JPH01265583A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01265583A JPH01265583A JP9316188A JP9316188A JPH01265583A JP H01265583 A JPH01265583 A JP H01265583A JP 9316188 A JP9316188 A JP 9316188A JP 9316188 A JP9316188 A JP 9316188A JP H01265583 A JPH01265583 A JP H01265583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- substrate
- laser device
- photodetector
- laser element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従フて本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ１発明の概要
Ｃ０従来技術「第３図」
Ｄ、発明が解決しようとする問題点
Ｅ１問題点を解決するための手段
Ｆ０作用
Ｇ、実施例［第１図、第２図］
Ｈ６発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ装置、特に半導体レーザ素子の光
出力をモニターするフォトデテクタを備えた半導体レー
ザ装置に関する。
出力をモニターするフォトデテクタを備えた半導体レー
ザ装置に関する。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、上記の半導体レーザ装置において、放熱性を
高めるため、 半導体レーザ素子を良熱伝導性基板にマウンティングす
ることとし、フォトデテクタを良熱伝導性基板上に光導
波手段を介して固定して半導体レーザ素子から出射され
るモニター光を光導波手段によってフォトデテクタへ導
くようにしたものである。
高めるため、 半導体レーザ素子を良熱伝導性基板にマウンティングす
ることとし、フォトデテクタを良熱伝導性基板上に光導
波手段を介して固定して半導体レーザ素子から出射され
るモニター光を光導波手段によってフォトデテクタへ導
くようにしたものである。
（Ｃ，従来技術）［第３図］
コンパクトディスクプレイヤー、レーザディスクプレイ
ヤー等の光ピツクアップに光源として用いられる半導体
レーザ装置は、特願昭６２−７２５６５において紹介し
たように、レーザ光を発生する半導体レーザ素子のほか
にそのモニター光の強さを一定に保つコントロールのた
めにレーザ光をモニターするフォトデテクタを備えてい
るのが普通である。
ヤー等の光ピツクアップに光源として用いられる半導体
レーザ装置は、特願昭６２−７２５６５において紹介し
たように、レーザ光を発生する半導体レーザ素子のほか
にそのモニター光の強さを一定に保つコントロールのた
めにレーザ光をモニターするフォトデテクタを備えてい
るのが普通である。
第３図はそのような半導体レーザ装置の従来例を示すも
のである。同図において、ａはシリコンからなる半導体
基板、ｂは該半導体基板ａの一部上に固着された半導体
レーザ素子、Ｃは該半導体レーザ素子すの活性層、ｄは
半導体レーザ素子すの本来のレーザ光、即ち、信号の読
み取りに使用するレーザ光を出射する端面、ｅはそれと
反対側の端面であるところのモニター光出射端面である
。ｆは半導体基板ａの表面部に形成されたフォトダイオ
ードで、半導体レーザ素子すから出射されたモニター光
を受光する。
のである。同図において、ａはシリコンからなる半導体
基板、ｂは該半導体基板ａの一部上に固着された半導体
レーザ素子、Ｃは該半導体レーザ素子すの活性層、ｄは
半導体レーザ素子すの本来のレーザ光、即ち、信号の読
み取りに使用するレーザ光を出射する端面、ｅはそれと
反対側の端面であるところのモニター光出射端面である
。ｆは半導体基板ａの表面部に形成されたフォトダイオ
ードで、半導体レーザ素子すから出射されたモニター光
を受光する。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）第３図に示した
従来の半導体レーザ装置には放熱性が悪く、そのため半
導体レーザ素子の寿命が低下するという問題がある。と
いうのは、半導体レーザ素子すがマウントされる基板ａ
はシリコン半導体基板からなり銅Ｃｕ等に比較して熱伝
導性が悪いからである。
従来の半導体レーザ装置には放熱性が悪く、そのため半
導体レーザ素子の寿命が低下するという問題がある。と
いうのは、半導体レーザ素子すがマウントされる基板ａ
はシリコン半導体基板からなり銅Ｃｕ等に比較して熱伝
導性が悪いからである。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、半導体レーザ素子の光出力をモニターするフォト
デテクタを備えた半導体レーザ装置の放熱性を高くする
ことを目的とする。
あり、半導体レーザ素子の光出力をモニターするフォト
デテクタを備えた半導体レーザ装置の放熱性を高くする
ことを目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明半導体レーザ装置は上記問題点を解決するため、
半導体レーザ素子を良熱伝導性基板にマウンティングす
ることとし、フォトデテクタを良熱伝導性基板上に光導
波手段を介して固定して半導体レーザ素子から出射され
るモニター光を光導波手段によってフォトデテクタへ導
くようにしたことを特徴とする。
半導体レーザ素子を良熱伝導性基板にマウンティングす
ることとし、フォトデテクタを良熱伝導性基板上に光導
波手段を介して固定して半導体レーザ素子から出射され
るモニター光を光導波手段によってフォトデテクタへ導
くようにしたことを特徴とする。
（Ｆ、作用）
本発明半導体レーザ装置によれば、フォトデテクタを半
導体レーザ素子がマウントされる基板に形成するのでは
なく、基板と別個に形成し、光導波手段を介してフォト
デテクタを基板に固定するので、基板としてシリコン半
導体基板ではなくそれより熱伝導性の良いものを用いる
ことができる。従って、半導体レーザ装置の放熱性を良
くすることができる。
導体レーザ素子がマウントされる基板に形成するのでは
なく、基板と別個に形成し、光導波手段を介してフォト
デテクタを基板に固定するので、基板としてシリコン半
導体基板ではなくそれより熱伝導性の良いものを用いる
ことができる。従って、半導体レーザ装置の放熱性を良
くすることができる。
そして、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は上
記光導波手段を介してフォトデテクタへ導くことができ
るのでフォトデテクタにより支障なく半導体レーザ素子
の出力レーザ光をモニターすることができる。
記光導波手段を介してフォトデテクタへ導くことができ
るのでフォトデテクタにより支障なく半導体レーザ素子
の出力レーザ光をモニターすることができる。
（Ｇ、実施例）［第１図、第２図］
以下、本発明半導体レーザ装置を図示実施例に従って詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図及び第２図は本発明半導体レーザ装置の一つの実
施例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は断面図で
ある。
施例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は断面図で
ある。
１は例えば銅Ｃ’ｕからなる基板、２は該基板１の一部
分上に半田層３を介してマウンティングされた半導体レ
ーザ素子、４は活性層、５は本来のレーザ光を出射する
レーザ光出射端面、６はモニター光出射端面であり、該
モニター光出射端面６は基板１の中央部側を向き、レー
ザ光出射端面５は外側を向いている。
分上に半田層３を介してマウンティングされた半導体レ
ーザ素子、４は活性層、５は本来のレーザ光を出射する
レーザ光出射端面、６はモニター光出射端面であり、該
モニター光出射端面６は基板１の中央部側を向き、レー
ザ光出射端面５は外側を向いている。
７はフォトデテクタで、シリコン半導体基板自の表面部
にフォトダイオード９を形成してなり、受光面を下向き
にして透明導電性接着剤１０により基板１に接着されて
いる。
にフォトダイオード９を形成してなり、受光面を下向き
にして透明導電性接着剤１０により基板１に接着されて
いる。
この半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子２が点灯状
態になるとレーザ光出射端面５から本来のレーザ光１１
が出射され、レーザ光出射端面６からモニター光１２が
出射され、該モニター光１２が透明導電性接着剤１０に
入射し導波光としてフォトデテクタ８により受光される
。
態になるとレーザ光出射端面５から本来のレーザ光１１
が出射され、レーザ光出射端面６からモニター光１２が
出射され、該モニター光１２が透明導電性接着剤１０に
入射し導波光としてフォトデテクタ８により受光される
。
この半導体レーザ装置は、基板１が銅Ｃｕという熱伝導
性の非常に良い材料からなるので放熱性が良い。そして
、光導波手段２から出射されたモニター光１２を透明導
電性接着剤１０によりフォトデテクタ７に導光すること
により半導体レーザ素子２のモニターを支障なく行うこ
とができる。
性の非常に良い材料からなるので放熱性が良い。そして
、光導波手段２から出射されたモニター光１２を透明導
電性接着剤１０によりフォトデテクタ７に導光すること
により半導体レーザ素子２のモニターを支障なく行うこ
とができる。
尚、本実施例においては接着剤１０が光導波手段として
の役割を果しているが、薄い光導波手段をフォトデテク
タの受光面に固定し、そしてその光導波手段を普通の接
着剤で基板１に固定するようにする等本発明は種々の態
様で実施することができる。
の役割を果しているが、薄い光導波手段をフォトデテク
タの受光面に固定し、そしてその光導波手段を普通の接
着剤で基板１に固定するようにする等本発明は種々の態
様で実施することができる。
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、本発明半導体レーザ装置は、良熱
伝導性基板の表面の一部分上に半導体レーザ素子が固定
され、他の部分上に上記半導体レーザ素子からのモニタ
ー光を導く光導波手段を介してフォトデテクタが固定さ
れたことを特徴とするものである。
伝導性基板の表面の一部分上に半導体レーザ素子が固定
され、他の部分上に上記半導体レーザ素子からのモニタ
ー光を導く光導波手段を介してフォトデテクタが固定さ
れたことを特徴とするものである。
従って、本発明半導体レーザ装置によれば、フォトデテ
クタを半導体レーザ素子がマウントされる基板と別個に
形成し、光導波手段を介してフォトデテクタを基板に固
定するので、基板としてシリコン半導体基板より熱伝導
性の良いものを用いることができる。従ワて、半導体レ
ーザ装置の放熱性を良くすることができる。
クタを半導体レーザ素子がマウントされる基板と別個に
形成し、光導波手段を介してフォトデテクタを基板に固
定するので、基板としてシリコン半導体基板より熱伝導
性の良いものを用いることができる。従ワて、半導体レ
ーザ装置の放熱性を良くすることができる。
そして、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は上
記光導波手段を介してフォトデテクタへ導くことができ
るのでフォトデテクタにより支障なく半導体レーザ素子
の出力をモニターすることができる。
記光導波手段を介してフォトデテクタへ導くことができ
るのでフォトデテクタにより支障なく半導体レーザ素子
の出力をモニターすることができる。
第１図及び第２図は本発明半導体レーザ装置の一つの実
施例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は断面図、
第３図は半導体レーザ装置の従来例を示す斜視図である
。 符号の説明 １・・・良熱伝導性基板、 ２・・・半導体レーザ素子、 ７・・・フォトデテクタ、 １０・・・光導波手段。 断面図 第２図
施例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は断面図、
第３図は半導体レーザ装置の従来例を示す斜視図である
。 符号の説明 １・・・良熱伝導性基板、 ２・・・半導体レーザ素子、 ７・・・フォトデテクタ、 １０・・・光導波手段。 断面図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 良熱伝導性基板の表面の一部分上に半導体レーザ素子が
固定され、 上記良熱伝導性基板の表面の他の部分上に上記半導体レ
ーザ素子からのモニター光を導く光導波手段を介してフ
ォトデテクタが固定され、 たことを特徴とする半導体レーザ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9316188A JPH01265583A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9316188A JPH01265583A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265583A true JPH01265583A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14074837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9316188A Pending JPH01265583A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265583A (ja) |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9316188A patent/JPH01265583A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6035344A (ja) | 発光装置およびこれを用いた光学的信号処理装置 | |
| US5285062A (en) | Laser/detector hybrid with mirror source and diffracted return beam | |
| US5539767A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3201119B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US6606174B1 (en) | Optical semiconductor device | |
| JP2004220675A (ja) | 半導体集積装置 | |
| JPH01265583A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6039880A (ja) | 発光装置 | |
| JP3002180B1 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2003031886A (ja) | 発光モジュール | |
| JP3084173B2 (ja) | 半導体レーザー装置 | |
| JPH0440873B2 (ja) | ||
| JPH10233028A (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
| JP3318083B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000133822A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2542747B2 (ja) | レ―ザダイオ―ド | |
| KR960030129A (ko) | 반도체 레이저와 이를 이용한 기록재생용 부상형 광픽업 장치 | |
| JPH0749807Y2 (ja) | 光集積回路装置 | |
| JPH0710508Y2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000114584A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP4090125B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2000048385A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3766780B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH11306574A (ja) | 受光素子一体型半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置 | |
| JPS62143492A (ja) | 支持体およびこの支持体を組み込んだ光電子装置 |