JPH0126622B2 - - Google Patents

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JPH0126622B2
JPH0126622B2 JP17363088A JP17363088A JPH0126622B2 JP H0126622 B2 JPH0126622 B2 JP H0126622B2 JP 17363088 A JP17363088 A JP 17363088A JP 17363088 A JP17363088 A JP 17363088A JP H0126622 B2 JPH0126622 B2 JP H0126622B2
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Schenectady Chemicals Inc
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    • H01B3/308—Wires with resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/16—Polyester-imides
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    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、導電体およびその製造方法に関する
ものである。 米国特許第3697471号には、実施例9にエチレ
ングリコールとグリセリンと2モルの無水トリメ
リツト酸を1モルのメチレンジアニリンとを反応
させて製造されるジイミドジカルボン酸とから製
造されるポリエステル−イミドが開示されてい
る。このジイミドジカルボン酸は、以下において
しばしばDIDと略称する。前記特許において製造
される重合体は、トリオールのジオールに対する
モル比が0.676であり、ヒドロキシルのカルボキ
シルに対する当量比が1.41である。この生成物
は、そのワイヤを無伸長で1時間加熱して250℃
のヒートシヨツクを有している。 テレベツクFH(Terebec FH)として知られて
いる前記特許により製造される市販の材料は、テ
レフタル酸およびDIDから誘導される少量のイミ
ドから導かれる多量のエステルを含有している。
テレベツクFHは、米国特許第3426098号により
製造される市販のP「アイソミツド(ISOMID)」
に比して物性が劣つている。しかして、20%延伸
して200℃において30分間加熱したときのヒート
シヨツクに関して、つぎの結果が得られている。
【表】 アイソミツドを260℃で試験すると、同一マン
ドレル寸法における結果は0−0−0−0であつ
た。 ポリエステル樹脂またはその他の樹脂で被覆し
た電気伝導体用のトツプコートとしてポリエステ
ル−イミドを使用することは、すでに提案されて
いる〔例えば米国特許第4208464号(Ishizuka)、
同第4070524号(Keske)、同第3944706号
(Czajka)、同第4012555号(Keske)および同第
4012556号(Keske)〕。しかしながら、これらの
特許による生成物は、充分良好なヒートシヨツク
性を有していない。事実、多数の特許、例えば米
国特許第4012555号および同第3944706号は、マグ
ネツトワイヤ用の自己接着被覆物を目的としてい
る。この自己接着性は、良好なヒートシヨツク性
とは両立しない。米国特許第4208464号は30〜50
の酸価および1:1〜2:1のOH/COOH当量
比を有する水溶性ポリエステル−イミドを製造す
るが、多量の脂肪族ボリカルボン酸を必要とす
る。 ワイヤに適用したとき顕著な物性を有するポリ
エステル−イミドが製造できることが見出され
た。かくして、上記のごとき市販のアイソミツド
の200℃というヒートシヨツクに対して260℃のヒ
ートシヨツクに耐え得るのである。この新規なポ
リエステル−イミドは、シングルコート系とし
て、アミド−イミドをトツプコートしたポリエス
テル〔例えば、現在当業者間で使用されているア
ミド−イミド被覆したアイソネル200(ISONEL
200)〕に対抗し得る。この新規なポリエステル−
イミドは、エー・オー・スミス(A.O.Smith)ブ
リスター試験を通過し、かつ良好なバーンアウト
結果を有している。 この新規なポリエステル−イミドは、ジカルボ
ン酸としてDIDまたはDIDと少量の他の芳香族カ
ルボン酸との混合物を使用する。 本発明のパラメータは、つぎのとおりである。 (1) ポリエステル−イミドは、ヒドロキシルのカ
ルボキシルのカルボキシルに対する当量比が
2.65:1〜3.67:1、好ましくは2.65:1〜
3.33:1で製造される。この当量比は4.0:1
程度の高さでもよい。 (2) ポリエステル−イミドは、三価アルコールの
二価アルコールに対するモル比が0.23:1〜
0.62:1、好ましくは0.4:1〜0.5:1で製造
される。 (3) このポリエステル−イミドは、40〜50当量
%、通常42550当量%、好ましくは45〜50当量
%のイミド基で製造される。 (4) このポリエステル−イミドは、つぎのモル%
の成分で製造されている。 モル% 二価アルコール 29〜56 三価アルコール 9〜19 芳香族ジアミン 11〜18 無水トリメリツト酸 22〜35 芳香族ジカルボン酸またはジエステル 0〜 7 反応成分のモル比は、それが無水トリメツト
酸とメチレンジアニリンにより開始されるか、
あるいはこれらが予備反応させたのちに予め生
成したDIDについての計算の基礎とするかによ
つて大きく変化する。2モルの無水トリメツト
酸(以下、TMAと略称する。)と1モルのメ
チレンジアニリン(以下、MDAと略称する。)
とが縮合して1モルのDIDとなり、これにより
モル計算は変る。例えば、例12において、トリ
ス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート
(以下、THEICと略称する。)は、使用した
DID基準で23%であるか、またはMDAと
TMAとが予備反応せずにDIDを生成してない
場合には15.3%である。THEICのモル%は、
予備反応したDIDを使用する場合には、常に高
い。何故ならばDIDは常に全モル数に対して少
量含まれ、したがつてTHEICの割合は比例的
に高くなるからである。 パラメータ4および特許請求の範囲における
モル比は、TMAおよびジアミンが予備生成し
たDIDよりもむしろ存在する場合を基準として
計算されている。 (5) このポリエステル−イミドは、通常700〜
1300あるいは2000までの平均分子量を有してい
るが、好ましくは750〜1050の平均分子量を有
している。この分子量は蒸気圧浸透計により測
定された。 (6) このポリエステル−イミドのヒドロキシル価
は、通常380〜420であるが、これは例えば350
程度あるいは450程度に変えることができる。 (7) このポリエステル−イミドは、(a)トリス(2
−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート
(THEIC)、(b)テレフタル酸(TA)のような
二塩基酸またはジメチルテレフタレート
(DMT)、ジエチルテレフタレーチまたはジブ
チルテレフタレートのような前記酸の低級アル
キルエステル、(c)無水トリメツト酸(TMA)、
(d)メチレンジアニリンおよび(e)エチレングリコ
ールのような二価アルコールを使用して製造さ
れる。 (8) このポリエステル−イミドは、種々の溶媒媒
体、例えばクレゾール類、N−メチルピロリド
ン、エチレングリコール、メチルカルビトール
(ジエチレングリコールのモノメチルエーテル)
または50%のクレゾール酸と50%のエチレング
リコールとの混合物中で70〜100%濃度で製造
される。 (9) このポリエステル−イミドは、フエノール、
クレゾールまたはクレゾール酸または他のフエ
ノール類またはフエノール類の混合物を含めて
幅広く種々の溶媒に可溶である。これらは、好
ましくは29〜59%のクレゾール酸(Merichem
Co.)(CA−43と略称する。)12〜19%のフエノ
ール、17〜38%のソルベツソ100(テトラメチル
ベンゼンとジアルキル−およびトリアルキルベ
ンゼンとの沸点182〜204℃の混合物)またはソ
ルベツソ150(70%のソルベツソ100および30%
の重芳香族ナフサの配合物)を含有する溶媒混
合物に可溶である。この溶媒は、0〜60%の
水、0〜28%のN−メチルカルビトールの混合
物でもよい。これらのポリエステル−イミドを
水に溶解するために、水に可溶な塩を形成し得
る有利のカルボキシル基またはアミド酸基と反
応する種々のアミン類を使用することができ
る。これらのアミン類は、トリメチルアミン、
トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ジ
メチルエタノールアミン、メチルジエタノール
アミン等のアルキルアミン類およびアルカノー
ルアミン類であつてもよい。充分な量のアミン
が水溶液のPHを7〜9、好ましくは7.5〜8.5に
上昇させるために使用される。 ワイヤエナメルには、従来の変成剤、例えばタ
イザーTPT(Tyzor TPT)(テトライソプロピ
ルチタネート)、TBT(テトラブチルチタネー
ト)、テトラフエニルチタネート、テトラクレジ
ルチタネートなど、およびポリイソシアネート
類、例えばフエノールでブロツク化された3個の
遊離のイソシアネート基を有する2,4−および
2,6−トリレンジイソシアネート類の環状三量
体であるモンデユールSH(Mondur SH)または
米国特許第3426098号に記載されている他のポリ
イソシアネート類、またはクレゾールまたは金属
乾燥剤、例えばナフテン酸コバルト、ナフテン酸
マンガン、ナフテン酸カルシウム、オクテン酸亜
鉛およびポリキヤツト200(Polycat 200)を添加
することもできる。他のチタネート類および乾燥
剤類、例えば米国特許第4119608号に記載されて
いるものも使用できる。また、エナメルにフエノ
ール−ホルムアルデヒド樹脂、クレゾール−ホル
ムアルデヒド樹脂のようなフエノール樹脂を加え
ることができる。 このワイヤエナメルは、銅、アルミニウム、銀
またはその他のワイヤに、通常の被覆方法および
ワイヤ速度、例えば30〜60ft/min.で使用でき、
かつワイヤエナメルの硬化は通常の温度、例えば
260〜482℃、通常260〜427℃で行なわれる。 このポリエステル−イミドは、ワイヤを提供す
るポリエステル樹脂または他のポリエステル−イ
ミド樹脂でベースコートされたワイヤのトツプコ
ートを提供し、かつこれが良好なヒートシヨツク
性を有する被覆を提供するのに有用できることも
見出された。さらに、このポリエステル−イミド
は、従来のアミド−イミド重合体トツプコート
(常法はポリエステルベースコート(例えば
THEIC、エチレングリコールおよびテレフタル
酸より製造されるIsonel 200)の4コートを適用
し、ついで溶媒としてN−メチルピロリドンを使
用したアミド−イミドの2コートを適用される。)
を使用した場合よりも安価で改良されたヒートシ
ヨツク性を与える。 アミド−イミド重合体を使用する代りに、本発
明トツプコート(ポリエステル−イミドの1また
は2コートを使用)として、ポリエステル(また
は異種のポリエステル−イミド)を被覆したワイ
ヤに本発明のポリエステル−イミドエナメルが使
用される場合に、溶媒としてN−メチルピロリド
ンノ使用を避けることができる、安価な溶媒を使
用することもできる。また、このエナメルはより
高い固形分、例えば40%で使用できるので、スタ
ツフに少量の溶媒が揮散する。 高温ベースコートは、従来のポリエステル類、
例えば米国特許第3342780号に記載のものまたは
従来のポリエステル−イミド樹脂、例えば米国特
許第3426098号の記載のものでよい、前記両特許
の全開示は、参考のためにここに併合されかつそ
れに基づいている。ポリエステル樹脂の代表的な
ものは、THEIC、エチレングリコールおよびテ
レフタル酸またはイソフタル酸の反応生成物であ
る。Fクラスのエナメルには、ベースコートにお
けるTHEICはグリセリン、トリメチロールプロ
パンまたはトリメチロールエタンで置換すること
ができる。 ポリエステル−イミド樹脂ベースコートの代表
的なものは、THEIC、エチレングリコール、テ
レフタル酸(またはイソフタル酸)、メチレンジ
アニリン(またはオキシジアニリン)および無水
トリメリツト酸の反応生成物である。THEICの
代りに、米国特許第3697471号のポリエステル−
イミドの場合のようにグリセリンを使用すること
ができ、前記特許の全開示は参考のためにここに
併合されかつそれに基づいている。同様に、ベー
スコートとして、米国特許第4119608号のジエチ
レングリコールまたはトリエチレングリコールモ
ノエーテル変性ポリエステル−イミド樹脂が使用
でき、その全開示は参考のためにここに併合され
かつそれに基づいている。 このポリエステル−イミドは、実質的に前記材
料からなるものである。組成物は、実質的に前記
材料を含有してなるものである。 特にことわらない限り、全ての部およびパーセ
ントは重量による。 以下実施例において、つぎの略号が使用されて
いる。 EG:エチレングリコール TA:テレフタル酸 DMT:ジメチルテレフタレート TMA:無水トリメリツト酸 THEIC:トリス(2−ヒドロキシエチル)
イソシアヌレート MDA:メチレンジアニリン NMP:N−メチレンピロリドン TPT:テトライソプロピルチタネート DID:ジイミドカルボン酸(1モルの
MDAと2モルのTMAの付加物) Tyzor TE:トリエタノールアミンチタニウム
キレート 前記材料を使用することが臨界的であることが
見出された。かくして、酸成分として100%未満
のDIDが使用される場合には、トリメチロールプ
ロパンまたはグリセリンによるTHEICの置換ま
たは他の酸としてイソフタル酸またはアジピン酸
によるテレフタル酸の置換はいずれも良好な結果
を与えない。同様に、プロピレングリコールまた
は1.4−ブタンジオールによるエチレングリコー
ルの置換または酸の一部として1,2,3,4−
ブタンテトラカルボン酸無水物を含めることはい
ずれも良好な結果を与えない。単独の二価アルコ
ールとしてはエチレングリコールを使用すること
がのぞましいが、小部分のエチレングリコールを
他の二価アルコール、例えば1,4−ブチレング
リコールのようなアルカンジオールで置換するこ
とが可能である。例えば、エチレングリコール−
ブチレングリコール比75:25のものが使用でき
る。 ポリエステル−イミドのイミド含量は、次式で
現わされる。 イミド当量/イミド当量+エステル当量 例 1 (a) 重合体の製造
【表】 3.33/1のヒドロキシル/カルボキシル比、
0.45/1のトリオール/ジオール比および50当
量%のイミド含量を有するポリエステル−イミ
ドを製造した。原料A、B、C、DおよびEを
電子制御モータにより駆動される撹拌機、フラ
スコ用温度計、3バブルスナイダ−分別塔およ
び水冷凝縮器を備えた3の三つ口フラスコに
供給した。温度を徐々に220〜230℃に上昇さ
せ、かつ所定の物性が得られるまで保持した。
クレゾール酸中の38%固形分として測定したと
きの粘度がX(Gardner−Holdt)のときに反
応を終了させ、溶融物をパンに排出させて固化
した。樹脂の固形分は86.7%で、重合体の分子
量は987であつた。 (b) ワイヤエナメルの製造 重量(g) (A) 例1(aで)で製造したポリエステル−イ
ミド 369.1 (B) CA−43 120.7 (C) フエノール 90.5 (D) ソルベツソ 100 172.4 (E) フエノール樹脂(CA−43に溶解したm−、
p−クレゾール) 36.6 (F) TPT 12.2 (G) ブロツクイソシアネート(CA−43および
ソルベツソ 100に溶解したMondur SH)
70.4 (H) エチレングリコール 17.0 B、CおよびD中に例1(a)の重合体を溶解
し、その混合物を溶解するまで120℃に保つて
例1(a)の重合体の溶液を製造した。この溶液を
88℃に冷却し、E、FおよびGを添加した。つ
いで、この溶液を120℃に加熱し、2時間保持
した。得られたワイヤエナメルの粘度はV3/4
であり、固形分は39.2%と測定された。 (c) ワイヤエナメルの製造 重量(g) (A) 例1(a)で製造したポリエステル−イミド
262.4 (B) CA−43 247.0 (C) フエノール 109.8 (D) ソルベツソ150 82.3 (E) ソルベツソ100 109.8 (F) フエノール樹脂 29.6 (G) TPT 10.0 (H) ブロツクイソシアネート 63.1 添加剤F、GおよびHの量を増加させ、かつ
この配合に82.3gのソルベツソ150を使用した
以外は、例1(b)に記載と同一の方法でワイヤエ
ナメルを製造した。このエナメルの粘度はEで
あり、固形分は28.4%と測定された。 (d) ワイヤエナメルの製造 重量(g) (A) 例1(a)で製造したポリエステル−イミド
262.4 (B) CA−43 238.8 (C) フエノール 106.1 (D) ソルベツソ150 79.6 (E) ソルベツソ100 106.1 (F) フエノール樹脂 17.4 (G) TPT 6.4 (H) ブロツクイソシアネート 40.3 例1(b)と同一の方法でワイヤエナメルを製造
した。このエナメルの粘度はD3/4であり、か
つ固形分は28.3%と測定された。 例 2 (a) 重合体の製造
【表】 50当量%のイミド含量および3.67のヒドロキ
シル/カルボキシル比を有するポリエステル−
イミドを製造した。例1(a)に記載と同様な方法
が使用された。U1/2の粘度に達したのち、樹
脂をパンに排出して固化させた。固形分は82.7
%と測定された。この重合体の分子量は1082で
あつた。 例 3 (a) 重合体の製造
【表】 0.23/1のトリオール/ジオールモル比およ
び50当量%のイミド含量を有するポリエステル
−イミドが、例1(a)に記載と同様な方法で製造
された。この重合体についてU1/2の粘度およ
び79.6%の固形分が得られた。この重合体の分
子量は1290であつた。 (b) ワイヤエナメルの製造 例1(a)のポリエステル−イミド369.1gの代
りに例3(a)のポリエステル−イミド401.6gを
使用し、例1(b)と同様な方法を行なつた。得ら
れたワイヤエナメルの粘度はU1/2であり、固
形分は40.2%と測定された。 例 4 (a) 重合体の製造
【表】 47.5当量%のイミド含量を有するポリエステ
ル−イミドを、例1(a)に記載と同一の方法で製
造した。この重合体はVの粘度および86.0%の
固形分を有していた。分子量は1541であつた。 (b) ワイヤエナメルの製造 例1(a)のポリエステル−イミド369.1gの代
りに例4(a)のポリエステル−イミド371.1gを
用いた以外は、例1(b)に記載と同様な方法によ
りワイヤエナメルを製造した。このエナメル
は、T3/4の粘度および38.8%の固形分を有し
ていた 例 5 (a) 重合体の製造
【表】 45当量%のイミド含量を有するポリエステル
−イミドが例1(a)に記載と同様な方法で製造
し、最終重合体の粘度はV1/4で、固形分は
85.5%であつた。 (b) ワイヤエナメルの製造 例1(b)に記載と同様な方法でワイヤエナメル
を製造した。得られたワイヤエナメルの粘度は
T3/4であり、固形分は39.4%であつた。 例 6 (a) 重合体の製造
【表】 45当量%のイミド含量および2.65のOH/
COOH比を有するポリエステル−イミドを、
例1(a)に記載と同様な方法で製造した。最終粘
度をXに、かつ固形分を88.0%に調整した (b) ワイヤエナメルの製造 例1(a)のポリエステル−イミド369.1gの代
りに例6(a)のポリエステル−イミド363.3gを
用いた以外は、例1(b)に記載と同様な方法によ
りワイヤエナメルを製造した。このエナメルの
粘度はVであり、固形分は40.0%であつた。 例 7 (a) 重合体の製造
【表】
【表】 40当量%のイミド含量、2.84のOH/COOH
比および0.29のトリオール/ジオールモル比を
有するポリエステル−イミドを、例1(b)に記載
と同様な方法で製造した。最終粘度をU1/2に、
また固形分を82.6%に調整した。重合体の分子
量は773であつた。 (b) ワイヤエナメルの製造 例1(a)製造したポリエステル−イミド369.1
gの代りに例7(a)で製造したポリエステル−イ
ミド387gを使用した以外は、例1(b)に記載と
同様な方法によりワイヤエナメルを製造した。
得られたエナメルの粘度はU1/4であり、固形
分は40.0%であつた。 例 8 (a) 重合体の製造 溶媒媒体としてクレゾール酸のかわりにN−
メチルピロリドンを使用した以外は例1(b)と同
一の装置および方法を使用して重合体を製造し
た。クレゾール酸中の38%固形分でWの粘度に
反応し、固形分は82.5%であつた。 (b) 従来のワイヤエナメルの製造 例1(a)の重合体369.1gの代りに例8(a)の重
合体364.5gを使用した以外は例1(b)に記載と
同一方法でワイヤエナメルを製造した。得られ
たワイヤエナメルの粘度はX1/2であり、固形
分は40.3%であつた。 (c) 水性ワイヤエナメルの製造 例8(a)で製造した硬質樹脂を小型チヤンクに
供給し、472.7gの重合体を39.1gのメチルカ
ルビトールとともに3の三つ口フラスコに供
給し、重合体が流動かつ溶解するまで132℃ま
で加熱した。120℃の温度で46.8gのジメチル
エタノールアミン(DMEA)をフラスコに添
加した。ついで、このバツチを105℃に冷却し、
182.1gの蒸溜水をこのフラスコに添加した。
さらに水、アミンおよび溶媒を添加して粘度を
下げた。ついで、固形分対固形分基準で5.5%
のTyzor TEを前記溶液に加えてX1/4の粘度、
PH8および47.6%の固形分を有する最終エナメ
ルを製造した。 例 9 (a) 重合体の製造 溶媒媒体としてクレゾール酸のかわりにメチ
ルカルビトールを使用した以外は例1(a)記載と
同様の装置および方法を用いて重合体を製造し
た。クレゾール酸中の38%濃度でV1/4の粘度
および80.9%の固形分に反応させた。 (b) 従来のワイヤエナメルの製造 例1(a)の重合体369.1gの代りに例9(a)の重
合体395.4gを使用した以外は例1(b)に記載と
同様な方法でワイヤエナメルを製造した。得ら
れたエナメルの粘度はT1/2であり、固形分は
40.7%であつた。 (c) 水性ワイヤエナメルの製造 例8(c)に記載と同一の装置および方法を使用
して、例9(a)のベース重合体481.9gをメチル
カルビトール29.9g、DMEA66.8g、蒸溜水
182.6gおよびTyzor TE21.9gと配合してつぎ
の物性を有するエナメルを製造した。粘度X1/
2、PH7.5、固形分53.0% 例 10 (a) 重合体の製造
【表】 溶媒媒体としてクレゾール酸のかわりにエチ
レングリコールを使用した以外は、例1(a)と同
様の装置および方法で重合体を製造した。クレ
ゾール酸中の38%固形分のものでX3/4粘度お
よび固形分88.7%に反応させた。 (b) 従来のワイヤエナメルの製造 例1(a)の重合体369.1gの代りに例10(a)の重
合体360.8gを使用した以外は例1(b)に記載と
同様な方法でワイヤエナメルを製造した。得ら
れたエナメルの粘度はTであり、固形分は41%
であつた。 (c) 水性ワイヤエナメルの製造 例8(c)に記載と同一装置および方法を使用し
て、例10(a)の重合体439.7gをメチルカルビト
ール72.1g、DMEA66.8g、蒸溜水182.6gお
よびTyzor TE21.9gと配合してつぎの物性を
有するエナメルを製造した。粘度Y、PH7.5、
固形分48.6%。 例 11 (a) 重合体の製造
【表】 71.4gのDMTの代りに61gのTAを使用した
以外は、例5(A)と同様な装置および方法で重合
体を製造した。クレゾール酸中の38%固形分の
粘度をU1/4にまた固形分を81.6%に調整した。
重合体の分子量は1481であつた。 (b) ワイヤエナメルの製造 例1(a)の重合体369.1gの代りに例11(a)の重
合体391.8gを使用した以外は例1(b)に記載と
同様な方法でワイヤエナメルを製造した。得ら
れたエナメルの粘度はU1/2であり、固形分は
40.5%であつた。 例 12 (a) 重合体の製造
【表】 TMAおよびMDAの代りにDIDを使用した
以外は、例1(a)に記載と同様な装置および方法
で重合体を製造した。クレゾール酸中の固形分
の粘度をU3/4に、また固形分を84.8%に反応
させた。重合体の分子量は1967であつた。 (b) ワイヤエナメルの製造 例1(a)の重合体369.1gの代りに例12(a)の重
合体377.4gを使用した以外は例1(b)に記載と
同様な方法でワイヤエナメルを製造した。得ら
れたエナメルの粘度はU3/4であり、固形分は
39.2%であつた。 例 13 (a) 重合体の製造
【表】 * 浴の全固形分基準
金属乾燥剤、(F)、(G)および(H)を添加した以外
は、例1(a)と同様の装置および方法で重合体を
製造した。クレゾール酸中の38%固形分の粘度
をX1/4に、また固形分を86.1%に反応させた、 (b) ワイヤエナメルの製造 例1(a)の重合体369.1gの代りに例13(a)の重
合体371.7gを使用した以外は例1(b)に記載と
同様な方法でワイヤエナメルを製造した。得ら
れたエナメルの粘度はU1/2であり、固形分は
41.4%であつた。 例 14 (a) 重合体の製造
【表】 342.5g過剰のエチレングリコールをこの配
合に使用した以外は、例1(a)と同様な装置およ
び方法で重合体を製造した。最終粘度をU3/4
に、また固形分を82.6%に調整した。 (b) ワイヤエナメルの製造 例1(a)の重合体369.1gの代りに例14(a)の重
合体387.4gを使用した以外は例1(b)に記載と
同様な方法でワイヤエナメルを製造した。得ら
れたエナメルの粘度はUであり、固形分は41.6
%であつた。 ベース重合体およびワイヤエナメルの固形分パ
ーセントは、200℃に保持した強制空気炉内で2
gの試料を用いて測定した。 室温でワイヤにエナメルを適用したのち、常法
により260〜480℃で焼付けを行なつた。 ヒートシヨツクは、20%延伸して260℃で30分
間試験し、その結果を合格したパーセントで示
す。 以下の表は、上記例のいくつかの組成物で被覆
した18番の銅ワイヤによる物性を示す。
【表】
【表】
【表】 エイ・オー・スミス(A.O.Smith)フレオン試験 これはエイ・オー・スミス・カンパニーにより
開発された標準フレオン試験である。 方 法 5フイートの被覆ワイヤを使用した。マンドレ
ル(エイ・オー・スミス使用)にコイルを巻いて
4〜65%延伸のワイヤをつくる。18番のものに
は、外径1−1/6のマンドレルである。コイル試
料を150℃で2時間予め焼付ける。試料を除去し
冷却する。フレホンボンベに入れ、1−1/2ポン
ドのフレオン22(Freon 22)を供給する。加熱し
てボンベの圧力を600psiに上昇させ、かつ6時間
保持する。圧力を開放し、直ちに150℃の炉に4
時間コイルを入れる。コイルを取出し、ブリスタ
ーを調べる。つぎのものは不合格である。すなわ
ち、1個の大きなブリスター(ワイヤ系以上のも
の)、2個の中程度のブリスター(ワイヤ系の1/2
〜1のもの)または5個の小さなブリスター(ワ
イヤ系の1/2以下のもの)。可塑性試験も、5Xの
マンドレルのワイヤの長さを10回包んで行なう。
被覆は亀裂または剥離を生じてはならない。さら
に、前記試験に合格した試料についてツイストペ
ア誘導試験(twisted pair dielectric)を行なつ
た。 DIDの式は次のとおりである。 前記のように、本発明のポリエステル−イミド
は、ポリエステルまたは別のポリエステル−イミ
ドのベースコートを有するワイヤ用のトツプコー
トとして有用である。本発明のポリエステル−イ
ミド製品は、特に高い耐熱性を有する導電体用被
覆を製造する。 熱接着性(thermobonding)と高い耐熱性とは
相反する性質である。重合体を軟化させかつ175
℃のごとき温度で接着し得る構造を有する重合体
は、本発明のポリエステル−イミド製品が260℃
で耐え得る苛酷な性能に耐えることができない。
同様に、260℃に耐えるように構成された本発明
の生成物は175℃でつぎの接着性を示さない。実
験は、本発明の高い耐熱性重合体は絶対的に接着
強度を有していないので、ケスケ(Keske)によ
るその重合体に対する接着性を得るような試条件
で軟化させることができない。 さらに、KeskeおよびCzajkaのポリエステル
−イミド被覆は、高分子量の熱可塑性組成物であ
るが、本発明によるポリエステル−イミド被覆
は、通常0〜10の酸価を有する低分子量の熱硬化
性樹脂である。 つぎの第2表において、ベースコートはIsonel
200〔トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌ
レート−エチレングリコール−テレフタレート〕
であつた。ワイヤの構造はベースコートの4層と
それぞれのトツプコート2層との被覆層よりなる
ものであるが、本発明の新規なE.I.のための最終
列のものだけはベースコート(Isonel 200)の5
層と該E.I.のトツプコートの1層とよりなるもの
である。 第2表においてAIと記載されているトツプコ
ートは、つぎの配合に基づくポリエステル−イミ
ドである。 N−メチルピロリドン(NMP) 80.4g メチレンジフエニルジイソシアネート(MDI)
25.0g アルミアルコール 0.85 無水トリメツト酸(TMA) 19.1g ソルベツソ 100 34.3g これらの成分は、常法により処理してガードナ
ー−ホルトスケール(Gardner−Holdt scale)
でX1/2〜Yの粘度および26.5〜28.5%の固形分
を有するエナメル溶液を製造し、2gの試料を
200℃で強制空気炉内で2時間焼付けた。Isomid
は米国特許第3426098号によりスケネクタデイ・
ケミカルズ・インコーポレーテツドで製造販売さ
れているTHEIC型ポリエステル−イミド含有エ
ナメルである。 エナメル溶液は、他の試料と同様に常法により
製造し、26.5〜28.5%の固形分およびガードナー
−ホルストスケールでT1/2〜U1/2の粘度を有す
るエナメルを得た。 「新規なE.I.」と記載されているトツプコート
は、本発明の例1に記載の生成物である。
【表】
【表】 200℃でヒートシヨツク値を比較した場合、全
ての構成は性能がほぼ等しい。しかしながら、ヒ
ートシヨツクの温度が220℃に上昇すると、
Isomidトツプコートを有する構成は完全に試験
に不合格となる。本発明の新規なポリエステル−
イミドを被覆したものは220℃で4Xを合格する。
220℃および260℃でAI/Isonel構成のヒートシヨ
ツク抵抗に完全に正確には及ばないが、極めて安
価で所定の性能を与える。AI/Isonel構成は、溶
媒として高価なN−メチルピロリドンを使用した
固形分22〜28%のポリエステル−イミドに基づい
ている。本発明の新規なポリエステル−イミド
は、極めて安価な従来のクレゾール酸/炭化水素
溶媒混合物を使用し、かつ極めて高い固形物で使
用できる。 本発明の新規なポリエステル−イミドトツプコ
ートと、Keskeの特許との差を示すために、
Isonel 200を被覆したワイヤを新規なポリエステ
ル−イミドでトツプコートし、被覆したワイヤを
巻き、175℃で1時間接着し、接着強度を試験し
た。Keskeと比較した結果は、つぎのとおりであ
る。
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導電体上の被覆したヒドロキシルのカルボキ
    シルに対する当量比2.65:1〜4.0:1および三
    価アルコールの二価アルコールに対するモル比
    0.23:1〜0.62:1を有するポリエステル−イミ
    ドであつて、該ポリエステル−イミドは40〜50当
    量%のイミド基を含有し、該イミド基はつぎの式 (ただし、式中、XはOまたはCH2である。) を有するイミド二塩基酸からのものであり、該ポ
    リエステルはつぎのモル比%の成分 二価アルコール 29〜56モル% 三価アルコール 9〜19 芳香族ジアミン 11〜18 無水トリメリツト酸 22〜35 芳香族二塩基酸またはそのジエステル
    0〜7 〔ただし、二価アルコールはエチレングリコール
    またはエチレングリコールと少量の他のアルカン
    ジオールとの混合物、三価アルコールはトリス
    (2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、芳
    香族ジアミンはメチレンジアニリンまたはオキシ
    ジアニリンで、無水トリメリツト酸のメチレンジ
    アニリンまたはオキシジアニリンに対するモル比
    は約2:1であり、芳香族二塩基酸はテレフタル
    酸であり、また芳香族ジエステルはジ(低級アル
    キル)テレフタレートである。〕でつくられてお
    り、該ポリエステル−イミドは700〜2000の分子
    量を有し、かつ該ポリエステル−イミドのヒドロ
    キシル価は350〜450であるポリエステル−イミド
    を硬化して形成した絶縁被覆を有してなる導電
    体。 2 導電体はワイヤの形である特許請求の範囲第
    1項に記載の導電体。 3 テレフタル酸が使用されてなる特許請求の範
    囲第2項に記載の導電体。 4 芳香族二塩基酸またはそのジエステル含量が
    0である特許請求の範囲第3項に記載の導電体。 5 芳香族二塩基酸またはそのジエステル含量が
    2〜7モル%である特許請求の範囲第4項に記載
    の導電体。 6 750〜1050の分子量を有してなる特許請求の
    範囲第5項に記載の導電体。 7 ヒドロキシルのカルボキシルに対する当量比
    が2.65:1〜3.33:1、三価アルコールの二価ア
    ルコールに対するモル比が0.4:1〜0.5:1であ
    り、かつ該ポリエステル−イミドが42.5〜50当量
    %のイミド基を含有してなる特許請求の範囲第6
    項に記載の導電体。 8 該ポリエステル−イミドが45〜50当量%のイ
    ミド基を含有してなる特許請求の範囲第6項に記
    載の導電体。 9 芳香族ジアミンはメチレンジアニリンであ
    り、またヒドロキシルのカルボキシルに対する当
    量比が2.65:1〜3.67:1である特許請求の範囲
    第1項に記載の導電体。 10 導電体はワイヤの形である特許請求の範囲
    第9項に記載の導電体。 11 ヒドロキシルのカルボキシルに対する当量
    比2.65:1〜3.67:1を有するポリエステル−イ
    ミドの成分としてテレフタル酸が使用されてなる
    特許請求の範囲第10項に記載の導電体。 12 芳香族ジカルボン酸またはそのジエステル
    は0である特許請求の範囲第10項に記載の導電
    体。 13 芳香族ジカルボン酸またはそのジエステル
    は2〜7モル%である特許請求の範囲第10項に
    記載の導電体。 14 ヒドロキシルのカルボキシルに対する当量
    比2.65:1〜3.67:1を有するポリエステル−イ
    ミドの分子量は750〜1050である特許請求の範囲
    第10項に記載の導電体。 15 ポリエステル−イミドはヒドロキシルのカ
    ルボキシルに対する対する当量比2.65:1〜
    3.33:1および三価アルコールの二価アルコール
    に対するモル比0.4:1〜0.5:1を有し、かつ
    42.5〜50当量%のイミド基を含有してなる特許請
    求の範囲第10項に記載の導電体。 16 ポリエステル−イミドは45〜50当量%のイ
    ミド基を含有してなる特許請求の範囲第10項に
    記載の導電体。 17 ベースコートを有する導電体上の被覆した
    ヒドロキシルのカルボキシルに対する当量比
    2.65:1〜4.0:1および三価アルコールの二価
    アルコールに対するモル比0.23:1〜0.62:1を
    有するポリエステル−イミドであつて、該ポリエ
    ステル−イミドは40〜50当量%のイミド基を含有
    し、該イミド基はつぎの式 (ただし、式中、XはOまたはCH2である。) を有するイミド二塩基酸からのものであり、該ポ
    リエステルはつぎのモル比%の成分 二価アルコール 29〜56モル% 三価アルコール 9〜19 芳香族ジアミン 11〜18 無水トリメリツト酸 22〜35 芳香族二塩基酸またはそのジエステル
    0〜7 〔ただし、二価アルコールはエチレングリコール
    またはエチレングリコールと少量の他のアルカン
    ジオールとの混合物、三価アルコールはトリス
    (2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、芳
    香族ジアミンはメチレンジアニリンまたはオキシ
    ジアニリンで、無水トリメリツト酸のメチレンジ
    アニリンまたはオキシジアニリンに対するモル比
    は約2:1であり、芳香族二塩基酸はテレフタル
    酸であり、また芳香族ジエステルはジ(低級アル
    キル)テレフタレートである。〕でつくられてお
    り、該ポリエステル−イミドは700〜2000の分子
    量を有し、かつ該ポリエステル−イミドのヒドロ
    キシル価は350〜450であるポリエステル−イミド
    を硬化して形成した絶縁被覆を有してなる導電
    体。 18 導電体はワイヤの形である特許請求の範囲
    第17項に記載の導電体。 19 テレフタル酸が使用されてなる特許請求の
    範囲第18項に記載の導電体。 20 芳香族二塩基酸またはそのジエステル含量
    が0である特許請求の範囲第19項に記載の導電
    体。 21 芳香族二塩基酸またはそのジエステル含量
    が2〜7モル%である特許請求の範囲第20項に
    記載の導電体。 22 750〜1050の分子量を有してなる特許請求
    の範囲第21項に記載の導電体。 23 ヒドロキシルのカルボキシルに対する当量
    比が2.65:1〜3.33:1、三価アルコールの二価
    アルコールに対するモル比が0.4:1〜0.5:1で
    あり、かつ該ポリエステル−イミドが42.5〜50当
    量%のイミド基を含有してなる特許請求の範囲第
    22項に記載の導電体。 24 該ポリエステル−イミドが45〜50当量%の
    イミド基を含有してなる特許請求の範囲第22項
    に記載の導電体。 25 芳香族ジアミンはメチレンジアニリンであ
    り、またヒドロキシルのカルボキシルに対する当
    量比が2.65:1〜3.67:1である特許請求の範囲
    第17項に記載の導電体。 26 該ポリエステル−イミドはトツプコートで
    あり、ベースコートはポリエステルである特許請
    求の範囲第25項に記載の導電体。 27 ポリエステルはトリス(2−ヒドロキシエ
    チル)イソシアヌレート−エチレングリコールテ
    レフタレート重合体である特許請求の範囲第27
    項に記載の導電体。 28 導電体はワイヤの形である特許請求の範囲
    第25項に記載の導電体。 29 ベースコートはポリエステルまたは異種の
    ポリエステル−イミドである特許請求の範囲第2
    6項に記載の導電体。 30 ベースコートはポリエステルである特許請
    求の範囲第29項に記載の導電体。 31 ポリエステルはトリス(2−ヒドロキシエ
    チル)イソシアヌレート−エチレングリコールテ
    レフタレート重合体である特許請求の範囲第30
    項に記載の導電体。 32 導電体はワイヤの形である特許請求の範囲
    第30項に記載の導電体。 33 ヒドロキシルのカルボキシルに対する当量
    比が2.65:1〜3.67:1を有するポリエステル−
    イミドの成分としてテレフタル酸が使用されてな
    る特許請求の範囲第32項に記載の導電体。 34 芳香族ジカルボン酸またはそのジエステル
    は0である特許請求の範囲第32項に記載の導電
    体。 35 芳香族ジカルボン酸またはそのジエステル
    は2〜7モル%である特許請求の範囲第32項に
    記載の導電体。 36 ヒドロキシルのカルボキシルに対する当量
    比2.65:1〜3.67:1を有するポリエステル−イ
    ミドの分子量は750〜1050である特許請求の範囲
    第32項に記載の導電体。 37 ポリエステル−イミドはヒドロキシルのカ
    ルボキシルに対する当量比2.65:1〜3.33:1お
    よび三価アルコールの二価アルコールに対するモ
    ル比0.4:1〜0.5:1を有し、かつ42.5〜50当量
    %のイミド基を含有してなる特許請求の範囲第3
    2項に記載の導電体。 38 ポリエステル−イミドは45〜50当量%のイ
    ミド基を含有してなる特許請求の範囲第32項に
    記載の導電体。 39 ヒドロキシルのカルボキシルに対する当量
    比2.65:1〜4.0:1および三価アルコールの二
    価アルコールに対するモル比0.23:1〜0.62:1
    を有するポリエステル−イミドであつて、該ポリ
    エステル−イミドは40〜50当量%のイミド基を含
    有し、該イミド基はつぎの式 (ただし、式中、XはOまたはCH2である。) を有するイミド二塩基酸からのものであり、該ポ
    リエステルはつぎのモル比%の成分 二価アルコール 29〜56モル% 三価アルコール 9〜19 芳香族ジアミン 11〜18 無水トリメリツト酸 22〜35 芳香族二塩基酸またはそのジエステル
    0〜7 〔ただし、二価アルコールはエチレングリコール
    またはエチレングリコールと少量の他のアルカン
    ジオールとの混合物、三価アルコールはトリス
    (2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、芳
    香族ジアミンはメチレンジアニリンまたはオキシ
    ジアニリンで、無水トリメリツト酸のメチレンジ
    アニリンまたはオキシジアニリンに対するモル比
    は約2:1であり、芳香族二塩基酸はテレフタル
    酸であり、また芳香族ジエステルはジ(低級アル
    キル)テレフタレートである。〕でつくられてお
    り、該ポリエステル−イミドは700〜2000の分子
    量を有し、かつ該ポリエステル−イミドのヒドロ
    キシル価は350〜450であるポリエステル−イミド
    を有機溶媒に溶解してなる被覆組成物を導電性ワ
    イヤに被覆し、ついで硬化することを特徴とする
    導電体の製造方法。 40 該組成物は水性溶媒混合物を含み、かつ該
    ポリエステル−イミドは該水性溶媒混合物に溶解
    性を与えるに充分な量の第三級アミンを含有して
    なる特許請求の範囲第39項に記載の方法。 41 PHは7〜9である特許請求の範囲第40項
    に記載の方法。
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