シフト特性図、である。 図において、 １はｎ形半導体層、 ２はｐ形半導体層、 ３．６は超格子、 ４は障壁層、 ５．７は井戸層、 ７ａは主井戸層、 ７ｂは副弁戸開、 Ｅは電界、 Ｐ１〜Ｐ３は光吸収ピーク、 ＡはＰ３の波長の変化、 である。
Claims (1)
- ｎ型半導体層（１）とｐ型半導体層（２）の間に、障
壁層（４）と井戸層（７）が交互に積層されて量子井戸
構造を形成する超格子（６）を有してなり、該超格子（
６）が吸収する光の吸収ピークの波長が逆バイアスによ
り変化する光半導体素子において、井戸層（７）の伝導
帯底（Ｅｃ）がｎ型半導体層（１）の側で部分的により
低くなる凹部（８）、及び井戸層（７）の価電子帯頂（
Ｅｖ）がｐ型半導体層（２）の側で部分的により高くな
る凹部（９）、の少なくとも何れか一方の凹部を有する
ことを特徴とする光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092509A JPH01262523A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092509A JPH01262523A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01262523A true JPH01262523A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=14056280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63092509A Pending JPH01262523A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | 光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01262523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005096463A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2008-02-21 | 日本電気株式会社 | 面発光レーザおよびその駆動方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623220A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Nec Corp | 光変調器 |
| JPS6285227A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Tokyo Inst Of Technol | 光回路機能素子 |
-
1988
- 1988-04-14 JP JP63092509A patent/JPH01262523A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623220A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Nec Corp | 光変調器 |
| JPS6285227A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Tokyo Inst Of Technol | 光回路機能素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005096463A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2008-02-21 | 日本電気株式会社 | 面発光レーザおよびその駆動方法 |
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